CN111223941A - 一种多层背电极及其制备方法和一种太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种多层背电极。所述多层背电极包括至少三层Mo膜层，所述至少三层Mo膜层包括：形成在衬底上的第一Mo膜层，所述第一Mo膜层具有张应力结构；位于所述多层背电极的表层的第二Mo膜层，所述第二Mo膜层具有张应力结构；以及形成在所述第一Mo膜层与所述第二Mo膜层之间的第三Mo膜层，所述第三Mo膜层具有压应力结构。本申请还公开了一种制备多层背电极的方法和一种太阳能电池。本申请的多层背电极能够控制CIGS系列的吸收层薄膜朝着(220)/(204)结晶取向进行生长，从而提高太阳能电池的光电转化效率。
Description
技术领域
本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种多层背电极及其制备方法和一种太阳能电池。
背景技术
铜铟镓硒(CuInxGa(1-x)Se2，CIGS)系列的薄膜太阳能电池(包括铜铟镓硒薄膜太阳能电池、铜铟硒薄膜太阳能电池、铜镓硒薄膜太阳能电池等)以其光电转化效率高、材料用量少、重量轻、可柔性化等特点受到广泛关注，并被认为是很有商业化前景的第二代太阳能电池。
CIGS系列的薄膜太阳能电池通常包括衬底、Mo背电极、CIGS系列的吸收层薄膜、缓冲层和上电极。为了提高整个Mo背电极的附着力和导电特性，目前市场上主流的Mo背电极采用双层膜设计方案，即如图1所示，Mo背电极包括沉积在衬底1上的高阻Mo膜层2和低阻Mo膜层3。所述高阻Mo膜层2在高气压下沉积，具有张应力结构，用以提高整个Mo背电极在衬底1上的附着力；所述低阻Mo膜层3在低气压下沉积，具有压应力结构，用以降低整个Mo背电极的电阻。
发明内容
本申请提供了一种可控制CIGS系列的吸收层薄膜的结晶取向的多层背电极及其制备方法和包括该背电极的太阳能电池，该多层背电极能够控制CIGS系列的吸收层薄膜朝着(220)/(204)结晶取向进行生长，从而提高太阳能电池的光电转化效率。
具体地，本申请提供了一种多层背电极所述多层背电极包括至少三层Mo膜层，所述至少三层Mo膜层包括：
形成在衬底上的第一Mo膜层，所述第一Mo膜层具有张应力结构；
位于所述多层背电极的表层的第二Mo膜层，所述第二Mo膜层具有张应力结构；以及
形成在所述第一Mo膜层与所述第二Mo膜层之间的第三Mo膜层，所述第三Mo膜层具有压应力结构。
在本申请中，“所述多层背电极的表层”定义为在所述多层背电极的多层Mo膜层中，距离所述衬底最远的一层Mo膜层所在的位置。
在本申请的实施方式中，所述多层背电极可以包括三层Mo膜层，所述三层Mo膜层包括形成在所述衬底上的所述第一Mo膜层、形成在所述第一Mo膜层上的所述第三Mo膜层以及形成在所述第三Mo膜层上的所述第二Mo膜层。
在本申请的实施方式中，所述第一Mo膜层与所述第三Mo膜层之间可以形成有一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层。
在本申请的实施方式中，所述第三Mo膜层与所述第二Mo膜层之间可以形成有一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层。
在本申请的实施方式中，所述第二Mo膜层的厚度可以为8nm-20nm。
本申请还提供了一种制备多层背电极的方法，所述方法包括：
在衬底上形成第一Mo膜层，所述第一Mo膜层具有张应力结构；
在所述第一Mo膜层上形成第三Mo膜层，所述第三Mo膜层具有压应力结构；以及
在所述第三Mo膜层上形成第二Mo膜层，所述第二Mo膜层具有张应力结构。
在本申请的实施方式中，所述方法还可以包括：在衬底上形成第一Mo膜层之后，在所述第一Mo膜层上形成第三Mo膜层之前，
在所述第一Mo膜层上形成一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层，然后在所述一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层上形成所述第三Mo膜层。
在本申请的实施方式中，所述方法还可以包括：在形成所述第三Mo膜层之后，在所述第三Mo膜层上形成第二Mo膜层之前，
在所述第三Mo膜层上形成一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层，然后在所述一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层上形成所述第二Mo膜层。
在本申请的实施方式中，形成所述第二Mo膜层采用的方法可以为磁控溅射法。
在本申请的实施方式中，采用磁控溅射法形成所述第二Mo膜层时的压力可以为2Pa-8Pa，溅射功率密度可以为1.5w/cm2-2w/cm2。
本申请还提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括如上所述的多层背电极或通过如上所述的方法制备得到的多层背电极。
本申请的多层背电极的表层的第二Mo膜层(即待沉积CIGS系列吸收层薄膜的一层Mo膜层)具有张应力结构，其与现有的双层Mo背电极的低阻Mo膜层相比，膜层相对比较稀疏。当在本申请的多层背电极上沉积CIGS系列的吸收层薄膜时，Se蒸气容易扩散进入膜层较为稀疏的第二Mo膜层内部，从而在所述第二Mo膜层与CIGS系列的吸收层薄膜的界面处形成c轴平行于膜面的结晶取向的MoSe2薄层，该结构有利于(220)/(204)结晶取向的CIGS系列的吸收层薄膜生长，从而提高CIGS系列的薄膜太阳能电池的光电转化效率。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为现有双层Mo背电极的结构示意图；
图2为本申请实施例的多层背电极的结构示意图。
图中的附图标记为：
1-衬底 2-高阻Mo膜层
3-低阻Mo膜层 10-第一Mo膜层
20-第三Mo膜层 30-第二Mo膜层
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本申请的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
本申请的发明人发现，采用现有的双层Mo背电极制备得到的CIGS系列的薄膜太阳能电池的光电转化效率较低。本申请的发明人深入分析了导致该问题的原因，分析如下：在Mo背电极上沉积CIGS系列的吸收层薄膜的过程中，Mo背电极的表面Mo膜层会与硒(Se)蒸气反应，形成硒化钼(MoSe2)薄层，MoSe2薄层有助于Mo膜层和CIGS系列的吸收层薄膜形成欧姆接触，而且还能够控制CIGS系列的吸收层薄膜在生长过程中的结晶取向。由于Mo背电极的低阻Mo层3比较致密，Se蒸气很难扩散进入其内部，形成的MoSe2薄层具有c轴垂直于膜面的结晶取向。这种结构的MoSe2薄层不利于(220)/(204)结晶取向的CIGS吸收层薄膜生长。然而，具有(220)/(204)结晶取向的CIGS吸收层薄膜具有更高的光电转化效率。因此，采用现有的双层Mo背电极制备得到的CIGS系列的薄膜太阳能电池的光电转化效率较低。
本申请实施例提供了一种多层背电极，所述多层背电极包括至少三层Mo膜层，所述至少三层Mo膜层包括：
形成在衬底上的第一Mo膜层，所述第一Mo膜层具有张应力结构；
位于所述多层背电极的表层的第二Mo膜层，所述第二Mo膜层具有张应力结构；以及
形成在所述第一Mo膜层和所述第二Mo膜层之间的第三Mo膜层，所述第三Mo膜层具有压应力结构。
本申请实施例的多层背电极包括至少三层Mo膜层，其中所述第一Mo膜层具有良好的张应力结构，能够提高多层背电极在所述衬底上的附着力；所述第三Mo膜层具有压应力结构，电阻率低，能够降低多层背电极的电阻；所述第二Mo膜层具有张应力结构，与所述第三Mo膜层相比，膜层较为稀疏。当在本申请实施例的多层背电极上沉积CIGS系列的吸收层薄膜时，Se蒸气容易扩散进入膜层较为稀疏的第二Mo膜层内部，从而在所述第二Mo膜层与CIGS系列的吸收层薄膜的界面处形成c轴平行于膜面的结晶取向的MoSe2薄层，该结构有利于(220)/(204)结晶取向的CIGS系列的吸收层薄膜生长，从而提高CIGS系列的薄膜太阳能电池的光电转化效率。
在本申请实施例中，如图2所示，所述多层背电极可以包括三层Mo膜层，所述三层Mo膜层包括形成在所述衬底1上的所述第一Mo膜层10、形成在所述第一Mo膜层10上的所述第三Mo膜层20以及形成在所述第三Mo膜层20上的第二Mo膜层30。
在本申请实施例中，所述第一Mo膜层10与所述第三Mo膜层20之间可以形成有一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层。
在本申请实施例中，所述第三Mo膜层20与所述第二Mo膜层30之间可以设置有一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层。
在本申请实施例中，所述第二Mo膜层30的厚度可以为8nm-20nm。若所述第二Mo膜层30的厚度太小，后续沉积CIGS系列的吸收层薄膜时，Se蒸气能够扩散进入背电极的深度仍较小，不利于形成具有c轴平行于膜面的结晶取向的MoSe2薄层；若所述第二Mo膜层30的厚度太大，将形成较厚的MoSe2薄层，从而增加CIGS系列的太阳能电池的背接触电阻，降低整个光伏电池的光电转化效率。为了便于后续Se蒸气扩散并且形成欧姆接触，所述第二Mo膜层30的厚度可以为8nm-20nm。
在本申请实施例中，所述衬底1可以采用CIGS系列的太阳能电池常用的衬底，例如，可以采用玻璃衬底。
在本申请实施例中，所述第一Mo膜层10的厚度可以为50nm-200nm；所述第三Mo膜层20的电阻率可以为1.5×10-5Ω/cm-1.5×10-4Ω/cm，厚度可以为300nm-700nm。
本申请实施例还提供了一种制备多层背电极的方法，所述方法包括：
在衬底上形成第一Mo膜层10，所述第一Mo膜层10具有张应力结构；
在所述第一Mo膜层10上形成第三Mo膜层20，所述第三Mo膜层20具有压应力结构；以及
在所述第三Mo膜层20上形成第二Mo膜层30，所述第二Mo膜层30具有张应力结构。
在本申请实施例中，所述方法还可以包括：在衬底上形成第一Mo膜层10之后，在所述第一Mo膜层10上形成第三Mo膜层20之前，在所述第一Mo膜层10上形成一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层，然后在所述一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层上形成所述第三Mo膜层20。
在本申请实施例中，所述方法还可以包括：在形成所述第三Mo膜层20之后，在所述第三Mo膜层20上形成第二Mo膜层30之前，
在所述第三Mo膜层20上形成一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层，然后在所述一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层上形成所述第二Mo膜层30。
在本申请实施例中，形成所述第二Mo膜层30采用的方法可以为磁控溅射法。作为大规模量产常用的镀膜技术，磁控溅射镀膜技术成熟、稳定且易于大尺寸产品的规模量产，同时工艺控制简单，能够通过工艺参数的调节，得到具有张应力结构或者压应力结构的Mo背电极。
采用磁控溅射法形成所述第二Mo膜层30时的压力可以为2Pa-8Pa。在高压条件下进行磁控溅射，可以得到疏松的第二Mo膜层30，从而能够在后续的蒸发工艺中，方便对第二Mo膜层30进行硒化，并能够控制形成c轴平行于膜面的结晶取向的MoSe2薄层，进而能够很好地控制后续通过蒸发工艺制备的CIGS膜层的结晶取向，提高电池的光电转化效率。但磁控溅射时的压力不能过高或过低，压力过高将不利于辉光放电进行，使得无法进行溅射；压力过低将减小离子与氩的碰撞几率，从而使膜层遭受较大的离子轰击效果，形成压应力结构。为了保证磁控溅射的顺利进行并且形成具有张应力结构的Mo膜层，采用磁控溅射法形成所述第二Mo膜层30时的压力可以为2Pa-8Pa。
采用磁控溅射法形成第二Mo膜层30时，过高的溅射功率密度能够增加离子对膜层的离子轰击效果，可使膜层较为致密，容易形成具有压应力结构的膜层；过低的溅射功率一方面不利于辉光放电的稳定，同时导致沉积速率过低，不利于大规模量产。为了形成具有张应力结构的所述第二Mo膜层30，并且获得较高的沉积速率，采用磁控溅射法形成所述第二Mo膜层30时的溅射功率密度可以为1.5w/cm2-2w/cm2，工作气体可以为氩气，靶材为Mo靶材。
在本申请实施例中，可以采用本领域常用的工艺方法形成第一Mo膜层10和第三Mo膜层20。例如，可以采用磁控溅射法在高压调节下沉积形成所述第一Mo膜层10，压力可以为2Pa-8Pa，溅射功率密度可以为1w/cm2-2w/cm2，工作气体可以为氩气，靶材为Mo靶材；可以采用磁控溅射法在低压调节下沉积形成所述第三Mo膜层20，压力可以为0.1Pa-0.6Pa，溅射功率密度可以为2w/cm2-3.5w/cm2，工作气体可以为氩气，靶材为Mo靶材。在高压条件下形成的第一Mo膜层10具有良好的附着力。
本申请实施例还提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
衬底1；
形成在所述衬底上的如上所述的多层背电极；
形成在所述多层背电极上的CIGS系列的CIGS系列的吸收层薄膜；
形成在所述CIGS系列的吸收层薄膜上的缓冲层；以及
形成在所述缓冲层上的上电极。
在本申请实施例中，所述CIGS系列的吸收层薄膜可以包括铜铟硒薄膜、铜铟镓硒薄膜、铜镓硒薄膜、银铜铟镓硒薄膜和铜铟镓硒硫薄膜中的任意一种或更多种。这些CIGS系列的吸收层薄膜中都含有硒，在其形成过程中都会与多层背电极表面的Mo形成MoSe2薄层。而且，当这些CIGS系列的吸收层薄膜为(220)/(204)结晶取向时，具有更高的光电转化效率。所述CIGS系列的吸收层薄膜可以采用蒸发法或溅射后硒化法制备。
在本申请实施例中，所述缓冲层和所述上电极可以采用本领域中常用的结构和制备方法形成。例如，所述缓冲层可以采用CBD法制备，成分可以为硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)、Zn(O,S)等。所述上电极的成分可以为氧化锌/掺铝氧化锌(ZnO/AZO，即包含ZnO和AZO)、氧化锌/氧化铟锡(ZnO/ITO，即包含ZnO和ITO)、AZO、ITO等。
实施例1
本实施例的多层背电极包括三层Mo膜层，即依次形成在衬底上的第一Mo膜层10、第三Mo膜层20以及第二Mo膜层30。
其中，所述第一Mo膜层10的厚度为50nm；所述第三Mo膜层20的电阻率为1.5×10-5Ω/cm，厚度为300nm；所述第二Mo膜层30的厚度为8nm。
本实施例的多层背电极可以通过下述方法制备得到：
(1)将清洗干净的衬底放置于磁控溅射沉积腔支架之上，关闭好腔门，分别用机械泵和分子泵抽腔体本体真空至1×10-4Pa以下。
(2)向生长室充入氩气，调节压力至8Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为1w/cm2溅射Mo靶材，在衬底上沉积所述第一Mo膜层10，溅射结束后关闭辉光。
(3)将生长室的压力调节至0.1Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为3w/cm2溅射Mo靶材，在所述第一Mo膜层10上沉积所述第三Mo膜层20，溅射结束后关闭辉光。
(4)将生长室的压力调节至8Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为1.5w/cm2溅射Mo靶材，在所述第三Mo膜层20上沉积所述第二Mo膜层30，溅射结束后关闭辉光。
实施例2
本实施例的多层背电极包括三层Mo膜层，即依次形成在衬底上的第一Mo膜层10、第三Mo膜层20以及第二Mo膜层30。
其中，所述第一Mo膜层10的厚度为200nm；所述第三Mo膜层20的电阻率为1.5×10-4Ω/cm，厚度为700nm；所述第二Mo膜层30的厚度为20nm。
本实施例的多层背电极可以通过下述方法制备得到：
(1)将清洗干净的衬底放置于磁控溅射沉积腔支架之上，关闭好腔门，分别用机械泵和分子泵抽腔体本体真空至1×10-4Pa以下。
(2)向生长室充入氩气，调节压力至2Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为2w/cm2溅射Mo靶材，在衬底上沉积所述第一Mo膜层10，溅射结束后关闭辉光。
(3)将生长室的压力调节至0.6Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为2w/cm2溅射Mo靶材，在所述第一Mo膜层10上沉积所述第三Mo膜层20，溅射结束后关闭辉光。
(4)将生长室的压力调节至2Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为2w/cm2溅射Mo靶材，在所述第三Mo膜层20上沉积所述第二Mo膜层30，溅射结束后关闭辉光。
实施例3
本实施例的多层背电极包括四层Mo膜层，即依次形成在衬底上的第一Mo膜层10、具有张应力结构的第四Mo膜层、第三Mo膜层20、第二Mo膜层30。
其中，所述第一Mo膜层10的厚度为50nm；所述第四Mo膜层的厚度8nm；所述第三Mo膜层20的电阻率为7.8×10-5Ω/cm，厚度为500nm；所述第二Mo膜层30的厚度为10nm。
本实施例的多层背电极可以通过下述方法制备得到：
(1)将清洗干净的衬底放置于磁控溅射沉积腔支架之上，关闭好腔门，分别用机械泵和分子泵抽腔体本体真空至1×10-4Pa以下。
(2)向生长室充入氩气，调节压力至6Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为1.8w/cm2溅射Mo靶材，在衬底上沉积所述第一Mo膜层10，溅射结束后关闭辉光。
(3)将生长室的压力调节至4Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为1.8w/cm2溅射Mo靶材，在所述第一Mo膜层10上沉积所述第四Mo膜层，溅射结束后关闭辉光。
(4)将生长室的压力调节至0.4Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为3.2w/cm2溅射Mo靶材，在所述第四Mo膜层上沉积所述第三Mo膜层20，溅射结束后关闭辉光。
(5)将生长室的压力调节至5Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为1.8w/cm2溅射Mo靶材，在所述第三Mo膜层20上沉积所述第二Mo膜层30，溅射结束后关闭辉光。
实施例4
本实施例的多层背电极包括五层Mo膜层，即依次形成在衬底上的第一Mo膜层10、第三Mo膜层20、具有张应力结构的第四Mo膜层、具有压应力结构的第五Mo膜层和第二Mo膜层30。
其中，所述第一Mo膜层10的厚度为100nm；所述第三Mo膜层20的电阻率为7.8×10-5Ω/cm，厚度为600nm；所述第四Mo膜层的厚度为15nm；所述第五Mo膜层的电阻率为7.8×10-5Ω/cm，厚度为400nm；所述第二Mo膜层30的厚度为15nm。
本实施例的多层背电极可以通过下述方法制备得到：
(1)将清洗干净的衬底放置于磁控溅射沉积腔支架之上，关闭好腔门，分别用机械泵和分子泵抽腔体本体真空至1×10-4Pa以下。
(2)向生长室充入氩气，调节压力至6Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为1.2w/cm2溅射Mo靶材，在衬底上沉积所述第一Mo膜层10，溅射结束后关闭辉光。
(3)将生长室的压力调节至0.4Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为3.2w/cm2溅射Mo靶材，在所述第一Mo膜层10上沉积所述第三Mo膜层20，溅射结束后关闭辉光。
(4)将生长室的压力调节至7Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为1.6w/cm2溅射Mo靶材，在所述第三Mo膜层20上沉积所述四Mo膜层，溅射结束后关闭辉光。
(5)将生长室的压力调节至0.4Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为3.2w/cm2溅射Mo靶材，在所述第四Mo膜层上沉积所述第五Mo膜层，溅射结束后关闭辉光。
(6)将生长室的压力调节至3Pa，开启辉光，保持溅射功率密度为1.6w/cm2溅射Mo靶材，在所述第五Mo膜层上沉积所述第二Mo膜层30，溅射结束后关闭辉光。
虽然本申请所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本申请而采用的实施方式，并非用以限定本申请。任何本申请所属领域内的技术人员，在不脱离本申请所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种多层背电极，所述多层背电极包括至少三层Mo膜层，所述至少三层Mo膜层包括：
形成在衬底上的第一Mo膜层，所述第一Mo膜层具有张应力结构；
位于所述多层背电极的表层的第二Mo膜层，所述第二Mo膜层具有张应力结构；以及
形成在所述第一Mo膜层与所述第二Mo膜层之间的第三Mo膜层，所述第三Mo膜层具有压应力结构。
2.根据权利要求1所述的多层背电极，其中，所述多层背电极包括三层Mo膜层，所述三层Mo膜层包括形成在所述衬底上的所述第一Mo膜层、形成在所述第一Mo膜层上的所述第三Mo膜层以及形成在所述第三Mo膜层上的所述第二Mo膜层。
3.根据权利要求1所述的多层背电极，其中，
所述第一Mo膜层与所述第三Mo膜层之间形成有一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层；和/或
所述第三Mo膜层与所述第二Mo膜层之间形成有一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层。
4.根据权利要求2或3所述的多层背电极，其中，所述第二Mo膜层的厚度为8nm-20nm。
5.一种制备多层背电极的方法，所述方法包括：
在衬底上形成第一Mo膜层，所述第一Mo膜层具有张应力结构；
在所述第一Mo膜层上形成第三Mo膜层，所述第三Mo膜层具有压应力结构；以及
在所述第三Mo膜层上形成第二Mo膜层，所述第二Mo膜层具有张应力结构。
6.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括：在衬底上形成第一Mo膜层之后，在所述第一Mo膜层上形成第三Mo膜层之前，
在所述第一Mo膜层上形成一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层，然后在所述一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层上形成所述第三Mo膜层。
7.根据权利要求5或6所述的方法，所述方法还包括：在形成所述第三Mo膜层之后，在所述第三Mo膜层上形成第二Mo膜层之前，
在所述第三Mo膜层上形成一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层，然后在所述一层或更多层具有张应力结构的Mo膜层和/或具有压应力结构的Mo膜层上形成所述第二Mo膜层。
8.根据权利要求5或6所述的方法，其中，形成所述第二Mo膜层采用的方法为磁控溅射法。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，采用磁控溅射法形成所述第二Mo膜层时的压力为2Pa-8Pa，溅射功率密度为1.5w/cm2-2w/cm2。
10.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括根据权利要求1-4中任一项所述的多层背电极或根据权利要求5-9中任一项所述的方法制备得到的多层背电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811423088.2A CN111223941A (zh) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 一种多层背电极及其制备方法和一种太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811423088.2A CN111223941A (zh) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 一种多层背电极及其制备方法和一种太阳能电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111223941A true CN111223941A (zh) | 2020-06-02 |
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ID=70827218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811423088.2A Pending CN111223941A (zh) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 一种多层背电极及其制备方法和一种太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111223941A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112786723A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-05-11 | 重庆神华薄膜太阳能科技有限公司 | 柔性薄膜太阳能电池组件及其制备方法 |
-
2018
- 2018-11-27 CN CN201811423088.2A patent/CN111223941A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112786723A (zh) * | 2021-01-27 | 2021-05-11 | 重庆神华薄膜太阳能科技有限公司 | 柔性薄膜太阳能电池组件及其制备方法 |
| CN112786723B (zh) * | 2021-01-27 | 2022-11-15 | 重庆神华薄膜太阳能科技有限公司 | 柔性薄膜太阳能电池组件及其制备方法 |
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