CN111223911A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括阵列基板；功能膜层，设于所述阵列基板上，所述功能膜层同时具有平坦性能和钝化性能。采用一道低成本的制程技术在阵列基板上方制备无机的功能膜层，该功能膜层不仅起钝化层作用，同时起着平坦化的作用，能够减少制程数量，降低成本；并且功能膜层的材料采用廉价的氧化硅，进一步降低了材料成本。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)作为新一代显示技术，相较于传统LCD，具有更高的对比度、更快反应速度和更广视角，广泛应用于智能手机及TV领域。印刷式OLED技术(LJP)是OLED未来发展的重要方向，然而LJP-OLED器件对衬底的平坦度要求极高，如平坦度较差，墨滴无法均匀的打印在bank中，会造成显示异常。
在传统OLED制程中，阵列基板制备完成后，表面较为粗糙，需要在阵列基板上方制备一层钝化层，在钝化层上方再沉积3um至4um的有机平坦层，5μm×5μm范围内，均方根粗糙度为50nm。
请参阅图1，图1所示为现有技术中提供的显示面板的结构示意图，显示面板100包括阵列基板110、钝化层120、平坦层130、像素电极层140、有机发光层150和阴极层160。
其中平坦层130采用特殊有机光阻，光阻成本极高，因此，确有必要来开发一种新型的显示面板，以克服现有技术的缺陷。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种显示面板，其能够解决现有技术中制备平坦层使得显示面板成本大的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：阵列基板；功能膜层，设于所述阵列基板上，所述功能膜层同时具有平坦性能和钝化性能。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述显示面板还包括有机发光层，设于所述像素电极层上；阴极层，设于所述有机发光层上。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述阵列基板包括基板层；遮光层，设于所述基板层上；缓冲层，设于所述遮光层上，并包覆所述遮光层；有源层，设于所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述有源层上；栅极层，设于所述栅极绝缘层上；层间介质层，设于所述栅极层上；源漏极层，设于所述层间介质层上，并与所述有源层相接；所述像素电极层通过所述第一槽孔与所述源漏极层相接。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述功能膜层的材料采用氧化硅，所述功能膜层的厚度为1um-5um。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述功能膜层的表面5μm×5μm范围内，均方根粗糙度为2-5nm。
为实现上述目的，本发明还提供一种制备方法，用以制备本发明涉及的所述显示面板，所述制备方法包括以下步骤：提供一阵列基板以及多种前驱液，所述前驱液中含有正硅酸乙酯，多种前驱液中的正硅酸乙酯浓度不同；将含有最高浓度正硅酸乙酯的所述前驱液涂覆于所述阵列基板上，并对涂覆有前驱液的所述阵列基板进行热处理，所述前驱液在阵列基板上形成一层氧化硅薄膜；按照含有正硅酸乙酯浓度由高到低，依次将较低浓度的所述前驱液涂覆在前一层的所述氧化硅薄膜上并进行热处理，在前一层的氧化硅薄膜上依次形成另一层氧化硅。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述前驱液含有正硅酸乙酯浓度与所述前驱液形成的所述氧化硅薄膜的厚度呈正比关系。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述前驱液的制备方法包括以下步骤：将摩尔质量比不同的正硅酸乙酯分别与异丙醇互溶反应，得到正硅酸乙酯浓度不同的二氧化硅前驱液。
进一步的，在其他实施方式中，其中制备前驱液步骤后涂布步骤前还包括将所述二氧化硅前驱液在在50℃下超声溶解3小时，直至所述二氧化硅前驱液中无不溶物。
进一步的，在其他实施方式中，其中含有正硅酸乙酯浓度相同的所述前驱液在所述阵列基板上形成3-5层氧化硅薄膜。
进一步的，在其他实施方式中，其中将所述前驱液涂覆于所述阵列基板上的步骤包括将所述前驱液倒入溶液槽中，以1000转/分钟速度均匀涂布在所述阵列基板上。
进一步的，在其他实施方式中，其中对涂覆有前驱液的所述阵列基板进行热处理的步骤包括对涂覆有前驱液的所述阵列基板以250℃的温度进行热处理60秒。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括本发明涉及的所述显示面板。
相对于现有技术，本发明的有益效果在于：本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，采用一道低成本的制程技术在阵列基板上方制备无机的功能膜层，该功能膜层不仅起钝化层作用，同时起着平坦化的作用，能够减少制程数量，降低成本；并且功能膜层的材料采用廉价的氧化硅，进一步降低了材料成本。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示面板的电性示意图；
图4为本发明实施例提供的显示面板的电性示意图
图5为本发明实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。
背景技术中的附图说明：
显示面板-100； 阵列基板-110；
钝化层-120； 平坦层-130；
像素电极层-140； 有机发光层-150；
阴极层-160。
具体实施例中的附图说明：
显示面板-100； 阵列基板-110；
功能膜层-120； 第一槽孔-130；
像素电极层-140；
有机发光层-150； 阴极层-160；
基板层-111； 遮光层-112；
缓冲层-113； 有源层-114；
栅极绝缘层-115； 栅极层-116；
层间介质层-117； 源漏极层-118。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明实施例提供一种显示面板100，请参阅图2，图2为本发明实施例提供的显示面板100的结构示意图，显示面板100，包括阵列基板110、功能膜层120、第一槽孔130、像素电极层140、有机发光层150和阴极层160。
阵列基板110包括基板层111、遮光层112、缓冲层113、有源层114、栅极绝缘层115、栅极层116、层间介质层117和源漏极层118。其中遮光层112设于基板层111上；缓冲层113设于遮光层112上，并包覆遮光层112；有源层114设于缓冲层113上；栅极绝缘层115设于有源层114上；栅极层116设于栅极绝缘层115上；层间介质层117设于栅极层116上；源漏极层118设于层间介质层117上，并与有源层114相接。
功能膜层120，设于阵列基板110的源漏极层118和层间介质层117上，在本实施例中，功能膜层120的材料采用氧化硅，功能膜层120的厚度为1um-5um。
功能膜层120的表面5μm×5μm范围内，均方根粗糙度为2-5nm，功能膜层120同时具有平坦性能和钝化性能。
请参阅图3和图4，图3和图4所示为本实施例提供的阵列基板110的电性示意图，由图可知本实施例提供的阵列基板110具有较好的电性性能。
第一槽孔130，从功能膜层120远离阵列基板110的一面延伸至阵列基板110的表面，源漏极层118的部分裸露于第一槽孔130中；像素电极层140，设于功能膜层120的表面，并通过第一槽孔130与源漏极层118相接；有机发光层150，设于像素电极层140上；阴极层160，设于有机发光层150上。
为实现上述目的，本发明还提供一种制备方法，用以制备本发明实施例涉及的显示面板100，请参阅图5，图5为本实施例提供的显示面板100的制备方法的流程图，制备方法包括步骤1-步骤3。
步骤1：提供一阵列基板110以及多种前驱液，前驱液中含有正硅酸乙酯，多种前驱液中的正硅酸乙酯浓度不同。
具体地，分别称取0.83g、8.33g以及33.32g正硅酸乙酯与300mL异丙醇互溶，使用超声波清洗仪超声震荡，使溶液混合均匀，然后用异丙醇将溶液补满400mL，得到正硅酸乙倒入酯浓度分别为0.01mol/L、0.1mol/L、0.4mol/L的二氧化硅前驱液，将二氧化硅前驱液在在50℃下超声溶解3小时，直至二氧化硅前驱液中无不溶物。
步骤2：将含有最高浓度正硅酸乙酯的前驱液涂覆于阵列基板110上，并对涂覆有前驱液的阵列基板110进行热处理，前驱液在阵列基板110上形成一层氧化硅薄膜。
具体地，将正硅酸乙酯浓度为0.4mol/L的二氧化硅前驱液倒入溶液槽中，以1000转/分钟速度均匀涂布在阵列基板110上，保证二氧化硅前驱液的均匀性，对涂覆有前驱液的阵列基板110以250℃的温度进行热处理60秒，除去二氧化硅前驱液中的有机溶剂并分解形成一层第一氧化硅薄膜。
在其他实施方式中，可以使用正硅酸乙酯浓度为0.4mol/L的二氧化硅前驱液在阵列基板110上形成3-5层第一氧化硅薄膜。
步骤3：按照含有正硅酸乙酯浓度由高到低，依次将较低浓度的前驱液涂覆在前一层的氧化硅薄膜上并进行热处理，在前一层的氧化硅薄膜上依次形成另一层氧化硅。
具体地，将正硅酸乙酯浓度为0.1mol/L的二氧化硅前驱液倒入溶液槽中，以1000转/分钟速度均匀涂布在所述第一氧化硅薄膜上，保证二氧化硅前驱液的均匀性，对涂覆有前驱液的阵列基板110以250℃的温度进行热处理60秒，除去二氧化硅前驱液中的有机溶剂并分解形成一层第二氧化硅薄膜。
在其他实施方式中，可以使用正硅酸乙酯浓度为0.1mol/L的二氧化硅前驱液在阵列基板110上形成3-5层第二氧化硅薄膜。
接着将正硅酸乙酯浓度为0.01mol/L的二氧化硅前驱液倒入溶液槽中，以1000转/分钟速度均匀涂布在所述第一氧化硅薄膜上，保证二氧化硅前驱液的均匀性，对涂覆有前驱液的阵列基板110以250℃的温度进行热处理60秒，除去二氧化硅前驱液中的有机溶剂并分解形成一层第三氧化硅薄膜。
在其他实施方式中，可以使用正硅酸乙酯浓度为0.01mol/L的二氧化硅前驱液在阵列基板110上形成3-5层第三氧化硅薄膜。堆叠的第一氧化硅薄膜、第二氧化硅薄膜和第三氧化硅薄膜形成功能膜层。
前驱液含有正硅酸乙酯浓度与前驱液形成的氧化硅薄膜的厚度呈正比关系，第一氧化硅薄膜的厚度大于第二氧化硅薄膜的厚度，第二氧化硅薄膜的厚度大于第三氧化硅薄膜的厚度。
按照含有正硅酸乙酯浓度由高到低，依次将较低浓度的前驱液涂覆在前一层的氧化硅薄膜上并进行热处理，在前一层的氧化硅薄膜上依次形成另一层氧化硅，能够使得功能膜层在保证厚度的同时保证其平坦性能。
功能膜层120不仅起钝化层作用，同时起着平坦化的作用，能够减少制程数量，降低成本；并且功能膜层120的材料采用廉价的氧化硅，进一步降低了材料成本。
步骤3后还包括步骤4-步骤7。
步骤4：制备第一槽孔130，从功能膜层120远离阵列基板110的一面延伸至阵列基板110的表面，阵列基板110的部分裸露于第一槽孔130中。
步骤5：制备像素电极层140于功能膜层120的表面，并通过第一槽孔130与阵列基板110相接。
步骤6：制备有机发光层150，设于像素电极层140上。
步骤7：制备阴极层160，设于有机发光层150上。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括本发明涉及的显示面板100。
本发明的有益效果在于：本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，采用一道低成本的制程技术在阵列基板上方制备无机的功能膜层，该功能膜层不仅起钝化层作用，同时起着平坦化的作用，能够减少制程数量，降低成本；并且功能膜层的材料采用廉价的氧化硅，进一步降低了材料成本。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
功能膜层，设于所述阵列基板上，所述功能膜层同时具有平坦性能和钝化性能；
第一槽孔，从所述功能膜层远离所述阵列基板的一面延伸至所述阵列基板的表面，所述阵列基板的部分裸露于所述第一槽孔中；
像素电极层，设于所述功能膜层的表面，并通过所述第一槽孔与所述阵列基板相接。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括
基板层；
遮光层，设于所述基板层上；
缓冲层，设于所述遮光层上，并包覆所述遮光层；
有源层，设于所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设于所述有源层上；
栅极层，设于所述栅极绝缘层上；
层间介质层，设于所述栅极层上；
源漏极层，设于所述层间介质层上，并与所述有源层相接；
所述像素电极层通过所述第一槽孔与所述源漏极层相接。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功能膜层的材料采用氧化硅，所述功能膜层的厚度为1um-5um。
4.一种制备方法，用以制备如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
提供一阵列基板以及多种前驱液，所述前驱液中含有正硅酸乙酯，多种前驱液中的正硅酸乙酯浓度不同；
将含有最高浓度正硅酸乙酯的所述前驱液涂覆于所述阵列基板上，并对涂覆有前驱液的所述阵列基板进行热处理，所述前驱液在阵列基板上形成一层氧化硅薄膜；
按照含有正硅酸乙酯浓度由高到低，依次将较低浓度的所述前驱液涂覆在前一层的所述氧化硅薄膜上并进行热处理，在前一层的氧化硅薄膜上依次形成另一层氧化硅。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述前驱液含有正硅酸乙酯浓度与所述前驱液形成的所述氧化硅薄膜的厚度呈正比关系。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述前驱液的制备方法包括以下步骤：将摩尔质量比不同的正硅酸乙酯分别与异丙醇互溶反应，得到正硅酸乙酯浓度不同的二氧化硅前驱液。
7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
含有正硅酸乙酯浓度相同的所述前驱液在所述阵列基板上形成3-5层氧化硅薄膜。
8.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，将所述前驱液涂覆于所述阵列基板上的步骤包括
将所述前驱液倒入溶液槽中，以1000转/分钟速度均匀涂布在所述阵列基板上。
9.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，对涂覆有前驱液的所述阵列基板进行热处理的步骤包括
对涂覆有前驱液的所述阵列基板以250℃的温度进行热处理60秒。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的显示面板。
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