CN111218720A - 一种基于氧化性超临界气体除氢激活p型氮化物方法及其应用 - Google Patents

一种基于氧化性超临界气体除氢激活p型氮化物方法及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法及其应用，对待处理的P型III族氮化物半导体材料进行标准清洗；用氧化物刻蚀剂处理清洗后的P型III族氮化物半导体材料；将清洗后的P型III族氮化物半导体材放到支架上，一起放入反应釜中并注入氧化性气体；将反应釜升温至380～450℃，并保压处理使氧化性气体处于超临界状态，持续冲入氧化性气体；反应结束后将反应釜冷却至室温，将压力降至大气压后取出激活P型氮化物。本发明操作简便、无需高温、避免材料分解，制备出具有较高空穴浓度和载流子迁移率的P型材料。

Description

一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法及其 应用
技术领域
本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法及其应用。
背景技术
为了提高P型半导体材料的激活率，研究者进行了多种不同的尝试，包括无H生长、受主-施主共掺等。镁(Mg)是P型III族氮化物半导体材料最优选的掺杂剂。常规热退火的典型退火温度在600～900℃范围内，常用氮气或氧气来激活Mg原子。但是，这种退火处理可能不会完全破坏Mg-H键并同时改善样品的质量结构。例如，Nakamura提出了在N2氛围保护下退火，成功打断了P型杂质与Mg的络合键，使Mg杂质的受主活性得到恢复，但得到的空穴浓度较低，主要是因为600℃以上的高温，容易在激活的同时形成氮空位等缺陷，使空穴浓度降低，从而影响了激活效果；Hwang和Yang提出了在O2环境中进行退火，在O2环境中，750℃退火样品的空穴浓度约为6×1017cm-3，但样品的结晶性质在退火的高温下降解。
现有的多循环快速热退火技术，在1300～1400℃左右的退火温度下进行多次退火，单次退火时间仅数秒，循环次数在10次以上，其空穴浓度提高了2倍左右。但是该方法对设备的要求较高，温度高且效率低，多次的退火会造成材料表面造成损伤。
现有通过低能电子束辐照，打断了Mg-H键，使掺镁III族氮化物实现了明显的p型导电，显著降低了其电阻率，其空穴浓度在1016cm-3，但该方法激活率低，仅为0.1％，且具有高度局部性，激活深度浅，无法满足实际生产需要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法及其应用，操作简便、无需高温、避免材料分解，制备出具有较高空穴浓度和载流子迁移率的P型材料。
本发明采用以下技术方案：
一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法，包括以下步骤：
S1、对待处理的P型III族氮化物半导体材料进行标准清洗；
S2、用氧化物刻蚀剂处理步骤S1清洗后的P型III族氮化物半导体材料；
S3、将步骤S2清洗后的P型III族氮化物半导体材放到支架上，一起放入反应釜中并注入氧化性气体；
S4、将反应釜升温至380～450℃，并保压处理使氧化性气体处于超临界状态，持续冲入氧化性气体；
S5、反应结束后将反应釜冷却至室温，将压力降至大气压后取出激活P型氮化物。
具体的，步骤S2中，将P型III族氮化物半导体材料放入氧化物刻蚀剂中超声处理5～10min。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，氧化物刻蚀剂为盐酸、王水或氢氟酸。
具体的，步骤S3中，反应釜的初始压力为16～18MPa，氧化性气体不包含H。
具体的，步骤S4中，加热时间为1.5～2h，超临界状态的最大压力为29MPa，持续冲入氧化性气体1～2h。
本发明的另一个技术方案是，根述方法激活的P型氮化物在高亮度蓝光、绿光和白光发光二极管，短波长激光器，紫外光探测器和高温电子器件中的应用。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法，用氧化物刻蚀剂处理清洗后的P型III族氮化物半导体材料；然后放入反应釜中并注入氧化性气体；使氧化性气体处于超临界状态，持续冲入氧化性气体；将压力降至大气压后取出激活P型氮化物，整个过程操作简单，且温度较低。
进一步的，通过氧化物刻蚀剂处理可以去除样品表面的氧化物。
进一步的，使用支架可以防止样品与釜的直接接触。
进一步的，持续通入氧化性气体，既可以使釜内压力保持不变，又可以保证氧化性气体与样品充分反应，在气体流动过程中，可以带走反应生成的H2O，促进反应向右进行。
进一步的，高亮度蓝光、绿光和白光发光二极管其优点在于节能、体积小，重量轻，不怕震动、光效高、方向性好、环保、为冷光源无紫外线和红外线，没有热量，没有辐射、寿命长且响应速度快；短波长激光器其优点在于其波长比较短，可以应用到高密度的光存储、高速彩色激光印刷、水下通信和医疗上，具有广阔的应用前景和深远的研究意义；紫外光探测器其优点在于体积小、重量轻、耐恶劣环境、工作电路简单、光谱响应集中且量子效率较高；高温电子器件耐高温，可以在500℃以上的高温环境使用。
综上所述，本可以在低温条件下使P型III族氮化物中的H被置换出来，提高其激活率。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为小型化稳态超临界设备；
图2为实施例1处理前后的深度与载流子浓度图；
图3为实施例2处理前后的深度与载流子浓度图；
图4为实施例3处理前后的深度与载流子浓度图；
图5为实施例4处理前后的深度与载流子浓度图。
具体实施方式
请参阅图1，稳态超临界设备采用耐腐蚀的锻造哈氏合金(牌号为C267)，优化腔体结构，制造耐压30MPa，温度可达500℃。超临界设备配置侧面及底面两个Omega K型热电偶，通过欧陆温控仪进行温度显示；SCR温度控制器控制加热绝热电阻器对釜体进行加热，外部有保温层。加热控制器与温控仪采用RS485通迅，通过温度反馈进行PID控制。反应釜法兰上有高压管道连接爆破阀(31MPa)、压力表(最大量程80MPa)及高压阀，均为哈氏合金材质。高压表可设定压力值，当釜内压力超过设定值后，向温控仪发送模拟信号，形成过热保护，使控制器停止加热。
本发明一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法，包括以下步骤：
S1、清洗反应釜和支架，防止杂质干扰实验，对待处理的P型III族氮化物半导体材料进行标准清洗；
使用支架防止P型III族氮化物半导体材料与反应釜的直接接触，标准清洗步骤如下：
S101、丙酮超声清洗5min(去除片子表面油脂)；
S102、IPA清洗(去除片子表面残留丙酮)；
S103、DI water清洗(去除残留IPA)；
S104、硫酸，双氧水混合溶液煮洗，H2SO4：H2O2＝3:1加热温度到120℃，煮15min，此时，双氧水完全分解(去除大部分有机物)；
S105、DI water清洗；
S106、氨水：H2O2：H2O＝1:1:6混合溶液煮洗，加热温度到80℃，时间15min；
S107、DI water清洗；
S108、HCL:H2O2:H2O＝1:1:6混合溶液煮洗，加热温度到80℃，时间15min；
S109、DI water清洗。
S2、用氧化物刻蚀剂处理步骤S1清洗后的样品，以去除其上可能产生的自然氧化物；
将P型III族氮化物半导体材料放入氧化物刻蚀剂中超声波处理5～10min，氧化物刻蚀剂为盐酸、王水或氢氟酸。
S3、将步骤S2清洗后的P型III族氮化物半导体材料放入支架上并放入反应釜，拧紧仪器，使用气体增压泵将氧化性气体注入釜中；
氧化性气体如氧气、笑气，将气体压入反应釜中，考虑到反应釜在高压下的气密性问题，将初始压力设定为16～18MPa。
S4、将设备内部温度升高，通过背压阀及增压泵调整压力保持在20MPa以上，保证氧化性气体处于超临界状态，维持超临界状态1h以上，期间通过增压泵不断向腔室内部充入氧化性气体；
釜内温度保持在380～450℃，由加热装置自动加热，一般由室温到达设定的温度需要加热1.5～2h，维持超临界状态的最大压力为29MPa，时间为1～2h，氧化性气体不能含H，否则可能会发生置换出的H原子由于环境中的H过多，从而重新与Mg结合，是激活率降低甚至无法发生激活。
S5、维持超临界状态1～2h后，停止加热，反应结束，将反应釜温度降至室温，停止增压泵，并通过背压阀将压力降低至大气压；
S6、设备打开后，将样品取出。
P型III族氮化物半导体材料表面粗糙度低，可用于制备高亮度蓝光、绿光和白光发光二极管(LED)，短波长激光器，紫外光探测器和高温电子器件等。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中的描述和所示的本发明实施例的组件可以通过各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在不同的温度和压力下，物质的状态会发生变化，出现液体、气体、固体等不同的状态。在特定的温度、压力下，会出现液体与气体界面消失的现象，该点被称为临界点。超临界流体指的是物质处于临界点以上温度和压力区域下的流体。超临界流体具有十分独特的物理化学性质，它的密度接近于液体，粘度接近于气体，扩散系数大、粘度小、介电常数大。
具有氧化性的超临界流体如超临界氧气、笑气等，具有较高的化学活性以及较强的流动性和扩散能力，可以迅速渗透扩散进入半导体材料内部，通过破坏掺杂元素与H形成的络合键，并与析出的H反应生成水，将H从样品中移除，激活P型杂质的受主活性，提高空穴浓度，从而提高P型III族氮化物半导体材料的激活率。使用不同环境条件的具有氧化性的超临界流体来进行激活。
III族氮化物半导体材料的P型掺杂杂质通常为Mg，使用金属有机物气相外延等方法生长的材料会不可避免的掺入H原子，而H原子会与Mg结合形成络合物，发生钝化。P型III族氮化物半导体材料的Mg受体的H去钝化过程首先涉及中性络合物的解离，Mg-H络合键的断裂遵循：
Figure BDA0002361430890000071
在超临界处理激活的过程中，超临界流体优越的扩散性使其容易进入材料中与Mg-H络合物充分接触并发生反应。具有氧化性的超临界流体通过其较高的化学活性将Mg-H络合键打开，并将H置换出来生成水，促进了上述化学反应右移。
Mg-H络合键的结合能为0.64eV，形成能为0.48eV，而水的结合能为5.17eV，形成能为-2.51eV。H2O具有更低的形成能和更大的结合能，因此反应生成水是最稳定的，如下所示：
H++H++O2-→H2O
以GaN为代表的III族氮化物半导体材料，具有高击穿电场等优越的性能，其优良的光电特性，在固态照明领域，显示出了诱人的前景和广阔的市场价值，而其较高的能源转换效率，对解决全球能源问题具有重要意义。载流子浓度的高低对p型III族氮化物半导体材料的光电性能有着重要影响。外延生长的p型III族氮化物半导体材料通常表现出高阻特性，其中的载流子浓度较低，不利于金属与p型III族氮化物半导体材料之间形成欧姆接触，因此限制了III族氮化物半导体材料的应用。
掺杂能明显地改变半导体的电学特性。对于III族氮化物半导体材料而言，在P型掺杂材料在制备过程中会产生本征缺陷，它会对受主掺杂产生自补偿作用，造成非故意掺杂材料呈现N型；其次，材料在生长过程中不可避免的掺入H杂质，当Mg作为受主杂质掺杂时就和H形成了电中性的Mg-H络合物，抑制电活性。所以，III族氮化物半导体材料的P型掺杂难以实现，这大大限制了GaN基器件性能的提高，使得载流子注入比降低、P型欧姆接触制备困难、正向工作电压高、大功率器件发热、可靠性降低等。
实施例1
超临界气体 处理温度 起始压强 处理时间
纯氧 380℃ 18MPa 60min
请参阅图2，采用超临界O2对P型GaN晶片进行超临界激活，在实验前后测量其载流子浓度，处理时间为1h。根据实验数据作图，由图中看出空穴浓度增加了将近1.6倍。
实施例2
Figure BDA0002361430890000081
请参阅图3，提高实验温度对P型GaN晶片进行超临界激活，可发现温度对激活率影响不大，空穴浓度仍然增加了近1.6倍。
实施例3
请参阅图4，具体为：
超临界气体 处理温度 起始压强 处理时间
纯氧 380℃ 18MPa 120min
实施例4
请参阅图5，具体为：
超临界气体 处理温度 起始压强 处理时间
纯氧 380℃ 18MPa 180min
进一步提高处理时长，可发现，空穴浓度较实例三不再增加，这是因为氧气使GaN发生氧化，表面生成了氧化镓薄膜，阻止超临界流体与样品的接触。
综上所述，本发明可以在低温环境下对p型III族氮化物半导体材料进行激活，且操作简单。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种基于氧化性超临界气体除氢激活P型氮化物方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、对待处理的P型III族氮化物半导体材料进行标准清洗；
S2、用氧化物刻蚀剂处理步骤S1清洗后的P型III族氮化物半导体材料；
S3、将步骤S2清洗后的P型III族氮化物半导体材放到支架上，一起放入反应釜中并注入氧化性气体；
S4、将反应釜升温至380～450℃，并保压处理使氧化性气体处于超临界状态，持续冲入氧化性气体；
S5、反应结束后将反应釜冷却至室温，将压力降至大气压后取出激活P型氮化物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，将P型III族氮化物半导体材料放入氧化物刻蚀剂中超声处理5～10min。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，氧化物刻蚀剂为盐酸、王水或氢氟酸。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中，反应釜的初始压力为16～18MPa，氧化性气体不包含H。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4中，加热时间为1.5～2h，超临界状态的最大压力为29MPa，持续冲入氧化性气体1～2h。
6.根据权利要求1所述方法激活的P型氮化物在高亮度蓝光、绿光和白光发光二极管，短波长激光器，紫外光探测器和高温电子器件中的应用。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102694084A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 夏普株式会社 氮化物半导体发光元件的制造方法
CN103021844A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 比亚迪股份有限公司 一种外延片退火方法
JP2013245137A (ja) * 2012-05-25 2013-12-09 Kochi Univ Of Technology 多孔質無機酸化物ナノ粒子の合成方法、並びに該合成方法により製造される多孔質無機酸化物ナノ粒子及び球状多孔質無機酸化物ナノ粒子
CN106232521A (zh) * 2014-05-05 2016-12-14 巴斯夫欧洲公司 预处理基材以通过化学沉积一致生长石墨烯
CN109860044A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 中国科学院半导体研究所 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102694084A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 夏普株式会社 氮化物半导体发光元件的制造方法
CN103021844A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 比亚迪股份有限公司 一种外延片退火方法
JP2013245137A (ja) * 2012-05-25 2013-12-09 Kochi Univ Of Technology 多孔質無機酸化物ナノ粒子の合成方法、並びに該合成方法により製造される多孔質無機酸化物ナノ粒子及び球状多孔質無機酸化物ナノ粒子
CN106232521A (zh) * 2014-05-05 2016-12-14 巴斯夫欧洲公司 预处理基材以通过化学沉积一致生长石墨烯
CN109860044A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 中国科学院半导体研究所 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
沈玉龙等编: "《绿色化学 第3版》", 28 February 2004, 中国环境科学出版社 *

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