CN111211233A - 一种dj型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用 - Google Patents

一种dj型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN111211233A
CN111211233A CN202010032468.4A CN202010032468A CN111211233A CN 111211233 A CN111211233 A CN 111211233A CN 202010032468 A CN202010032468 A CN 202010032468A CN 111211233 A CN111211233 A CN 111211233A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
type
hybrid perovskite
methylamine
dimensional double
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010032468.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111211233B (zh
Inventor
符冬营
张献明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanxi University
Original Assignee
Shanxi University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanxi University filed Critical Shanxi University
Priority to CN202010032468.4A priority Critical patent/CN111211233B/zh
Publication of CN111211233A publication Critical patent/CN111211233A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111211233B publication Critical patent/CN111211233B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

本发明属于光电探测技术领域,具体涉及一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用。本发明二维双层DJ型有机‑无机杂化钙钛矿半导体材料(2‑甲基‑1,5‑戊二胺)(甲胺)Pb2I7以铅碘甲胺三维钙钛矿为基础,通过引入长链有机胺(2‑甲基‑1,5‑戊二胺)离子,得到了一种二维双层DJ型有机‑无机杂化钙钛矿材料。该材料表现出优异的吸光性能,同时表现出优越的光电响应性能,而且其稳定性达到272℃。因此该晶体材料作为一种新型的半导体材料,在光电探测等领域具有潜在的应用价值。

Description

一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用
技术领域
本发明属于光电探测技术领域,具体涉及一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用。
背景技术
有机-无机杂化钙钛矿是一种新型的半导体材料,由于其直接带隙、高的载流子迁移率、大的载流子扩散长度和高的光吸收系数而具有优异的光电性能。另外,有机-无机杂化钙钛矿很明显的优点在于合成组分的选择多样性,可以通过选用不同的卤素或有机分子就能够设计合成出不同性质的钙钛矿材料,从而可以实现对钙钛矿材料的形貌控制、发光调控以及光电学器件功能的设计。光电探测是利用半导体材料对不同波段光的响应,将光转换为电的一种探测手段,在军事、通讯、航空航天、生物成像等领域发挥着重要的作用。
其中,二维层状DJ型有机-无机杂化钙钛矿材料由于其稳定性、量子肼结构特性和组份可调性,在光电探测领域引起了极大的重视。与RP型二维层状钙钛矿材料相比,DJ型二维层状钙钛矿无层间范德华相互作用,其有机阳离子在分子两端均以氢键与无机钙钛矿层相连,因而具有更好的结构稳定性。但是,从光探测器的性能指标(光响应度、比探测率、响应速度等)来看,较慢的响应速度制约了其在光电子器件方面的发展,因此,迫切需求探索开发超快响应的光电探测晶体材料。
发明内容
针对目前钙钛矿材料在光电探测器是响应速度慢以及性能差的问题,本发明提供了一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用。
为了达到上述目的,本发明采用了下列技术方案:
一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料,所述DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的化学式为:C7H24N3Pb2I7,结构简式为:(C6H12N2H6)(CH3NH3)Pb2I7;(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料属于斜方晶系,Cmcm空间群;(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料的晶胞参数为
Figure BDA0002364835020000021
Figure BDA0002364835020000022
Z=8,单胞体积为
Figure BDA0002364835020000023
一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤1,加热搅拌含有醋酸铅和甲胺的HI溶液,自然冷却至室温,并缓慢蒸发,得到红色片状晶体;
步骤2,加热搅拌条件下将红色片状晶体溶解在HI溶液中,然后加入2-甲基-1,5-戊二胺,加热搅拌至溶液澄清,自然冷却至室温,缓慢蒸发,得到深红色块状晶体,即为DJ型二维双层杂化钙钛矿材料。通过分布合成,首先合成了三维钙钛矿结构的(甲胺)PbI3化合物,进一步引入长链烷烃双胺插入到三维钙钛矿结构的(甲胺)PbI3化合物中,该合成方法有利于制备本专利中的二维双层DJ型(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料。解决了该晶体材料稳定、均一、纯相合成的问题,使得该晶体材料能够被简便、规模化制备。
进一步,所述步骤1中醋酸铅的浓度为0.379g/mmol;甲胺的浓度为0.031g/mmol;所述HI溶液的浓度为47%的HI溶液。
再进一步,所述醋酸铅的用量为1.5~3mmol;所述甲胺的用量为0.5~2mmol。
进一步,所述步骤2中2-甲基-1,5-戊二胺的浓度为0.116g/mmol。
再进一步,所述2-甲基-1,5-戊二胺与甲胺的质量比为3.7~4.0:1。
进一步,所述步骤1中缓慢蒸发时间为3~5天,所述步骤2中缓慢蒸发时间为6~8天。通过缓慢蒸发过程有利于减少晶体生长中产生的缺陷,能够稳定地生长出高质量的本专利晶体材料,满足了该晶体材料应用于光电探测的需求。
一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的应用,所述(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料应用于高吸光材料、半导体材料或光电探测领域的新型材料。该材料具有铅碘八面体共顶点相连形成的二维无机双层结构,甲胺离子填充于该二维无机双层孔道中,使得该晶体材料具有高吸光系数和窄的带隙,有利于该晶体材料用于宽波段光电探测。
与现有技术相比本发明具有以下优点:
1、本发明二维双层DJ型有机-无机杂化钙钛矿半导体材料合成方法简单、成本低、反应条件温和、热力学稳定性较高。
2、本发明的晶体材料具有宽光谱响应、低暗电流和高开关比的光电探测性能。
3、本发明相比于三维钙钛矿材料,二维层状钙钛矿材料高的稳定性、低缺陷态密度、高的载流子迁移率以及窄带隙,使得有机-无机杂化二维钙钛矿材料成为制作超高灵敏度和快速响应的光电探测器的理想材料之一。
4、本发明首次将DJ型二维双层杂化钙钛矿应用于宽波段光电探测,实现光电探测微秒级别的快速响应。
附图说明
图1为(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7的结构图;
图2为(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7的热重分析曲线图;
图3为(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7的吸光性能曲线图;
图4为(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7在不同温度下电导率变化曲线图;
图5为(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7光电响应曲线图;
图6为(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料在不同波段的光电探测性能图。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施例对本发明内容进行详细说明,但是本发明不仅限于一下实施例:
实施例1
步骤1,将含有醋酸铅(0.758g,2mmol)和甲胺(0.031g,1mmol)的20mL HI(47%)溶液加热搅拌15min,然后自然冷却至室温,缓慢蒸发,4天后,得到红色片状晶体。
步骤2,在加热搅拌的条件下,将步骤(1)所得的红色片状晶体溶解在HI溶液中,随后加入2-甲基-1,5-戊二胺(0.116g,1mmol),加热搅拌至溶液澄清,自然冷却至室温,缓慢蒸发,7天后获得深红色块状晶体。该晶体即为所述的(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7材料。通过X射线单晶衍射仪进行分析得出晶体结构,如图1所示。
实施例2
(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料的热重分析。
对实施案例1所得到的晶体材料进行热重分析,可以发现该材料的热稳定性很高,可以稳定运用于272℃以下。
实施例3
(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料的吸光能力分析,对合成的有机-无机杂化材料进行了紫外-可见吸收光谱测试。从图3我们可以得到该材料的吸光范围达到了630nm,而紫外-可见吸光的范围是200-780nm,因此该晶体材料符合作为高吸收半导体材料的需求。
实施例4
(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料的光电导特性。
采用波长为405nm的激发光进行光电导性能测试,该光电探测器拥有较低的暗电流(2×10-10A)和较大的开关比(2400(>103))。晶体器件表现出明显的光电导效应,如图4和图5。这个结果不仅表明(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料具有半导体性能,而且还可以用于制作光电导探测器件,是一种在集成光电功能器件领域有着潜在应用价值的新型有机-无机杂化半导体材料。
实施例5
(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料在不同波段的光电探测性能。
采用波长为520nm和637nm的激发光进行光电导性能测试。如图6所示,该晶体器件在不同波段依旧表现出优异的光电探测性能。所以,该晶体材料可以用于宽波段光电探测。
本发明性能评价:
(1)热稳定性能
对该晶体材料的稳定性进行分析,热重实验图显示该晶体材料的工作温度达到272℃,完全满足半导体器件在常态环境下的应用需求。
(2)吸光性能
(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料的紫外-可见吸收光谱图显示出该晶体的吸收截止边可以达到630nm,能带计算为1.96eV,所以上述晶体材料可以作为一种新的吸光材料。
(3)半导体性能
为了更好地分析(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料的半导体特性,我们在305K-365K温度范围内测量了它随温度变化的电导率。该晶体材料的电导率随着温度的升高而升高。这一现象体现了该材料的半导体特征。
(4)光电探测性能
为了测试该晶体材料的光电探测性能,我们组装了小型光电探测器。基于(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7二维层状有机-无机杂化钙钛矿的超快响应光电探测器展现出超快的响应速度(40μs),而且该光电探测器拥有较低的暗电流(2×10-10A)和较大的开关比(2400(>103))。
以上所述仅为本发明的较佳实例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属于本发明的涵盖范围。
上述内容对实施例做了详细的说明,但本发明不受上述实施方式和实施例的限制,在不脱离本发明宗旨的前提下,在本领域技术人员所具备的知识范围内还可以对其进行各种变化和改进,这些变化和改进均落入本发明要保护的范围之内。

Claims (8)

1.一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料,其特征在于:所述DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的化学式为:C7H24N3Pb2I7,结构简式为:(C6H12N2H6)(CH3NH3)Pb2I7;(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料属于斜方晶系,Cmcm空间群;(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料的晶胞参数为
Figure FDA0002364835010000011
Figure FDA0002364835010000012
Z=8,单胞体积为
Figure FDA0002364835010000013
2.一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1,加热搅拌含有醋酸铅和甲胺的HI溶液,自然冷却至室温,并缓慢蒸发,得到红色片状晶体;
步骤2,加热搅拌条件下将红色片状晶体溶解在HI溶液中,然后加入2-甲基-1,5-戊二胺,加热搅拌至溶液澄清,自然冷却至室温,缓慢蒸发,得到深红色块状晶体,即为DJ型二维双层杂化钙钛矿材料。
3.根据权利要求2所述的一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1中醋酸铅的浓度为0.379g/mmol;甲胺的浓度为0.031g/mmol;所述HI溶液的浓度为47%的HI溶液。
4.根据权利要求3所述的一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的制备方法,其特征在于:所述醋酸铅的用量为1.5~3mmol;所述甲胺的用量为0.5~2mmol。
5.根据权利要求2所述的一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的制备方法,其特征在于:所述步骤2中2-甲基-1,5-戊二胺的浓度为0.116g/mmol。
6.根据权利要求5所述的一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的制备方法,其特征在于:所述2-甲基-1,5-戊二胺与甲胺的质量比为3.7~4.0:1。
7.根据权利要求2所述的一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1中缓慢蒸发时间为3~5天,所述步骤2中缓慢蒸发时间为6~8天。
8.一种DJ型二维双层杂化钙钛矿材料的应用,其特征在于:所述(2-甲基-1,5-戊二胺)(甲胺)Pb2I7晶体材料应用于高吸光材料、半导体材料或光电探测领域的新型材料。
CN202010032468.4A 2020-01-13 2020-01-13 一种dj型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用 Active CN111211233B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010032468.4A CN111211233B (zh) 2020-01-13 2020-01-13 一种dj型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010032468.4A CN111211233B (zh) 2020-01-13 2020-01-13 一种dj型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111211233A true CN111211233A (zh) 2020-05-29
CN111211233B CN111211233B (zh) 2021-08-06

Family

ID=70790069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010032468.4A Active CN111211233B (zh) 2020-01-13 2020-01-13 一种dj型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111211233B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864080A (zh) * 2020-09-07 2020-10-30 天津理工大学 一种二维有机无机杂化钙钛矿晶体光电探测器及其制备方法
CN114400294A (zh) * 2021-12-24 2022-04-26 华南理工大学 一种深蓝光准二维钙钛矿发光二极管
CN114990699A (zh) * 2022-05-23 2022-09-02 闽都创新实验室 一种二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011129341A1 (ja) * 2010-04-13 2011-10-20 独立行政法人産業技術総合研究所 配向ペロブスカイト酸化物薄膜
CN108695073A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 三星电子株式会社 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器
CN109560204A (zh) * 2018-11-22 2019-04-02 东莞理工学院 一种钙钛矿薄膜及其制备方法和其应用

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011129341A1 (ja) * 2010-04-13 2011-10-20 独立行政法人産業技術総合研究所 配向ペロブスカイト酸化物薄膜
CN108695073A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 三星电子株式会社 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器
CN109560204A (zh) * 2018-11-22 2019-04-02 东莞理工学院 一种钙钛矿薄膜及其制备方法和其应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XIAOTONG LI: "Two-Dimensional Dion−Jacobson Hybrid Lead Iodide Perovskites with Aromatic Diammonium Cations", 《JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 *
XIAOTONG LI: "Two-Dimensional Halide Perovskites Incorporating Straight Chain Symmetric Diammonium Ions, (NH3CmH2mNH3)(CH3NH3)n−1PbnI3n+1 (m = 4−9; n = 1−4)", 《JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864080A (zh) * 2020-09-07 2020-10-30 天津理工大学 一种二维有机无机杂化钙钛矿晶体光电探测器及其制备方法
CN114400294A (zh) * 2021-12-24 2022-04-26 华南理工大学 一种深蓝光准二维钙钛矿发光二极管
CN114990699A (zh) * 2022-05-23 2022-09-02 闽都创新实验室 一种二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途

Also Published As

Publication number Publication date
CN111211233B (zh) 2021-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111211233B (zh) 一种dj型二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用
Zheng et al. Submillimeter and lead-free Cs 3 Sb 2 Br 9 perovskite nanoflakes: inverse temperature crystallization growth and application for ultrasensitive photodetectors
Miao et al. Air-stable CsPb 1− x Bi x Br 3 (0≤ x≪ 1) perovskite crystals: optoelectronic and photostriction properties
Zhang et al. Perovskite CH 3 NH 3 Pb (Br x I 1− x) 3 single crystals with controlled composition for fine-tuned bandgap towards optimized optoelectronic applications
CN113571645A (zh) Dj型无甲胺窄带隙二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法
Qiao et al. Formamidinium lead triiodide perovskites with improved structural stabilities and photovoltaic properties obtained by ultratrace dimethylamine substitution
Ibraheam et al. Structural, optical and electrical investigations of Cu 2 Zn 1-x Cd x SnS 4/Si quinternary alloy nanostructures synthesized by spin coating technique
Li et al. Synthesis of Submillimeter‐Scale Single Crystal Stannous Sulfide Nanoplates for Visible and Near‐Infrared Photodetectors with Ultrahigh Responsivity
Yan et al. Fabrication of Bi 19 S 27 I 3 nanorod cluster films for enhanced photodetection performance
CN112279876A (zh) 一种dj型极性二维双层杂化钙钛矿材料及制备方法和应用
Remes et al. The optical absorption and photoconductivity spectra of hexagonal boron nitride single crystals
Muthukumaran et al. Structural, optical, FTIR and photoluminescence studies of CdS 1− x Se x thin films by chemical bath deposition method
Yan et al. Dual-source vapor-processed blue-emissive cesium copper iodine microplatelets with high crystallinity and stability
Kutwade et al. Enhanced photosensing by Mg-doped ZnO hexagonal rods via a feasible chemical route
Patel et al. Recent advances to enhance electrical and photoelectrical properties of antimony selenide crystals via tin doping
Yan et al. High-performance visible light photodetector based on BiSeI single crystal
Tailor et al. Anisotropy in perovskite single crystals: from fundamentals to applications
Patel et al. Optoelectronic properties of optimally grown ZnO nanorods
Jacopin et al. High degree of polarization of the near-band-edge photoluminescence in ZnO nanowires
Rahmani et al. Impact of the meso-PSi substrate on ZnO thin films deposited by spray pyrolysis technique for UV photodetectors
CN115650182B (zh) 一种正交型/单斜型PdSe2同质结及其制备方法与应用
Ghafari et al. Temperature-dependent photonic properties of porous-shaped metal-organic frameworks on porous silicon substrates
Lasheen et al. Synthesis and characterization of InP quantum dots for photovoltaics applications
Choi et al. A study on mixed cation perovskite-based UVC photodetector with improved performance
Ramya et al. Room-temperature cost-effective in-situ grown MAPbBr3 crystals and their characterization towards optoelectronic devices

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant