CN111211212A - 一种led器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LED器件，氮化铝陶瓷基板表面设置有环形的第一围坝以及环形的第二围坝，第一围坝包围第二围坝；氮化铝陶瓷基板表面位于第一围坝外侧的区域设置有正电极和负电极，正电极与负电极均与导电线路层电连接；倒装LED芯片设置于氮化铝陶瓷基板表面位于第二围坝的区域，倒装LED芯片通过导电线路层与正电极和负电极电连接；第二围坝内填充有覆盖倒装LED芯片的保护胶，第一围坝内填充有白胶，白胶的厚度小于倒装LED芯片的厚度。氮化铝陶瓷基板具有优秀的散热性能，可以有效将LED芯片工作时产生的热量导出LED器件。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。
Description
技术领域
本发明涉及照明器件技术领域，特别是涉及一种LED器件以及一种LED器件的制备方法。
背景技术
在现阶段，LED照明设备为了实现高亮度的照明，通常会在小范围内集成大量的LED芯片。由于LED芯片在工作时会产生大量的热量，所以LED照明设备的散热性能是LED照明设备性能的重中之重。
在现有技术中，LED照明设备普遍存在散热问题。在长时间使用过程中，对于使用正装LED芯片的LED器件来说，由于LED芯片具体会通过金线与基板连接形成散热通道，而保护胶会包裹金线。当散热性能不足时，保护胶会受热而产生热胀冷缩，从而拉扯金线造成金线脱落。而对于使用倒装LED芯片的LED器件来说，LED芯片会具体通过焊锡料与基板连接，形成散热通道。而当散热性能较差时，由于焊锡料的熔点较低，会造成焊锡料融化从而导致LED芯片接触不良等问题。所以，如何提供一种散热性能良好的LED器件是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种LED器件，具有良好的散热性能；本发明的另一目的在于提供一种LED器件的制备方法，可以制备出具有良好散热性能的LED器件。
为解决上述技术问题，本发明提供一种LED器件，包括氮化铝陶瓷基板和倒装LED芯片；
所述氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层，所述氮化铝陶瓷基板表面设置有环形的第一围坝以及环形的第二围坝，所述第一围坝包围所述第二围坝；所述氮化铝陶瓷基板表面位于所述第一围坝外侧的区域设置有正电极和负电极，所述正电极与所述负电极均与所述导电线路层电连接；
所述倒装LED芯片设置于所述氮化铝陶瓷基板表面位于所述第二围坝的区域，所述倒装LED芯片通过所述导电线路层与所述正电极和所述负电极电连接；
所述第二围坝内填充有覆盖所述倒装LED芯片的保护胶，所述第一围坝内填充有白胶，所述白胶的厚度小于所述倒装LED芯片的厚度。
可选的，所述倒装LED芯片通过共晶焊料焊接于所述氮化铝陶瓷基板表面。
可选的，所述白胶为甲基类白胶。
可选的，所述正电极与所述负电极位于所述氮化铝陶瓷基板表面边缘。
可选的，所述第一围坝沿所述氮化铝陶瓷基板表面边沿、所述正电极边沿以及所述负电极边沿，包围所述氮化铝陶瓷基板表面。
可选的，所述正电极与所述负电极沿所述氮化铝陶瓷基板中心相对设置。
可选的，所述氮化铝陶瓷基板呈矩形，所述正电极和所述负电极位于所述氮化铝陶瓷基板表面角部。
可选的，所述保护胶内填充有预设色温的荧光粉。
本发明还提供了一种LED器件的制备方法，包括：
在氮化铝陶瓷基板表面设置正电极和负电极；所述氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层；
在所述氮化铝陶瓷基板表面焊接倒装LED芯片；所述正电极和所述负电极均通过所述导电线路层与所述倒装LED芯片电连接；
通过围坝胶在所述氮化铝陶瓷基板表面设置第一围坝；所述正电极和所述负电极位于所述第一围坝外侧；
在所述第一围坝内填充白胶；所述白胶的厚度小于所述倒装LED芯片的厚度；
通过围坝胶在所述第一围坝内侧设置第二围坝；所述第二围坝包围所述倒装LED芯片；
在所述第二围坝内填充覆盖所述倒装LED芯片的保护胶，以制成所述LED器件。
可选的，所述在所述氮化铝陶瓷基板表面焊接倒装LED芯片包括：
在所述倒装LED芯片与所述氮化铝陶瓷基板之间设置共晶焊料；
通过共晶焊工艺将所述倒装LED芯片焊接于所述氮化铝陶瓷基板表面。
本发明所提供的一种LED器件，包括氮化铝陶瓷基板和倒装LED芯片；氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层，氮化铝陶瓷基板表面设置有环形的第一围坝以及环形的第二围坝，第一围坝包围第二围坝；氮化铝陶瓷基板表面位于第一围坝外侧的区域设置有正电极和负电极，正电极与负电极均与导电线路层电连接；倒装LED芯片设置于氮化铝陶瓷基板表面位于第二围坝的区域，倒装LED芯片通过导电线路层与正电极和负电极电连接；第二围坝内填充有覆盖倒装LED芯片的保护胶，第一围坝内填充有白胶，白胶的厚度小于倒装LED芯片的厚度。
氮化铝陶瓷基板具有优秀的散热性能，可以有效将LED芯片工作时产生的热量导出LED器件，以保护LED器件的性能。而填充在第一围坝内的白胶可以有效对倒装LED芯片产生的光线进行反射，从而避免光线长时间照射氮化铝陶瓷基板而产生热量；在第一围坝外设置的正电极以及负电极可以便于LED器件的安装以及使用，增加LED器件的适用性。
本发明还提供了一种LED器件的制备方法，所制备而成的LED器件同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种LED器件的结构示意图；
图2至图8为本发明实施例所提供的一种LED器件制备方法的工艺流程图。
图中：1.氮化铝陶瓷基板、2.倒装LED芯片、3.第一围坝、4.第二围坝、5.正电极、6.负电极、7.白胶、8.保护胶。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种LED器件。在现有技术中，LED照明设备普遍存在散热问题。在长时间使用过程中，对于使用正装LED芯片的LED器件来说，由于LED芯片具体会通过金线与基板连接形成散热通道，而保护胶会包裹金线。当散热性能不足时，保护胶会受热而产生热胀冷缩，从而拉扯金线造成金线脱落。而对于使用倒装LED芯片的LED器件来说，LED芯片会具体通过焊锡料与基板连接，形成散热通道。而当散热性能较差时，由于焊锡料的熔点较低，会造成焊锡料融化从而导致LED芯片接触不良等问题。
而本发明所提供的一种LED器件，包括氮化铝陶瓷基板和倒装LED芯片；氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层，氮化铝陶瓷基板表面设置有环形的第一围坝以及环形的第二围坝，第一围坝包围第二围坝；氮化铝陶瓷基板表面位于第一围坝外侧的区域设置有正电极和负电极，正电极与负电极均与导电线路层电连接；倒装LED芯片设置于氮化铝陶瓷基板表面位于第二围坝的区域，倒装LED芯片通过导电线路层与正电极和负电极电连接；第二围坝内填充有覆盖倒装LED芯片的保护胶，第一围坝内填充有白胶，白胶的厚度小于倒装LED芯片的厚度。
氮化铝陶瓷基板具有优秀的散热性能，可以有效将LED芯片工作时产生的热量导出LED器件，以保护LED器件的性能。而填充在第一围坝内的白胶可以有效对倒装LED芯片产生的光线进行反射，从而避免光线长时间照射氮化铝陶瓷基板而产生热量；在第一围坝外设置的正电极以及负电极可以便于LED器件的安装以及使用，增加LED器件的适用性。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，图1为本发明实施例所提供的一种LED器件的结构示意图。
参见图1，在本发明实施例中，所述LED器件包括氮化铝陶瓷基板1和倒装LED芯片2；所述氮化铝陶瓷基板1内设置有导电线路层，所述氮化铝陶瓷基板1表面设置有环形的第一围坝3以及环形的第二围坝4，所述第一围坝3包围所述第二围坝4；所述氮化铝陶瓷基板1表面位于所述第一围坝3外侧的区域设置有正电极5和负电极6，所述正电极5与所述负电极6均与所述导电线路层电连接；所述倒装LED芯片2设置于所述氮化铝陶瓷基板1表面位于所述第二围坝4的区域，所述倒装LED芯片2通过所述导电线路层与所述正电极5和所述负电极6电连接；所述第二围坝4内填充有覆盖所述倒装LED芯片2的保护胶8，所述第一围坝3内填充有白胶7，所述白胶7的厚度小于所述倒装LED芯片2的厚度。
上述氮化铝陶瓷基板1即本发明实施例所提供的LED器件的基板，该氮化铝陶瓷基板1需要具有一定的结构强度以支撑起整个LED器件。上述氮化铝陶瓷基板1的主体材质为氮化铝陶瓷，使得该氮化铝陶瓷基板1相较于传统的铝基板来说，具有更加良好的导热性能，从而可以将倒装LED芯片2工作时产生的热量快速导走。具体的，上述氮化铝陶瓷基板1通常具有多层结构，在氮化铝陶瓷基板1中设置有导电线路层，外界的电源具体会通过该导电线路层倒装LED芯片2供电。有关导电线路层的具体结构可以根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。
上述氮化铝陶瓷基板1表面设置有环形的第一围坝3以及环形的第二围坝4，其中第一围坝3会包围第二围坝4，形成一嵌套式结构，其中位于外圈的是第一围坝3，而位于内圈的是第二围坝4。需要说明的是，在本发明实施例中第一围坝3与第二围坝4通常并不相互接触。
上述氮化铝陶瓷基板1表面中，位于第二围坝4内的区域设置有倒装LED芯片2。使用倒装LED芯片2可以避免第二围坝4内存在金线，从而有效降低LED器件损坏的风险。有关倒装LED芯片2的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。上述倒装LED芯片2具体会与氮化铝陶瓷基板1中的导电线路层相互电连接，以便于通过导电线路层向倒装LED芯片2供电。
上述第一围坝3内填充有白胶7，该白胶7会覆盖在氮化铝陶瓷基板1表面位于第一围坝3内的区域。由于白胶7对光具有较好的反射性能，该白胶7可以作为反射层所使用。需要注意的是，上述白胶7通常不会覆盖在倒装LED芯片2表面，即在点胶过程中不会将白胶7点在倒装LED芯片2表面。在本发明实施例中，上述白胶7的厚度需要小于倒装LED芯片2的厚度，以防止白胶7淹没倒装LED芯片2而造成倒装LED芯片2亮度降低情况的发生。
上述第二围坝4内填充有覆盖倒装LED芯片2的保护胶8，以在第二围坝4内形成发光区域。有关保护胶8的具体组分可以参考现有形成反射层技术，在此不再进行赘述。需要说明的是，上述氮化铝陶瓷基板1表面位于第二围坝4内的区域通常是先覆盖一层白胶7，再在白胶7上设置的上述保护胶8，即在第二围坝4内保护胶8具体会覆盖在白胶7表面，同时覆盖倒装LED芯片2。
上述氮化铝陶瓷基板1表面位于第一围坝3外侧区域设置有正电极5以及负电极6，其作为LED器件与外界其余部件，例如电源的接触点所使用。上述正电极5与负电极6均与导电线路层连接，从而使得正电极5以及负电极6可以通过导电线路层与倒装LED芯片2电连接。需要说明的是，上述白胶7不会覆盖该正电极5以及负电极6。上述正电极5以及负电极6的材料可以为锡料或其他材质均可，在本发明实施例中不做具体限定。
具体的，在本发明实施例中，所述倒装LED芯片2可以通过共晶焊料焊接于所述氮化铝陶瓷基板1表面。即在本发明实施例中，具体可以选用共晶焊料，通过共晶焊工艺将倒装LED芯片2固定在氮化铝陶瓷基板1表面。通过共晶焊料，基于共晶焊工艺固定倒装LED芯片2，可以有效增加倒装LED芯片2与氮化铝陶瓷基板1之间的导热性能，从而可以更加高效的将倒装LED芯片2所产生的热量导出LED器件。有关共晶焊工艺的具体原理及内容可以参考现有技术，在此不再进行赘述。有关共晶焊料的具体材质需要根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。
具体的，在本发明实施例中，所述白胶7可以为甲基类白胶7。甲基类白胶7具有低折射、耐高温的特点，不会在使用过程中因为倒装LED芯片2所产生的热量而丧失性能。
具体的，在本发明实施例中，所述正电极5与所述负电极6位于所述氮化铝陶瓷基板1表面边缘。由于正电极5与负电极6均是LED器件与其他部件的接触点，将正电极5以及负电极6设置在氮化铝陶瓷基板1表面边缘可以便于其余部件与LED器件的连接。
上述第一围坝3可以沿所述氮化铝陶瓷基板1表面边沿、所述正电极5边沿以及所述负电极6边沿，包围所述氮化铝陶瓷基板1表面。将第一围坝3按上述结构设置，可以有效增加第一围坝3内的面积，从而可以有效增加白胶7的面积，使得白胶7可以尽可能多的覆盖氮化铝陶瓷基板1表面，从而使得白胶7所形成的反射层可以尽可能多的将倒装LED芯片2所产生的光线反射出LED器件。
上述正电极5与所述负电极6可以沿所述氮化铝陶瓷基板1中心相对设置，从而便于其余部件与LED器件的连接。具体的，所述氮化铝陶瓷基板1通常呈矩形，而所述正电极5和所述负电极6位于所述氮化铝陶瓷基板1表面角部，从而可以简化第一围坝3的所围成图形的结构，便于第一围坝3的设置。
具体的，在本发明实施例中，所述保护胶8内通常填充有预设色温的荧光粉，从而使得LED器件最终可以显示出预设色温的颜色。有关荧光粉的具体种类以及用量需要根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。
本发明实施例所提供的一种LED器件，包括氮化铝陶瓷基板1和倒装LED芯片2；氮化铝陶瓷基板1内设置有导电线路层，氮化铝陶瓷基板1表面设置有环形的第一围坝3以及环形的第二围坝4，第一围坝3包围第二围坝4；氮化铝陶瓷基板1表面位于第一围坝3外侧的区域设置有正电极5和负电极6，正电极5与负电极6均与导电线路层电连接；倒装LED芯片2设置于氮化铝陶瓷基板1表面位于第二围坝4的区域，倒装LED芯片2通过导电线路层与正电极5和负电极6电连接；第二围坝4内填充有覆盖倒装LED芯片2的保护胶8，第一围坝3内填充有白胶7，白胶7的厚度小于倒装LED芯片2的厚度。
氮化铝陶瓷基板1具有优秀的散热性能，可以有效将LED芯片工作时产生的热量导出LED器件，以保护LED器件的性能。而填充在第一围坝3内的白胶7可以有效对倒装LED芯片2产生的光线进行反射，从而避免光线长时间照射氮化铝陶瓷基板1而产生热量；在第一围坝3外设置的正电极5以及负电极6可以便于LED器件的安装以及使用，增加LED器件的适用性。
下面对本发明实施例所提供的一种LED器件的制备方法进行介绍，下文描述的制备方法与上文描述的LED器件可相互对应参照。
请参考图2至图8，图2至图8为本发明实施例所提供的一种LED器件制备方法的工艺流程图。
参见图2，在本发明实施例中，LED器件的制备方法包括：
S101：在氮化铝陶瓷基板表面设置正电极和负电极。
参见图3，在本发明实施例中，所述氮化铝陶瓷基板1内设置有导电线路层。有关氮化铝陶瓷基板1的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
在本步骤中，通常会具体通过上锡工艺，在氮化铝陶瓷基板1表面的预设位置进行上锡处理，而形成正电极5以及负电极6。上述正电极5以及负电极6需要与导电线路层电连接。有关正电极5以及负电极6的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S102：在氮化铝陶瓷基板表面焊接倒装LED芯片。
参见图4，在本发明实施例中，所述正电极5和所述负电极6均通过所述导电线路层与所述倒装LED芯片2电连接。有关倒装LED芯片2的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
在本步骤中，会将倒装LED芯片2焊接至氮化铝陶瓷基板1表面，以将氮化铝陶瓷基板1表面于倒装LED芯片2固定连接。作为优选的，本步骤可以具体为：在所述倒装LED芯片2与所述氮化铝陶瓷基板1之间设置共晶焊料；通过共晶焊工艺将所述倒装LED芯片2焊接于所述氮化铝陶瓷基板1表面。即在本发明实施例中，具体可以选用共晶焊料，通过共晶焊工艺将倒装LED芯片2固定在氮化铝陶瓷基板1表面。通过共晶焊料，基于共晶焊工艺固定倒装LED芯片2，可以有效增加倒装LED芯片2与氮化铝陶瓷基板1之间的导热性能，从而可以更加高效的将倒装LED芯片2所产生的热量导出LED器件。有关共晶焊工艺的具体原理及内容可以参考现有技术，在此不再进行赘述。有关共晶焊料的具体材质需要根据实际情况自行设定，在此不做具体限定。
S103：通过围坝胶在氮化铝陶瓷基板表面设置第一围坝。
参见图5，在本发明实施例中，所述正电极5和所述负电极6位于所述第一围坝3外侧。有关第一围坝3的具体位置以在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
在本步骤中，通常是使用围坝胶，通过点胶工艺在氮化铝陶瓷基板1表面设置环形的第一围坝3。有关围坝胶的具体种类在本发明实施例中不做具体限定，视具体情况而定。
S104：在第一围坝内填充白胶。
参见图6，在本发明实施例中，所述白胶7的厚度小于所述倒装LED芯片2的厚度。有关白胶7的具体组分已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
在本步骤中，具体会通过点胶工艺，在第一围坝3内填充白胶7。为了避免白胶7覆盖倒装LED芯片2，需要在第一围坝3内未设置倒装LED芯片2的区域点胶，以形成覆盖氮化铝陶瓷基板1表面的白胶7。
S105：通过围坝胶在第一围坝内侧设置第二围坝。
参见图7，在本发明实施例中，所述第二围坝4包围所述倒装LED芯片2。有关第二围坝4的具体位置以在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
在本步骤中，通常是使用围坝胶，通过点胶工艺在氮化铝陶瓷基板1表面的预设位置设置环形的第二围坝4。有关围坝胶的具体种类在本发明实施例中不做具体限定，视具体情况而定。
S106：在第二围坝内填充覆盖倒装LED芯片的保护胶，以制成LED器件。
参见图8，在本步骤中，会通过点胶工艺，在第二围坝4内填充保护胶8，该保护胶8会覆盖倒装LED芯片2，以形成发光区域，制成LED器件。
本发明实施例所提供的一种LED器件的制备方法，所制备而成的LED器件中，氮化铝陶瓷基板1具有优秀的散热性能，可以有效将LED芯片工作时产生的热量导出LED器件，以保护LED器件的性能。而填充在第一围坝3内的白胶7可以有效对倒装LED芯片2产生的光线进行反射，从而避免光线长时间照射氮化铝陶瓷基板1而产生热量；在第一围坝3外设置的正电极5以及负电极6可以便于LED器件的安装以及使用，增加LED器件的适用性。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种LED器件以及一种LED器件的制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种LED器件，其特征在于，包括氮化铝陶瓷基板和倒装LED芯片；
所述氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层，所述氮化铝陶瓷基板表面设置有环形的第一围坝以及环形的第二围坝，所述第一围坝包围所述第二围坝；所述氮化铝陶瓷基板表面位于所述第一围坝外侧的区域设置有正电极和负电极，所述正电极与所述负电极均与所述导电线路层电连接；
所述倒装LED芯片设置于所述氮化铝陶瓷基板表面位于所述第二围坝的区域，所述倒装LED芯片通过所述导电线路层与所述正电极和所述负电极电连接；
所述第二围坝内填充有覆盖所述倒装LED芯片的保护胶，所述第一围坝内填充有白胶，所述白胶的厚度小于所述倒装LED芯片的厚度。
2.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述倒装LED芯片通过共晶焊料焊接于所述氮化铝陶瓷基板表面。
3.根据权利要求2所述的LED器件，其特征在于，所述白胶为甲基类白胶。
4.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述正电极与所述负电极位于所述氮化铝陶瓷基板表面边缘。
5.根据权利要求4所述的LED器件，其特征在于，所述第一围坝沿所述氮化铝陶瓷基板表面边沿、所述正电极边沿以及所述负电极边沿，包围所述氮化铝陶瓷基板表面。
6.根据权利要求5所述的LED器件，其特征在于，所述正电极与所述负电极沿所述氮化铝陶瓷基板中心相对设置。
7.根据权利要求6所述的LED器件，其特征在于，所述氮化铝陶瓷基板呈矩形，所述正电极和所述负电极位于所述氮化铝陶瓷基板表面角部。
8.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述保护胶内填充有预设色温的荧光粉。
9.一种LED器件的制备方法，其特征在于，包括：
在氮化铝陶瓷基板表面设置正电极和负电极；所述氮化铝陶瓷基板内设置有导电线路层；
在所述氮化铝陶瓷基板表面焊接倒装LED芯片；所述正电极和所述负电极均通过所述导电线路层与所述倒装LED芯片电连接；
通过围坝胶在所述氮化铝陶瓷基板表面设置第一围坝；所述正电极和所述负电极位于所述第一围坝外侧；
在所述第一围坝内填充白胶；所述白胶的厚度小于所述倒装LED芯片的厚度；
通过围坝胶在所述第一围坝内侧设置第二围坝；所述第二围坝包围所述倒装LED芯片；
在所述第二围坝内填充覆盖所述倒装LED芯片的保护胶，以制成所述LED器件。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述氮化铝陶瓷基板表面焊接倒装LED芯片包括：
在所述倒装LED芯片与所述氮化铝陶瓷基板之间设置共晶焊料；
通过共晶焊工艺将所述倒装LED芯片焊接于所述氮化铝陶瓷基板表面。
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| CN202010189420.4A CN111211212A (zh) | 2020-03-17 | 2020-03-17 | 一种led器件及其制备方法 |
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| CN (1) | CN111211212A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114388676A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-22 | 深圳市同一方光电技术有限公司 | Smd器件的制备方法、装置、smd器件 |
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2020
- 2020-03-17 CN CN202010189420.4A patent/CN111211212A/zh active Pending
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