CN111211033A - 半导体设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，还包括：电磁屏蔽组件，所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。通过本发明，减小了工艺腔室之间由于电磁环境差异导致的干扰。

Description

半导体设备
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体设备。
背景技术
目前，高频电路工作时，会向外辐射电磁波从而对邻近的设备产生干扰，此外，空间的各种电磁波会感应到电路中，对电路本身造成干扰。电磁屏蔽的作用就是切断电磁波的传播途径，进而消除干扰。
半导体设备中，采用共有气道、共有下电极结构的腔室能够节约成本，但是个工艺腔室并不是完全一致的，在进行工艺时，各工艺腔室中的电磁环境还是会有差异的。由于各工艺腔室之间有共有气道且公用下电极结构，会导致各工艺腔室互相造成干扰。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备。
根据本发明的一个方面，提供了一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，还包括：电磁屏蔽组件，电磁屏蔽组件在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。
优选地，所述工艺腔室中设置有下电极组件；
所述电磁屏蔽组件包括：环绕所述下电极组件且接地的下电极屏蔽组件，用于屏蔽所述下电极组件辐射的电磁波。
优选地，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽环，所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述下电极组件的外周壁和所述工艺腔室的内周壁相接触，并且在所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。
优选地，所述屏蔽环的顶面与所述下电极组件的顶面相平齐。
优选地，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽筒；
所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上。
优选地，所述屏蔽筒完全覆盖所述下电极组件的外周壁。
优选地，所述下电极屏蔽组件还包括：屏蔽环和屏蔽筒，其中，所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上；
所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述屏蔽筒的外周壁和所述腔室的内周壁相接触，并且，所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。
优选地，所述屏蔽环的顶面、所述屏蔽筒的顶面和所述下电极组件的顶面相平齐。
优选地，所述电磁屏蔽组件包括：
屏蔽板，设置在所述共有气道的至少一个端口处，或者设置在所述共有气道内部，用于屏蔽通过所述共有气道的电磁波，所述屏蔽板上开设有多个通气孔。
优选地，所述半导体设备还包括：匀流环，设置在所述屏蔽环的上方或下方，与所述屏蔽环同轴设置。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的半导体设备，针对通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，在至少一个工艺腔室和/或所述共有气道中设置电磁屏蔽组件，且电磁屏蔽组件可屏蔽电磁波通过共有气道在工艺腔室之间传播。由此，可以使电磁屏蔽组件所在的工艺腔室在工作时，不会受到其他工艺腔室的干扰，也不会干扰到其他工艺腔室，减小了各工艺腔室之间的相互干扰。
附图说明
图1为本发明实施例提供的半导体设备的结构示意图；
图2为本发明第一个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；
图3为本发明第二个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；
图4为本发明第三个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；
图5为本发明第四个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；
图6为本发明第五个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；
图7为本发明第六个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；
图8为本发明优选实施例提供的半导体设备的结构示意图；
图9为本发明实施例中通气孔相对屏蔽板的排布示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体设备进行详细描述。
如上所述，各工艺腔室之间由于电磁环境差异会对互相造成干扰。特别的，由于晶片盒中晶片的数量与工艺腔室的数量并不是整数倍的关系，所以可能会出现共有气道、共有下电极的多个工艺腔室中的部分腔室工作、部分腔室不工作的情况，如单腔的工作情况。此时，由于共有气道的存在，一部分电磁波会进入与其相连的另外的腔室，造成功率的损失，影响到工艺的进行。
如图1所示，为本发明实施例提供的半导体设备的结构示意图，本发明实施例中，半导体设备包括：通过共有气道1相连的两个工艺腔室2，还包括：电磁屏蔽组件3，电磁屏蔽组件3设置在工艺腔室2中，用于屏蔽电磁波通过共有气道1在工艺腔室2之间传播。
如图1所示，通过共有气道1连接的两个工艺腔室2，共用一个匹配器且两个工艺腔室2共用相同的电源。在这个两个工艺腔室2中的电磁环境存在差异时，电磁屏蔽组件3可以减小两个工艺腔室2之间的相互干扰。特别的，当两个工艺腔室2中只有一个腔室起辉，即单腔起辉时，电磁屏蔽组件3可以屏蔽电磁波通过共有气道1在工艺腔室2之间传播，避免了功率的损失。本实施例提供的半导体设备，通过在共有气道相连的至少两个腔室中的至少一个腔室中设置电磁屏蔽组件，可屏蔽电磁波通过共有气道在工艺腔室之间传播。由此，可以避免工艺腔室之间的相互干扰，尤其可以使电磁屏蔽组件所在的工艺腔室在单腔工作时，不会通过共有气道向另外的腔室传播电磁波，减小了单腔工作时的功率损失。
图1所示的电磁屏蔽组件的设置仅是本发明的一种实施方式，电磁屏蔽组件还可以同时设置在工艺腔室和共有气道中，或者仅设置在共有气道中，这些实施方式将在下面的实施例中进行说明。
进一步的，如图1所示，本实施例中，工艺腔室2中设置有下电极组件21。
电磁屏蔽组件3包括：环绕下电极组件21设置且接地的下电极屏蔽组件31，用于屏蔽下电极组件21辐射的电磁波。
具体地，下电极组件21可以包括：卡盘211、以及包围在卡盘211外围的支撑环212、绝缘环213、聚焦环214。在卡盘的轴向方向，支撑环212、绝缘环213以及聚焦环214由下自上依次设置。需要说明的是，聚焦环214的材料可以采用陶瓷和石英，图1中聚焦环214的材料包括陶瓷和石英两种不同材料，支撑环212、绝缘环213的材料均为陶瓷。
本实施例提供的半导体设备，针对通过共有气道相连的两个工艺腔室，环绕下电极组件设置了接地的下电极屏蔽组件，下电极屏蔽组件用于屏蔽下电极组件辐射的电磁波，使下电极组件向共有气道传播的电磁波减少，从而达到通过电磁屏蔽组件屏蔽由共有气道传播的电磁波的目的，避免了工艺腔室之间的相互干扰，减小了单腔起辉下造成的功率损失。
可选地，如图2所示，为本发明第一个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图，在图2中，下电极屏蔽组件31包括：屏蔽环311，该屏蔽环311的内周壁和外周壁分别与下电极组件21的外周壁和工艺腔室2的内周壁相接触，可选的，屏蔽环311还可与工艺腔室2固定连接。并且，屏蔽环311上开设有多个沿其轴向的通孔312，用以供气体通过。
可选的，上述屏蔽环311可兼用作匀流板，在这种情况下，可以使多个通孔312沿屏蔽环311的周向均匀分布，以起到匀流作用。
在实际应用中，可以在工艺腔室中仅设置兼具匀流功能和屏蔽功能的屏蔽环311，或者也可以在设置屏蔽环311的同时，另外设置匀流板，该匀流板置在屏蔽环311的上方或下方，优选的，与屏蔽环311同轴设置。
本实施例提供的下电极屏蔽组件为与工艺腔室内周壁固定连接的屏蔽环，屏蔽环上还可开设有穿过下电极组件的通孔，屏蔽环在下电极组件轴向方向屏蔽了下电极组件传播的电磁波，从而使进入共有气道的电磁波减小，避免了工艺腔室之间的相互干扰，减少了单腔起辉下造成的功率损失。
进一步，如图3所示，为本发明第二个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图，在图3中，屏蔽环311的顶面与下电极组件21的顶面相平齐。
本发明实施例提供的下电极屏蔽组件，屏蔽环的顶面与下电极组件的顶面相平齐，保证了工艺腔室中沿下电极组件轴向方向的传播的电磁波被屏蔽，减少了进入共有气道的电磁波。
本实施例中，屏蔽环311可以通过对工艺腔室中的匀流板进行改进得到，当然屏蔽环311也可以是与匀流板完全不同的，屏蔽环311的边缘与工艺腔室2连接，屏蔽环311从与下电极组件21相接处至工艺腔室2的内壁的长度可以为30mm，屏蔽环311相对下电极组件21轴向方向的厚度可以为10mm，经过仿真软件进行仿真后的结果表明，以共有气道1的观测面11的电场强度为标准，相对于未加电磁屏蔽组件的半导体设备，增加了第二个实施例中下电极屏蔽组件后，共有气道1中的电磁场强度减小，仿真结果如表1所示。
表1
Figure BDA0002423593300000051
如图4所示，本发明第三个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图，在图4中，下电极屏蔽组件31包括：屏蔽筒313。
屏蔽筒313环绕设置在下电极组件21的外周壁上。
本发明实施例提供的下电极屏蔽组件包括环绕设置在下电极组件外周壁上的屏蔽筒，屏蔽筒在下电极组件径向方向屏蔽了下电极组件传播的电磁波，从而使进入共有气道的电磁波减小。
进一步，如图5所示，为本发明第四个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图，在图5中，屏蔽筒313完全覆盖下电极组件21的外周壁。具体地，屏蔽筒313在下电极组件径向方向的厚度可以为10mm，经过仿真软件进行仿真后的结果表明，以共有气道1的观测面11的电场强度为标准，采用第四个实施例提供的下电极屏蔽组件相对未加电磁屏蔽组件的半导体设备，共有气道中的电磁场的强度减小，仿真结果如表2所示。
表2
Figure BDA0002423593300000061
本发明实施例提供的下电极屏蔽组件，屏蔽筒完全覆盖下电极组件的外周壁，使下电极组件径向发射的电磁波被屏蔽筒完全屏蔽，进一步使进入共有气道的电磁波减小。
如图6所示，为本发明第五个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图，相对于图5所示实施例，图6所示实施例中，下电极屏蔽组件还包括：屏蔽环311。
具体地，图6所示实施例中，下电极屏蔽组件包括：屏蔽环311和屏蔽筒313。
其中，屏蔽筒313环绕设置在下电极组件21的外周壁上。
屏蔽环311的内周壁和外周壁分别与屏蔽筒313的外周壁和工艺腔室2的内周壁相接触，并且，屏蔽环311上开设有多个沿其轴向的通孔312。
本发明实施例提供的下电极屏蔽组件包括：屏蔽环与屏蔽筒，屏蔽环可用于屏蔽下电极组件向其轴向方向传播的电磁波，屏蔽筒可用于屏蔽下电极组件向其径向方向传播的电磁波，全方位减小了下电极组件向共有气道传输的电磁波。
进一步，如图7所示，为本发明第六个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图，在图7中，屏蔽环311的顶面、屏蔽筒313的顶面和下电极组件21的顶面相平齐。
本发明实施例提供的下电极屏蔽组件，屏蔽环的顶面、屏蔽筒的顶面和下电极组件的顶面相平齐，完全阻断了下电极组件向共有气道传播电磁波。优选的，屏蔽环311和屏蔽筒313均可以采用金属材质。
作为一种变形的实施方式，也可以使屏蔽环311的内周壁和外周壁分别与下电极组件21的外周壁和工艺腔室2的内周壁相接触，使屏蔽筒313的顶面与屏蔽环311的底面接触，屏蔽环311的顶面和下电极组件21的顶面相平齐。如此，也可以完全阻断下电极组件向共有气道传播电磁波。
针对上述实施例提供的下电极屏蔽组件，经过仿真软件进行仿真后的结果表明，以共有气道1的观测面11的电场强度为标准，增加了第六实施例提供的下电极屏蔽组件的半导体设备比没有电磁屏蔽组件的电磁场强度降低10倍，通过屏蔽环与屏蔽筒相接的包围，能够实现减小电磁干扰的目的，屏蔽环311与屏蔽筒313可以通过焊接方式连接。本方案通过加入屏蔽环311与屏蔽筒313的金属结构，使被屏蔽环311与屏蔽筒313所包围的下电极组件的空间的电磁场强度减小，从而使进入共有气道1内的电磁场强度降低了68.9dB，所以几乎没有功率通过共有气道1进入另一工艺腔室2。本实施例实现了完全电磁屏蔽效果，能够避免工艺腔室2之间的相互干扰，尤其能够减小单腔起辉时，电磁波进入共有气道1后，造成功率损失，仿真结果如表3所示。
表3
Figure BDA0002423593300000071
进一步，如图8所示，为本发明优选实施例中半导体设备的结构示意图，本发明实施例中，电磁屏蔽组件3包括：屏蔽板32，屏蔽板32设置在共有气道1的端口处，或者设置在共有气道1内部，用于屏蔽通过共有气道1的电磁波。在屏蔽板32上开设有多个通气孔321(图中未示)。需要说明的是，屏蔽板可以设置在共有气道的至少一个端口处，图8中，两个工艺腔室2中的屏蔽板32分别设置在共有气道1的两个端口处，当然，屏蔽板32也可以只设置在共有气道1的任一端口处。
具体地，如图9所示，为本发明实施中通气孔相对屏蔽板的排布示意图，其中，多个通气孔321呈阵列排布。
优选地，屏蔽板32的厚度可以为5mm，屏蔽板32面积与共有气道1横截面的面积大小一致，屏蔽板32与工艺腔室2之间可采用螺钉连接方式。当通气孔321大小为4mm*5mm，进入共有气道1内的观测面11的电磁场强度相对于没有屏蔽板的半导体设备降低了35.1dB；当电磁屏蔽组件3仅为屏蔽板32且通气孔大小为4mm*10mm，进入共有气道1内的观测面11的电磁场强度相对于没有屏蔽板的半导体设备降低了32.1dB；共有气道1的观测面11的电场最大值如表4所示。通气孔321的开孔个数越多、尺寸越小达到的电磁屏蔽效果越优，但是气路流量减小，需要在气路流量和电磁屏蔽中取一个平衡，确定最优的开孔大小和个数。优选地，通气孔321取4mm*5mm的开孔大小。
表4
方案 观测面11的最大电场强度(dB)
未加电磁屏蔽组件时 1.806e-2
通气孔开孔大小4mm*5mm 5.609e-6
通气孔开孔大小4mm*10mm 1.100e-5
本发明实施例提供的半导体设备，由于屏蔽板的屏蔽作用，减少了进入共有气道的电磁波，达到了减小电磁干扰目的，并且还可以减小单腔起辉情况下，由于共有气道的存在，造成的腔室的功率损失。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，其特征在于，还包括：电磁屏蔽组件，所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺腔室中设置有下电极组件；
所述电磁屏蔽组件包括：环绕所述下电极组件设置且接地的下电极屏蔽组件，用于屏蔽所述下电极组件辐射的电磁波。
3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽环，所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述下电极组件的外周壁和所述工艺腔室的内周壁相接触，并且，在所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。
4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，
所述屏蔽环的顶面与所述下电极组件的顶面相平齐。
5.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽筒，所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上。
6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述屏蔽筒完全覆盖所述下电极组件的外周壁。
7.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽环和屏蔽筒，其中，
所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上；
所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述屏蔽筒的外周壁和所述腔室的内周壁相接触，并且，所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。
8.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，所述屏蔽环的顶面、所述屏蔽筒的顶面和所述下电极组件的顶面相平齐。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述电磁屏蔽组件包括：
屏蔽板，设置在所述共有气道的至少一个端口处，或者设置在所述共有气道内部，用于屏蔽通过所述共有气道的电磁波，所述屏蔽板上开设有多个通气孔。
10.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，还包括：匀流环，设置在所述屏蔽环的上方或下方，与所述屏蔽环同轴设置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030230385A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-18 Applied Materials, Inc. Electro-magnetic configuration for uniformity enhancement in a dual chamber plasma processing system
KR20090073569A (ko) * 2007-12-31 2009-07-03 주식회사 에이디피엔지니어링 국소영역의 플라즈마 차폐장치 및 그 차폐방법
US20140273494A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Parallel plate dry etching apparatus and method for manufacturing semiconductor device using same
CN106920725A (zh) * 2015-12-24 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种聚焦环的温度调整装置及方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030230385A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-18 Applied Materials, Inc. Electro-magnetic configuration for uniformity enhancement in a dual chamber plasma processing system
KR20090073569A (ko) * 2007-12-31 2009-07-03 주식회사 에이디피엔지니어링 국소영역의 플라즈마 차폐장치 및 그 차폐방법
US20140273494A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Parallel plate dry etching apparatus and method for manufacturing semiconductor device using same
CN106920725A (zh) * 2015-12-24 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种聚焦环的温度调整装置及方法

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