CN111203537B - 通过控制lmd工艺预制熔合不良缺陷的方法 - Google Patents

通过控制lmd工艺预制熔合不良缺陷的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种通过控制LMD工艺来预制熔合不良缺陷的方法,其中,获得包括成形区和预制缺陷区的模型,预制缺陷区具有预设缺陷;对模型进行分层切片处理,对于预制缺陷区的每一沉积层,预设缺陷具有在垂直方向上的最大尺寸a0;对于成形区,采用LMD工艺的预定成形工艺参数进行成形;对于预制缺陷区,控制成形工艺参数如下:a0<D时,相对于成形区,在沉积层内改变成形路径之间的扫描间距及送粉率,借此预制熔合不良缺陷;a0≥D时,相对于成形区,在沉积层内降低激光的能量输入,借此预制熔合不良缺陷;其中,D是激光在预制缺陷区的沉积层内的光斑直径。通过上述方法,可以在任意位置预制熔合不良缺陷。

Description

通过控制LMD工艺预制熔合不良缺陷的方法
技术领域
本发明涉及一种通过控制激光熔化沉积(LMD)工艺预制熔合不良缺陷的方法。
背景技术
增材制造(AM)技术逐渐成熟,已广泛应用于航空航天、医疗、汽车、核电等领域。LMD技术(例如,采用同步送粉方式)是常见的一种AM技术,该技术通过载粉气输送汇聚球形粉末,使用高能激光束将同步输送汇聚的金属粉末熔化,形成移动的非稳态金属熔池,在高温度梯度下小熔池快速凝固,逐层熔化堆积,最终形成实体零件,一般适用于航空航天国防装备大型复杂金属结构件低成本、短周期快速成形,或高附加值零部件快速修复,如航空发动机安装节系统、后节平台、整体叶盘、涡轮叶片等零件。
LMD金属成形/修复过程涉及温度场、应力场等多场耦合,是一个复杂的非平衡态凝固的过程,不稳定性因素多,不可避免地会产生不同类型和尺寸的缺陷,常见的有气孔、裂纹、熔合不良等。
作为典型缺陷的熔合不良缺陷因为金属材料之间未熔化结合在一起而形成。AM制造或修复过程中,熔池道间或层间的搭接不良,或者,在修复界面结合面处,都容易造成熔合不良或未熔合缺陷,缺陷位置应力集中比较严重,危害性仅次于裂纹,会使材料的机械性能明显变差,严重影响构件的使用寿命。
AM制件由于组织和性能具有各向异性的特点,不同于传统的铸造、锻造、焊接等制件,产生的熔合不良缺陷亦有所差异,同传统制件相比存在检测精度不同、可达性差、检测盲区大等问题,因而现有缺陷检测和评价方法基本不适用于AM制件。因此,制备具有人工缺陷的AM标块、缺陷试样或缺陷零件,不仅能为准确地进行缺陷的无损检测做准备,同时能对AM中产生的缺陷精确地进行定性和定量研究,精确模拟不同类型或尺寸的缺陷对AM成形件力学性能的影响,进一步研究和验证缺陷对AM零件可靠性的影响,对航空航天等领域AM零件的应用具有重大的意义。
对于制备熔合不良缺陷金属制件,目前主要有两种方法,一种是通过控制焊接工艺,制造出具有一定尺寸的熔合不良缺陷;第二种方法是利用激光选区熔化(SLM)直接设计熔合不良缺陷轮廓,直接成形内部具有熔合不良缺陷的制件。第一种方法制备的熔合不良缺陷试样已经对样品的组织、性能等进行了不同程度的破坏,不能有效模拟实际零件制造过程产生的熔合不良缺陷特征。第二种方法制备的熔合不良缺陷一般不具备连续性组织结构,仅适用于部分熔合不良缺陷,不能完全模拟实际零件制造过程产生的熔合不良缺陷特征,同时若尺寸较小则容易被边界轮廓熔化的金属填充,无法成形。
以上两种方法均不能准确模拟制件凝固过程中产生熔合不良缺陷的特征,不能准确表征熔合不良缺陷处组织结构特点,不能准确有效地评价缺陷与力学性能的影响关系、缺陷与零件可靠性的关系,目前金属增材制造成形/修复件典型人工缺陷的制备方法和手段尚不成熟,本提案提供了一种LMD航空发动机合金构件中熔合不良类缺陷的控制方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种通过控制LMD工艺预制熔合不良缺陷的方法。
本发明的另一目的是提供一种预制熔合不良缺陷的方法,通过该方法预制的熔合不良缺陷可以模拟实际凝固过程中产生的缺陷,而且能保留缺陷处组织结构的连续完整特征。
本发明提供一种通过控制LMD工艺来预制熔合不良缺陷的方法,其中,获得包括成形区和预制缺陷区的模型,所述预制缺陷区具有预设缺陷;对所述模型进行分层切片处理,对于所述预制缺陷区的每一沉积层,所述预设缺陷具有在垂直方向上的最大尺寸a0,所述垂直方向与LMD工艺的激光扫描方向垂直,其中,a0在区间范围内取值,所述区间范围是期望预制的熔合不良缺陷的特征尺寸的可变范围,所述特征尺寸是熔合不良缺陷在所述垂直方向上的最大尺寸;对于所述成形区,采用LMD工艺的预定成形工艺参数进行成形;对于所述预制缺陷区,控制成形工艺参数如下:对于每一沉积层,a0<D时,相对于成形区,在沉积层内改变成形路径之间的扫描间距及送粉率,借此预制所述熔合不良缺陷;对于每一沉积层,a0≥D时,相对于成形区,在沉积层内降低激光的能量输入,借此预制熔合不良缺陷;其中,D是激光在所述预制缺陷区的沉积层内的光斑直径。
在一个实施方式中,设定a0=(w1+w2)/2;其中,w1、w2分别是所述区间范围的下限值、上限值。
在一个实施方式中,预设期望预制的熔合不良缺陷的位置、形状、数量和尺寸,借此确定具有所述预设缺陷的所述预制缺陷区在所述模型中的位置、形状、数量和尺寸,其中,期望预制的熔合不良缺陷的尺寸包括所述特征尺寸。
在一个实施方式中,a0<D时,所述预制缺陷区在所述沉积层内包括相邻的第k条成形路径和第k+1条成形路径,所述预设缺陷位于所述第k条成形路径和所述第k+1条成形路径之间,在所述预设缺陷的所述垂直方向的第一侧的成形路径依次为,所述第k条成形路径,第k-1条成形路径,第k-2条成形路径,直到第1条成形路径,在所述预设缺陷的所述垂直方向的第二侧的成形路径依次为,所述第k+1条成形路径,第k+2条成形路径,直到最后一条成形路径,其中,k为大于2的任意自然数;对于所述预制缺陷区,控制成形工艺参数如下:h(k)=a0+D;h(k-1)、h(k+1)预设成D的20%-80%,在保持所述预制缺陷区的沉积层的层厚不变的情况下,f(k)、f(k+1)分别根据h(k-1)和h(k+1)设置;其中,h(k-1)是第k-1条成形路径和第k条成形路径在所述沉积层内的预定位置形成的扫描间距,h(k)是第k条成形路径和第k+1条成形路径在所述沉积层内的所述预定位置形成的扫描间距,h(k+1)是第k+1条成形路径和第k+2条成形路径在所述沉积层内的所述预定位置形成的扫描间距,所述预定位置与所述预设缺陷在所述沉积层内的最大尺寸对应,f(k)是对应第k条成形路径的送粉率,f(k+1)是对应第k+1条成形路径的送粉率。
在一个实施方式中,所述第k-1条成形路径和所述第k+2条成形路径位于所述预制缺陷区的沉积层内;对于所述预制缺陷区,进一步控制成形工艺参数如下:h(k-2)=a*h(k-1);h(k+2)=b*h(k+1);f(k-1)=c*f(k);f(k+2)=d*f(k+1);其中,a、b、c、d为大于1的常数,h(k-2)是第k-2条成形路径和第k-1条成形路径在所述沉积层内的所述预定位置形成的扫描间距,h(k+2)是第k+2条成形路径和第k+3条成形路径在所述沉积层内的所述预定位置形成的扫描间距,f(k-1)是对应第k-1条成形路径的送粉率,f(k+2)是对应第k+2条成形路径的送粉率。
在一个实施方式中,控制成形工艺参数如下:对于所述预制缺陷区,t0=100-200μm,P0=600-1000W,D=0.8-1mm;其中,t0为层厚,P0为激光功率。
在一个实施方式中,a0≥D时,设定P2≤0.1*P1;其中,P2是对应所述预制缺陷区的激光功率,P1是对应所述成形区的所述预定成形工艺参数中的预定激光功率。
在一个实施方式中,LMD工艺采用同步送粉方式。
上述方法通过控制LMD工艺可以在LMD成形件中预制熔合不良缺陷,通过控制成形工艺参数,可以在指定位置制备相应尺寸的熔合不良缺陷,获得熔合不良缺陷,极大简化了目前熔合不良缺陷预制的难度。上述方法不仅能够制备出具有实际凝固过程中产生的熔合不良缺陷,而且能保留熔合不良缺陷处组织结构的连续完整特征。
上述方法还根据缺陷尺寸的不同采用不同的控制方案进行缺陷预制,缺陷尺寸较小时通过控制路径规划和送粉率来预制缺陷,而缺陷尺寸较大时通过降低激光功率来预制缺陷。
利用上述方法预制熔合不良缺陷有利于准确分析LMD熔合不良缺陷与无损检测信号之间真实的对应关系,可以与制件性能考核结果结合,用于实际分析研究熔合不良缺陷与制件性能的影响关系,进一步分析熔合不良缺陷与AM零件可靠性的关系。
附图说明
本发明的上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变得更加明显,其中:
图1是示出根据本发明的方法的示例步骤流程图。
图2是第一实施例的模型图。
图3是第一实施例的沉积层的示意图。
图4是第一实施例的抛光态形貌图。
图5是第二实施例的模型图。
图6是第二实施例的沉积层的示意图。
图7是第二实施例的抛光态形貌图。
图8是第三实施例的模型图。
图9是第三实施例的沉积层的示意图。
图10是第三实施例的抛光态形貌图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式和附图对本发明作进一步说明,在以下的描述中阐述了更多的细节以便于充分理解本发明,但是本发明显然能够以多种不同于此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下根据实际应用情况作类似推广、演绎,因此不应以此具体实施方式的内容限制本发明的保护范围。
例如,在说明书中随后记载的第一特征在第二特征上方或者上面形成,可以包括第一特征和第二特征通过直接联系的方式形成的实施方式,也可包括在第一特征和第二特征之间形成附加特征的实施方式,从而第一特征和第二特征之间可以不直接联系。进一步地,当第一元件是用与第二元件相连或结合的方式描述的,该说明包括第一元件和第二元件直接相连或彼此结合的实施方式,也包括采用一个或多个其他介入元件加入使第一元件和第二元件间接地相连或彼此结合。
本发明提供一种通过控制LMD工艺来预制熔合不良缺陷的方法。LMD工艺可以采用同步送粉方式,如后续第一实施例至第三实施例所示。同步送粉意指激光扫描和金属粉末输送同时进行,金属粉末能实时输送到激光扫描的位置,形成移动的金属熔池。下面将结合图1至图10描述本发明的方法。
步骤S1中,获得包括成形区1和预制缺陷区2的模型10。
预制缺陷区2具有预设缺陷3。例如,通过UG、CAD等三维建模软件,将增材制造成形件或修复件的模型分成成形区1和具有预设缺陷3的预制缺陷区2,借此获得包括成形区1和预制缺陷区2的模型10。
在后续的实施例中,在步骤S1中,可以预设期望预制的熔合不良缺陷的位置、形状、数量和尺寸,借此确定具有预设缺陷3的预制缺陷区2在模型10中的位置、形状、数量和尺寸。其中,期望预制的熔合不良缺陷的尺寸包括后述在垂直方向SD2上的最大尺寸。
步骤S2中,对模型10进行分层切片处理。
对于预制缺陷区2的每一沉积层4,预设缺陷3具有在垂直方向SD2上的最大尺寸a0,其中,垂直方向SD2与LMD工艺的激光扫描方向SD1垂直。
a0可以在区间范围内取值,该区间范围是期望预制的熔合不良缺陷在垂直方向SD2上的最大尺寸的可变范围。换言之,前述区间范围具有下限值w1和上限值w2,也即,期望预制的熔合不良缺陷在垂直方向SD2上的最大尺寸可以在下限值w1和上限值w2之间变动,而a0可以在下限值w1和上限值w2之间取值。a0可以在步骤S1中的建模过程中预设完成。对于不同的沉积层4,a0可以是不同的。
熔合不良缺陷本身为不规则形状的缺陷,难以用某一尺寸进行表征。然而,为了预制或获得某一熔合不良缺陷,需要对期望预制的熔合不良缺陷的尺寸进行描述和衡量。在本发明中,则是将期望预制的熔合不良缺陷在垂直方向SD2上的最大尺寸作为特征尺寸,借此对期望预制的熔合不良缺陷进行衡量或尺寸表征。期望达到的特征尺寸通常是一个不确定值,或者,具有可变范围。因此,与之相应地,使得预设缺陷3在垂直方向SD2上的最大尺寸a0也在前述可变范围或区间范围内取值,可以易于获得相应尺寸的熔合不良缺陷。
例如,a0可以取值为下限值w1或上限值w2。优选地,a0是前述区间范围的下限值w1和上限值w2的平均值,也即,a0=(w1+w2)/2。
以a0取值为下限值w1或上限值w2为例,需要考虑依据下限值w1或上限值w2预制熔合不良缺陷时的增量设计,允许实际预制的熔合不良缺陷的特征尺寸在某一范围内浮动。若采用下限值w1来预制熔合不良缺陷,出现实际获得的熔合不良缺陷的尺寸偏小、小于前述区间范围的可能性较大;若采用上限值w2来预制熔合不良缺陷,则出现实际获得的熔合不良缺陷的尺寸偏大、大于前述区间范围的可能性较大。这实际上增加了对实际获得的熔合不良缺陷的尺寸大小进行准确控制的难度。
而相比于a0取值为下限值w1或上限值w2,a0取值为下限值w1和上限值w2的平均值(或者,a0=(w1+w2)/2),从而表征预设缺陷3的尺寸大小时,实际获得的熔合不良缺陷的尺寸大小在前述区间范围内有上下浮动的空间,从而实际获得的熔合不良缺陷在前述期望获得的可变范围内的可能性大大增加,同时由于熔合不良缺陷本身即为不规则形状,实际预制的熔合不良缺陷的尺寸大小有更多浮动空间可以增加缺陷尺寸合格率,提高具有熔合不良缺陷的LMD成形件的预制成功率,增大缺陷无损检测检出率。接下来可以对模型10进行成形工艺参数的设置,例如,路径规划处理。
步骤S31中,对于成形区1,采用LMD工艺的预定成形工艺参数进行成形;
“采用预定成形工艺参数”可以采用常规、正常或标准的成形工艺参数(包括激光功率、扫描间距、送粉率、成形路径等),使得成形区1呈致密的冶金结合,尽可能减少缺陷例如熔合不良缺陷的出现。文中提及的“预定…”(例如,预定激光功率、预定扫描间距、预定送粉率、预定成形路径等)皆指对于成形区1采用的预定成形工艺参数。
步骤S32中,对于预制缺陷区2,控制成形工艺参数如下:a0<D时,相对于成形区1,在沉积层4内改变成形路径(包括后面将会描述的第k-1条成形路径51、第k条成形路径50、第k+1条成形路径61等等)之间的扫描间距及送粉率,借此预制熔合不良缺陷;a0≥D时,相对于成形区1,在沉积层4内降低激光的能量输入,借此预制熔合不良缺陷。其中,D是激光在预制缺陷区2的沉积层4内的光斑直径。
如前所述,a0是预设缺陷3在垂直方向SD2上的最大尺寸,是对预设缺陷3的尺寸大小的表征。a0是根据期望预制的熔合不良缺陷在垂直方向SD2上的最大尺寸的可变范围来设定的,因此,a0也是对期望预制的熔合不良缺陷的尺寸大小的表征。而一般情况下,光斑直径D即为激光扫描路径的单道熔池宽度。需要理解,对于不同沉积层,D可以是不同的。
降低激光的能量输入是以激光扫描路径的单道熔池宽度为单位进行的,换言之,至少降低单道熔池宽度的能量输入,也即,通过降低激光的能量输入的方式能够预制的熔合不良缺陷的最小尺寸为单道熔池宽度。因此,a0<D时,实际上无法通过降低激光的能量输入的方式预制期望尺寸的熔合不良缺陷。
而且,通过改变成形路径之间的扫描间距及送粉率来预制熔合不良缺陷时,由于LMD成形会避开预设缺陷3所在区域,因此会在预设缺陷3所在区域处形成空隙。a0<D,意味着在沉积层4内仅需预留小于单道熔池宽度的空隙;a0≥D,意味着在沉积层4内预留的空隙宽度大于单道熔池宽度。空隙宽度过大时,会导致无法通过成形区1中两道熔池的搭接来闭合预制缺陷区3顶部,或者成形区1无法堆积。分析认为,预制缺陷区2中的空隙宽度小于单道熔池宽度时,可以允许通过两道熔池的搭接来实现预制缺陷区2顶部的闭合;反之,预制缺陷区2中的空隙宽度大于等于单道熔池宽度时,无法完全确保可以通过两道熔池的搭接来实现预制缺陷区2顶部的闭合,特别是在空隙宽度比单道熔池宽度大得多的时候。例如,a0=3D时,空隙宽度达到多道熔池搭接的宽度,此时成形区1下方为该空隙时,则意味着成形区1下方没有支撑两道或多道熔池闭合的任何区域。此时,若采用低功率烧结(也即,降低激光的能量输入)的方式,则可以支撑预制缺陷区2顶部两道或多道熔池闭合,从而实现熔合不良缺陷的预制。
因此,本发明中,判断a0<D时,预设缺陷3或者期望预制的熔合不良缺陷的尺寸相对较小,可以通过改变成形路径之间的扫描间距及送粉率来预制熔合不良缺陷;而判断a0≥D时,预设缺陷3或者期望预制的熔合不良缺陷的尺寸相对较大,可以通过降低激光的能量输入来预制熔合不良缺陷。通过将a0与D比较来判定期望预制的熔合不良缺陷相对的尺寸大小,并且根据尺寸大小的不同采用不同的控制方案进行缺陷预制,能够更容易获得期望预制的熔合不良缺陷,提高熔合不良缺陷的预制成功率。
对于a0<D的情况,预制缺陷区2可以在沉积层4内包括相邻的第k条成形路径50和第k+1条成形路径61。预设缺陷3位于第k条成形路径50和第k+1条成形路径61之间。以此类推,在预设缺陷3的垂直方向SD2的第一侧的成形路径依次为,第k条成形路径50,第k-1条成形路径51,第k-2条成形路径52,直到第1条成形路径71,在预设缺陷3的垂直方向SD2的第二侧的成形路径依次为第k+1条成形路径61,第k+2条成形路径62,直到最后一条成形路径72。其中,k可以为大于2的任意自然数。例如,图3所示的实施方式中,k>3,进一步,k=6。图3示出了依次位于预设缺陷3左侧的第k条成形路径50、第k-1条成形路径51、第k-2条成形路径52、第k-3条成形路径53,依次位于预设缺陷3右侧的第k+1条成形路径61、第k+2条成形路径62、第k+3条成形路径63、第k+4条成形路径64,总体而言,成形路径的编号从左侧到右侧依次递增。
对于预制缺陷区2,控制成形工艺参数如下:h(k)=a0+D;h(k-1)、h(k+1)可以预设成D的20%-80%,在保持预制缺陷区2的沉积层4的层厚t0不变的情况下,f(k)、f(k+1)分别根据h(k-1)和h(k+1)设置。其中,h(k-1)是第k-1条成形路径51和第k条成形路径50在沉积层4内的预定位置Z0形成的扫描间距,h(k)是第k条成形路径50和第k+1条成形路径61在沉积层4内的预定位置Z0形成的扫描间距,h(k+1)是第k+1条成形路径61和第k+2条成形路径62在沉积层4内的预定位置Z0形成的扫描间距,以此类推。其中,预定位置Z0与预设缺陷3在沉积层4内的最大尺寸对应。f(k)是对应第k条成形路径50的送粉率,f(k+1)是对应第k+1条成形路径61的送粉率,以此类推。大体上,h(k-1)、h(k+1)设置得越大,f(k)、f(k+1)则分别设置得越大。层厚t0即沉积层4沉积的高度。20%*D≤h(k-1)≤80%*D,20%*D≤h(k+1)≤80%*D,可以保证对应的搭接率在20%-80%。
进一步,第k-1条成形路径51和第k+2条成形路径62可以位于预制缺陷区2的沉积层4内。
对于预制缺陷区2,进一步控制成形工艺参数,使得:h(k-2)=a*h(k-1);h(k+2)=b*h(k+1);f(k-1)=c*f(k);f(k+2)=d*f(k+1);其中,a、b、c、d为大于1的常数。从上面的描述类推可知,h(k-2)是第k-2条成形路径52和第k-1条成形路径51在沉积层4内的预定位置Z0形成的扫描间距,h(k+2)是第k+2条成形路径62和第k+3条成形路径63在沉积层4内的预定位置Z0形成的扫描间距;f(k-1)是对应第k-1条成形路径51的送粉率,f(k+2)是对应第k+2条成形路径62的送粉率。需要理解,预制缺陷区2可以在沉积层4内包括更多条成形路径,从上面的描述类推,例如,h(k-3)=a’*h(k-2),h(k+3)=b’*h(k+2),f(k-2)=c’*f(k-1),f(k+3)=d’*f(k+2)…,其中,a’、b’、c’、d’…皆为大于1的常数。总体上,在预制缺陷区2的沉积层4中,从第k条成形路径50往左侧开始,扫描间距逐渐递增,并且从第k+1条成形路径61往右侧开始,扫描间距也逐渐递增。或者,在预制缺陷区2的沉积层4中,越靠近预设缺陷3所在位置,成形路径间的扫描间距呈减小趋势;越靠近预设缺陷3所在位置,成形路径的送粉率呈对应的减小趋势。
对于a0<D的情况,可以控制成形工艺参数如下:对于预制缺陷区2,t0=100-200μm,P0=600-1000W,D=0.8-1mm。其中,t0为层厚,P0为激光功率。
对于a0≥D,在沉积层4内降低激光的能量输入,换言之,设定P2=m*P1,其中,P2是对应预制缺陷区2的激光功率,P1是对应成形区1的预定成形工艺参数中的预定激光功率,m为小于1的常数。可以设定P2≤0.1*P1。
需要理解,文中描述某一成形工艺参数“=”某一具体数值并非要求数学意义上的严格相等,而是意为“≈”,例如可以含有±10%的余量。
下面提供本发明的具体实施例,其中,第一实施例和第二实施例针对的是LMD成形件中熔合不良缺陷尺寸相对较小(a0<D)的情况,而第三实施例针对的是LMD成形件中熔合不良缺陷尺寸相对较大(a0≥D)的情况。需要理解,后一实施例可以沿用前一实施例的元件标号与部分内容,其中采用相同的标号来表示相同或近似的特征,并且选择性地省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前一实施例,后一实施例不再重复赘述。另外,还需要理解,LMD成形件可以是利用LMD工艺制造而成的LMD制造件,也可以是利用LMD工艺进行修复成形的LMD修复件。
第一实施例
(1)预设期望预制的熔合不良缺陷在LMD成形件中的位置、形状、数量和尺寸。
如图2所示,分别在三个不同沉积层设置一个预设缺陷3,模拟期望预制的熔合不良缺陷。期望预制的熔合不良缺陷近似呈不规则孔状。针对某一沉积层4,期望预制的熔合不良缺陷在垂直方向SD2上的最大尺寸约在0.65mm~1mm,也即,w1=0.65mm,w2=1mm。设定a0=(w1+w2)/2=0.825mm。
(2)根据期望预制的熔合不良缺陷的位置、形状、数量及尺寸,将LMD成形件的模型10分为三个预制缺陷区2和成形区1,获得包括成形区1和预制缺陷区2的模型10。
对模型10进行分层切片处理和路径规划处理。对于成形区1采用LMD工艺的预定成形工艺参数进行成形。预制缺陷区2的边界和成形区1的边界采用正常的搭接率,呈致密的冶金结合。
(3)对于预制缺陷区2,根据预设缺陷3的形状和尺寸,针对预制缺陷区2,在沉积层4内进行如图3所示的路径规划。
图3示出了激光扫描方向SD1、在沉积层4内与激光扫描方向SD1垂直的垂直方向SD2。对于成形区1,激光扫描方向SD1也即每条成形路径的延伸方向,对于预制缺陷区2,激光扫描方向SD1也即从每条成形路径的起点指向终点的方向,对于一个沉积层4而言,激光扫描方向SD1是确定的。
控制预制缺陷区2的扫描间距和送粉率,采用同步送粉的LMD工艺逐层沉积,借此预制熔合不良缺陷。其中,完成当前沉积层4内熔合不良缺陷的预制,下一沉积层4再循环采用上述成形工艺参数,层间的成形工艺参数(例如,成形路径、送粉率等)可以适当调整,直到最终完成熔合不良缺陷的预制。
控制成形工艺参数,使得满足:
h(k)=a0+D;
h(k-2)=1.2*h(k-1);
h(k+2)=1.17*h(k+1);
f(k-1)=1.12*f(k);
f(k+2)=1.19*f(k+1);
其中,对于预制缺陷区2,D=1mm,h(k-1)=0.2mm,h(k+1)=0.22mm,f(k)=6g/min,f(k+1)=5g/min,t0=200μm,P0=1000W。对于整个预制缺陷区2,扫描间距控制成小于等于0.5mm,送粉率控制成小于等于12g/min。
经检测,实际获得的熔合不良缺陷7的抛光态形貌如图4所示,熔合不良缺陷7在垂直方向SD2上的最大尺寸约在0.68mm~0.85mm,符合预期。
第二实施例
(1)预设期望预制的熔合不良缺陷在LMD成形件中的位置、形状、数量和尺寸。
如图5和图6所示,在沉积层设置一个预设缺陷3,模拟期望预制的熔合不良缺陷。期望预制的熔合不良缺陷近似呈不规则线状,尺寸较小。针对某一沉积层4,期望预制的熔合不良缺陷在垂直方向SD2上的最大尺寸约在20μm~40μm,也即,w1=20μm,w2=40μm。设定a0=(w1+w2)/2=30μm。期望预制的熔合不良缺陷还具有沿着激光扫描方向SD1的长度尺寸,可以预设为约100μm~120μm。
(2)根据期望预制的熔合不良缺陷的位置、形状及尺寸,将LMD成形件的模型10分为三个预制缺陷区2和成形区1,获得包括成形区1和预制缺陷区2的模型10。
对模型10进行分层切片处理和路径规划处理。对于成形区1采用LMD工艺的预定成形工艺参数进行成形。预制缺陷区2的边界和成形区1的边界采用正常的搭接率,呈致密的冶金结合。
(3)对于预制缺陷区2,根据预设缺陷3的形状和尺寸,针对预制缺陷区2,在沉积层4内进行如图6所示的路径规划。
控制预制缺陷区2的扫描间距和送粉率,采用同步送粉的LMD工艺逐层沉积,借此预制熔合不良缺陷。
控制成形工艺参数,使得满足:
h(k)=a0+D;
h(k-2)=1.07*h(k-1);
h(k+2)=1.07*h(k+1);
f(k-1)=1.16*f(k);
f(k+2)=1.16*f(k+1);
其中,对于预制缺陷区2,D=0.8mm,h(k-1)=0.32mm,h(k+1)=0.32mm,f(k)=5g/min,f(k+1)=5g/min,t0=100μm,P0=600W。对于整个预制缺陷区2,扫描间距控制成小于等于0.4mm,送粉率控制成小于等于8g/min。
经检测,实际获得的熔合不良缺陷7的抛光态形貌如图7所示,熔合不良缺陷7在垂直方向SD2上的最大尺寸约25μm,符合预期;另外,熔合不良缺陷7的长度尺寸约105μm,也符合预期。
第三实施例
(1)预设期望预制的熔合不良缺陷在LMD成形件中的位置、形状、数量和尺寸。
如图8和图9所示,在沉积层设置一个预设缺陷3,模拟期望预制的熔合不良缺陷。期望预制的熔合不良缺陷近似呈不规则长条状,尺寸较大。针对某一沉积层4,期望预制的熔合不良缺陷在垂直方向SD2上的最大尺寸约在6mm~7mm,也即,w1=6mm,w2=7mm。设定a0=(w1+w2)/2=6.5mm。期望预制的熔合不良缺陷还具有沿着激光成形高度方向的高度尺寸,可以预设为约0.8mm~1mm。
(2)根据期望预制的熔合不良缺陷的位置、形状及尺寸,将LMD成形件的模型10分为三个预制缺陷区2和成形区1,获得包括成形区1和预制缺陷区2的模型10。
对模型10进行分层切片处理和路径规划处理。对于成形区1采用LMD工艺的预定成形工艺参数进行成形。预制缺陷区2的边界和成形区1的边界采用正常的搭接率,呈致密的冶金结合。
(3)对于预制缺陷区2,通过在沉积层4内降低激光的能量输入,借此预制熔合不良缺陷。
采用同步送粉的LMD工艺逐层沉积。预制缺陷区2的激光的能量输入较低,因而在预制缺陷区2同步输送的粉末不能充分熔化沉积,成为预烧结状态的粉末填充到预制缺陷区2,形成该沉积层4的预烧结疏松粉末支撑下一沉积层的成形。
控制成形工艺参数,使得满足:
P2=0.1*P1,
其中,P1=2800W,t0=1mm,v0=1000mm/min,h0=0.25mm,D=5mm,v0是对于整个预制缺陷区2的扫描速率,h0是对于整个预制缺陷区2的扫描间距。
经检测,实际获得的熔合不良缺陷7的抛光态形貌如图10所示,熔合不良缺陷7在垂直方向SD2上的最大尺寸约6.3mm,符合预期;另外,熔合不良缺陷7的高度尺寸约0.93mm,也符合预期。
上述方法通过控制LMD工艺,根据期望预制的熔合不良缺陷的尺寸、位置、形状或数量等,将LMD成形件的模型分为预制缺陷区和成形区,通过改变预制缺陷区的成形工艺参数,完成熔合不良缺陷的预制,而成形区则使用的成形工艺参数使其呈致密的冶金结合,其中,结合了AM工艺特点,由点及线、由线及面、由二维到三维的过程。
此外,上述方法可以控制熔合不良缺陷产生的位置,实际模拟AM正常凝固过程产生的熔合不良缺陷,而不对AM制件的组织和性能产生破坏。
另外,上述方法给出了熔合不良缺陷的尺寸判定依据,当a0<D时,通过控制预制缺陷区的沉积层内的成形路径之间的扫描间距以及对应成形路径的送粉率,实现预制缺陷区中熔合不良缺陷的预制位置的搭接率控制;而当a0≥D时,则通过降低预制缺陷区的沉积层内激光的能量输入,使得在熔合不良缺陷的预制位置同步输送的粉末不能充分熔化沉积,成为预烧结状态的粉末填充到该预制位置,形成该沉积层的预烧结疏松粉末支撑下一层的成形。
上述方法可以模拟实际LMD工艺中熔合不良缺陷的产生过程,预制具有熔合不良缺陷的AM标样,从而准确分析AM制件缺陷与无损检测信号的关系,不仅有利于优化无损检测工艺,获得更高的缺陷检测精度,同时也能获得较好的无损检测结果。此外,通过在AM性能试样或零件的典型结构或关键位置的中预制熔合不良缺陷,能有效分析评价AM熔合不良缺陷与组织和性能的关系,进一步分析评价熔合不良缺陷与AM零件可靠性的关系,预估零件的使用寿命,为AM零件的应用提供有力的理论支持,具有广阔的研究和应用前景。
本发明虽然以较佳实施例公开如上,但其并不是用来限定本发明,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以做出可能的变动和修改,例如,不同实施方式下的变换方式可以进行适当组合。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化及修饰,均落入本发明权利要求所界定的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种通过控制LMD工艺来预制熔合不良缺陷的方法,其特征在于,
获得包括成形区和预制缺陷区的模型,所述预制缺陷区具有预设缺陷;
对所述模型进行分层切片处理,对于所述预制缺陷区的每一沉积层,所述预设缺陷具有在垂直方向上的最大尺寸a0,所述垂直方向与LMD工艺的激光扫描方向垂直,其中,a0在区间范围内取值,所述区间范围是期望预制的熔合不良缺陷的特征尺寸的可变范围,所述特征尺寸是熔合不良缺陷在所述垂直方向上的最大尺寸;
对于所述成形区,采用LMD工艺的预定成形工艺参数进行成形;
对于所述预制缺陷区,控制成形工艺参数如下:
对于每一沉积层,a0<D时,相对于所述成形区,在沉积层内改变成形路径之间的扫描间距及送粉率,借此预制所述熔合不良缺陷;
对于每一沉积层,a0≥D时,相对于所述成形区,在沉积层内降低激光的能量输入,借此预制熔合不良缺陷;
其中,D是激光在所述预制缺陷区的沉积层内的光斑直径。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
设定a0=(w1+w2)/2;
其中,w1、w2分别是所述区间范围的下限值、上限值。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
预设期望预制的熔合不良缺陷的位置、形状、数量和尺寸,借此确定具有所述预设缺陷的所述预制缺陷区在所述模型中的位置、形状、数量和尺寸,其中,期望预制的熔合不良缺陷的尺寸包括所述特征尺寸。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
a0<D时,所述预制缺陷区在所述沉积层内包括相邻的第k条成形路径和第k+1条成形路径,所述预设缺陷位于所述第k条成形路径和所述第k+1条成形路径之间,在所述预设缺陷的所述垂直方向的第一侧的成形路径依次为,所述第k条成形路径,第k-1条成形路径,第k-2条成形路径,直到第1条成形路径,在所述预设缺陷的所述垂直方向的第二侧的成形路径依次为,所述第k+1条成形路径,第k+2条成形路径,直到最后一条成形路径,其中,k为大于2的任意自然数;
对于所述预制缺陷区,控制成形工艺参数如下:
h(k)=a0+D;
h(k-1)、h(k+1)预设成D的20%-80%,在保持所述预制缺陷区的沉积层的层厚不变的情况下,f(k)、f(k+1)分别根据h(k-1)和h(k+1)设置;
其中,h(k-1)是第k-1条成形路径和第k条成形路径在所述沉积层内的预定位置形成的扫描间距,h(k)是第k条成形路径和第k+1条成形路径在所述沉积层内的所述预定位置形成的扫描间距,h(k+1)是第k+1条成形路径和第k+2条成形路径在所述沉积层内的所述预定位置形成的扫描间距,所述预定位置与所述预设缺陷在所述沉积层内的最大尺寸对应,f(k)是对应第k条成形路径的送粉率,f(k+1)是对应第k+1条成形路径的送粉率。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,
所述第k-1条成形路径和所述第k+2条成形路径位于所述预制缺陷区的沉积层内;
对于所述预制缺陷区,进一步控制成形工艺参数如下:
h(k-2)=a*h(k-1);
h(k+2)=b*h(k+1);
f(k-1)=c*f(k);
f(k+2)=d*f(k+1);
其中,a、b、c、d为大于1的常数,h(k-2)是第k-2条成形路径和第k-1条成形路径在所述沉积层内的所述预定位置形成的扫描间距,h(k+2)是第k+2条成形路径和第k+3条成形路径在所述沉积层内的所述预定位置形成的扫描间距,f(k-1)是对应第k-1条成形路径的送粉率,f(k+2)是对应第k+2条成形路径的送粉率。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,
控制成形工艺参数如下:
对于所述预制缺陷区,t0=100-200μm,P0=600-1000W,D=0.8-1mm;
其中,t0为层厚,P0为激光功率。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
a0≥D时,设定P2≤0.1*P1;
其中,P2是对应所述预制缺陷区的激光功率,P1是对应所述成形区的所述预定成形工艺参数中的预定激光功率。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
LMD工艺采用同步送粉方式。
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