CN111200905A - 高耐久性焊料端子 - Google Patents

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Abstract

电子器件封装包括：下表面，用于传导电子信号；第一焊料焊盘，设置在所述下表面上，具有第一尺寸；以及多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上并围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。

Description

高耐久性焊料端子
技术领域
本申请的实施例涉及电子器件上的焊料端子的布置。
背景技术
声波器件，例如，表面声波(SAW)和体声波(BAW)器件，可以用作射频电子系统中滤波器的部件。例如，移动电话的射频前端中的滤波器可以包括声波滤波器。两个声波滤波器可以设置为双工器。声波器件和滤波器可以安装在包括焊料端子的封装中，该焊料端子用于将封装电连接并物理连接到基板，例如，印刷电路板。
发明内容
根据一个方面，提供了一种电子器件封装。所述电子器件封装包括：下表面，用于传导电子信号；第一焊料焊盘，设置在所述下表面上，具有第一尺寸；以及多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上并围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。
在一些实施例中，所述第一焊料焊盘的长度大于所述多个第二焊料焊盘中的每个的长度。
在一些实施例中，所述多个第二焊料焊盘包括四个拐角焊料焊盘，所述四个拐角焊料焊盘设置在所述电子器件封装的表面的各个拐角附近。所述四个拐角焊料焊盘可以每个具有三个圆拐角和一个方拐角。所述四个拐角焊盘中的每个的所述方拐角可以在所述四个拐角焊盘中的每个的在长度方向背对所述第一焊料焊盘并在宽度方向面向所述第一焊料焊盘的一侧。
在一些实施例中，所述多个第二焊料焊盘包括四个第三焊盘，所述四个第三焊盘中的每个在所述电子器件封装的表面上的长度方向上与所述四个拐角焊料焊盘中的相应的一个相邻地设置。所述四个第三焊盘可每个具有三个方拐角和一个圆拐角。所述四个第三焊盘中的每个的所述圆拐角可以背对所述第一焊料焊盘并且面向与每个相应的所述第三焊盘相邻设置的相应的拐角焊盘。除所述四个拐角焊盘和所述四个第三焊盘之外的所述多个第二焊料焊盘中的每一个可具有四个方拐角。
在一些实施例中，所述第一焊料焊盘具有四个方拐角。所述第一焊料焊盘可以是矩形的。
在一些实施例中，所述第一焊料焊盘设置在所述电子器件封装的表面的中央。
在一些实施例中，所述第一焊料焊盘是接地焊盘。
根据另一方面，提供了一种电子器件。所述电子器件包括：多个声波谐振器，设置在电子器件封装中。所述电子器件封装包括：下表面，用于传导电子信号；第一焊料焊盘，设置在所述下表面上，具有第一尺寸；以及多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上并围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。
根据另一方面，提供了一种射频滤波器。所述射频滤波器包括多个声波谐振器，其形成所述射频滤波器并设置在电子器件封装中。所述电子器件封装包括：下表面，用于传导电子信号；第一焊料焊盘，设置在所述下表面上；多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上且围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。
根据另一方面，提供了一种电子装置模块。所述电子装置模块包括射频滤波器，所述射频滤波器包括设置在电子器件封装中的多个声波谐振器。所述电子器件封装包括：下表面，用于传导电子信号；第一焊料焊盘，设置在所述下表面上，具有第一尺寸；以及多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上并围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。
根据另一方面，提供了一种电子设备。所述电子设备包括电子装置模块，所述电子装置模块包括由设置在电子器件封装中的多个声波谐振器形成的射频滤波器。所述电子器件封装包括：下表面，用于传导电子信号；第一焊料焊盘，设置在所述下表面上，具有第一尺寸；以及多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上并围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。
附图说明
现在将参考附图，以非限制性示例的方式描述本公开的实施例。
图1是在共封装的表面声波(SAW)器件上的焊盘的配置的示例；
图2A示出了在环境温度下焊接到电路板上的器件的焊盘的状态；
图2B示出了在升高温度(elevated temperature)下焊接到电路板上的器件的焊盘的状态；
图2C示出了在降低温度(reduced temperature)下焊接到电路板上的器件的焊盘的状态；
图3示出了用在仿真中的仿真器件中的各个层的厚度，以预测仿真器件的焊盘中的累积应变；
图4示出了焊接到仿真电路板上的图3的仿真器件；
图5示出了用在仿真中的仿真温度循环，以预测图3的仿真器件的焊接焊盘中的累积应变；
图6A示出了具有第一示例性焊盘配置的器件封装；
图6B示出了通过仿真预测的图6A的器件的焊盘中的累积应变；
图7A示出了具有第二示例性焊盘配置的器件封装；
图7B示出了通过仿真预测的图7A的器件的焊盘中的累积应变；
图8A示出了具有第三示例性焊盘配置的器件封装；
图8B示出了通过仿真预测的图8A的器件的焊盘中的累积应变；
图9A示出了具有第四示例性焊盘配置的器件封装；
图9B示出了通过仿真预测的图9A的器件的焊盘中的累积应变；
图10A示出了具有第五示例性焊盘配置的器件封装；
图10B示出了通过仿真预测的图10A的器件的焊盘中的累积应变；
图11A示出了具有第六示例性焊盘配置的器件封装；
图11B示出了通过仿真预测的图11A的器件的焊盘中的累积应变；
图12A示出了具有第七示例性焊盘配置的器件封装；
图12B示出了通过仿真预测的图12A的器件的焊盘中的累积应变；
图13是根据本申请的各方面的可以包括一个或多个表面声波元件的滤波器模块的一个示例的框图；
图14是根据本申请的各方面的可以包括一个或多个滤波器模块的前端模块的一个示例的框图；以及
图15是包括图14的前端模块的无线装置的一个示例的框图。
具体实施方式
某些实施例的以下描述呈现了特定实施例的各种描述。然而，这里描述的创新可以以多种不同方式体现，例如，如权利要求书所定义和涵盖的。在本描述中，参考附图，其中相似的附图标记可以指示相同或功能相似的元件。应当理解的是，附图中示出的元件不必按比例绘制。此外，应当理解的是，某些实施例可以包括比附图中示出的更多的元件和/或附图中示出的元件的子集。此外，一些实施例可以结合来自两个或多个附图的特征的任何合适的组合。
单个或多个表面声波(SAW)器件可以安装在封装中，该封装可用于器件的处理以及将器件物理连接和电连接至电子器件模块或电子器件的附加电路。焊料焊盘形式的电气端子可以提供在器件封装的表面上，以将封装的器件物理连接且电连接至基板，例如，电子器件模块或电子器件中的印刷电路板。由于环境温度变化引起的温度循环、封装器件工作期间的自热以及由于印刷电路板与器件封装之间的胀缩差(印刷电路板和器件封装通常具有不同的热膨胀系数)，可能会在与印刷电路板焊接的封装器件的焊点中产生热应力。因此，焊点可能遭受疲劳裂纹，这可能导致焊点连接失效。如果将多个SAW器件包封在单个封装中(共封装)以包含在以多个带宽工作的器件中，那么该单个封装的尺寸会增加，并且在温度循环期间封装和印刷电路板之间的胀缩差会变得更显著，可能会导致缩短产品寿命。
尽管这里具体参考了声波装置，但是应该理解的是，所公开的实施例可以与焊接到基板上的任何类型的集成电路一起使用。
图1中示出了用于共封装的SAW器件的一个示例的封装底部上的焊料端子的布置。在所示的焊料焊盘配置中，焊料焊盘1、2、5、6、8、9、12、13和15-18每个都要接地。焊盘3和4连接到共封装器件中的不同接收器单元，焊盘10和11连接到共封装器件中的不同发射器单元，焊盘7和14用于连接到共封装器件中的不同SAW滤波器的不同天线。
图2A-2C示出了在高温和低温下在电子器件封装的焊点中可能出现的应力。图2A示出了在室温下以100表示的电子器件封装，其由以120共同地表示的多个焊料焊盘焊接到以110表示的电路板上。图2B示出了在高温下相同的电子器件封装100和电路板110，以及图2C示出了在低于室温的降低温度下的相同的电子器件封装100和电路板110。在图2A-2C所示的示例中，电路板110具有比器件封装100更大的温度膨胀系数。轮廓线110A代表在室温下的电路板110的尺寸，110B代表在升高温度下的电路板的尺寸，以及110C代表在降低温度下的电路板的尺寸。可以看出，在高温和低温条件下，由于器件件封装100和电路板110之间的热膨胀差异，焊点120受到应力。在反复加热和冷却循环之后，非弹性应变(疲劳)可能累积在焊点120中。累积的疲劳会导致焊点中的一个或多个断裂，从而导致器件封装100和电路板110之间的连接失效。
焊点疲劳失效之前的温度循环次数通常遵循科芬-曼森法则(Coffin-Mansonrule)：
N＝CΔεn
N：寿命(单位：循环)
Δε：相应的非弹性应变幅度(单位：％)
系数
C：当相应的非弹性应变幅度为1％时的寿命。>0
N：代表相应的非弹性应变幅度影响程度的参数。<0
其中C和n是材料(器件、焊料、电路板)固有的系数。使用有限元方法仿真等估算的Δε可以使得依据Δε的值来讨论寿命与温度循环之间的关系，并且，如果系数是已知的，那么可以估算由非弹性应变导出的寿命。
为了减少在焊接到电路板上的器件封装中焊点出现应力断裂的可能性，可以对图1所示的焊盘设计进行修改。这些修改可能包括将靠近封装中心的接地端子合并为一个统一的较大的接地端子。单个统一的较大的接地端子可以具有比未合并的接地端子具有更大的表面积，因此可以抑制封装的位移。另外，可能累积较大的非弹性应变的焊料端子的拐角部可以倒圆，以防止应力集中和应变累积，而在预期不会累积应变的焊料端子的拐角部处可以形成直角，从而获得更大的焊料焊接面积，并防止由于温度循环而导致电路板上的器件封装移位。
为了研究在具有不同焊料焊盘配置的器件封装中的焊料焊盘中累积的应变，执行了一种有限元仿真方法，在该方法中，仿真封装具有设置在80μm厚度的封装树脂层210上的60μm高度的SnAgCu焊料焊盘205，如图3所示，封装树脂层210又设置在具有背面25μm厚度的标记膜(marking film)220的130μm厚度的LiNbO3衬底215上，如图4所示，SnAgCu焊料焊盘205结合到1mm厚的玻璃环氧树脂电路板基板225上，并且该仿真封装如图5所示，承受1,000个温度循环，其中，150℃的温度保持15分钟，然后-65℃的温度保持15分钟。
第一仿真在具有如图6A所示的焊料焊盘的常规布置的仿真封装上执行，在此称为示例1。单个焊盘具有约为20μm×30μm的长度和宽度尺寸。焊料焊盘中产生的非弹性应变累积在图6B示出，其中，圆圈区域是产生特别大的非弹性应变值的位置。观察到8.520x10-3的最大非弹性应变值。
在第二示例(示例2)中，如图7A所示，四个中央接地端子(图1中的焊盘15-18)被统一为具有约130μm乘30μm尺寸以及方拐角(90度)的单个较大的中央接地焊料焊盘。与示例1相比，器件封装周围的焊料焊盘没有变化。通过仿真确定的非弹性应变分布在图7B中示出。与示例1中观察到的8.520×10-3最大非弹性应变值相比，示例2中观察到的最大非弹性应变值降至8.207×10-3。
在第三示例(示例3)中，如图8A所示，所有焊料焊盘都是倒圆的。通过仿真确定的非弹性应变分布在图8B中示出。与示例1中观察到的8.520x10-3最大非弹性应变值相比，示例3中观察到的最大非弹性应变值降低至8.101x10-3。
在第四示例(示例4)中，如图9A所示，四个中央接地端子(图1中的焊料焊盘15-18)被统一为具有约130μm×30μm尺寸的单个较大的中央接地焊盘。中心接地焊料焊盘和器件封装外围的所有焊料焊盘均倒圆。通过仿真确定的非弹性应变分布在图9B中示出。与示例1中观察到的8.520x10-3最大非弹性应变值相比，示例4中观察到的最大非弹性应变值降低至8.096x10-3。
在第五示例(示例5)中，如图10A所示，四个中央接地端子(图1中的焊料焊盘15-18)被统一为具有约130μm乘30μm尺寸以及方拐角(90度)的单个较大的中央接地焊料焊盘。器件封装的每个拐角处的焊料焊盘(图1中的焊料焊盘1、6、8和13)的四个拐角倒圆。通过仿真确定的非弹性应变分布在图10B中示出。与示例1中观察到的8.520×10-3最大非弹性应变值相比，示例5中观察到的最大非弹性应变值降至8.078×10-3。
在第六示例(示例6)中，如图11A所示，四个中央接地端子(图1中的焊料焊盘15-18)被统一为具有约130μm乘30μm尺寸以及方拐角(90度)的单个较大的中央接地焊料焊盘。器件封装的每个拐角处的焊料焊盘(图1中的焊料焊盘1、6、8和13)的四个拐角中的三个拐角倒圆，同时这些焊盘长度方向(沿器件封装的较长尺寸)最向外的和宽度方向(沿器件封装的较短尺寸)最向内的拐角保留为90度角。沿器件长度方向尺寸的第二最向内的焊料焊盘(图1中的焊盘2、5、9和12)同样改变为包括三个圆拐角和一个方拐角。通过仿真确定的非弹性应变分布在图11B中示出。与示例1中观察到的8.520x10-3最大非弹性应变值相比，示例6中观察到的最大非弹性应变值降低至7.740x10-3。
在第七个示例(示例7)中，如图12A所示，四个中心接地端子(图1中的焊料焊盘15-18)被统一为具有约130μm乘30μm尺寸以及方拐角(90度)的单个较大的中央接地焊料焊盘。器件封装的每个拐角处的焊料焊盘(图1中的焊料焊盘1、6、8和13)的四个拐角中的三个拐角倒圆，同时这些焊盘长度方向(沿器件封装的较长尺寸)最向外的和宽度方向(沿器件封装的较短尺寸)最向内的拐角保留90度角。沿器件长度方向尺寸的第二最向内的焊料焊盘(图1中的焊盘2、5、9和12)只有长度方向最向外和宽度方向最向外的拐角倒圆，而其他三个拐角保留为方形。由仿真确定的非弹性应变分布在图12B中示出，与示例1中观察到的8.520×10-3最大非弹性应变值相比，示例6中观察到的最大非弹性应变值减小到7.488×10-3。
最大的观测非弹性应变和根据上述Coffin-Manson法则计算出的估算剩余寿命(在温度循环中)在下表1显示：
表1：仿真结果
Figure BDA0002276450870000071
Figure BDA0002276450870000081
从这些仿真中，可以看出，通过修改基准示例以将四个中心焊接端子合并为一个具有方形边缘的单个较大端子，并通过倒圆器件封装拐角处的焊料焊盘的四个拐角中的三个和沿着器件封装的长度方向的第二端子的单个拐角，可以获得最佳结果(最小的非弹性应变，最长的使用寿命)。
包括表面声波器件并且具有如这里讨论的焊盘配置的封装可以在各种封装模块中实现。现在将讨论一些示例封装模块，其中可以实现这里讨论的封装声波器件的任何合适的原理和优点。图13、14和15是根据某些实施例的说明性封装模块和器件的示意性框图。
如上所述，例如，表面声波元件的实施例可以配置为滤波器或在滤波器中使用。继而，使用一个或多个表面声波(SAW)元件的SAW滤波器可以并入并封装为模块，例如，该模块可以最终用在诸如无线通信装置的电子设备中。图13是示出包括一个或多个SAW滤波器310的模块300的一个示例的框图。一个或多个SAW滤波器310可以实现在一个或多个晶片320上。封装模块300包括封装基板330，基板330配置为容纳包括晶片320的多个部件。可以利用如这里所述的任何示例中所配置的连接焊盘将晶片320连接到封装基板330。模块300可以任选地还包括其他电路晶片340，例如，一个或多个附加滤波器、放大器、预滤波器、调制器、解调器、下变频器等，鉴于这里所公开的，半导体制造技术领域技术人员公知这些。在一些实施例中，模块300还可以包括一个或多个封装结构，以例如提供保护并促使模块300的更容易处理。这样的封装结构可以包括形成在封装基板330上并且尺寸能够基本上包封其上的各种电路和组件的包覆成型(overmold)。
SAW滤波器310的各种示例和实施例可以使用在各种各样的电子设备中。例如，SAW滤波器310可以用在天线双工器中，天线双工器本身可以被结合到诸如RF前端模块和通信装置的各种电子设备中。
参考图14，示出了前端模块400的一个示例的框图，该前端模块400可以用在诸如无线通信装置(例如，移动电话)的电子设备中。前端模块400包括具有公共节点402、输入节点404和输出节点406的天线双工器410。天线510连接到公共节点402。
天线双工器410可以包括在输入节点404和公共节点402之间连接的一个或多个发射滤波器412，以及在公共节点402和输出节点406之间连接的一个或多个接收滤波器414。发射滤波器与接收滤波器的通带不同。SAW滤波器310的示例可以用于形成发射滤波器412和/或接收滤波器414。电感器或其他匹配部件420可以连接在公共节点402处。
前端模块400还包括连接到双工器410的输入节点404的发射器电路432和连接到双工器410的输出节点406的接收器电路434。发射器电路432可以生成用于经由天线510发射的信号，接收器电路434可以接收和处理经由天线510接收的信号。在一些实施例中，接收器和发射器电路实现为单独的组件，如图14所示，然而在其他实施例中，这些部件可以集成到公共收发器电路或模块中。如本领域技术人员将理解的，前端模块400可以包括图4中未示出的其他组件，包括但不限于开关、电磁耦合器、放大器、处理器等。
图15是包括图14所示的天线双工器410的无线装置500的一个示例的框图。无线装置500可以是蜂窝电话、智能电话、平板电脑、调制解调器、通信网络或被配置用于话音或数据通信的任何其他便携式或非便携式装置。无线装置500可以从天线510接收和发射信号。无线装置包括类似于上面参考图14所述的前端模块400的实施例。前端模块400包括双工器410，如上所述。在图15所示的示例中，前端模块400还包括天线开关440，天线开关440可以配置为在不同的频带或模式(例如，发射和接收模式)之间切换。在图15所示的示例中，天线开关440位于双工器410和天线510之间；然而，在其他示例中，双工器410可以位于天线开关440和天线510之间。在其他示例中，天线开关440和双工器410可以集成为单个部件。
前端模块400包括收发器430，收发器430配置为生成用于发射的信号或处理接收的信号。收发器430可以包括可以连接到双工器410的输入节点404的发射器电路432，以及可以连接到双工器410的输出节点406的接收器电路434，如图14的示例所示。
功率放大器(PA)模块450接收由发射器电路432生成以供发射的信号，功率放大器模块450放大从收发器430生成的信号。功率放大器模块450可以包括一个或多个功率放大器。功率放大器模块450可以用于放大各种各样的RF或其他频带发射信号。例如，功率放大器模块450可以接收使能信号，该使能信号可以用于对功率放大器的输出进行脉冲化以帮助发射无线局域网(WLAN)信号或任何其他合适的脉冲信号。功率放大器模块450可以配置为放大各种类型的信号中的任何一种，包括，例如，全球移动系统(GSM)信号、码分多址(CDMA)信号、W-CDMA信号、长期演进(LTE)信号或边缘信号(EDGE signal)。在某些实施例中，功率放大器模块450和包括开关等的相关部件可使用例如高电子迁移率晶体管(pHEMT)或绝缘栅双极晶体管(BiFET)在砷化镓(GaAs)基板上、或使用互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管在硅基板上制造。
仍然参考图15，前端模块400可以还包括低噪声放大器模块460，低噪声放大器模块460放大从天线510接收的信号并将放大的信号提供给收发器430的接收器电路434。
图15的无线装置500还包括电源管理子系统520，其连接到收发器430并管理用于无线装置500的操作的电源。电源管理系统520还可以控制基带子系统530和无线装置500的各种其他子系统的操作。电源管理系统520可以包括或可以连接到为无线装置500的各个部件供电的电池(未示出)。例如，电源管理系统520还可以包括一个或多个能够控制信号发送的处理器或控制器。在一个实施例中，基带子系统530连接到用户接口540，以促使提供给用户和从用户接收的话音和/或数据的各种输入和输出。基带子系统530还可以连接到存储器550，存储器550配置为存储数据和/或指令以促使无线装置的操作、和/或为用户提供信息的存储。上述任何实施例可以与诸如蜂窝手持机的移动装置相关联地实现。实施例的原理和优点可从这里所述的任何实施例受益的任何系统或装置，例如任何上行链路无线通信装置。这里的教导适用于各种系统。尽管本公开包括一些示例实施例，但是这里描述的教导可以应用于各种结构。这里讨论的任何原理和优点都可以结合RF电路来实现，该RF电路配置为处理诸如在约30kHz到300GHz范围内的信号，例如，约450MHz到6GHz范围内。
可在各种电子设备中实现本公开的各方面。电子设备的示例可包括但不限于消费类电子产品、诸如经封装的射频模块的消费类电子产品的部件、上行链路无线通信装置、无线通信基础设施、电子测试装置等。电子设备的示例可包括但不限于诸如智能电话的移动电话、诸如智能手表或耳机的可穿戴计算装置、电话、电视、计算机监视器、计算机、调制解调器、手持式计算机、膝上型计算机、平板计算机、微波炉、冰箱、诸如汽车电子系统的车载电子系统、立体声系统、数字音乐播放器、收音机、诸如数字照相机的照相机、便携式存储芯片、洗衣机、烘干机、洗衣机/烘干机、复印机、传真机、扫描仪、多功能外围设备、腕表、钟表等。此外，电子设备可包括未完成的产品。
除非上下文清楚地另外要求，否则在整个说明书和权利要求书中，词语“包含”、“包含了”、“包括”、“包括了”等应以包括性而不是排他性或穷举性含义来解释；也就是说，在“包括但不限于”的意义上。如本文中通常使用的，词语“耦接”是指可直接连接或借助于一个或多个中间元件来连接的两个或多个元件。同样地，如本文中通常使用的，词语“连接”是指可直接连接或者借助于一个或多个中间元件来连接的两个或更多个元件。另外，当在本申请中使用时，词语“本文”、“上方”、“下方”和类似含义的词语应整体上指本申请，而不是本申请的任何特定部分。在上下文允许的情况下，上述详细描述中使用单数或复数的词也可分别包括复数或单数。词语“或”是指两个或多个项目的列表，该词语涵盖体该词语的以下所有解释：列表中的任何项目、列表中的所有项目以及列表中的项目的任何组合。
此外，本文中使用的条件语言，例如“可能”、“可”、“可以”、“或许”、“例”、“例如”、“诸如”等、除非另外具体说明或在所使用的上下文中以其他方式理解，否则通常旨在传达某些实施例包括而其他实施例不包括某些特征、元件和/或状态。因此，这样的条件语言通常不旨在暗示一个或多个实施例以任何方式都需要特征、元件和/或状态，因此，这样的条件语言一般不打算暗示一个或多个实施例以任何方式需要特征、元素和/或状态，或者一个或多个实施例必然包括用于在有或无作者输入或提示的情况下决定这些特征、元件和/或状态是否在任何特定实施例中包括或执行的逻辑。
虽然已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅借助于示例的方式呈现，并且并不旨在限制本公开的范围。实际上，本文描述的新颖的装置、方法和系统可以以多种其他形式来实现；此外，在不脱离本公开的精神的情况下，可对本文所述的方法和系统的形式进行各种省略、替换和改变。例如，虽然以给定的布置来呈现框，但是替代实施例可使用不同部件和/或电路拓扑来执行类似功能，并且可删除、移动、添加、细分、组合和/或修改一些框。这些框的每一个可以以各种不同的方式来实现。可将上述各种实施例的元件和动作的任何适当组合进行组合以提供其他实施例。所附权利要求及其等同物旨在覆盖体将落入本公开的范围和精神内的这样的形式或修改。

Claims (17)

1.一种电子器件封装，包括：
下表面，用于传导电子信号；
第一焊料焊盘，设置在所述下表面上，具有第一尺寸；以及
多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上并围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。
2.根据权利要求1所述的电子器件封装，其中，所述第一焊料焊盘的长度大于所述多个第二焊料焊盘中的每个的长度。
3.根据权利要求1所述的电子器件封装，其中，所述多个第二焊料焊盘包括四个拐角焊料焊盘，所述四个拐角焊料焊盘设置在所述电子器件封装的表面的各个拐角附近。
4.根据权利要求3所述的电子器件封装，其中，所述四个拐角焊料焊盘每个具有三个圆拐角和一个方拐角。
5.根据权利要求4所述的电子器件封装，其中，所述四个拐角焊盘中的每个的所述方拐角在所述四个拐角焊盘中的每个的在长度方向背对所述第一焊料焊盘并在宽度方向面向所述第一焊料焊盘的一侧。
6.根据权利要求4所述的电子器件封装，其中，所述多个第二焊料焊盘包括四个第三焊盘，所述四个第三焊盘中的每个在所述电子器件封装的表面上的长度方向上与所述四个拐角焊盘中的相应的一个相邻地设置。
7.根据权利要求6所述的电子器件封装，其中，所述四个第三焊盘每个具有三个方拐角和一个圆拐角。
8.根据权利要求7所述的电子器件封装，其中，所述四个第三焊盘中的每个的所述圆拐角背对所述第一焊料焊盘并且面向与每个相应的第三焊盘相邻设置的相应的拐角焊盘。
9.根据权利要求8所述的电子器件封装，其中，除所述四个拐角焊盘和四个第三焊盘之外，所述多个第二焊盘中的每个具有四个方拐角。
10.根据权利要求1所述的电子器件封装，其中，所述第一焊料焊盘具有四个方拐角。
11.根据权利要求10所述的电子器件封装，其中，所述第一焊料焊盘是矩形的。
12.根据权利要求1所述的电子器件封装，其中，所述第一焊盘设置在所述电子器件封装的表面的中央。
13.根据权利要求1所述的电子器件封装，其中，所述第一焊料焊盘是接地焊盘。
14.一种电子器件，包括：
多个声波谐振器，设置在电子器件封装中，所述电子器件封装包括：
下表面，用于传导电子信号；
第一焊料焊盘，设置在所述下表面上，具有第一尺寸；以及
多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上并围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。
15.一种射频滤波器，包括：
多个声波谐振器，其形成射频滤波器并设置在电子器件封装中，所述电子器件封装包括：
下表面，用于传导电子信号；
第一焊料焊盘，设置在所述下表面上，具有第一尺寸；以及
多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上并围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。
16.一种电子装置模块，包括：
射频滤波器，包括设置在电子器件封装中的多个声波谐振器，所述电子器件封装包括：
下表面，用于传导电子信号；
第一焊料焊盘，设置在所述下表面上，具有第一尺寸；以及
多个第二焊料焊盘，设置在所述下表面上并围绕所述第一焊料焊盘，具有小于所述第一尺寸的第二尺寸。
17.一种电子设备，包括：
电子装置模块，包括射频滤波器，该射频滤波器由设置在电子器件封装中的多个声波谐振器形成，该电子器件封装包括：
用于传导电子信号的下表面；
具有第一尺寸的第一焊料焊盘布置在下表面上；和
多个第二焊料焊盘，其第二尺寸小于第一尺寸，并设置在下表面上并围绕第一焊料焊盘。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220358280A1 (en) * 2021-05-04 2022-11-10 Adobe Inc. Context-aware font recommendation from text

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61177762A (ja) 1985-02-01 1986-08-09 Toshiba Corp 半導体装置
US5477086A (en) 1993-04-30 1995-12-19 Lsi Logic Corporation Shaped, self-aligning micro-bump structures
JP3982876B2 (ja) * 1997-06-30 2007-09-26 沖電気工業株式会社 弾性表面波装置
US7167688B2 (en) * 2003-07-30 2007-01-23 Chi Mei Communication Systems, Inc. RF transceiver module formed in multi-layered ceramic
TWI232561B (en) * 2003-10-17 2005-05-11 Advanced Semiconductor Eng Substrate having bond pads for bonding redundant solder beads
JP2006210851A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Toshiba Corp 回路基板
US7696594B2 (en) * 2005-12-22 2010-04-13 International Business Machines Corporation Attachment of a QFN to a PCB
US7841508B2 (en) * 2007-03-05 2010-11-30 International Business Machines Corporation Elliptic C4 with optimal orientation for enhanced reliability in electronic packages
JP5051484B2 (ja) 2008-11-04 2012-10-17 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
US8558396B2 (en) * 2011-07-12 2013-10-15 Intersil Americas Inc. Bond pad configurations for semiconductor dies
US9425139B2 (en) * 2012-09-12 2016-08-23 Marvell World Trade Ltd. Dual row quad flat no-lead semiconductor package
US9548280B2 (en) * 2014-04-02 2017-01-17 Nxp Usa, Inc. Solder pad for semiconductor device package
AT516750B1 (de) * 2014-12-18 2016-08-15 Zizala Lichtsysteme Gmbh Verfahren zur Voidreduktion in Lötstellen
US9660609B2 (en) 2015-07-07 2017-05-23 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methods related to stacked duplexers
US10192840B2 (en) * 2015-09-25 2019-01-29 Intel Corporation Ball pad with a plurality of lobes
WO2017110223A1 (ja) * 2015-12-24 2017-06-29 株式会社村田製作所 フィルタ装置

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