CN111200840B - 一种针对nb-iot设备的发射功率点校准方法及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及NB‑IOT技术领域，具体公开了一种针对NB‑IOT设备的发射功率点校准方法及存储介质，所述方法先对常规校准后的RF增益参数‑功率波形图进行同一功率段赋予相同值的处理，然后根据处理后的RF增益参数‑功率波形图调整常规校准后的TX增益参数‑功率波形图，从而使得每一功率段的电压可用二次函数近似表示，再通过每段选取用于校准的三个功率点计算出每一功率段二次函数的表达式，最后将具体的功率点代入其对应的二次函数表达式后即可求出对应的基带TX增益参数值，由此只需要校准不超过三分之一的功率点便可得到所有功率点的基带TX增益参数值，大量减少校准时间，提高校准效率，且控制误差在接受范围内，校准的质量也得到保证。

Description

一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法及存储介质
技术领域
本发明涉及NB-IOT技术领域，尤其涉及一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法及存储介质。
背景技术
窄带物联网(NB-IoT)广泛应用于低功耗产品中，随着市场需求的增长，生产效率以及成本成为重要问题，在生产校准环节中、减少校准时间、提高校准效率可有效提高生产效率以及降低长产成本。
当前常规的发射功率校准从-45dBm至24dBm，步进为1dBm，共70个功率点，如果对每一个功率点都进行校准，则将占据大部分校准时间。
发明内容
本发明提供一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法及存储介质，解决的技术问题是，现有对功率点进行一一校准的方法，校准时间较长，校准效率较低。
为解决以上技术问题，本发明提供一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法，包括步骤：
S1.将发射功率划分为多个连续的功率段；
S2.重新确定每个所述功率段所对应的RF增益参数；
S3.根据所述RF增益参数值重新确定每个所述功率段所对应的基带TX增益参数曲线；
S4.根据所述基带TX增益参数曲线确定每个发射功率点的基带TX增益参数值。
进一步地，在所述步骤S2中，重新确定的每个所述功率段所对应的所述RF增益参数值为一定值。
进一步地，在所述步骤S1前还设有步骤：
S0.对NB-IOT设备进行常规校准，得到基带TX增益参数与发射功率的TX增益参数-功率波形图和RF增益参数与发射功率的RF增益参数-功率波形图。
进一步地，所述步骤S1具体为：
将-45～24dBm发射功率根据所述RF增益参数-功率波形图划分为六个连续的功率段。
进一步地，所述六个连续的功率段分别是[-45,-37]、[-36,-30]、[-29,0]、[1,7][8,14][15,24]。
进一步地，在所述步骤S3中，所述TX增益参数-功率波形图中的每一段基带TX增益参数曲线用二次函数区间近似表示为y＝ax^2+bx+c，x表示发射功率点，y表示基带TX增益参数值，参数a、b、c由校准的三个发射功率点计算得出。
进一步地，假设校准的三个发射功率点为(x1,y1)、(x2,y2)、(x3,y3)，则：
b＝((x1^2-x2^2)*(y1-y3))-((x1^2-x3^2)*(y1-y2))/((x1^2-x2^2)*(x1-x3))-((x1-x2)*(x1^2-x3^2))；
a＝((y2-y1)-b*(x2-x1))/(x2^2-x1^2)；
c＝y1-a*x1^2-b*x1。
进一步地，所述三个发射功率点为每段基带TX增益参数曲线的起始点、中间点和末尾点。
进一步地，所述步骤S4具体为：
将待求的发射功率点代入已求得参数a、b、c的所述基带TX增益参数曲线的方程式，得到对应的基带TX增益参数值。
本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现所述的一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法。
本发明提供的一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法，先对常规校准后的RF增益参数-功率波形图进行同一功率段赋予相同值的处理，然后根据处理后的RF增益参数-功率波形图调整常规校准后的TX增益参数-功率波形图，从而使得每一功率段的电压可用二次函数近似表示，再通过每段选取用于校准的三个功率点(起始点、中间点、末尾点)计算出每一功率段二次函数的表达式，最后将具体的功率点代入其对应的二次函数表达式后即可求出对应的基带TX增益参数值，由此只需要校准不超过三分之一的功率点便可得到所有功率点的基带TX增益参数值，大量减少校准时间，提高校准效率，且控制误差在接受范围内，校准的质量也得到保证。
本发明提供的一种计算机可读存储介质，为上述方法提供物理支撑，使得该方法可搭载于具体的硬件而广泛应用。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法的步骤流程图；
图2是本发明实施例提供的常规校准后的TX增益参数-功率波形图；
图3是本发明实施例提供的常规校准后的RF增益参数-功率波形图；
图4是本发明实施例提供的对图3进行分段赋值处理后的RF增益参数-功率波形图；
图5是本发明实施例提供的利用图4对图2进行处理后的TX增益参数-功率波形图。
具体实施方式
下面结合附图具体阐明本发明的实施方式，实施例的给出仅仅是为了说明目的，并不能理解为对本发明的限定，包括附图仅供参考和说明使用，不构成对本发明专利保护范围的限制，因为在不脱离本发明精神和范围基础上，可以对本发明进行许多改变。
发射功率主要由基带TX增益参数、RF增益、PA增益参数共同控制，本实施例考虑余量将功率范围分段校准，RF增益分段取值，校准基带TX增益参数，功率随基带TX增益参数增大而增大(TX为transport的缩写，意为发送)。基于此，如图1所示，本发明实施例提供了一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法，包括步骤：
S0.对NB-IOT设备进行常规校准，得到基带TX增益参数与发射功率的TX增益参数-功率波形图(如图2所示)和RF增益参数与发射功率的RF增益参数-功率波形图(如图3所示)；
S1.将发射功率划分为多个连续的功率段(如图4所示)；
S2.重新确定每个所述功率段所对应的RF增益参数值(如图4所示)；
S3.根据所述RF增益参数值重新确定每个所述功率段所对应的基带TX增益参数曲线(如图5所示)；
S4.根据所述基带TX增益参数曲线确定每个发射功率点的基带TX增益参数值。
进一步地，所述步骤S1具体为：
如图4所示，将-45～24dBm发射功率根据所述RF增益参数-功率波形图划分为六个连续的功率段。
进一步地，在所述步骤S2中，按照表1重新确定的每个所述功率段所对应的所述RF增益参数值为一定值。
表1
Figure BDA0002354190850000041
在表1和图4中，所述六个连续的功率段分别是[-45,-37]、[-36,-30]、[-29,0]、[1,7][8,14][15,24]。对应的RF增益参数分别为10、17、4、10、15、19。
进一步地，在所述步骤S3中，图5中所述TX增益参数-功率波形图中的每一段基带TX增益参数曲线用二次函数区间近似表示为y＝ax^2+bx+c，x表示发射功率点([-45,24]，共70个)，y表示基带TX增益参数值，参数a、b、c由校准的三个发射功率点计算得出。
进一步地，假设校准的三个发射功率点为(x1,y1)、(x2,y2)、(x3,y3)，则：
b＝((x1^2-x2^2)*(y1-y3))-((x1^2-x3^2)*(y1-y2))/((x1^2-x2^2)*(x1-x3))-((x1-x2)*(x1^2-x3^2))；
a＝((y2-y1)-b*(x2-x1))/(x2^2-x1^2)；
c＝y1-a*x1^2-b*x1。
优选的，所述三个发射功率点为每段基带TX增益参数曲线的起始点、中间点和末尾点，可尽可能减少计算结果的误差，通过分段数量可控制计算值与实际校准值的误差大小在可接受的范围内。
进一步地，所述步骤S4具体为：
将待求的发射功率点代入已求得参数a、b、c的所述基带TX增益参数曲线的方程式，得到对应的基带TX增益参数值。从而能够得到70个功率点的基带TX增益参数值。
本发明实施例提供的一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法，先对常规校准后的RF增益参数-功率波形图进行同一功率段赋予相同值的处理，然后根据处理后的RF增益参数-功率波形图调整常规校准后的TX增益参数-功率波形图，从而使得每一功率段的电压可用二次函数近似表示，再通过每段选取用于校准的三个功率点(起始点、中间点、末尾点)计算出每一功率段二次函数的表达式，最后将具体的功率点代入其对应的二次函数表达式后即可求出对应的基带TX增益参数值，由此只需要校准不超过三分之一的功率点便可得到所有功率点的基带TX增益参数值，大量减少校准时间，提高校准效率，且控制误差在接受范围内，校准的质量也得到保证。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现所述的一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法。
本领域技术人员应当理解，本发明所称的“应用”、“应用程序”、“计算机程序”以及类似表述的概念，是业内技术人员所公知的相同概念，是指由一系列计算机指令及相关数据资源有机构造的适于电子运行的计算机软件。除非特别指定，这种命名本身不受编程语言种类、级别，也不受其赖以运行的操作系统或平台所限制。理所当然地，此类概念也不受任何形式的终端所限制。其中，所述计算机可读存储介质包括但不限于任何类型的盘(包括软盘、硬盘、光盘、CD-ROM、和磁光盘)、ROM(Read-Only Memory，只读存储器)、RAM(RandomAcceSS Memory，随即存储器)、EPROM(EraSable Programmable Read-Only Memory，可擦写可编程只读存储器)、EEPROM(Electrically EraSable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器)、闪存、磁性卡片或光线卡片。也就是，存储设备包括由设备(例如，计算机、手机)以能够读的形式存储或传输信息的任何介质，可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
本发明实施例提供的一种计算机可读存储介质，为上述方法提供物理支撑，使得该方法可搭载于具体的硬件而广泛应用。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法，其特征在于，包括步骤：
S0.对NB-IOT设备进行常规校准，得到基带TX增益参数与发射功率的TX增益参数-功率波形图和RF增益参数与发射功率的RF增益参数-功率波形图；
S1.将发射功率划分为多个连续的功率段，具体为，将-45～24dBm发射功率根据所述RF增益参数-功率波形图划分为六个连续的功率段；所述六个连续的功率段分别是[-45,-37]、[-36,-30]、[-29,0]、[1,7]、[8,14]、[15,24]dBm；
S2.重新确定每个所述功率段所对应的RF增益参数值为一定值；
S3.根据所述RF增益参数值重新确定每个所述功率段所对应的基带TX增益参数曲线，具体为，所述TX增益参数-功率波形图中的每一段基带TX增益参数曲线用二次函数区间近似表示为y＝ax^2+bx+c，x表示发射功率点，y表示基带TX增益参数值，参数a、b、c由校准的三个发射功率点计算得出；
S4.根据所述基带TX增益参数曲线确定每个发射功率点的基带TX增益参数值，方法为，将待求的发射功率点代入已求得参数a、b、c的所述基带TX增益参数曲线的方程式，得到对应的基带TX增益参数值。
2.如权利要求1所述的一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法，其特征在于，假设校准的三个发射功率点为(x1,y1)、(x2,y2)、(x3,y3)，则：
b＝((x1^2-x2^2)*(y1-y3))-((x1^2-x3^2)*(y1-y2))/((x1^2-x2^2)*(x1-x3))-((x1-x2)*(x1^2-x3^2))；
a＝((y2-y1)-b*(x2-x1))/(x2^2-x1^2)；
c＝y1-a*x1^2-b*x1。
3.如权利要求2所述的一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法，其特征在于：
所述三个发射功率点为每段基带TX增益参数曲线的起始点、中间点和末尾点。
4.一种计算机可读存储介质，其特征在于：所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至3任一项所述的一种针对NB-IOT设备的发射功率点校准方法。
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