CN111181535B - 一种抗辐照配电限流开关电路 - Google Patents
一种抗辐照配电限流开关电路 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种抗辐照配电限流开关电路,具有限流及短路保护功能,且当限流或短路状态消失时,电路自动恢复到工作状态,无需再次触发;电路关断时间可调,适用于延迟关断的场合;具有限制电流过冲的功能。
Description
技术领域
本发明属于半导体混合集成电路设计技术,具体涉及用于供电系统限流保护控制的抗辐照配电限流开关电路。
背景技术
国内航天器普遍采用在负载输入端串入熔断器、限流电阻保护或电磁继电器的方式。电磁继电器功耗较小,但切换过程有电弧,电磁干扰大,体积大,质量重。限流电阻、熔断器保护方式均属于被动过流保护手段,限流电阻方式具有增加功耗、设备温度升高、不能关断通路的缺点;熔断器保护方式具有电路简单的优点,但是熔断器熔断后不可恢复对保护设备的供电,等同于保护设备失效,不能满足航天器长寿命、可靠性的需求。
为保证卫星、飞行器、XXX配电系统中各种仪器设备工作的有效性和可靠性,总体对系统的安全性、可靠性提出更高要求。因此,需要研制具有抗辐照、限流/短路保护功能的限流开关电路。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提供一种抗辐照配电限流开关电路,具有限流及短路保护功能,且当限流或短路状态消失时,电路自动恢复到工作状态,无需再次触发;电路关断时间可调,适用于延迟关断的场合;具有限制电流过冲的功能。
本发明是通过以下技术方案来实现:
一种抗辐照配电限流开关电路,包括限流电路和计时关断电路;电路输入端与电容C1一端、电容C2一端和稳压管DZ1负极分别连接,电容C1另一端、电容C2另一端和稳压管DZ1正极依次与电阻R3和电阻R4连接,电阻R4另一端与三极管Q3集电极连接,三极管Q3基极与电阻R1一端和电阻R2一端分别连接,电阻R1另一端与控制端连接,电阻R2另一端及三极管Q3发射极均接地;
限流电路包括电阻R5和三极管Q1,电路输入端与电阻R5一端及三极管Q1发射极连接,电阻R5另一端与电感L1一端连接,电感L1另一端与电阻R9一端、三极管Q2发射极及场效应管M1源极连接,电阻R9另一端通过电容C3与电阻R10一端及场效应管M1栅极连接;三极管Q1集电极与电阻R6一端及场效应管M1栅极连接,电阻R6另一端与电阻R3一端连接;三极管Q1基极与电阻R7一端及三极管Q2集电极连接,三极管Q2基极与发射极之间并联二极管D2;三极管Q1基极与发射极之间并联二极管D1;电阻R7另一端与电阻R8一端连接,电阻R8另一端与电阻R3一端连接;
计时关断电路包括电阻R17和三极管Q8:电阻R10另一端与电阻R17一端和三极管Q8发射极分别连接,三极管Q8发射极与基极之间并联电容C4和电阻R13,且三极管Q8基极与电阻R14一端连接,电阻R14另一端为输出端;三极管Q8集电极通过电阻R12与三极管Q4集电极连接,三极管Q4发射极与电阻R11一端连接,电阻R11另一端与电阻R3一端连接,电阻R11两端并联电容C5和电容C6;电阻R17另一端与电阻R18一端、电阻R15一端和三极管Q7发射极连接,电阻R18两端并联电容C10,电阻R18另一端与三极管Q6集电极及三极管Q7基极连接,三极管Q6基极与三极管Q7集电极连接,三极管Q6发射极与电阻R3一端连接,三极管Q7集电极还与电阻R19一端连接,电阻R19另一端与电阻R3一端连接,电阻R19两端并联电容C11;电阻R15另一端与电阻R16一端连接,电阻R16另一端与电阻R3一端连接;三极管Q4基极与集电极之间短路连接,且三极管Q4基极与三极管Q5基极连接,三极管Q5集电极与三极管Q7基极连接,三极管Q5发射极与电阻R16一端连接,电阻R16两端并联电容C7。
优选的,还包括开关状态监测电路,开关状态监测电路包括电阻R21和三极管Q9;场效应管M1漏极与电阻R14输出端连接,电阻R14输出端与电路输出端及电阻R21一端连接,电阻R21另一端与电阻R22一端及三极管Q9基极连接,电阻R22另一端与电阻R23一端连接并接地,电阻R23另一端分两路,一路为监测端,另一路与三极管Q9发射极连接,三极管Q9集电极与电路输出端连接。
进一步的,开关状态监测电路还包括电阻20、电容C9和D3;二极管电阻R14输出端与电阻R20一端连接,电阻R20另一端与电容C9一端连接,电容C9另一端与二极管D3正极连接并接地,二极管D3负极与电路输出端连接。
优选的,还包括电压保护电路,电路保护电路包括电阻R27和电阻R32;电路输入端与电阻R27一端及电阻R32一端连接,电阻R27另一端与电阻R28一端及比较器U2第一反相输入端连接,电阻R28另一端接地;电阻R32另一端与电阻R33一端及比较器U2第二同相输入端连接,电阻R33另一端接地;
电路输入端与电阻R24一端及电阻R25一端连接,电阻R24另一端与三极管Q10基极及稳压管DZ2负极连接,电阻R25另一端与三极管Q10集电极连接,三极管Q10发射极与电阻R26一端连接,电阻R26另一端与稳压管DZ2正极连接,稳压管DZ2正极接地,电阻R26两端并联电容C12;比较器U2正极电源端与电阻R29一端及三极管Q10发射极连接,电阻R29另一端与电阻R30一端、比较器U2第一同相输入端、比较器U2第二反相输入端及触发器U3的1D、VCC、2D和连接,电阻R30另一端与电阻R31一端连接,电阻R31另一端接地,基准源U1负极与比较器U2第一同相输入端连接,基准源U1正极与电阻R30另一端连接并接地;
比较器U2第一输出端与电阻R36一端连接,电阻R36另一端触发器U3的1CLK连接;比较器U2第二输出端与电阻R34一端连接,电阻R34另一端与触发器U3的2CLK连接;
触发器U3的与电阻R40一端、电容C16一端及电阻R41一端连接,电阻R40另一端、电容C16另一端均接地,电阻R41另一端为第一清零端;触发器U3的与电阻R38一端、电容C15一端及电阻R39一端连接,电阻R38另一端、电容C15另一端均接地,电阻R39另一端为第二清零端;
电阻R1的另一端与肖特基二极管D4正极及肖特基二极管D5正极连接,肖特基二极管D4负极与触发器U3的连接;肖特基二极管D5负极与触发器U3的连接;触发器U3的1Q与电阻R42一端连接,电阻R42另一端为第一状态端,触发器U3的2Q与电阻R44连接,电阻R44另一端为第二状态端。
进一步的,电阻R36另一端还与稳压管DZ4负极、电容C14一端及电阻R37一端连接,稳压管DZ4正极、电容C14另一端及电阻R37另一端均接地。
进一步的,电阻R34另一端还与稳压管DZ3负极、电容C13一端及电阻R35一端连接,稳压管DZ4正极、电容C13另一端及电阻R35另一端均接地
优选的,二极管D2负极与三极管Q2发射极连接,二极管D2正极与三极管Q2基极连接。
优选的,二极管D1负极与三极管Q1发射极连接,二极管D1正极与三极管Q1基极连接。与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:
本发明通过偏置电阻R6、R7、R8来设置电路的电流限流点大小;电感L1可起到抑制电流过冲的功能。当系统工作电流小于电路设置的限流点时,三极管对Q1、Q2将M1的栅极电压控制在较低电位,从而使P型M1栅源压差小于其阈值电压,M1工作于可变电阻区(饱和区),电路正常工作;当系统发生过流或者短路时,工作电流大于电路设置的限流点,三极管对Q1、Q2将M1的栅极电压抬高,使其工作于恒流区,此时的工作电流大小被限制在设定的限流点电流,从而起到限流的作用。此时M1工作在恒流区,源漏之间的电压差较大,从而使三极管Q8导通,进而Q4与Q5导通,将B点电位抬高,M1栅极电位随之升高,使M1栅源压差远大于阈值电压,M1关断,从而实现过流/短路保护的功能。其中,通过调节电容C5、C6、C7的容值,即可改变电路的关断时间,适用于需要延时关断的场合。当过流或短路现象移除时,B点电位降低,M1工作在可变电阻区(饱和区),源漏之间的电压差很小,三极管Q8、Q4与Q5均断开,则计时关断电路不工作,整个电路自动恢复到正常工作状态。采用厚膜混合集成电路设计技术,研制并使用抗辐照集成芯片,对限流开关电路进行小型化集成;具有限流及短路保护功能,且当限流或短路状态消失时,电路自动恢复到工作状态,无需再次触发;电路关断时间可调,适用于延迟关断的场合;具有限制电流过冲的功能;设计了欠压、过压保护及开关状态监测线路。
进一步的,开关状态监测电路是用于监测电路输出端的开关状态。当电路处于工作状态时,输出端为高电平,通过R21、R22分压后,使三极管Q9导通并工作于放大区,则Q9发射极(开关状态监测端)为高电平;当电路处于断开状态时,输出端为低电平,三极管Q9不工作,则Q9发射极(开关状态监测端)为低电平。
进一步的,本发明还设计了欠压和过压保护功能。当系统母线电压低于设定的额定值时,比较器U2的第一反相输入端电压低于其第一同相输入端参考电压,比较器U2输出高电平,并使触发器U3翻转,触发器U3的第一状态端输出高电平,触发器U3的端(引脚6)输出低电平,通过肖特基二极管D5将开关部分三极管Q3的基极电压拉低,三极管Q3截止,从而使场效应管M1的栅-源电压差远大于阈值电压,M1关断,电路断开。当系统母线电压高于设定的额定值时,比较器U2的同相输入端电压高于其反相输入端参考电压,比较器U2输出高电平,并使触发器U3翻转,触发器U3的第二状态端输出高电平,触发器U3的端输出低电平,通过肖特基二极管D4将开关部分三极管Q3的基极电压拉低,Q3截止,从而使M1的栅-源电压差大于阈值电压,M1关断,电路断开。
附图说明
图1为抗辐照配电限流开关电路的电原理框图;
图2为抗辐照配电限流开关电路的限流保护、计时关断及开关状态监测部分原理图;
图3为抗辐照配电限流开关电路的欠压保护、过压保护详细原理图。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明,所述是对本发明的解释而不是限定。
如图1所示,本发明所述的抗辐照配电限流开关电路包括欠压保护电路、过压保护电路、限流电路、计时关断电路和开关状态监测电路。
欠压保护电路和过压保护电路,是当系统母线电压分别低于、高于设定的额定值时,将控制端高电平拉低,使开关输出端断开,从而实现欠压保护及过压保护功能。
限流电路,是当母线工作电流高于电路设定的正常工作范围时(过流或短路),通过调节VDMOS管的栅极电压,使母线电流限定在某一定值,从而实现限流的功能。
计时关断电路,是在电路发生过流或短路时,限流电路将电流限定在某一定值后,经过一定时间(根据需要在电路内部可调)将电路关断,从而实现过流、短路保护功能,且关断时间可调。当过流或短路状态消失时,电路自动恢复到工作状态,无需外部信号指令再触发。
开关状态监测电路可监测开关输出端状态,当电路处于正常工作状态时,监测端为高电平(约为5V);当电路处于关断状态时,监测端为低电平。
具体实施例如下
如图2及图3所示,该电路包括欠压保护电路、过压保护电路、限流电路、计时关断电路和开关状态监测电路,母线电压以标准100V为例。
如图2所示,限流电路主要由采样电阻R5、电感L1、偏置电阻R6、R7、R8,三极管对Q1、Q2以及P型MOSFET等器件组成。
电路输入端与电容C1一端、电容C2一端和稳压管DZ1负极分别连接,电容C1另一端、电容C2另一端和稳压管DZ1正极依次与电阻R3和电阻R4连接,电阻R4另一端与三极管Q3集电极连接,三极管Q3基极与电阻R1一端和电阻R2一端分别连接,电阻R1另一端与控制端连接,电阻R2另一端及三极管Q3发射极均接地。
电路输入端与电阻R5一端及三极管Q1发射极连接,电阻R5另一端与电感L1一端连接,电感L1另一端与电阻R9一端、三极管Q2发射极及场效应管M1源极连接,电阻R9另一端通过电容C3与电阻R10一端及场效应管M1栅极连接。
三极管Q1集电极与电阻R6一端及场效应管M1栅极连接,电阻R6另一端与电阻R3一端连接。三极管Q1基极与电阻R7一端及三极管Q2集电极连接,三极管Q2基极与发射极之间并联二极管D2,二极管D2负极与三极管Q2发射极连接,二极管D2正极与三极管Q2基极连接。三极管Q1基极与发射极之间并联二极管D1,二极管D1负极与三极管Q1发射极连接,二极管D1正极与三极管Q1基极连接。电阻R7另一端与电阻R8一端连接,电阻R8另一端与电阻R3一端连接。
通过偏置电阻R6、R7、R8来设置电路的电流限流点大小;电感L1可起到抑制电流过冲的功能。当系统工作电流小于电路设置的限流点时,三极管对Q1、Q2将M1的栅极电压控制在较低电位,从而使P型M1栅源压差小于其阈值电压,管子工作于可变电阻区(饱和区),电路正常工作;当系统发生过流或者短路时,工作电流大于电路设置的限流点,三极管对Q1、Q2将M1的栅极电压抬高,使其工作于恒流区,此时的工作电流大小被限制在设定的限流点电流,功耗较大。
如图2所示,计时关断电路结构为:电阻R10另一端与电阻R17一端、三极管Q8发射极连接,三极管Q8发射极与基极之间并联电容C4和电阻R13,且三极管Q8基极与电阻R14一端连接,电阻R14另一端输出。
三极管Q8集电极通过电阻R12与三极管Q4集电极连接,三极管Q4发射极与电阻R11一端连接,电阻R11另一端电阻R3一端连接,电阻R11两端并联电容C5和电容C6。
电阻R17另一端与电阻R18一端、电阻R15一端和三极管Q7发射极连接,电阻R18两端并联一电容C10,电阻R18另一端与三极管Q6集电极及三极管Q7基极连接,三极管Q6基极与三极管Q7集电极连接,三极管Q6发射极与电阻R3一端连接,三极管Q7集电极还与电阻R19一端连接,电阻R19另一端与电阻R3一端连接,电阻R19两端并联电容C11。
电阻R15另一端与电阻R16一端连接,电阻R16另一端与电阻R3一端连接。三极管Q4基极与集电极之间短路连接,且三极管Q4基极与三极管Q5基极连接,三极管Q5集电极与三极管Q7基极连接,三极管Q5发射极与电阻R16一端连接,电阻R16两端并联电容C7。
计时关断电路是在电路发生过流或短路时,限流电路将电流限定在某一定值。此时P型MOSFET M1工作在恒流区,源漏之间的电压差较大,从而使三极管Q8导通,进而Q4与Q5导通,将B点电位抬高,M1栅极电位随之升高,使M1栅源压差远大于阈值电压,M1关断,从而实现过流/短路保护的功能。其中,通过调节电容C5、C6、C7的容值,即可改变电路的关断时间,适用于需要延时关断的场合。
图2中的限流电路与计时关断电路,当过流或短路现象移除时,B点电位降低,M1工作在可变电阻区(饱和区),源漏之间的电压差很小,三极管Q8、Q4与Q5均断开,则计时关断电路不工作,整个电路自动恢复到正常工作状态。
如图2所示,开关状态监测电路的结构为:场效应管M1漏极与电阻R14输出端连接,电阻R14输出端与电路输出端及电阻R21一端连接,电阻R21另一端与电阻R22一端及三极管Q9基极连接,电阻R22另一端与电阻R23一端连接并接地,电阻R23另一端分两路,一路为监测端,另一路与三极管Q9发射极连接,三极管Q9集电极与电路输出端连接。电阻R14输出端还与电阻R20一端连接,电阻R20另一端与电容C9一端连接,电容C9另一端与二极管D3正极连接并接地,二极管D3负极与电路输出端连接。
开关状态监测电路是用于监测电路输出端的开关状态。当电路处于工作状态时,输出端为高电平,通过R21、R22分压后,使三极管Q9导通并工作于放大区(基极电压为5.6V),则Q9发射极(开关状态监测端)为5V的高电平;当电路处于断开状态时,输出端为低电平,三极管Q9不工作,则Q9发射极(开关状态监测端)为低电平。
如图3所示,欠压保护电路、过压保护电路的结构如下。电路输入端与电阻R27一端及电阻R32一端连接,电阻R27另一端与电阻R28一端及比较器U2第一反相输入端连接,电阻R28另一端接地。电阻R32另一端与电阻R33一端及比较器U2第二同相输入端连接,电阻R33另一端接地。
电路输入端与电阻R24一端及电阻R25一端连接,电阻R24另一端与三极管Q10基极及稳压管DZ2负极连接,电阻R25另一端与三极管Q10集电极连接,三极管Q10发射极与电阻R26一端连接,电阻R26另一端与稳压管DZ2正极连接,稳压管DZ2正极接地,电阻R26两端并联电容C12。比较器U2正极电源端与电阻R29一端及三极管Q10发射极连接,电阻R29另一端与电阻R30一端、比较器U2第一同相输入端、比较器U2第二反相输入端及触发器U3的的1D(引脚2)、(引脚4)、VCC(引脚14)、2D(引脚12)和(引脚10)连接,电阻R30另一端与电阻R31一端连接,电阻R31另一端接地,基准源U1负极与比较器U2第一同相输入端连接,基准源U1正极与电阻R30另一端连接并接地。
比较器U2第一输出端与电阻R36一端连接,电阻R36另一端与触发器U3的1CLK(引脚3)连接,电阻R36另一端还与稳压管DZ4负极、电容C14一端及电阻R37一端连接,稳压管DZ4正极、电容C14另一端及电阻R37另一端均接地。比较器U2第二输出端与电阻R34一端连接,电阻R34另一端与触发器U3的2CLK(引脚11)连接,电阻R34另一端还与稳压管DZ3负极、电容C13一端及电阻R35一端连接,稳压管DZ4正极、电容C13另一端及电阻R35另一端均接地。
触发器U3的(引脚1)与电阻R40一端、电容C16一端及电阻R41一端连接,电阻R40另一端、电容C16另一端均接地,电阻R41另一端为第一清零端。触发器U3的(引脚13)与电阻R38一端、电容C15一端及电阻R39一端连接,电阻R38另一端、电容C15另一端均接地,电阻R39另一端为第二清零端。
电阻R1的另一端与肖特基二极管D4正极及肖特基二极管D5正极连接,肖特基二极管D4负极与触发器U3的(引脚8)连接,触发器U3引脚8还与电阻R45一端连接,电阻R45另一端接地。肖特基二极管D5负极与触发器U3引脚6连接,触发器U3的(引脚6)还与电阻R43一端连接,电阻R43另一端接地。触发器U3的1Q(引脚5)与电阻R42一端连接,电阻R42另一端为第一状态端,触发器U3的2Q(引脚8)与电阻R44连接,电阻R44另一端为第二状态端。
图3中的欠压保护电路,是当系统母线电压低于设定的额定值(以80V为例)时,比较器U2的第一反相输入端(引脚2)电压低于其第一同相输入端(引脚3)参考电压(5V),比较器U2输出高电平,并使触发器U3翻转,触发器U3的第一状态端(限流状态信号,引脚5)输出高电平,触发器U3的端(引脚6)输出低电平,通过肖特基二极管D5将开关部分三极管Q3的基极电压拉低,三极管Q3截止,从而使场效应管M1(MOSFET)的栅-源电压差远大于阈值电压(对于P型MOSFET,其阈值电压小于0,栅-源电压差小于阈值电压时导通),MOSFET关断,电路断开。
图3中的过压保护电路,是当系统母线电压高于设定的额定值(以120V为例)时,比较器U2的同相输入端(5引脚)电压高于其反相输入端(6引脚)参考电压(5V),比较器U2输出高电平,并使触发器U3翻转,触发器U3的第二状态端(限流状态信号,引脚9)输出高电平,触发器U3的端(引脚8)输出低电平,通过二极管D4将开关部分三极管Q3的基极电压拉低,Q3截止,从而使MOSFET的栅-源电压差大于阈值电压,MOSFET关断,电路断开。
图3中的比较器U2和触发器U3均为双路,欠压保护和过压保护电路各使用一路。当欠压或过压状态发生时,触发器U3翻转,电路断开;即使触发器U3的CLK端(引脚3、引脚11)信号恢复到低电平,触发器U3的输出状态锁定不变,电路因此被锁定为断开状态。只有电路控制端信号置零,触发器U3清零端置“0”再置“1”,控制端信号重新施加信号电平,电路才能正常工作。
本发明采用厚膜混合集成电路设计技术,研制并使用抗辐照集成芯片,对限流开关电路进行小型化集成;具有限流及短路保护功能,且当限流或短路状态消失时,电路自动恢复到工作状态,无需再次触发;电路关断时间可调,适用于延迟关断的场合;具有限制电流过冲的功能;设计了欠压、过压保护及开关状态检测线路。
Claims (9)
1.一种抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,包括限流电路和计时关断电路;电路输入端与电容C1一端、电容C2一端和稳压管DZ1负极分别连接,电容C1另一端、电容C2另一端和稳压管DZ1正极依次与电阻R3和电阻R4连接,电阻R4另一端与三极管Q3集电极连接,三极管Q3基极与电阻R1一端和电阻R2一端分别连接,电阻R1另一端与控制端连接,电阻R2另一端及三极管Q3发射极均接地;
限流电路包括电阻R5和三极管Q1,电路输入端与电阻R5一端及三极管Q1发射极连接,电阻R5另一端与电感L1一端连接,电感L1另一端与电阻R9一端、三极管Q2发射极及场效应管M1源极连接,电阻R9另一端通过电容C3与电阻R10一端及场效应管M1栅极连接;三极管Q1集电极与电阻R6一端及场效应管M1栅极连接,电阻R6另一端与电阻R3一端连接;三极管Q1基极与电阻R7一端及三极管Q2集电极连接,三极管Q2基极与发射极之间并联二极管D2;三极管Q1基极与发射极之间并联二极管D1;电阻R7另一端与电阻R8一端连接,电阻R8另一端与电阻R3一端连接;
计时关断电路包括电阻R17和三极管Q8:电阻R10另一端与电阻R17一端和三极管Q8发射极分别连接,三极管Q8发射极与基极之间并联电容C4和电阻R13,且三极管Q8基极与电阻R14一端连接,电阻R14另一端为输出端;三极管Q8集电极通过电阻R12与三极管Q4集电极连接,三极管Q4发射极与电阻R11一端连接,电阻R11另一端与电阻R3一端连接,电阻R11两端并联电容C5和电容C6;电阻R17另一端与电阻R18一端、电阻R15一端和三极管Q7发射极连接,电阻R18两端并联电容C10,电阻R18另一端与三极管Q6集电极及三极管Q7基极连接,三极管Q6基极与三极管Q7集电极连接,三极管Q6发射极与电阻R3一端连接,三极管Q7集电极还与电阻R19一端连接,电阻R19另一端与电阻R3一端连接,电阻R19两端并联电容C11;电阻R15另一端与电阻R16一端连接,电阻R16另一端与电阻R3一端连接;三极管Q4基极与集电极之间短路连接,且三极管Q4基极与三极管Q5基极连接,三极管Q5集电极与三极管Q7基极连接,三极管Q5发射极与电阻R16一端连接,电阻R16两端并联电容C7。
2.根据权利要求1所述的抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,还包括开关状态监测电路,开关状态监测电路包括电阻R21和三极管Q9;场效应管M1漏极与电阻R14输出端连接,电阻R14输出端与电路输出端及电阻R21一端连接,电阻R21另一端与电阻R22一端及三极管Q9基极连接,电阻R22另一端与电阻R23一端连接并接地,电阻R23另一端分两路,一路为监测端,另一路与三极管Q9发射极连接,三极管Q9集电极与电路输出端连接。
3.根据权利要求2所述的抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,开关状态监测电路还包括电阻20、电容C9和D3;二极管电阻R14输出端与电阻R20一端连接,电阻R20另一端与电容C9一端连接,电容C9另一端与二极管D3正极连接并接地,二极管D3负极与电路输出端连接。
4.根据权利要求1所述的抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,还包括电压保护电路,电路保护电路包括电阻R27和电阻R32;电路输入端与电阻R27一端及电阻R32一端连接,电阻R27另一端与电阻R28一端及比较器U2第一反相输入端连接,电阻R28另一端接地;电阻R32另一端与电阻R33一端及比较器U2第二同相输入端连接,电阻R33另一端接地;
电路输入端与电阻R24一端及电阻R25一端连接,电阻R24另一端与三极管Q10基极及稳压管DZ2负极连接,电阻R25另一端与三极管Q10集电极连接,三极管Q10发射极与电阻R26一端连接,电阻R26另一端与稳压管DZ2正极连接,稳压管DZ2正极接地,电阻R26两端并联电容C12;比较器U2正极电源端与电阻R29一端及三极管Q10发射极连接,电阻R29另一端与电阻R30一端、比较器U2第一同相输入端、比较器U2第二反相输入端及触发器U3的1D、VCC、2D和连接,电阻R30另一端与电阻R31一端连接,电阻R31另一端接地,基准源U1负极与比较器U2第一同相输入端连接,基准源U1正极与电阻R30另一端连接并接地;
比较器U2第一输出端与电阻R36一端连接,电阻R36另一端触发器U3的1CLK连接;比较器U2第二输出端与电阻R34一端连接,电阻R34另一端与触发器U3的2CLK连接;
触发器U3的与电阻R40一端、电容C16一端及电阻R41一端连接,电阻R40另一端、电容C16另一端均接地,电阻R41另一端为第一清零端;触发器U3的与电阻R38一端、电容C15一端及电阻R39一端连接,电阻R38另一端、电容C15另一端均接地,电阻R39另一端为第二清零端;
5.根据权利要求4所述的抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,电阻R36另一端还与稳压管DZ4负极、电容C14一端及电阻R37一端连接,稳压管DZ4正极、电容C14另一端及电阻R37另一端均接地。
6.根据权利要求4所述的抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,电阻R34另一端还与稳压管DZ3负极、电容C13一端及电阻R35一端连接,稳压管DZ4正极、电容C13另一端及电阻R35另一端均接地。
8.根据权利要求1所述的抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,二极管D2负极与三极管Q2发射极连接,二极管D2正极与三极管Q2基极连接。
9.根据权利要求1所述的抗辐照配电限流开关电路,其特征在于,二极管D1负极与三极管Q1发射极连接,二极管D1正极与三极管Q1基极连接。
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