CN106602501A - 限流保护电路 - Google Patents

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    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
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Abstract

本发明提供了一种限流保护电路,包括电流采样放大电路、限流电路,所述电流采样放大电路包括电阻R31、电阻R32、三极管V32、电阻R33、三极管V31B、电容C11、三极管V31A、稳压管V33、电阻R7*、电容C12、电阻R35、电阻R36。本发明的有益效果是本发明的限流保护电路采用MOSFET作为保护开关控制设备输入端母线的开启与关断,在发生过流甚至短路故障时,MOSFET会立即关断,过流保护反应时间为μs级,可有效保护负载设备,待负载设备正常后,限流保护电路可加开机指令重新工作,是一种可恢复的过流和短路保护产品。

Description

限流保护电路
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及限流保护电路。
背景技术
国内航天器负载设备输入端目前均采用传统的熔断器或继电器+熔断器的过流保护模式,此方式存在着母线不可恢复以及对供电母线保护不及时进而容易造成母线瞬间“掉电”的缺点。
发明内容
为了解决现有技术中的问题,本发明提供了一种限流保护电路。
本发明提供了一种限流保护电路,包括电流采样放大电路、限流电路,所述电流采样放大电路包括电阻R31、电阻R32、三极管V32、电阻R33、三极管V31B、电容C11、三极管V31A、稳压管V33、电阻R7*、电容C12、电阻R35、电阻R36,电阻R31一端与母线输入端Vbus_in相连,电阻R31另一端与所述限流电路相连,电阻R32一端与母线输入端Vbus_in相连,电阻R32另一端与三极管V32发射极相连,电阻R33一端与所述限流电路相连,电阻R33另一端与三极管V31B发射极相连,电容C11一端与三极管V31A发射极相连,电容C11另一端与三极管V31B发射极相连,三极管V31A基极与三极管V31B基极相连,三极管V31A集电极与三极管V31A基极相连,三极管V31B集电极与三极管V32基极相连,三极管V32集电极与稳压管V33阴极相连,稳压管V33阳极与GND相连,电阻R7*及电容C12与稳压管V33并联,电阻R35一端与三极管V31A集电极相连,电阻R35另一端接地,电阻R36一端与三极管V31B集电极相连,电阻R36另一端接地。
作为本发明的进一步改进,该限流保护电路还包括开关机电路、驱动及功率电路,所述限流电路包括电阻R1、稳压管V8、电阻R6、三极管V1A、电阻R4、三极管V4、电容C2、三极管V1B、电阻R9、电阻R7、电阻R8、电阻R5、电阻R2*、电阻R3*,电阻R1一端与稳压管V8阳极相连,电阻R1另一端与开关机电路相连,电阻R6一端与稳压管V8阴极相连,电阻R6另一端与三极管V1A发射极相连,电阻R4一端与三极管V4发射极相连,电阻R4另一端与稳压管V8阴极相连,电容C2一端与三极管V1A发射极相连,电容C2另一端与三极管V1B发射极相连,三极管V1A基极与三极管V1B基极相连,三极管V1A集电极与三极管V1A基极相连,电阻R9一端与三极管V1B集电极相连,电阻R9另一端与三极管V4基极相连,电阻R7及电阻R8与稳压管V8阳极相连,电阻R7另一端与三极管V1A集电极相连,电阻R8另一端与三极管V1B集电极相连,电阻R5一端与三极管V4发射极相连,电阻R5另一端与电阻R2*一端相连,电阻R2*另一端与三极管V1B发射极相连,电阻R3*与电阻R2*并联,三极管V4集电极与所述驱动及功率电路相连。
作为本发明的进一步改进,该限流保护电路还包括延时电路,所述驱动及功率电路包括电阻R10、稳压管V9、电容C4*、电阻R11*、电容C3*、三极管V5、电阻R12、电感L4、MOS管V16、电阻R4*、MOS管V17、电阻R6*,电阻R10一端与三极管V4发射极相连,电阻R10另一端与稳压管V9阳极相连,电容C4*与电阻R10并联,电阻R11*一端与三极管V4发射极相连,电阻R11*另一端与电容C3*一端相连,电容C3*另一端与稳压管V9阳极相连,三极管V5发射极与三极管V4发射极相连,三极管V5基极与稳压管V9阴极相连,三极管V5集电极与延时电路相连,电阻R12一端与三极管V4发射极相连,电阻R12另一端与三极管V5基极相连,电感L4一端与三极管V4发射极相连,电感L4另一端与MOS管V16源极相连,电阻R4*一端与MOS管V16门极相连,电阻R4*另一端与稳压管V9阳极相连,MOS管V16的漏极与输出端Vbus_out相连,MOS管V17源极与MOS管V16源极相连,MOS管V17漏极与MOS管V16漏极相连,MOS管V17门极与电阻R6*一端相连,电阻R6*另一端与稳压管V9阳极相连。
作为本发明的进一步改进,该限流保护电路还包括二极管V18、二极管V15、电阻R26、电阻R27,二极管V18阴极与输出端Vbus_out相连,二极管V18阳极与二极管V15阴极相连,二极管V15阳极接地,电阻R26一端与二极管V18阴极相连,电阻R26另一端与电压遥测端TM-U相连,电阻R27一端与电压遥测端TM-U相连,电阻R27另一端接地。
作为本发明的进一步改进,该限流保护电路还包括二极管V13、电阻R15,所述延时电路包括电阻R14、三极管V6、二极管V11、二极管V12、电阻R1*、电阻R5*、电容C1*、电容C2*、二极管V12、二极管V14、电阻R13、电阻R18,电阻R14一端与三极管V4发射极相连,电阻R14另一端与三极管V6发射极相连,三极管V6基极与二极管V11阳极相连,三极管V6集电极与二极管V13阳极相连,二极管V11阴极与二极管V12阳极相连,电阻R1*一端与三极管V4发射极相连,电阻R1*另一端与电阻R5*一端相连,电阻R5*另一端与二极管V11阴极相连,电容C1*一端与三极管V4发射极相连,电容C1*另一端与二极管V11阴极相连,电容C2*与电容C1*并联,电阻R15一端与三极管V6发射极相连,电阻R15另一端接地,二极管V12阴极与二极管V14阳极相连,二极管V14阴极与电阻R13一端相连,电阻R13另一端与电阻R18的一端相连,电阻R18另一端与开关机电路相连。
作为本发明的进一步改进,该限流保护电路还包括电阻R29,所述开关机电路包括三极管V3、电阻R25、电阻R24、电阻R20、电阻R19、二极管V19、三极管V21、三极管V2、电阻R23、电容C7、电阻R22、电容C8、电容C6,三极管V3集电极与电阻R18另一端相连,三极管V3发射极接地,三极管V3集电极与电阻R25一端相连,电阻R25另一端与电阻R24一端相连,电阻R24另一端与三极管V4集电极相连,三极管V3基极与电阻R20一端相连,电阻R20另一端接地,电阻R19一端与三极管V3基极相连,电阻R19另一端与二极管V19阴极相连,二极管V19阳极与三极管V21发射极相连,三极管V21基极与三极管V2集电极相连,三极管V21集电极与三极管V2基极相连,三极管V2发射极接地,电阻R23一端与三极管V2基极相连,电阻R23另一端接地,电容C7与电阻R23并联,电阻R22一端与三极管V21发射极相连,电阻R22另一端与三极管V21基极相连,电容C8与电阻R22并联,电容C5一端与二极管V19阳极相连,电容C5另一端与电容C6一端相连,电容C6另一端接地,电阻R29一端与指令接口TC-ON1相连,电阻R29另一端与二极管V19阳极相连。
作为本发明的进一步改进,所述电阻R31另一端与所述稳压管V8阴极相连,所述电阻R33一端与所述稳压管V8阴极相连。
作为本发明的进一步改进,所述开关机电路还包括电阻R2,电阻R1另一端与电阻R2的一端相连,电阻R2另一端接地。
作为本发明的进一步改进,所述三极管V4集电极与所述稳压管V9阳极相连。
作为本发明的进一步改进,所述三极管V5集电极与二极管V14阴极相连。
本发明的有益效果是:本发明的限流保护电路采用MOSFET作为保护开关控制设备输入端母线的开启与关断,在发生过流甚至短路故障时,MOSFET会立即关断,过流保护反应时间为μs级,可有效保护负载设备,待负载设备正常后,限流保护电路可加开机指令重新工作,是一种可恢复的过流和短路保护产品。
附图说明
图1是本发明的电路图的第一部分。
图2是本发明的电路图的第二部分。
图3是本发明的电路图的第三部分。
图4是本发明的电路图的第四部分。
图5是本发明的电路图的第五部分。
图6是第一个实际测试波图。
图7是第二个实际测试波图。
具体实施方式
如图1-5所示,本发明公开了一种限流保护电路,包括电流采样放大电路、限流电路,所述电流采样放大电路包括电阻R31、电阻R32、三极管V32、电阻R33、三极管V31B、电容C11、三极管V31A、稳压管V33、电阻R7*、电容C12、电阻R35、电阻R36,电阻R31一端与母线输入端Vbus_in相连,电阻R31另一端与所述限流电路相连,电阻R32一端与母线输入端Vbus_in相连,电阻R32另一端与三极管V32发射极相连,电阻R33一端与所述限流电路相连,电阻R33另一端与三极管V31B发射极相连,电容C11一端与三极管V31A发射极相连,电容C11另一端与三极管V31B发射极相连,三极管V31A基极与三极管V31B基极相连,三极管V31A集电极与三极管V31A基极相连,三极管V31B集电极与三极管V32基极相连,三极管V32集电极与稳压管V33阴极相连,稳压管V33阳极与GND相连,电阻R7*及电容C12与稳压管V33并联,电阻R35一端与三极管V31A集电极相连,电阻R35另一端接地,电阻R36一端与三极管V31B集电极相连,电阻R36另一端接地。
因本发明的电路图较大,所以将本发明的电路图切分为图1-5的五部分,其中各个图中均有连接点,例如图1中的A1连接点与图2中的A1连接点进行连接。
该限流保护电路还包括开关机电路、驱动及功率电路,所述限流电路包括电阻R1、稳压管V8、电阻R6、三极管V1A、电阻R4、三极管V4、电容C2、三极管V1B、电阻R9、电阻R7、电阻R8、电阻R5、电阻R2*、电阻R3*,电阻R1一端与稳压管V8阳极相连,电阻R1另一端与开关机电路相连,电阻R6一端与稳压管V8阴极相连,电阻R6另一端与三极管V1A发射极相连,电阻R4一端与三极管V4发射极相连,电阻R4另一端与稳压管V8阴极相连,电容C2一端与三极管V1A发射极相连,电容C2另一端与三极管V1B发射极相连,三极管V1A基极与三极管V1B基极相连,三极管V1A集电极与三极管V1A基极相连,电阻R9一端与三极管V1B集电极相连,电阻R9另一端与三极管V4基极相连,电阻R7及电阻R8与稳压管V8阳极相连,电阻R7另一端与三极管V1A集电极相连,电阻R8另一端与三极管V1B集电极相连,电阻R5一端与三极管V4发射极相连,电阻R5另一端与电阻R2*一端相连,电阻R2*另一端与三极管V1B发射极相连,电阻R3*与电阻R2*并联,三极管V4集电极与所述驱动及功率电路相连。
该限流保护电路还包括延时电路,所述驱动及功率电路包括电阻R10、稳压管V9、电容C4*、电阻R11*、电容C3*、三极管V5、电阻R12、电感L4、MOS管V16、电阻R4*、MOS管V17、电阻R6*,电阻R10一端与三极管V4发射极相连,电阻R10另一端与稳压管V9阳极相连,电容C4*与电阻R10并联,电阻R11*一端与三极管V4发射极相连,电阻R11*另一端与电容C3*一端相连,电容C3*另一端与稳压管V9阳极相连,三极管V5发射极与三极管V4发射极相连,三极管V5基极与稳压管V9阴极相连,三极管V5集电极与延时电路相连,电阻R12一端与三极管V4发射极相连,电阻R12另一端与三极管V5基极相连,电感L4一端与三极管V4发射极相连,电感L4另一端与MOS管V16源极相连,电阻R4*一端与MOS管V16门极相连,电阻R4*另一端与稳压管V9阳极相连,MOS管V16的漏极与输出端Vbus_out相连,MOS管V17源极与MOS管V16源极相连,MOS管V17漏极与MOS管V16漏极相连,MOS管V17门极与电阻R6*一端相连,电阻R6*另一端与稳压管V9阳极相连。
该限流保护电路还包括二极管V18、二极管V15、电阻R26、电阻R27,二极管V18阴极与输出端Vbus_out相连,二极管V18阳极与二极管V15阴极相连,二极管V15阳极接地,电阻R26一端与二极管V18阴极相连,电阻R26另一端与电压遥测端TM-U相连,电阻R27一端与电压遥测端TM-U相连,电阻R27另一端接地。
该限流保护电路还包括二极管V13、电阻R15,所述延时电路包括电阻R14、三极管V6、二极管V11、二极管V12、电阻R1*、电阻R5*、电容C1*、电容C2*、二极管V12、二极管V14、电阻R13、电阻R18,电阻R14一端与三极管V4发射极相连,电阻R14另一端与三极管V6发射极相连,三极管V6基极与二极管V11阳极相连,三极管V6集电极与二极管V13阳极相连,二极管V11阴极与二极管V12阳极相连,电阻R1*一端与三极管V4发射极相连,电阻R1*另一端与电阻R5*一端相连,电阻R5*另一端与二极管V11阴极相连,电容C1*一端与三极管V4发射极相连,电容C1*另一端与二极管V11阴极相连,电容C2*与电容C1*并联,电阻R15一端与三极管V6发射极相连,电阻R15另一端接地,二极管V12阴极与二极管V14阳极相连,二极管V14阴极与电阻R13一端相连,电阻R13另一端与电阻R18的一端相连,电阻R18另一端与开关机电路相连。
该限流保护电路还包括电阻R29,所述开关机电路包括三极管V3、电阻R25、电阻R24、电阻R20、电阻R19、二极管V19、三极管V21、三极管V2、电阻R23、电容C7、电阻R22、电容C8、电容C6,三极管V3集电极与电阻R18另一端相连,三极管V3发射极接地,三极管V3集电极与电阻R25一端相连,电阻R25另一端与电阻R24一端相连,电阻R24另一端与三极管V4集电极相连,三极管V3基极与电阻R20一端相连,电阻R20另一端接地,电阻R19一端与三极管V3基极相连,电阻R19另一端与二极管V19阴极相连,二极管V19阳极与三极管V21发射极相连,三极管V21基极与三极管V2集电极相连,三极管V21集电极与三极管V2基极相连,三极管V2发射极接地,电阻R23一端与三极管V2基极相连,电阻R23另一端接地,电容C7与电阻R23并联,电阻R22一端与三极管V21发射极相连,电阻R22另一端与三极管V21基极相连,电容C8与电阻R22并联,电容C5一端与二极管V19阳极相连,电容C5另一端与电容C6一端相连,电容C6另一端接地,电阻R29一端与指令接口TC-ON1相连,电阻R29另一端与二极管V19阳极相连。
所述电阻R31另一端与所述稳压管V8阴极相连,所述电阻R33一端与所述稳压管V8阴极相连;所述开关机电路还包括电阻R2,电阻R1另一端与电阻R2的一端相连,电阻R2另一端接地;所述三极管V4集电极与所述稳压管V9阳极相连,所述三极管V5集电极与二极管V14阴极相连。
本发明的限流保护电路适于航天用100V限流保护电路,原理说明如下:
当有开机指令TC-ON1(电平指令)时,三极管V3导通,稳压管V9开始工作,使MOS管V16、V17的门源电压达到11V左右,MOS管导通,限流保护电路开始正常导通工作;当开机指令消失时,三极管V3截止,使MOS 管V16、V17的门源电压变为0V,MOS管关断,限流保护电路关断。
在限流保护电路工作时,当其输入电流超过设置的限流值时,电流在R4上的压降将使PNP三极管V4处于放大状态,使得V4的集电极有电流,导致MOS管V16、V17门源极电压降低,并使稳压管V9不再稳压,到达限流的目的,此时三极管V5由饱和导通变为截至状态,二极管V14阴极端电压由近似母线电压变为一个很低的值,由于电容两端的电压不能突变,电容C1*、C2*要通过R13、R18充电,当经过一定时间的充电以后,三极管V6的集电极与二极管V11的阴极间电压大于1.4V时,V6开始由截至状态向饱和导通过渡,此时R14与R15分压后的信号送到由三极管V2及V21组成的锁定电路中使开机指令后端电压钳位在0.9V左右从而三极管V3截止发出关机指令关断三极管V3,使得V16、V17的门源极电压为0,V16、V17关断,达到限流保护并关断的功能。
序号 引出点标记 引出点定义
1 Vbus_in 母线输入
2 Vbus_out 限流保护电路输出
3 GND 母线回线
4 TC-ON1 开机指令
5 TM-U 限流保护电路输出电压遥测
6 TM-I 母线电流遥测
本发明的限流保护电路主要有电压遥测和电流采样放大电路、限流电路、延时电路、开关机电路、驱动电路及功率电路等六部分组成。
1.电压遥测和电流采样放大电路
电压遥测采用在限流电路输出端对地串电阻分压来完成的,如图1中所示电阻R26和R27分压。
如图1中的电流采样放大电路,其主要功能是把母线上的电流通过R7*上端的电流采样输出端电压来反映出来。图1中R31为采样电阻,V31为高增益的对管,R32=R33,R35=R36,R7*上端为电流采样输出端,设R31两端采样电压为U1,R7*上采样输出电压为U2,则:
R7*/R32为该电路的采样放大倍数,可以固定R32阻值改变R7*阻值的大小来调节放大倍数。稳压管V33的作用是保护电流采样电压不会超过后端采样芯片的采样电压范围,保护采样芯片。
2.限流电路
如图1中的限流电路,当后端负载发生过流及短路故障时,会使镜像电流源右臂上的R8上端电压下降,从而使三极管V4进入线性区,导致功率电路的MOSFET门源间电压变小,迫使其工作在线性区,利用MOSFET工作在线性区较大的导通电阻Ron来降低流过MOSFET的电流,电流变小后,则采样电阻上的电压变小,从而形成一个负反馈,使电流恒定在一个特定值上,达到限流的目的。
限流值的计算公式如下:
I左:镜像电流源左臂电流;
I右:镜像电流源右臂电流;
Isense:限流值;
VZ:稳压管V8的稳压值;
I×(R7+R6)=R4×Isense+I×((R5 *+R2 *//R3 *)+R8)
因为R7=R8
所以
由上式可得如果确定R5*、R2*、R3*、R6的值就可以计算出限流值Isense的大小。
3.延时电路
如图1中的延时电路,当后端负载发生过流及短路情况时,电容C1*、C2*要通过R13和R18充电,当经过一定时间的充电以后,三极管V6的集电极与二极管V11的阴极间电压大于1.4V时,V6开始由截至状态向饱和导通过渡,此时R14与R15分压后的信号送到开关机电路中,发出关机指令关断三极管V3。
限流时间的计算公式如下:
Ut:充电电压
Us:母线电压
根据上式可以计算出延时关断的时间即限流时间。
4.开关机电路
如图1中的开关机电路,开机指令为一电平量。当有开机指令时,三极管V3导通,限流保护电路开始工作;当开机指令消失时,三极管V3截止,限流保护电路关断。当后端负载发生过流及短路故障时,从延时关机电路V13端来一个高电平,经过由三极管V2及V21组成的锁定电路使开机指令后端电压钳位在0.9V左右从而三极管V3截止,使限流保护电路关断。
5.驱动电路
如图1中的驱动电路,当开关机电路端输入端为高电平的时(发出开机指令),V3正常导通,MOSFET导通,限流保护电路正常工作;当开关机电路端输入端为低电平时(发出关机指令),V3截止,MOSFET关断。驱动电路中母线输入后端的阻容网络为输入浪涌电流抑制电路,其作用利用R-C网络延缓MOSFET进入饱和导通模式的时间,利用MOSFET工作在线性区较大的导通电阻Ron来降低输入浪涌电流值。
6.功率电路
限流保护电路在工作原理上相当于一个有过流关断作用的电子开关,其功率部分主要是MOSFET和采样电阻,电路简单。母线输出端两个串联二极管为续流二极管,是用来给感性负载提供限流保护电路关断时的续流通道。
图6和图7是实际测试波形。(限流值为3A左右,延时时间为5.6ms)
在图6中,100V下负载50欧到20欧过流波形(channel1为输出电流波形,channel2为门极波形。限流值为2.96A)。
在图7中,100V下负载50欧到20欧过流波形展开(channel1为输出电流波形,channel2为门极波形。限流值为2.96A)。
本发明的限流保护电路是应用于100V母线的高压固态配电开关,采用MOSFET作为开关器件,是卫星电子设备可代替继电器+熔断器配电模式的部件。在后端负载发生过流甚至短路故障时,限流保护电路会把电流限制在一个特定的电流值上,延时一定时间后关断。过流保护反应时间在μs级,从而有效保护负载设备,待负载设备正常后,限流保护电路可通过开机指令重新工作。具有软启动、软关断功能,可有效消除容性负载启动时的浪涌电流及感性负载断电时产生的浪涌电压。
采用MOSFET作为开关管,控制母线与负载的通断,发生过流或短路故障时,通过反馈控制电路关断MOSFET,切断负载与母线,有效隔离故障,达到保护母线的目的。
传统继电器+熔断器的配电模式其存在着高压开关打火、母线不可恢复性、对供电母线保护不及时进而容易造成母线瞬间“掉电”等缺点,本发明的限流保护电路采用MOSFET作为保护开关控制设备输入端母线的开启与关断,在发生过流甚至短路故障时,MOSFET会立即关断,过流保护反应时间为μs级,可有效保护负载设备,待负载设备正常后,限流保护电路可加开机指令重新工作,是一种可恢复的过流和短路保护产品。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种限流保护电路,其特征在于:包括电流采样放大电路、限流电路,所述电流采样放大电路包括电阻R31、电阻R32、三极管V32、电阻R33、三极管V31B、电容C11、三极管V31A、稳压管V33、电阻R7*、电容C12、电阻R35、电阻R36,电阻R31一端与母线输入端Vbus_in相连,电阻R31另一端与所述限流电路相连,电阻R32一端与母线输入端Vbus_in相连,电阻R32另一端与三极管V32发射极相连,电阻R33一端与所述限流电路相连,电阻R33另一端与三极管V31B发射极相连,电容C11一端与三极管V31A发射极相连,电容C11另一端与三极管V31B发射极相连,三极管V31A基极与三极管V31B基极相连,三极管V31A集电极与三极管V31A基极相连,三极管V31B集电极与三极管V32基极相连,三极管V32集电极与稳压管V33阴极相连,稳压管V33阳极与GND相连,电阻R7*及电容C12与稳压管V33并联,电阻R35一端与三极管V31A集电极相连,电阻R35另一端接地,电阻R36一端与三极管V31B集电极相连,电阻R36另一端接地。
2.根据权利要求1所述的限流保护电路,其特征在于:该限流保护电路还包括开关机电路、驱动及功率电路,所述限流电路包括电阻R1、稳压管V8、电阻R6、三极管V1A、电阻R4、三极管V4、电容C2、三极管V1B、电阻R9、电阻R7、电阻R8、电阻R5、电阻R2*、电阻R3*,电阻R1一端与稳压管V8阳极相连,电阻R1另一端与开关机电路相连,电阻R6一端与稳压管V8阴极相连,电阻R6另一端与三极管V1A发射极相连,电阻R4一端与三极管V4发射极相连,电阻R4另一端与稳压管V8阴极相连,电容C2一端与三极管V1A发射极相连,电容C2另一端与三极管V1B发射极相连,三极管V1A基极与三极管V1B基极相连,三极管V1A集电极与三极管V1A基极相连,电阻R9一端与三极管V1B集电极相连,电阻R9另一端与三极管V4基极相连,电阻R7及电阻R8与稳压管V8阳极相连,电阻R7另一端与三极管V1A集电极相连,电阻R8另一端与三极管V1B集电极相连,电阻R5一端与三极管V4发射极相连,电阻R5另一端与电阻R2*一端相连,电阻R2*另一端与三极管V1B发射极相连,电阻R3*与电阻R2*并联,三极管V4集电极与所述驱动及功率电路相连。
3.根据权利要求2所述的限流保护电路,其特征在于:该限流保护电路还包括延时电路,所述驱动及功率电路包括电阻R10、稳压管V9、电容C4*、电阻R11*、电容C3*、三极管V5、电阻R12、电感L4、MOS管V16、电阻R4*、MOS管V17、电阻R6*,电阻R10一端与三极管V4发射极相连,电阻R10另一端与稳压管V9阳极相连,电容C4*与电阻R10并联,电阻R11*一端与三极管V4发射极相连,电阻R11*另一端与电容C3*一端相连,电容C3*另一端与稳压管V9阳极相连,三极管V5发射极与三极管V4发射极相连,三极管V5基极与稳压管V9阴极相连,三极管V5集电极与延时电路相连,电阻R12一端与三极管V4发射极相连,电阻R12另一端与三极管V5基极相连,电感L4一端与三极管V4发射极相连,电感L4另一端与MOS管V16源极相连,电阻R4*一端与MOS管V16门极相连,电阻R4*另一端与稳压管V9阳极相连,MOS管V16的漏极与输出端Vbus_out相连,MOS管V17源极与MOS管V16源极相连,MOS管V17漏极与MOS管V16漏极相连,MOS管V17门极与电阻R6*一端相连,电阻R6*另一端与稳压管V9阳极相连。
4.根据权利要求3所述的限流保护电路,其特征在于:该限流保护电路还包括二极管V18、二极管V15、电阻R26、电阻R27,二极管V18阴极与输出端Vbus_out相连,二极管V18阳极与二极管V15阴极相连,二极管V15阳极接地,电阻R26一端与二极管V18阴极相连,电阻R26另一端与电压遥测端TM-U相连,电阻R27一端与电压遥测端TM-U相连,电阻R27另一端接地。
5.根据权利要求3所述的限流保护电路,其特征在于:该限流保护电路还包括二极管V13、电阻R15,所述延时电路包括电阻R14、三极管V6、二极管V11、二极管V12、电阻R1*、电阻R5*、电容C1*、电容C2*、二极管V12、二极管V14、电阻R13、电阻R18,电阻R14一端与三极管V4发射极相连,电阻R14另一端与三极管V6发射极相连,三极管V6基极与二极管V11阳极相连,三极管V6集电极与二极管V13阳极相连,二极管V11阴极与二极管V12阳极相连,电阻R1*一端与三极管V4发射极相连,电阻R1*另一端与电阻R5*一端相连,电阻R5*另一端与二极管V11阴极相连,电容C1*一端与三极管V4发射极相连,电容C1*另一端与二极管V11阴极相连,电容C2*与电容C1*并联,电阻R15一端与三极管V6发射极相连,电阻R15另一端接地,二极管V12阴极与二极管V14阳极相连,二极管V14阴极与电阻R13一端相连,电阻R13另一端与电阻R18的一端相连,电阻R18另一端与开关机电路相连。
6.根据权利要求5所述的限流保护电路,其特征在于:该限流保护电路还包括电阻R29,所述开关机电路包括三极管V3、电阻R25、电阻R24、电阻R20、电阻R19、二极管V19、三极管V21、三极管V2、电阻R23、电容C7、电阻R22、电容C8、电容C6,三极管V3集电极与电阻R18另一端相连,三极管V3发射极接地,三极管V3集电极与电阻R25一端相连,电阻R25另一端与电阻R24一端相连,电阻R24另一端与三极管V4集电极相连,三极管V3基极与电阻R20一端相连,电阻R20另一端接地,电阻R19一端与三极管V3基极相连,电阻R19另一端与二极管V19阴极相连,二极管V19阳极与三极管V21发射极相连,三极管V21基极与三极管V2集电极相连,三极管V21集电极与三极管V2基极相连,三极管V2发射极接地,电阻R23一端与三极管V2基极相连,电阻R23另一端接地,电容C7与电阻R23并联,电阻R22一端与三极管V21发射极相连,电阻R22另一端与三极管V21基极相连,电容C8与电阻R22并联,电容C5一端与二极管V19阳极相连,电容C5另一端与电容C6一端相连,电容C6另一端接地,电阻R29一端与指令接口TC-ON1相连,电阻R29另一端与二极管V19阳极相连。
7.根据权利要求2所述的限流保护电路,其特征在于:所述电阻R31另一端与所述稳压管V8阴极相连,所述电阻R33一端与所述稳压管V8阴极相连。
8.根据权利要求6所述的限流保护电路,其特征在于:所述开关机电路还包括电阻R2,电阻R1另一端与电阻R2的一端相连,电阻R2另一端接地。
9.根据权利要求3所述的限流保护电路,其特征在于:所述三极管V4集电极与所述稳压管V9阳极相连。
10.根据权利要求5所述的限流保护电路,其特征在于:所述三极管V5集电极与二极管V14阴极相连。
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