CN111180343B - 智能卡的封装方法和封装装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种智能卡的封装方法和封装装置。其中，所述封装方法包括以下步骤：采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作；采用热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，以使得所述芯片和所述卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体；对所述芯片背向所述卡片的表面进行热压操作，以得到平整的智能卡的封装装置。本发明的技术方案能够降低智能卡的制作成本。

Description

智能卡的封装方法和封装装置
技术领域
本发明涉及智能卡的封装技术领域，特别涉及一种智能卡的封装方法和封装装置。
背景技术
目前，在智能卡的封装过程中，焊接封装时通常采用发热管传热给热焊头加热的方式对锡膏进行熔锡焊接封装。这重焊接封装方式往往存在以下问题：由于焊头需要接触锡膏，则需要经常清洁焊头以保持其干净，并且，焊头由于长期接触锡膏，容易发生氧化，需要经常更换，成本较高。同时采用加热管的方式进行加热，加热时产生的高温容易将加热管烧坏，需要定期更换，导致智能卡的制作成本较高。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种智能卡的封装方法和封装装置，旨在降低智能卡的制作成本。
为实现上述目的，本发明提出的智能卡的封装方法，包括以下步骤：
采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作；
采用热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，以使得所述芯片和所述卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体；
对所述芯片背向所述卡片的表面进行热压操作，以得到平整的智能卡的封装装置。
可选地，在采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作的步骤中，包括：
采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作，控制操作电压范围为2V至5V，操作时间范围为0.2s至0.8s。
可选地，在对所述芯片背向所述卡片的表面进行热压操作的步骤之前，还包括：
采用激光对位于芯片表面的锡膏进行熔锡操作。
可选地，在采用激光对位于芯片表面的锡膏进行熔锡操作的步骤中，包括：
采用激光对位于芯片表面的锡膏进行熔锡操作，控制操作电压范围为2V至5V，操作时间范围为0.2s至0.8s。
可选地，在采用热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接的步骤之前，还包括：
将涂有热熔胶的芯片预焊在卡片设有锡膏的表面。
可选地，在采用热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，以使得所述芯片和所述卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体的步骤中，包括：
采用多次热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，以使得所述芯片和所述卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体。
可选地，在采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作的步骤之前，还包括：
采用点锡膏装置对卡片的表面进行点锡膏操作；
和/或，在对所述芯片背向所述卡片的表面进行热压操作，以得到平整的智能卡的封装装置的步骤之后，还包括：
对所述封装装置进行冷压操作。
本发明还提出了一种智能卡的封装装置，应用于如前所述的智能卡的封装方法，所述封装装置包括：工作台，所述工作台依次设有熔焊工位、第一热压工位及第二热压工位；激光器，所述激光器设于所述熔焊工位；第一热压机构，所述第一热压机构设于所述第一热压工位；以及第二热压机构，所述第二热压机构设于所述第二热压工位。
可选地，所述熔焊工位还设置有废气吸收设备，用以吸收熔锡过程中产生的废气；和/或，所述熔焊工位还设置有预焊设备，用以将涂有热熔胶的芯片预焊在卡片设有锡膏的表面。
可选地，所述第一热压机构设置有多个，多个所述热压结构沿智能卡的封装流动方向依次设置于所述第一热压工位；和/或，所述第一热压工位和所述第二热压工位之间还设置有二次熔焊工位，所述二次熔焊工位设置有激光器和焊接设备。
本发明的技术方案，通过采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作，并采用热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，以使得芯片和卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体；之后对芯片背向卡片的表面进行热压操作，便可得到较为平整的智能卡封装装置，该操作简单。并且，由于在熔锡操作时激光器与锡膏是非接触的，则不会对激光器造成影响，不需要经常或更换清洁激光器，节省了智能卡的制作成本。同时，激光频率额定，使用寿命较长，且不易受到外部因素影响，制作得到的智能卡合格率较高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明智能卡的封装方法一实施例的步骤流程示意图；
图2为本发明智能卡的封装方法另一实施例的步骤流程示意图；
图3为本发明智能卡的封装装置一实施例的结构示意图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
100 封装装置 50 废气吸收设备
10 工作台 60 预焊设备
20 激光器 70 焊接设备
30 第一热压机构 80 冷压设备
40 第二热压机构
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种智能卡的封装方法，用于制作智能卡，智能卡包括卡片和设于卡片表面的芯片。
请参阅图1，在本发明的一实施例中，智能卡的封装方法包括以下步骤：
步骤S10，采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作；
步骤S20，采用热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，以使得所述芯片和所述卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体；
步骤S30，对所述芯片背向所述卡片的表面进行热压操作，以得到平整的智能卡的封装装置100。
具体地，首先将激光器20发出的激光照射在点在卡片表面的锡膏，这样激光瞬间产生的能量可以将锡膏进行熔化，以便于后续焊接操作。然后将热熔胶涂布在芯片的表面，这个操作可以与前面熔锡操作同时进行。随后将芯片涂布热熔胶的表面朝向卡片熔锡的表面，并采用热压操作将二者压合在一起，这样芯片和卡片之间便可通过热熔胶和锡膏连接为一体。之后对芯片背向卡片的表面进行热压操作，便可得到较为平整的封装装置100，即为智能卡的封装装置100。这里采用激光瞬间产生的能量对锡膏进行熔锡操作，操作简单，且由于激光器20与锡膏是非接触的，则不会对激光器20造成影响，不需要经常或更换清洁激光器20，节省智能卡的制作成本，同时激光频率额定，不易受到外部因素影响，制作得到的智能卡合格率较高。
需要说明的是，这里芯片为单个芯片，涂布热熔胶的芯片一般是通过冲胶、焊胶及冲芯片完成的，即首先利用模具将整条料带的热熔胶冲切掉不需要的部分，然后将冲切后的热熔胶加热焊在条带芯片上，之后将整条芯片用模具冲切出单个芯片，便可得到涂布热熔胶的芯片。
因此，可以理解的，本发明的技术方案，通过采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作，并采用热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，以使得芯片和卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体；之后对芯片背向卡片的表面进行热压操作，便可得到较为平整的智能卡封装装置100，该操作简单。并且，由于在熔锡操作时激光器20与锡膏是非接触的，则不会对激光器20造成影响，不需要经常或更换清洁激光器20，节省了智能卡的制作成本。同时，激光频率额定，使用寿命较长，且不易受到外部因素影响，制作得到的智能卡合格率较高。
可选地，在步骤S10中，控制操作电压范围为2V至5V，操作时间范围为0.2s至0.8s。
为了保证激光熔锡操作更加有效且稳定，一般要控制激光器20的操作电压为2V、3V、4V或5V，控制操作时间为0.2s、0.4s、0.6s或0.8s。
步骤S30之前，还包括：
步骤S21，采用激光对位于芯片表面的锡膏进行熔锡操作。
这里采用激光对位于芯片表面的锡膏进行熔锡操作，是为了使得锡膏熔化以增大与芯片的接触面积，进而加强与芯片的连接稳固性。具体操作为：将激光器20发射的激光对准芯片表面的锡膏，这样激光瞬间产生的能量可以对其锡膏进行熔化，以加强与芯片的连接稳固性。
可选地，步骤S21中，控制操作电压范围为2V至5V，操作时间范围为0.2s至0.8s。为了保证激光熔锡操作更加有效，进而加强与芯片的连接稳固性，一般要控制激光器20的操作电压为2V、3V、4V或5V，控制操作时间为0.2s、0.4s、0.6s或0.8s。
请参阅图2，步骤S20之前，还包括：
步骤S11，将涂有热熔胶的芯片预焊在卡片设有锡膏的表面。
这里将芯片预焊在卡片上，是为了防止芯片在随卡片传送至热压工序的过程中掉落。
请参阅图2，步骤S20包括：
步骤S20a，采用多次热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，以使得所述芯片和所述卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体。
这里采用多次热压操作将芯片和卡片压合连接，可以加快热压过程，提高热压效率，同时，每次操作的时间较短，这样有效减小热压操作产生的高温对卡片和芯片的影响，从而保证最终得到的智能卡合格率较高。
进一步地，步骤S10之前，还包括：
步骤S01，采用点锡膏装置对卡片的表面进行点锡膏操作。
具体的，采用点锡膏装置在卡片的表面进行点锡膏操作，由于芯片一般为方形结构，这里锡膏位置一般设置有两处，分别对应于芯片的相对两侧，这样可以将芯片通过锡膏焊接与卡片的表面。
进一步地，步骤S30之后，还包括：
步骤S40，对所述封装装置100进行冷压操作。
在采用热压操作得到智能卡的封装装置100之后，对封装装置100进行冷压操作，便可得到冷却后的智能卡的封装装置100。
本发明还提出一种智能卡的封装装置100，应用于如前所述的智能卡的封装方法。
请参阅图3，封装装置100包括：工作台10，工作台10依次设有熔焊工位、第一热压工位及第二热压工位；激光器20，激光器20设于熔焊工位；第一热压机构30，第一热压机构30设于所述第一热压工位；以及第二热压机构40，第二热压机构40设于第二热压工位。
在需要对点锡膏后芯片进行封装时，将点锡后的芯片放置在工作台10的熔焊工位，打开激光器20，并将激光器20发出的激光对准芯片表面的锡膏，以对锡膏进行熔锡操作，然后将涂布有热熔胶的芯片放置在卡片熔锡的表面，并传送至第一热压工位，在第一热压工位处，采用第一热压机构30对芯片和卡片进行热压，以将芯片和卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体。之后将第一次热压后的卡片和芯片传送至第二热压工位，在第二热压工位时，采用第二热压机构40对芯片背向卡片的表面进行热压操作，便可得到较为平整的封装装置100。该封装装置结构设置简单且有效。
进一步地，熔焊工位还设置有废气吸收设备50，用以吸收熔锡过程中产生的废气。
由于锡膏中会含有助焊剂，助焊剂在高温下会挥发，产生废气，这里在熔焊工位设置废气吸收设备50，可以将助焊剂产生的废气吸收，以避免废气对环境造成影响。
进一步地，熔焊工位还设置有预焊设备60，用以将涂有热熔胶的芯片预焊在卡片设有锡膏的表面。
这里设置预焊设备60，可以将芯片预焊在卡片设有锡膏的表面，这样可以有效地防止芯片在随卡片传送至第一热压工位的过程中掉落。
进一步地，第一热压机构30设置有多个，多个热压结构沿智能卡的封装流动方向依次设置于第一热压工位。
多个第一热压机构30的设置，可以对芯片和卡片依次进行多次热压操作，这样可以加快热压过程，提高热压效率，同时，每次操作的时间较短，这样有效减小热压操作产生的高温对卡片和芯片的影响，从而保证最终得到的智能卡合格率较高。
进一步地，第一热压工位和第二热压工位之间还设置有二次熔焊工位，二次熔焊工位设置有激光器20和焊接设备70。
当热压后的芯片和卡片传送至二次熔焊工位时，将激光器20发出的激光对准芯片表面的锡膏，这样激光瞬间产生的能量可以对其锡膏进行熔化，以加强与芯片的连接稳固性。
可选地，在二次熔焊工位也设置有废气吸收设备50，以将锡膏熔焊过程中产生的废气吸收，以避免污染环境。
进一步地，第二热压工位之后还设置有冷压工位，封装装置100还包括冷压设备800，以对热压后的封装装置100进行冷压操作。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种智能卡的封装方法，用于制作智能卡，所述智能卡包括卡片和设于所述卡片表面的芯片，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤：
采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作；
将涂布有热熔胶的芯片放置在卡片熔锡的表面，并传送至第一热压工位，
采用热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，所述热压操作加热并融化热熔胶，以使得所述芯片和所述卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体；具体采用多次热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接，以使得所述芯片和所述卡片通过热熔胶和锡膏连接为一体；
对所述芯片背向所述卡片的表面进行热压操作，以得到平整的智能卡的封装装置；
在采用热压操作将涂有热熔胶的芯片与熔锡后的卡片进行压合连接的步骤之前，还包括：
将涂有热熔胶的芯片预焊在卡片设有锡膏的表面；
在对所述芯片背向所述卡片的表面进行热压操作，以得到平整的智能卡的封装装置的步骤之后，还包括：
对所述封装装置进行冷压操作。
2.如权利要求1所述的智能卡的封装方法，其特征在于，在采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作的步骤中，包括：
采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作，控制操作电压范围为2V至5V，操作时间范围为0.2s至0.8s。
3.如权利要求1所述的智能卡的封装方法，其特征在于，在对所述芯片背向所述卡片的表面进行热压操作的步骤之前，还包括：
采用激光对位于芯片表面的锡膏进行熔锡操作。
4.如权利要求3所述的智能卡的封装方法，其特征在于，在采用激光对位于芯片表面的锡膏进行熔锡操作的步骤中，包括：
采用激光对位于芯片表面的锡膏进行熔锡操作，控制操作电压范围为2V至5V，操作时间范围为0.2s至0.8s。
5.如权利要求1至4中任一项所述的智能卡的封装方法，其特征在于，在采用激光对点在卡片表面的锡膏进行熔锡操作的步骤之前，还包括：
采用点锡膏装置对卡片的表面进行点锡膏操作。
6.一种智能卡的封装装置，应用于如权利要求1 至 5 中任一项所述的智能卡的封装方法，其特征在于，所述封装装置包括：
工作台，所述工作台依次设有熔焊工位、第一热压工位及第二热压工位；
激光器，所述激光器设于所述熔焊工位；
多个第一热压机构，多个所述第一热压机构沿智能卡的封装流动方向依次设于所述第一热压工位；以及
第二热压机构，所述第二热压机构设于所述第二热压工位；
所述熔焊工位还设置有预焊设备，用以将涂有热熔胶的芯片预焊在卡片设有锡膏的表面；
所述第二热压工位之后还设置有冷压工位，所述封装装置还包括冷压设备，以对热压后的封装装置进行冷压操作。
7.如权利要求6 所述的智能卡的封装装置，其特征在于，所述熔焊工位还设置有废气吸收设备，用以吸收熔锡过程中产生的废气。
8.如权利要求6 所述的智能卡的封装装置，其特征在于，所述第一热压机构设置有多个，多个所述热压机构 沿智能卡的封装流动方向依次设置于所述第一热压工位；
和/或，所述第一热压工位和所述第二热压工位之间还设置有二次熔焊工位，所述二次熔焊工位设置有激光器和焊接设备。
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