CN111164514A - 检查装置的光学布置 - Google Patents

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Abstract

一种检查装置，包括光学系统，其被配置为向待测表面提供辐射的束并且从该表面接收重定向的辐射；以及检测系统，其被配置为测量重定向的辐射，其中光学系统包括用于处理辐射的光学元件，该光学元件包括被配置为产生辐射的减小的色偏的Mac Neille型多层偏振涂层。

Description

检查装置的光学布置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月28日提交的美国临时专利申请号62/565,021的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本说明书大体上涉及一种光学涂层和/或反射几何形状。
背景技术
制造设备(诸如半导体设备)通常包括：使用若干个制作过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成各种特征，经常形成设备的多个层。通常，使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理这样的层和/或特征。多个设备可以在衬底上的多个管芯上制作，然后分成各个设备。该设备制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程包括：在衬底上提供图案的图案传递步骤，诸如使用光刻装置的光学和/或纳米压印光刻；并且通常但可选地包括：一个或多个相关图案处理步骤，诸如通过显影装置进行抗蚀剂显影、使用烘烤工具烘烤衬底、通过蚀刻装置蚀刻图案等。进一步地，图案化过程中包括一个或多个计量过程。
光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常，施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在该实例中，图案化设备(其可替代地称为掩模或掩模版)可以用于生成要形成在IC的单个层上的图案。该图案可以传递到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上。图案通常经由成像传递到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般而言，单个衬底包含连续图案化的相邻目标部分的网络。
进一步地，在图案化过程期间的各个步骤处使用计量过程以监测和/或控制该过程。例如，计量过程用于测量衬底的一个或多个特性，诸如在图案化过程期间形成在衬底上的特征的相对位置(例如，配准、重叠、对齐等)或尺寸(例如，线宽，临界尺寸(CD)、厚度等)，使得例如可以根据一个或多个特性确定图案化过程的执行。如果一个或多个特性不可接受(例如，超出一个或多个特性的预先确定的范围)，则可以例如基于一个或多个特性的测量来设计或更改图案化过程的一个或多个变量，使得通过图案化过程制造的衬底具有一个或多个可接受的特性。通常，这些计量过程中的很多计量过程包括：提供入射到各种表面上的辐射。
计量的一个示例是对齐。作为图案化过程的一部分，不同的处理步骤可能需要要在衬底上依次形成不同的层。因而，可能需要相对于在其上形成的先前图案高精度地定位衬底。通常，对齐标记放置在要对齐的衬底上，并且相对于第二物体定位。可以使用例如光刻装置的对齐系统来检测对齐标记的位置(例如，X和Y位置)，并且使用对齐标记来对齐衬底，以帮助确保从图案化设备准确曝光。对齐系统通常具有自己的照射系统和检测系统。
计量的另一示例是水平感测。作为图案化过程的一部分，处理步骤可能需要在光刻装置的焦点处或附近的衬底上形成层。因而，可能需要相对于焦点高精确度地定位衬底和/或在衬底的特定水平附近高精确度地调整焦点。因此，可以提供水平传感器来确定衬底相对于投影系统的高度和/或方位。在实施例中，这通过以相对于衬底倾斜的角度投影一个或多个辐射束并且捕获重定向辐射来进行。所检测的重定向辐射可以用于确定衬底的高度(例如，Z方向上)和/或方位(例如，围绕X或Y的旋转)。然后，那些结果可以用于控制衬底相对于焦点的位置和/或调整相对于衬底的焦点。通常，水平传感器具有自身照射系统和检测系统。
发明内容
各种装置(诸如用于确定例如对齐、高度、重叠等的检查装置的照射系统)可以提供用于处理(例如，用于测量)的辐射波长的范围。如下文所进一步描述的，在使用第一波长的辐射与使用第二不同波长的辐射之间会发生色偏。因而，提供了用于提供使用各种不同波长的辐射的装置中的减小的色偏的一种或多种技术。
在实施例中，提供了一种检查装置，包括光学系统，其被配置为向待测表面提供辐射的束并且从该表面接收重定向的辐射；以及检测系统，其被配置为测量重定向的辐射，其中光学系统包括光学元件，其用于处理辐射，该光学元件包括MacNeille型多层偏振涂层，该MacNeille型多层偏振涂层被配置为产生辐射的减少的色偏。
在实施例中，提供了一种测量方法，该方法包括：向待测表面提供辐射的束，并且从该表面接收重定向的辐射，其中辐射使用光学元件进行处理，该光学元件包括MacNeille型多层偏振涂层，其被配置为产生辐射的减小的色偏；以及检测重定向的辐射以获得测量。
在实施例中，提供了一种检查装置，包括光学系统，其被配置为向待测表面提供辐射的束并且从该表面接收重定向的辐射；以及检测系统，其被配置为测量重定向的辐射，其中该光学系统包括光学元件，其用于处理辐射，该光学元件包括第一多层偏振，其被配置为在第一方向或方位上提供第一色偏；以及第二多层偏振涂层，其被配置为在第二不同方向或方位上提供第二色偏，使得第一色偏和第二色偏的组合色偏小于第一色偏和第二色偏。
本章节是为了概述并且简要介绍实施例。为了避免使本章节的目的晦涩难懂，可以进行简化或省略。这样的简化或省略不旨在限制本发明的范围。下文参照附图对本发明的其他特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作进行详细描述。应当指出，本发明不限于本文中所描述的特定实施例。本文中提出这样的实施例仅出于说明性目的。基于本文中所包含的教导，其他实施例对相关领域的技术人员而言是显而易见的。
附图说明
并入本文中并且构成说明书一部分的附图图示了本发明，并且与说明书一起进一步用来解释本发明的原理并且使得相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。
图1描绘了光刻装置的实施例；
图2描绘了光刻单元或簇的实施例；
图3示意性地描绘了示例检查装置和计量技术；
图4示意性地描绘了示例检查装置；
图5图示了检查装置的照射斑点与计量目标之间的关系；
图6A描绘了被配置为测量目标的检查装置的示意图；
图6B示意性地描绘了给定照射方向的目标周期性结构的衍射光谱的细节；
图6C示意性地描绘了在使用图6A的检查装置进行基于衍射的测量时用于提供其他照射模式的照射孔；
图6D示意性地描绘了在图6A的检查装置中使用的其他照射孔；
图7描绘了多周期性结构目标的形式以及该目标上的测量斑点的轮廓；
图8描绘了在图6A的检查装置中获得的图7的目标的图像；
图9描绘了被配置为测量对齐标记的形式为对齐系统的检查装置的示意图；
图10示意性地描绘了可以用于诸如图3、图4和图9所描绘的检查装置之类的装置的示例偏振分束器；
图11是色偏对入射在示例偏振涂层上的辐射波长的曲线图；
图12是针对衬底内的多个入射角衬底的折射率对与衬底接合的偏振涂层的层的折射率的曲线图；
图13是根据实施例的色偏对入射在涂层上的辐射的波长的曲线图；以及
图14是根据实施例的反射和透射消光比对入射在涂层上的辐射的波长的曲线图。
根据下文结合附图所陈述的具体实施方式，本发明的特征和优点变得更加显而易见，在附图中，相同的附图标记始终标识对应的元件。在附图中，相似的附图标记通常指示相同、功能相似和/或结构相似的元件。元件首次出现的附图由对应附图标记中一个或多个最左边的数字指示。
具体实施方式
在详细描述实施例之前，提出可以在其中实现实施例的示例环境具有指导意义。
图1示意性地描绘了光刻装置LA。该装置包括照射光学系统(照射器)IL，其被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；图案化设备支撑件或支撑结构(例如，掩模台)MT，其被构造为支撑图案化设备(例如，掩模)MA并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为根据某些参数精·备；衬底台(例如，晶片台)WT，其被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为根据某些参数精确定位衬底；以及投影光学系统(例如，折射投影透镜系统)PS，其被配置为将通过图案化设备MA赋予到辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。
照射光学系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射部件、反射部件、磁性部件、电磁部件、静电部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合，用于引导、整形或控制辐射。
图案化设备支撑件以取决于图案化设备的方位、光刻装置的设计以及其他条件(诸如例如，图案化设备是否保持在真空环境中)的方式保持图案化设备。图案化设备支撑件可以使用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持图案化设备。图案化设备支撑件可以例如是框架或台，其可以根据需要是固定的或可移动的。图案化设备支撑件可以确保图案化设备处于例如相对于投影系统的期望位置。本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以被认为与更通用的术语“图案化设备”同义。
本文中所使用的术语“图案化设备”应当被广义地解释为是指可以用于向辐射束的横截面赋予图案以在衬底的目标部分中产生图案的任何设备。应当指出，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则赋予到辐射束的图案可能不完全与衬底的目标部分中的期望图案相对应。通常，赋予到辐射束的图案与在诸如集成电路之类的目标部分中产生的设备中的特定功能层相对应。
图案化设备可以是透射式图案化设备或反射式图案化设备。图案化设备的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移之类的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，其中每个小反射镜可以单独倾斜，以便沿不同方向反射入射辐射束。倾斜反射镜在辐射束中赋予图案，该图案由反射镜矩阵反射。
如本文中所描绘的，该装置是透射型装置(例如，采用透射掩模)。可替代地，该装置可以是反射型装置(例如，采用上述类型的可编程反射镜阵列、或者采用反射掩模)。在装置是反射型装置的实施例中，投影系统可以主要由反射光学元件(反射镜)组成。
光刻装置还可以是以下类型的光刻装置，其中衬底的至少一部分可以由具有相对较高的折射率的液体(例如，水)覆盖，以填充投影系统和衬底之间的空间。浸液还可以施加到光刻装置中的其他空间，例如，施加在掩模和投影系统之间。浸没技术在本领域中是众所周知的，用于增加投影系统的数值孔径。如本文中所使用的术语“浸没”并不意指诸如衬底之类的结构必须淹没在液体中，而是仅意指液体在曝光期间位于投影系统与衬底之间。
参考图1，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。源和光刻装置可以是单独的实体，例如，当源是准分子激光器时。在这种情况下，源不认为形成光刻装置的一部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的光束传递系统BD，辐射束从源SO传递到照射器IL。在其他情况下，例如，当源是水银灯时，源可以是光刻装置的组成部分。源SO和照射器IL(如果需要)与光束传递系统BD一起被称为辐射系统。
照射器IL可以包括调整器AD，其被配置为调整辐射束的角强度分布。通常，可以调整照射器的光瞳面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望均匀性和强度分布。
辐射束B入射在图案化设备(例如，掩模)MA上，该图案化设备(例如，掩模)MA保持在图案化设备支撑件(例如，掩模台)MT上，并且通过图案化设备进行图案化。遍历图案化设备MA之后，辐射束B穿过投影光学系统PS，该投影光学系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上，从而将图案的图像投影在目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪设备、线性编码器、2-D编码器或电容传感器)，可以精确移动衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。同样，第一定位器PM和另一位置传感器(图1中未明确示出)可以用于相对于辐射束B的路径精确定位图案化设备(例如，掩模)MA，例如，在从掩模库中机械检索之后或在扫描期间。
图案化设备(例如，掩模)MA和衬底W可以使用图案化设备对齐标记M1，M2和衬底对齐标记P1，P2来对齐。尽管所图示的衬底对齐标记占据专用目标部分，但是它们可以位于目标部分(这些称为划线对齐标记)之间的空间中。同样，在图案化设备(例如，掩模)MA上提供多于一个管芯的情况下，图案化设备对齐标记可以位于管芯之间。在设备特征之中，小对齐标记也可以被包括在管芯内，在这种情况下，期望标记尽可能小，并且无需与相邻特征不同的任何成像或过程条件。下文对检测对齐标记的对齐系统进行进一步的描述。
该示例中的光刻装置LA是所谓的双台型光刻装置，其具有两个衬底台WTa，WTb和在其间可以交换衬底台的两个站，即，曝光站和测量站。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站处曝光时，另一衬底可以在测量站处装载到另一衬底台上，并且执行各种准备步骤。
为了便于例如控制衬底的曝光，可以通过光学水平传感器LS检查衬底的表面以确定其高度。在已知高度的情况下，衬底和投影光学系统之间的相对位置可以被控制，以例如帮助将衬底放置或维持在投影系统的焦点上。
进一步地，为了便于例如控制衬底的曝光，可以使用光学对齐传感器AS来测量对齐标记在衬底和/或衬底台上的位置。利用对齐标记在衬底和/或衬底台处的已知位置，来自图案化设备的图案可以相对准确地放置在衬底上的期望位置上。
在实施例中，衬底和/或衬底台的高度测量和/或对齐测量可以在衬底曝光之前在测量站进行。这使得能够大大提高装置的生产量。
所描绘的装置可以以多种模式使用，其包括例如步进模式或扫描模式。光刻装置的构造和操作对于本领域技术人员而言是众所周知的，并且无需为了理解本发明的实施例而进行进一步描述。
如图2所示，光刻装置LA形成光刻系统的一部分，该光刻系统称为光刻单元LC或光刻单元(lithocell)或簇。光刻单元LC还可以包括在衬底上执行曝光前过程和曝光后过程的装置。传统上讲，这些装置包括沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、使曝光的抗蚀剂显影的显影剂DE、激冷板CH和/或烘烤板BK。衬底处理器或机械手RO从输入/输出端口I/O1，I/O2拾取衬底，在不同的过程装置之间移动它们，然后将它们传送到光刻装置的进料台LB。这些设备通常被统称为轨道，处于轨道控制单元TCU的控制下，该轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS进行控制，该管理控制系统SCS还经由光刻控制单元LACU控制光刻装置。因此，可以操作不同的装置以使生产量和处理效率最大。
为了设计、监测、控制等包括至少一个图案化步骤(例如，光学光刻步骤)的图案化过程(例如，设备制造过程)，可以检查图案化衬底，并且测量图案化衬底的一个或多个测量参数。该一个或多个参数可以包括例如在图案化的衬底中或上形成的连续层之间的重叠，例如在图案化衬底中或上形成的特征的临界尺寸(CD)(例如，临界线宽)，光学光刻步骤的聚焦或聚焦误差，光学光刻步骤的剂量或剂量误差，光学光刻步骤的光学像差等。可以对产品衬底本身的目标和/或在衬底上提供的专用计量目标执行该测量。存在用于对在图案化过程中形成的结构进行测量的各种技术，其包括：使用扫描电子显微镜、基于图像的测量或检查工具、和/或各种专用工具。一种相对快速且非侵入式形式的专用计量和/或检查工具是一种将辐射的束引导到衬底的表面上的目标上并且对重定向(衍射/反射)束的特性进行测量的工具。通过比较束在已经由衬底散射之前和之后的一个或多个特性，可以确定衬底的一个或多个特性。这可以称为基于衍射的计量或检查。
图3描绘了示例检查装置(例如，散射仪)。该示例检查装置包括宽带(白光)辐射投影仪2，其将辐射投影到衬底W上。重定向的辐射传递到光谱仪检测器4，该光谱仪检测器4测量镜面反射辐射的光谱10(作为波长函数的强度)，如例如左下方的曲线图所示出的。根据该数据，可以由处理器PU(例如，通过严格耦合波分析(Rigorous Coupled Wave Analysis)和非线性回归或者通过与模拟光谱库进行比较，如图3的右下方所示)重构产生检测到的光谱的结构或轮廓。一般而言，对于重构，结构的一般形式已知，并且从制造该结构的过程的知识中假设一些变量，仅结构的一些变量要根据测量数据而被确定。这种计量装置可以被配置为正入射检查装置或斜入射检查装置。
可以使用的另一检查装置如图4所示。在该设备中，辐射源2所发出的辐射使用透镜系统120进行准直，并且通过干涉滤光片130和偏振器170透射，通过部分反射表面160反射，并且经由物镜150聚焦到衬底W上的斑点S中，该物镜150具有高数值孔径(NA)，其在理想情况下为至少0.9或至少0.95。浸没式检查装置(使用相对较高折射率的液体，诸如水)的数值孔径甚至可能大于1。
然后，由衬底W重定向的辐射穿过部分反射表面160进入检测器180，以便检测光谱。检测器180可以位于反向投影的焦平面110处(即，透镜系统150的焦距处)，或平面110可以通过辅助光学器件(未示出)重新成像到检测器180上。检测器可以是二维检测器，从而可以测量衬底目标30的二维角散射光谱。检测器180可以是例如CCD或CMOS传感器阵列，并且可以使用例如每帧40毫秒的积分时间。
例如，参考束可以用于测量入射辐射的强度。为此，当辐射束入射在部分反射表面160上时，辐射束的一部分作为参考束通过部分反射表面160朝向参考反射镜140透射。然后，参考束投影到同一检测器180的不同部分上，或可替代地，投影到不同检测器(未示出)上。
一个或多个干涉滤光片130可用于在405nm至790nm或更小范围(诸如200nm至300nm)内选择感兴趣波长。干涉滤光片可以是可调的，而非包括一组不同的滤光片。可以使用光栅代替干涉滤光片。可以在照射路径中提供孔径光阑或空间光调制器(未示出)，以控制辐射在目标上的入射角范围。
检测器180可以测量单个波长(或窄波长范围)处的重定向辐射的强度，分别测量多个波长处的或在一定波长范围内积分的强度。更进一步地，检测器可以分别测量横磁偏振辐射和/或横电偏振辐射的强度和/或横磁偏振辐射和横电偏振辐射之间的相位差。
衬底W上的目标30可以是1-D光栅，其被印刷使得在显影之后，栅条由固体抗蚀剂线形成。目标30可以包括2-D光栅，其被印刷使得在显影之后，光栅由抗蚀剂中的固体抗蚀剂柱或通孔形成。栅条、柱或通孔可以蚀刻到衬底中或蚀刻在衬底上(例如，蚀刻到衬底上的一个或多个层中)。(例如，栅条、柱或通孔的)图案对图案化过程中的处理中的改变(例如，光刻投影装置(具体地，投影系统PS)中的光学像差、聚焦改变、剂量改变等)敏感，并且体现在印刷光栅的变化中。因而，印刷光栅的测量数据用于对光栅进行重构。1-D光栅的一个或多个参数(诸如线宽和/或形状)或2-D光栅的一个或多个参数(诸如柱或通孔宽度或长度或形状)可以根据印刷步骤和/或其他检查过程的知识输入到由处理器PU执行的重构过程。
图5图示了典型目标30的平面图以及图4的装置中的照射斑点S的范围。为了获得不受周围结构干涉影响的衍射光谱，在实施例中，目标30是大于照射斑点S的宽度(例如，直径)的周期性结构(例如，光栅)。斑点S的宽度可以小于目标的宽度和长度。换句话说，通过照射对目标进行‘欠填充’，并且衍射信号基本上不受来自目标自身外部的产品特征等的任何信号的影响。照射装置2、120、130、170可以被配置为跨越物镜150的后焦面提供均匀强度的照射。可替代地，通过例如在照射路径中包括孔，照射可以局限于同轴方向或离轴方向。
除了通过重构对参数进行测量之外，基于衍射的计量或检查可以用于产品和/或抗蚀剂图案中的特征的非对称性的测量。例如，非对称性测量的具体应用是重叠的测量，但是其他应用也是已知的。在这种情况下，目标30通常包括叠加在另一组周期性特征集合上的一组周期性特征集合。例如，可以通过比较来自目标30的衍射光谱的相对部分(例如，比较周期性光栅的衍射光谱中的第-1阶和第+1阶)来测量非对称性。例如，在美国专利申请公开US 2006-066855中对使用图3或图4的仪器测量非对称性的概念进行描述，其全部内容通过引用并入本文。简而言之，虽然仅通过目标的周期性来确定目标的衍射光谱中的衍射阶的位置，但是衍射光谱中的非对称性指示构成目标的各个特征中的非对称性。在图4的仪器中，其中检测器180可以是图像传感器，衍射阶的这种非对称性直接表现为由检测器180记录的光瞳图像的非对称性。这种非对称性可以通过单元PU中的数字图像处理来测量，并且可以根据重叠的已知值进行校准。
图6A示出了适合于实施例的另一检查装置。图6B更详细地图示了目标T和用于照射目标的测量辐射的衍射射线。所图示的检查装置是被称为暗场计量装置的类型的检查装置。该检查装置可以是独立设备，或者可以并入例如测量站处的光刻装置LA，或者光刻单元LC中。在整个装置中具有几个分支的光轴用点线O表示。在该装置中，由源11(例如，诸如氙气灯)发出的辐射通过包括透镜12、14和物镜16的光学系统经由光学元件15引导到衬底W上。这些透镜以4F布置的双重序列布置。可以使用不同的透镜布置，只要它例如将衬底图像提供到检测器上并且同时允许进入中间光瞳平面以进行空间频率滤波即可。因此，通过在呈现衬底平面的空间光谱的平面(本文中称为(共轭)光瞳平面)中定义空间强度分布，可以选择辐射入射在衬底上的角范围。具体地，这可以在平面中通过在透镜12和14之间插入合适形式的孔板13来进行，该平面是物镜光瞳平面的后向投影图像。在所图示的示例中，孔板13具有标记为13N和13S的不同形式，从而允许选择不同的照射模式。本示例中的照射系统形成离轴照射模式。在第一照射模式下，孔板13N从仅出于描述目的而被指定为‘北’的方向提供离轴照射。在第二照射模式下，孔板13S用于提供类似的照射，但是从标记为‘南’的相反的方向提供。通过使用不同的孔径，其他照射模式也是可能的。理想情况下，光瞳平面的其余部分是暗的，因为期望的照射模式之外的任何不必要的辐射都将干涉期望的测量信号。
如图6B所示，目标T与垂直于物镜16的光轴O的衬底W放置在一起。该衬底W可以由支撑件(未示出)支撑。以偏离轴O一角度撞击在目标T上的测量辐射光线I产生零阶光线(实线0)和两个一阶光线(点链线+1和双点链线-1)。应当记住，对于过填充的小目标T，这些光线只是覆盖衬底区域(包括计量目标T和其他特征)的许多平行光线中的一个光线。由于板13中的孔的宽度有限(对容许有用量的辐射是必要的)，所以入射光线I实际上会占据一定范围的角度，并且衍射光线0和+1/-1会稍微散开。根据小目标的点扩散函数，每个阶+1和-1在一定范围的角度内进一步扩散，而如所示出的，单个理想光线不会在该一定范围的角度内扩散。应当指出，可以设计或调整目标的周期性结构的节距和照射角度，以使进入物镜的一阶光线与中心光轴紧密对齐。图6A和图6B中所图示的光线被示为有些偏离轴，纯粹是为了使得它们能够在图中更容易区分。
由衬底W上的目标T衍射的至少0阶和第+1阶通过物镜16收集，并且通过光学元件15引导回来。返回到图6A，通过指定被标记为北(N)和南(S)的沿直径相对的孔，图示了第一照射模式和第二照射模式。当测量辐射的入射光线I来自光轴的北侧时，也就是说，当使用孔板13N施加第一照射模式时，被标记为+1(N)的+1衍射光线进入物镜16。相比之下，当使用孔板13S施加第二照射模式时，(被标记为-1(S))的-1衍射光线是进入透镜16的光线。
分束器17将衍射的束分成两个测量分支。在第一测量分支中，光学系统18使用零阶衍射束和一阶衍射束在第一传感器19(例如，CCD或CMOS传感器)上形成目标的衍射光谱(光瞳平面图像)。每个衍射阶命中传感器上的不同点，以便图像处理可以比较和对比各阶。由传感器19捕获的光瞳平面图像可以用于聚焦检查装置和/或归一化一阶束的强度测量。光瞳平面图像还可以用于其他测量目的，诸如重构。
在第二测量分支中，光学系统20，22在传感器23(例如，CCD或CMOS传感器)上形成目标的图像。在第二测量分支中，在与光瞳平面共轭的平面中设置孔径光阑21。孔径光阑21用于阻挡零阶衍射束，从而在传感器上形成的目标的图像仅由-1或+1一阶束形成。由传感器19和23捕获的图像输出到处理图像的处理器PU，其功能将取决于正在执行的特定测量类型。应当指出，术语‘图像’在本文中以宽泛的意义使用。如此，如果仅存在第-1和第+1阶中的一个阶，则不会形成周期性结构特征的图像。
图6A、图6C和图6D所示的孔板13和场阑21的特定形式仅是示例。在实施例中，使用目标的同轴照射，并且使用具有离轴孔径的孔径光阑以将基本上仅一个一阶衍射辐射传递到传感器。在其他实施例中，代替一阶束或除一阶束之外，还可以在测量中使用二阶束、三阶束和更高阶束(图6A、图6B、图6C或图6D中未示出)。
为了使测量辐射可以适应于这些不同类型的测量，孔板13可以包括形成在盘的周围的若干个孔图案，该盘旋转以将期望图案放置到位。应当指出，孔板13N或13S可以仅用于测量沿一个方向(X或Y取决于设置)定向的周期性结构。为了测量正交周期性结构，可以实现目标通过90°和270°的旋转。图6C和图6D中示出了不同的孔板。在上文所提及的专利申请公开中对这些孔板的使用以及装置的许多其他变型和应用进行了描述。
图7描绘了根据已知实践的形成在衬底上的(复合)目标。在该示例中，该目标包括紧密定位在一起使得它们都在由检查装置的计量辐射照射束形成的测量斑点31内的四个周期性结构(例如，光栅)32至35。因此，四个周期性结构全部同时被照射并且同时成像在传感器19和23上。在专用于重叠的测量的示例中，周期性结构32至35本身就是通过叠加周期性结构而形成的复合周期性结构，该周期性结构在形成在衬底W上的例如半导体设备的不同层中进行图案化。周期性结构32至35可以具有不同偏置的重叠偏移，以便有助于测量其中形成复合周期性结构的不同部分的各个层之间的重叠。下文参考图7对重叠偏移的含义进行解释。如所示出的，周期性结构32至35的方位还可以不同，以便沿X和Y方向衍射入射辐射。在一个示例中，周期性结构32和34是偏置偏移分别为+d，-d的X方向周期性结构。周期性结构33和35可以是偏置偏移分别为+d和-d的Y方向周期性结构。可以在由传感器23捕获的图像中标识这些周期性结构的单独图像。这仅是目标的一个示例。目标可以包括多于或少于四个周期性结构，或仅包括单个周期性结构。
图8示出了图像的示例，该图像可以使用图6的装置中的图7的目标并且使用来自图6D的孔板13NW或13SE在传感器23上形成并且由传感器23检测。虽然光瞳平面图像传感器19不能解析不同的单个周期性结构32至35，但是图像传感器23可以解析它们。深色矩形表示传感器上图像的场，在该场内，衬底上的照射斑点31成像到对应圆形区域41中。在该圆形区域41内，矩形区域42至45表示小目标周期性结构32至35的图像。如果目标位于产品区域中，则产品特征在该图像场的外围中也可见。图像处理器和控制系统PU使用模式识别来处理这些图像，以标识周期性结构32至35的单独图像42至45。这样，不必在传感器框架内的特定位置非常精确地对齐图像，这就整体上提高了测量装置的生产量。
一旦已经标识了周期性结构的单独图像，就可以例如通过对所标识的区域内的选择的像素强度值求平均或求和来测量那些单个图像的强度。图像的强度和/或其他特性可以相互比较。这些结果可以被组合以测量图案化过程的不同参数。重叠性能就是这种参数的重要示例。
现在，图9示出了用于测量形式为诸如衬底110之类的物体上的对齐标记105(也称为“目标”)的对齐目标的示例对齐测量系统，其通常由附图标记100指示。对齐测量系统100包括照射源115，比如，激光源，其用于向衬底110提供测量束120，即，入射测量束；以及检测器系统125，其用于接收由衬底110重定向之后的测量束120，即，重定向测量束。
对齐测量系统100还包括处理单元130，其用于基于由对齐标记105重定向并且由检测器系统125接收的测量束120确定对齐。照射源115、检测器系统125和/或处理单元130可以是单独单元，或可以集成在单个单元中。处理单元130可以是专用处理单元，或者可以集成在另一装置的另一处理器中，诸如光刻装置的中央处理单元。
在实施例中，照射源115提供具有单个波长的测量束120。在实施例中，照射源可以产生包括多个波长的测量束，例如，“白光”，即，电磁光谱的“颜色”的混合，包括例如可见光谱。
测量束120可以是偏振束或非偏振束。在实施例中，测量束以45度角偏振。比如，该角度可以相对于对齐标记中的子分割方向、扫描方向、台正交系统或任何其他合适参考来定义。测量束120可以是脉冲束或连续束。
检测器系统125包括干涉仪单元135，其中重定向测量束120与参考束165接合，从而产生具有强度变化的组合测量束130，该强度变化表示对对齐标记105的测量。尽管本文中所描述的这种干涉仪单元的应用不同于测量距离的干涉仪的典型应用，但是诸如干涉仪单元135之类的干涉仪单元还是已知的。
组合测量束130朝向分束设备140引导。在分束设备140中，比如，在半透明反射镜中，组合测量束130被分离为第一测量束部分135a和第二测量束部分135b。将第一测量束部分135a引导到第一偏振设备145，该第一偏振设备145被配置为将偏振角从45度改变为0度；而将第二测量束部分135b引导到第二偏振设备150，该第二偏振设备150被配置为将偏振角从45度改变为90度。第一偏振设备145和第二偏振设备150可以比如由具有相反偏振的两个四分之一波片形成。将第一测量束部分135a从第一偏振设备145引导到第一检测器155，并且将第二测量束部分135b从第二偏振设备150引导到第二检测器160。第一检测器155基于第一检测器155所接收的第一测量束部分135a来提供第一检测信号。第二检测器160基于第二检测器160所接收的第二测量束部分135b来提供第二检测信号。
处理单元被配置为基于第一检测信号和/或第二检测信号的强度变化来确定对齐标记105的对齐。
将测量束分成具有不同偏振的两个测量束部分的可能的示例优点如下：通过比较第一检测信号和第二检测信号，比如，通过减去第一检测信号和第二检测信号，由衬底上除了对齐标记105的一个或多个层以外的层所引起的噪声可以被消除。例如，衬底110可以包括多个材料层，其中一个材料层是对齐标记105。在测量光束中，当测量束通过不同的层或在这些层中的一个层上被重定向时，噪声将被引入。在测量束内的不同偏振角下，该噪声影响通常相似。然而，当选择合适的对齐标记105时，对齐标记105对测量束的影响在不同的偏振方向上可能是不同的。
由检测器155、160提供的检测信号基于具有不同偏振的第一束部分和第二束部分。这些检测信号在处理单元中比如通过相减相互比较。结果，在两个束部分中具有基本上相同水平的噪声水平(即，由不同层引起的噪声水平)会被抵消或至少基本上降低。相比之下，由于如由第一检测器155和第二检测器160接收的具有不同偏振的测量束部分的对齐标记105的重定向而导致的强度变化具有不同的值。比较(例如，通过减去检测信号)不会导致检测信号的消除，而是产生表示对齐标记105对齐的信号。基于该信号，可以确定衬底的对齐。
可以选择第一测量束部分和第二测量束部分的偏振方向以在信号之间具有期望(例如，最佳)差异。在实施例中，一个测量束部分被偏振为具有横磁(TM)波的束部分，其还被指示为具有p状电场，或者被指示为p偏振或切向平面偏振，而另一测量束部分被偏振为具有横电(TE)波的束部分，其还被指示为具有s状电场，或s偏振或矢状平面偏振。
为了获得适当结果，可以使用子分割对齐标记，其在两个偏振之间提供足够高的信号差。在实施例中，这种对齐标记105可以包括一个方向上具有密集子分割的线以及未子分割空间。比如，对于特定相位深度，对齐标记的对比度由例如对齐标记105的线和空间之间的反射率差异确定。子分割光栅的反射率随子分割的占空比的改变而变化。如果对齐标记105以例如空间的占空比为0％而线的占空比为约25％制成，则TM偏振辐射几乎不会产生对齐信号。但是，由于线和空间之间的巨大差异，所以用于TE偏振的对齐信号非常重要。
使用至少两个不同偏振的可能的附加或备选优点如下：可以基本上消除照射源115的噪声。如果照射源115产生具有特定噪声水平的测量束，比如，在例如45度的单个角度下的偏振束，则该测量束被解耦为具有不同偏振的两个测量束部分。因此，由照射源115感应的噪声在第一测量束部分和第二测量束部分中最终达到相似水平。结果，该噪声项可以通过减法或从第一测量束部分和第二测量束部分获得的测量信号的另一比较方法来消除或至少基本上降低。
更进一步地，虽然通过包括分束设备140以及第一偏振设备145和第二偏振设备150的示例结构来完成在图9的实施例中的两个不同偏振的产生，但是两个不同偏振的产生可以通过不同的示例结构来完成。具体地，一个这种结构包括偏振分束表面，该偏振分束表面基本上仅准许特定偏振穿过并且反射另一偏振。图10中示意性地描绘了具有偏振分束表面的这种结构的示例。
图10示意性地描绘了示例偏振分束器1000，其可以用于如图3、图4和图9所描绘的检查装置。在该分束器的实施例中，提供了至少两个偏振分束表面，其中每个偏振分束表面基本上只准许特定偏振通过并且反射另一偏振。在实施例中，偏振分束表面1010、1020中的每个偏振分束表面包括光学薄膜涂层，该光学薄膜涂层包括薄膜层叠层。
在实施例中，偏振分束器1000包括第一偏振分束表面1010和第二偏振分束表面1020。在实施例中，可以提供单个偏振分束表面(例如，偏振分束器可以呈如图9所描绘的分束器140的形式，其中所示的分离表面是偏振分束表面。因此，在图10的实施例中，第二偏振分束表面1020不必是分离表面，并且不会改变辐射的偏振。
在分束器1000中，入射光束1030(例如，图9的光束130)入射在偏振分束表面1010上，该偏振分束表面1010将束分离成分量1032和1034。在实施例中，入射光束1030是例如以45度偏振的辐射、或非偏振辐射。透射通过偏振分束表面1010的分量1032基本上仅包括p偏振辐射，而由偏振分束表面1010反射的分量1034基本上仅包括s偏振辐射。分量1032朝向传感器(例如，作为非限制性示例以虚线示出的图9的检测器155)引导。反射的分量1034从偏振分束表面1010行进到偏振分束表面1020。如同偏振分束表面1010一样，偏振分束表面1020基本上仅反射s偏振辐射。因此，可以向传感器(例如，作为非限制性示例以虚线示出的图9的检测器160)提供更纯粹的s偏振辐射束。在分量1034入射在偏振分束表面1020上时该分量1034中的P偏振辐射可以通过到达例如束流收集器。虽然图9示出了两个传感器，但是该传感器可以是用于测量辐射的具有不同区域的单个传感器。更进一步地，具有两个不同偏振的辐射被示为在同一侧上沿相同方向由分束器1000产生。不一定是这种情况。具有第一偏振的辐射可以由与具有第二不同的偏振的辐射不同的表面产生，与例如图9的布置相似。
对于诸如用于偏振分束表面1010和/或1020的光学薄膜涂层，不同波长基于涂层的薄膜叠层设计和辐射在薄膜叠层上的入射角来具有不同的有效穿透深度。至少对于一阶，在从薄膜涂层反射后，这转化为图像偏移，并且对于不同偏振，该图像偏移可以不同。图9中示意性地描绘了其示例，其中辐射1030具有第一波长，并且辐射1040具有第二不同波长。在分束器1000中，入射束1040入射在偏振分束表面1010上，该偏振分束表面1010将束分离成分量1042和1044。在实施例中，入射束1040是例如以45度偏振的辐射、或者是非偏振辐射。透射通过偏振分束表面1010的分量1042基本上仅包括p偏振辐射，而由偏振分束表面1010反射的分量1044基本上仅包括s偏振辐射。分量1042朝向传感器引导。反射的分量1044从偏振分束表面1010行进到偏振分束表面1020。像偏振分束表面1010一样，偏振分束表面1020基本上仅反射s偏振辐射。因此，可以向传感器提供更纯粹的s偏振辐射束。然而，波长与辐射1030(及其分量1032和1034)的波长不同的辐射1040(及其分量1042和1044)具有与辐射1030不同的有效穿透深度，并且如1050所示，产生分量1042的位置相对于分量1032的位置的图像偏移。同样，如1060所示，分量1044的位置相对于分量1034的位置存在图像偏移。
虽然在束宽度的量级为数百微米并且图像偏移的量级为数十微米或更小的情况下，图像偏移可能不会造成严重问题，但是在一些应用中，目标是达到亚纳米测量(例如，对齐)精度，其中这种偏移可能发挥作用。例如，即使对于围绕标称入射角的+/-1度的相对较小的束角度变化，图像偏移也可以是从偏振表面涂层反射后期望的精度的十倍，该偏振表面涂层在设计时没有考虑这种影响。进一步地，图像偏移在具有仅针对消光比(例如，不期望偏振模式与期望偏振模式的照射比)进行了优化的偏振涂层的检查装置中使用的波长范围内可以具有相当大的变化(例如，从0微米到20微米)。作为示例，如图11(其是沿着垂直轴以微米为单位的色偏对沿着水平轴以纳米为单位的波长的曲线图)所示，该图11示出了对于约640nm至650nm的波长范围，色偏可以大于12微米，并且对于500nm至约750nm的波长，色偏可能会很大，对于某些波长而言，仅以消光比为主要考虑因素而设计的涂层的色偏可能高达12微米。
因此，本文中的实施例着重于减少图像偏移的一个或多个涂层的配置。由于图像偏移取决于波长，所以在本文中称为色偏。对于不同偏振，色偏不同。因此，例如，p偏振的色偏不同于s偏振的色偏。本文中的实施例着重于主要从偏振涂层反射的偏振辐射，该偏振辐射在实施例中是s偏振辐射。涂层的色偏可以取决于叠层中薄膜层的次序，并且对于穿过非对称涂层叠层的涂层的正向方向和反向方向可以不同。而且，透射穿过涂层的偏振辐射的色偏倾向于小于所反射的偏振辐射的色偏。因此，本文中的实施例着重于用于从涂层反射的偏振辐射的涂层的配置，因为与透射通过涂层的偏振辐射的色偏相比较，该辐射通常具有波长依赖性大和更大幅度的色偏。但是，本文中所描述的涂层的配置可以附加地或可替代地着重于减少透射穿过涂层的偏振辐射的色偏。
对于一阶，色偏x1由下式给出：
x1＝λ/(2πn)*dφ(λ)/dΘ (1)
其中λ是真空中辐射的波长，n是折射率，并且dφ(λ)/dΘ是相对于辐射的入射角θ所考虑的偏振的反射或透射相位φ的波长导数。因此，如上文所标识的，对于所考虑的特定偏振，色偏取决于辐射的波长、偏振涂层的折射率、以及入射角。因此，理想情况下，对于特定波长和偏振，标识了适当折射率和入射角，以使得能够减小色偏或使之最小。
因此，在实施例中，可以使用相对简单的四分之一波长叠层，诸如(HL)^n，其中H是高折射率材料的四分之一波长厚度，L是低折射率材料的四分之一波长厚度，并且^n表示层H和L的组合的重复次数n(例如，(HL)^5是包括层H和L的组合的5次重复的叠层)。在实施例中，检查装置可以使用测量辐射的相对较宽的波长范围(例如，选自约300nm至约1100nm的范围(或其内的任何范围(诸如约400nm至约1000nm或约500nm至约900nm))的辐射)。因此，四分之一波长厚度根据波长范围的中心波长或入射非法线的调整后的中心波长来定义。在实施例中，调整后的中心波长是在标称入射角处的感兴趣波长范围的中心波长除以到叠层的入射角的余弦(例如，与叠层接口的衬底中的入射角)以求解非法线入射角。例如，对于波长范围为约500nm至900nm和到叠层的入射角为49度，中心波长为约700nm，而调整后的波长为约1066nm。在实施例中，中心波长是波长范围的谐波平均值(然后在衬底中的入射角为非法线的情况下对其进行调整)。因此，四分之一波长的厚度被定义为((调整后的)中心波长/4/(调整后的)中心波长处的折射率)。
被设计为偏振涂层的四分之一波长叠层(诸如(HL)^n)可能不足以在波长范围内实现良好的消光比和低色偏。由于商业软件通常没有提供针对dφ(λ)/dΘ进行优化的选项，所以增加更多个层并且用商业软件进行优化可能都没有帮助；虽然可以在这些软件中研究相对于波长的相位导数，但可能无法针对入射角对这些相位导数进行研究，这在目前情况下很重要。
已经发现，一旦选择了(例如，偏振表面1010和/或1020的)涂层材料和与涂层接触的衬底的材料(例如，固体1015)，MacNeille型分束器涂层就可以为s偏振提供最小的反射色偏并且为给定入射角提供最大可能的波长范围。
在实施例中，这种薄膜涂层包括两种涂层材料的交替层，该薄膜的两侧封闭在衬底内。在实施例中，衬底的两侧是相同的材料，或是不同的材料。虽然本文中的描述着重于将入射辐射耦合到涂层上的衬底，但是还可以选择透射穿过涂层的偏振的衬底。
具有折射率N1和N2的MacNeille型偏振薄膜涂层的交替材料层的厚度基本上分别如下：
(N1 2+N2 2)1/2/N1 2乘以折射率为N1的层的四分之一波厚度(2)
(N1 2+N2 2)1/2/N2 2乘以折射率为N2的层的四分之一波厚度(3)
进一步地，当衬底(例如，固体1015)的折射率等于以下等式时，实现最佳消光比：
N1N2/(N1 2+N2 2)1/2/sin(γ) (4)
其中γ是衬底的入射角。并且，涂层材料内的入射角和折射角选择为tan(α)＝N2/N1和tan(β)＝N1/N2,，其中α是层N1内的入射角，而β是从具有N1的层到具有N2的层的折射。因此，N1、N2的选择可以确定选择衬底以及涂层的入射角，反之亦然。在实施例中，对应于N1和N2的材料是介电材料。N1(衬底的折射率)和衬底中入射角之间的关系如图12所示。在图12中，折射率N1沿着水平轴，衬底的折射率沿着垂直轴，并且线1200对应于45度的入射角，线1210对应于47度的入射角，线1220对应于49度的入射角，线1230对应于51度的入射角。在这种情况下，为了简单起见，N2固定为1.46，并且对应于SiO2(石英)，SiO2是用于涂层的常见低折射率材料。
因此，使用图12或对应于图12的数据或表示图12中的数据的函数，可以针对特定入射角标识衬底的折射率，或者可以针对衬底的特定折射率标识特定入射角。作为示例，如果选择N1＝2.39且N2＝1.46，则对于衬底中选择的49度入射角，衬底的折射率应当约为1.65。在该示例中，所选的N1和N2分别对应于氧化铌和SiO2，同时折射率接近1.65的光学衬底可以是Schott的SF2光学玻璃。在这些不同的折射率和入射角的情况下，层厚度的比例为0.490H:1.314L，其中H和L是在波长范围的调整后的中心波长处分别对应于N1和N2的材料的四分之一波厚度(例如，在该示例中为约1020nm)。因此，在该示例中，对应于N1的高折射率材料层的实际厚度可以计算为0.490H＝0.490*(调整后的)中心波长(例如，1020nm)/4/(H材料的折射率，即，在(调整后的)中心波长处为N1)。
层的组合(0.490H 1.314L)重复多次，以获得期望消光比和/或色偏。可以使用软件优化来选择层的组合的重复次数，以获得满足或超过阈值的消光比和/或色偏。在实施例中，消光比为至少约100、至少约150、至少约200、至少约500、或至少约1000。在实施例中，色偏小于或等于10微米，小于或等于5微米，小于或等于3微米，小于或等于2微米，或小于或等于1微米。
虽然上述各层的组合是指两种材料，但是应当领会，在各层的组合中可以使用两种以上的材料(例如，在特定组合中可以有三层，其中每层是不同的材料)。而且，可以使用不同材料的不同组合，下文对其示例进行进一步描述。
在实施例中，通过增加各层的不同组合的重复，可以增加其中实现期望的高消光比的波长范围，或者可以增加某个波长范围的期望的高消光比。在实施例中，各层的不同组合使用与各层的基本组合相同的材料，但是不同组合中的各层中的一个或多个层的厚度不同。在实施例中，不同组合是涂层的各层的基本组合的倍数(包括实数倍数，诸如整数倍数)。为了减少反射后相位的影响或使之最小，层与较厚层的组合放置得更远离接收入射辐射的涂层表面(例如，朝向底部，其中涂层位于顶部)，使得辐射首先遇到的各层确定了相位响应和色偏，而更远离首先遇到辐射的那些层的各层则用于实现较长波长的更好消光。在顶部上放置较厚的叠层可能会在某些波长下产生不利的大的色偏。因此，与材料与用于各层的多个不同组合的叠层的材料相同的具有单个组合(即，重复)的叠层相比较，各层的多个不同组合的叠层可以在整个波长范围内对消光比和色偏产生更好的响应。
因此，具有带有各层的不同组合(其中每个组合具有相同的膜材料)的重复层的涂层可以表达为例如(aH bL)^n(cH dL)^m eH fL…，其中a，b，c，d，e，f…为实数，n和m为整数，并且表示涂层中各层的相关组合的重复次数，H和L分别是指高折射率材料和低折射率材料的四分之一波厚度(并且是指相同(调整后的)中心波长)。视情况而定，可以添加层eH和/或fL，以例如提供叠层的对称性和/或减少相位的影响。可以使用软件优化来调整系数a，b，c，d，e，f…中的一个或多个系数，调整n和/或m的值，调整是否包括层eH和/或fL，以及/或调整(调整后的)中心波长，以便获得期望色偏和/或期望消光比。
作为示例，具有各层的组合的两个叠层的涂层可以被设计为如下：(0.94464H2.51904L)^5(0.560142H 1.493712L)^5 0.560142H，其中H是氧化铌在调整后的中心波长1020nm处的四分之一波厚度，而L为二氧化硅在调整后的中心波长1020nm处的四分之一波厚度。进一步地，衬底可以是SF2光学玻璃，并且第一层上的衬底材料(SF2)中的入射角为49度。在该实施例中，较厚叠层(0.94464H 2.51904L)^5位于远离首先接收入射辐射的表面的位置。该实施例基于使用膜(0.490H 1.314L)的组合的上述示例，其中组合(0.94464H2.51904L)和组合(0.560142H 1.493712L)中的膜的厚度的比例基本上与组合(0.490H1.314L)中的膜的厚度的比例相同。
参照图13和图14，上面的涂层设计以及用于偏振分束器的两个叠层显示出对于小于2微米的偏振反射束具有良好的色偏并且对于500nm至900nm的范围内的所有波长消光比均多于200。图13是沿着垂直轴以微米为单位的色偏对沿着水平轴入射在根据本实施例的涂层上的辐射的以纳米为单位的波长的曲线图。如图13所示，在500nm至900nm的整个波长范围内，色偏小于2微米。进一步地，图14是沿着垂直轴的反射和透射消光比对沿着水平轴入射在根据该实施例的涂层上的辐射的以纳米为单位的波长的曲线图。如图14所示，在500nm至900nm的整个波长范围内，透射消光比1400和反射消光比1410均大于约200。
在实施例中，提供了两个或更多个偏振涂层，其中第一多层偏振涂层在第一方向或方位(例如，角度)上提供第一色偏，并且第二多层偏振涂层在不同于第一方向的第二方向或方位上提供第二色偏，以使第一色偏和第二色偏的组合色偏小于第一色偏和第二色偏。在实施例中，第二方向基本上与第一方向或方位相反。在实施例中，第一多层偏振涂层和/或第二多层偏振涂层是MacNeille型多层偏振涂层。因此，在实施例中，以潜望镜型布置(例如，如同图10的光学元件一样)提供具有例如基本上相反的相位特性的互补涂层，以使第一反射使图像沿第一方向或方位(例如，向右)移动，而第二反射使图像沿第二方向或方位(例如，向左)移动，使得净色偏小于第一反射或第二反射后的色偏(例如，通过第二反射向左的色偏在数量上与第一反射向右的色偏相同或接近(例如，正负15％内、正负10％内、或正负5％内))。
因此，作为回顾，光学图像可以在从光学界面反射时通过幅度和相位的改变而更改/失真。该更改是波长、入射角和偏振的函数。该更改通常小于传统的光学衍射极限分辨率。尽管如此，但是这种更改在诸如对齐传感器之类的亚衍射仪器中还是很重要。具体地，可能存在作为角度的函数的变化，因为图像包含角度范围，所以该变化可能很重要。作为示例，如图10所示，当在潜望镜状几何形状中反射s偏振图像分量45度两次时，光瞳平面图像可能从预期位置移位。而且，该位移可能是波长的非期望函数。因此，虽然衍射极限分辨率的量级可以为500μm，但是在约500nm至约900nm的波长辐射范围内，图像平移可以变化大约15μm或更大，这很重要。因此，在实施例中，提供了一种具有受控相位和/或反射几何形状的光学涂层的设计，以减少或消除作为波长的函数的图像更改/平移。具体地，在实施例中，MacNeille型偏振涂层用于在检查装置(诸如对齐传感器)中的偏振元件中提供减小的色偏。就至少s偏振的色偏受到关注而言，MacNeille偏振涂层可以提供优势。另外或可替代地，可以提供反射几何形状以提供补偿第二色偏的第一色偏以提供净减小的色偏。
本文中所描述的一个或多个涂层和/或反射几何形状可以具有多种应用。例如，它可以应用于作为本文中所描述的光刻装置(包括其中的任何光学计量装置，诸如对齐传感器AS、水平传感器LS、干涉仪IF等)的一部分或设置在该光刻装置中或设有该光刻装置的光学元件、本文中所描述的检查装置(诸如图3、图4和图6中的元件中的任一元件)、与本文中所描述的任何装置一起使用的任何物品。因此，在实施例中，可以向DUV和/或EUV对齐传感器、光学水平传感器、DUV和/或EUV照射和/或投影光学器件等提供一个或多个涂层和/或反射几何形状。虽然描述着重于在图案化过程或其任何相关装置中的涂层的使用，但是应当领会，本文中所描述的涂层可以用于其他用途，因此不应将涂层视为仅限于用于图案化过程的结构或其任何装置。进一步地，尽管描述着重于使用涂层来帮助提供减小的色偏，但是本文中所描述的涂层可以具有其他目的，因此本文中的涂层不仅限于提供减小的色偏的目的。
在实施例中，提供了一种检查装置，包括光学系统，其被配置为向待测表面提供辐射的束并且从该表面接收重定向的辐射；以及检测系统，其被配置为测量重定向的辐射，其中光学系统包括用于处理辐射的光学元件，该光学元件包括被配置为产生辐射的减小的色偏的MacNeille型多层偏振涂层。
在实施例中，偏振涂层在至少500nm至900nm的辐射波长范围内产生小于或等于10微米的色偏。在实施例中，偏振涂层在至少500nm至900nm的辐射波长范围内产生至少100的消光比。在实施例中，偏振涂层包括层的重复组合的第一叠层和层的重复组合的第二叠层，其中第二叠层中的层中的至少一个层的厚度不同于第一叠层中的各个层的厚度。在实施例中，第一叠层的层的材料与第二叠层的层的材料相同。在实施例中，在第二叠层中重复的组合的层的厚度的比例是在第一叠层中重复的组合的层的厚度的比例的倍数。在实施例中，偏振涂层还包括材料与第一叠层的层的材料相同的层，并且邻接第一叠层以具有第一叠层的材料的层的对称布置和/或材料与第二叠层的层的材料相同的层，并且邻接第二叠层以具有第二叠层的材料的层的对称布置。在实施例中，第一叠层的层的组合的厚度大于第二叠层的层的组合的厚度，并且与第二叠层相比较，第一叠层更远离首先接收辐射的涂层的表面。在实施例中，光学元件包括其他多层偏振涂层，其中MacNeille型多层偏振涂层在第一方向或方位上提供第一色偏，并且其他多层偏振涂层在第二不同的方向或方位上提供第二色偏，使得第一色偏和第二色偏的组合色偏小于第一色偏和第二色偏。
在实施例中，提供了一种测量方法，该方法包括：向待测表面提供辐射的束并且从表面接收重定向的辐射，其中辐射使用光学元件进行处理，该光学元件包括被配置为产生辐射的减小的色偏的MacNeille型多层偏振涂层；以及检测重定向的辐射以获得测量。
在实施例中，偏振涂层在至少500nm至900nm的辐射波长范围内产生小于或等于10微米的色偏。在实施例中，偏振涂层在至少500nm至900nm的辐射波长范围内产生至少100的消光比。在实施例中，偏振涂层包括层的重复组合的第一叠层和层的重复组合的第二叠层，其中第二叠层中的层中的至少一个层的厚度不同于第一叠层中各个层的厚度。在实施例中，第一叠层的层的材料与第二叠层的层的材料相同。在实施例中，在第二叠层中重复的组合的层的厚度的比例是在第一叠层中重复的组合的层的厚度的比例的倍数。在实施例中，偏振涂层还包括材料与第一叠层的层的材料相同的层，并且邻接第一叠层以具有第一叠层的材料的层的对称布置和/或材料与第二叠层的层的材料相同的层，并且邻接第二叠层以具有第二叠层的材料的层的对称布置。在实施例中，第一叠层的层的组合的厚度大于第二叠层的层的组合的厚度，并且与第二叠层相比较，第一叠层更远离首先接收辐射的涂层的表面。在实施例中，光学元件包括其他多层偏振涂层，其中MacNeille型多层偏振涂层在第一方向或方位上提供第一色偏，并且其他多层偏振涂层在第二不同的方向或方位上提供第二色偏，使得第一色偏和第二色偏的组合色偏小于第一色偏和第二色偏。
在实施例中，提供了一种检查装置，包括光学系统，其被配置为向待测表面提供辐射的束并且从该表面接收重定向的辐射；以及检测系统，其被配置为测量重定向的辐射，其中该光学系统包括用于处理辐射的光学元件，该光学元件包括第一多层偏振，其被配置为在第一方向或方位上提供第一色偏；以及第二多层偏振涂层，其被配置为在第二不同方向或方位上提供第二色偏，从而第一色偏和第二色偏的组合色偏小于第一色偏和第二色偏。
在实施例中，第一色偏或第二偏振是MacNeille型多层偏振涂层。在实施例中，第一方向或方位基本上与第二方向或方位相反。在实施例中，第一色偏与第二色偏基本上相同。
可以使用以下条款对实施例进行进一步描述：
1.一种检查装置，包括：
光学系统，被配置为向待测表面提供辐射的束并且从该表面接收重定向的辐射；以及
检测系统，被配置为测量重定向的辐射，
其中光学系统包括光学元件，该光学元件用于处理辐射，该光学元件包括MacNeille型多层偏振涂层，该MacNeille型多层偏振涂层被配置为产生辐射的减小的色偏。
2.根据条款1所述的装置，其中偏振涂层在至少500nm至900nm的辐射波长范围内产生小于或等于10微米的色偏。
3.根据条款1或条款2所述的装置，其中偏振涂层在至少500nm至900nm的辐射波长范围内产生至少100的消光比。
4.根据条款1-3中任一项所述的装置，其中偏振涂层包括层的重复组合的第一叠层和层的重复组合的第二叠层，其中第二叠层中的层中的至少一个层的厚度不同于第一叠层中的各个层的厚度。
5.根据条款4所述的装置，其中第一叠层的层的材料与第二叠层的层的材料相同。
6.根据条款4或条款5所述的装置，其中在第二叠层中重复的组合的层的厚度的比例是在第一叠层中重复的组合的层的厚度的比例的倍数。
7.根据条款4至6中任一项所述的装置，其中偏振涂层还包括与第一叠层的层的材料相同的材料的层，该层邻接第一叠层以具有第一叠层的材料的层的对称布置和/或与第二叠层的层的材料相同的材料的层，该层邻接第二叠层以具有第二叠层的材料的层的对称布置。
8.根据条款4至7中任一项所述的装置，其中第一叠层的层的组合的厚度大于第二叠层的层的组合的厚度，并且与第二叠层相比较，第一叠层更远离首先接收辐射的涂层的表面。
9.根据条款1至8中任一项所述的装置，其中光学元件包括其他多层偏振涂层，其中MacNeille型多层偏振涂层在第一方向或方位上提供第一色偏，并且其他多层偏振涂层在第二不同的方向或方位上提供第二色偏，使得第一色偏和第二色偏的组合色偏小于第一色偏和第二色偏。
10.一种测量方法，该方法包括：
向待测表面提供辐射的射束并且从表面接收重定向的辐射，其中辐射使用光学元件进行处理，该光学元件包括被配置为产生辐射的减小的色偏的MacNeille型多层偏振涂层；以及
检测重定向的辐射以获得测量。
11.根据条款10所述的方法，其中偏振涂层在至少500nm至900nm的辐射波长范围内产生小于或等于10微米的色偏。
12.根据条款10或条款11所述的方法，其中偏振涂层在至少500nm至900nm的辐射波长范围内产生至少100的消光比。
13.根据条款10至12中任一项所述的方法，其中偏振涂层包括层的重复组合的第一叠层和层的重复组合的第二叠层，其中第二叠层中的层中的至少一个层的厚度不同于第一叠层中的各个层的厚度。
14.根据条款13所述的方法，其中第一叠层的层的材料与第二叠层的层的材料相同。
15.根据条款13或条款14所述的方法，其中在第二叠层中重复的组合的层的厚度的比例是在第一叠层中重复的组合的层的厚度的比例的倍数。
16.根据条款13至15中任一项所述的方法，其中偏振涂层还包括与第一叠层的层的材料相同的材料的层，该层邻接第一叠层以具有第一叠层的材料的层的对称布置和/或与第二叠层的层的材料相同的材料的层，该层邻接第二叠层以具有第二叠层的材料的层的对称布置。
17.根据条款13至16中任一项所述的方法，其中第一叠层的层的组合的厚度大于第二叠层的层的组合的厚度，并且与第二叠层相比较，第一叠层更远离首先接收辐射的涂层的表面。
18.根据条款10至17中任一项所述的方法，其中光学元件包括其他多层偏振涂层，其中MacNeille型多层偏振涂层在第一方向或方位上提供第一色偏，并且其他多层偏振涂层在第二不同的方向或方位上提供第二色偏，使得第一色偏和第二色偏的组合色偏小于第一色偏和第二色偏。
19.一种检查装置，包括：
光学系统，被配置为向待测表面提供辐射的束并且从该表面接收重定向的辐射；以及
检测系统，被配置为测量重定向的辐射，
其中光学系统包括用于处理辐射的光学元件，该光学元件包括第一多层偏振和第二多层偏振涂层，第一多层偏振被配置为在第一方向或方位上提供第一色偏，第二多层偏振涂层被配置为在第二不同的方向或方位上提供第二色偏，使得第一色偏和第二色偏的组合色偏小于第一色偏和第二色偏。
20.根据条款19所述的检查装置，其中第一偏振或第二偏振是MacNeille型多层偏振涂层。
21.根据条款19或条款20所述的检查装置，其中第一方向或方位基本上与第二方向或方位相反。
22.根据条款19至21中任一项所述的检查装置，其中第一色偏与第二色偏基本上相同。
尽管在该上下文中可以具体参考使用装置制造这些设备，但是应当理解，本文中所描述的装置可以具有其他应用，诸如集成光学系统的制造，用于磁域存储器、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的导向和检测图案。本领域技术人员应当领会，在这种备选应用的上下文中，本文中的术语“晶片”或“管芯”的任何使用分别被认为与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。在曝光之前或之后，可以例如在轨道(通常向衬底施加抗蚀剂层并且显影曝光的抗蚀剂的工具)、计量工具和/或检查工具中对本文中所引用的衬底进行处理。在适用的情况下，本文中的公开内容可以适用于这类和其他衬底处理工具。进一步地，衬底可以例如多于一次地被处理，以便产生多层IC，因此本文中所使用的术语衬底还可以是指已经包含多个处理过的层的衬底。
本发明的实施例可以采用以下形式：计算机程序，其包含一个或多个机器可读指令序列以引起本文中所公开的方法的执行；或数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)，其中存储有这种计算机程序。进一步地，机器可读指令可以体现在两个或更多个计算机程序中。两个或更多个计算机程序可以存储在一个或多个不同的存储器和/或数据存储介质上。
本文中所公开的一个或多个方面可以在控制系统中实现。当一个或多个计算机程序由位于装置的至少一个部件内的一个或多个计算机处理器读取时，本文中所描述的任何控制系统可以各自操作或组合操作。控制系统可以各自或组合具有用于接收、处理和发送信号的任何合适配置。一个或多个处理器被配置为与控制系统中的至少一个控制系统通信。例如，每个控制系统可以包括一个或多个处理器，其用于执行计算机程序，该计算机程序包括用于上文所描述的方法的机器可读指令。控制系统可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质和/或用于接收这种介质的硬件。因此，一个或多个控制系统可以根据一个或多个计算机程序的机器可读指令进行操作。
尽管上文可能已经在光学系统的上下文中具体参考了本公开的实施例的使用，但是应当领会，本公开可以用于其他应用。例如，实施例可以用于压印光刻。在压印光刻中，图案化设备中的形貌定义衬底上产生的图案。图案化设备的形貌可以压入供应到衬底的抗蚀剂层中，然后通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使抗蚀剂固化。图案化设备从抗蚀剂中移出，从而在抗蚀剂固化之后，在该抗蚀剂中留下图案。
本文中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，其包括紫外线(UV)辐射(例如，具有或约为365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外线(EUV)辐射(例如，具有范围介于5nm和20nm之间的波长)以及粒子束(诸如离子束或电子束)。
在上下文允许的情况下，术语“透镜”可以是指各种类型的光学部件中的任一种或组合，这些光学部件包括折射部件、反射部件、磁性部件、电磁部件和静电光学部件。
除非另有明确说明，否则从讨论中显而易见的是，应当领会，在整个说明书中，利用诸如“处理”、“计算(computing)”、“计算(calculating)”、“确定”等术语的讨论是指特定装置(诸如专用计算机或类似的专用电子处理/计算设备)的动作或过程。
上文已经借助于说明特定功能及其关系的实现方式的功能构建块对本说明书进行了描述。为了描述的方便，本文中已经对这些功能构建块的边界进行了任意定义。只要适当执行指定功能及其关系，就可以定义备选边界。
读者应当领会，本申请描述了几个发明。申请人没有将这些发明分成多个独立专利申请，而是将这些发明归为单个文档，因为它们的相关主题可以使其本身在申请过程中更加经济。但是，这些发明的独特优点和方面不应混为一谈。在一些情况下，实施例解决了本文中所指出的所有缺陷，但是应当理解，本发明独立有用，并且一些实施例仅解决了这些问题的子集，或者提供了其他未提及的益处，这对于查看本公开的技术的本领域技术人员而言是显而易见的。由于成本约束，所以本文中所公开的一些发明目前可能没有要求保护，并且可能在稍后申请(诸如继续申请或通过修改本权利要求书)中要求保护。同样，由于篇幅所限，所以本文档的发明章节的摘要或发明内容均不应视为包含所有此类发明或此类发明的所有方面的全面罗列。
应当理解，说明书和附图并非旨在将本发明限制为所公开的特定形式，相反，其意图是涵盖落入由所附的权利要求书限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同物和备选物。
鉴于该描述，本发明的各方面的修改和备选实施例对于本领域技术人员而言是显而易见的。因而，该描述和附图应当被解释为仅具有说明性，目的是向本领域技术人员教导实施本发明的一般方式。应当理解，本文中所示出和描述的本发明的形式将被视为实施例的示例。对于在受益于本发明的描述之后的本领域的技术人员而言显而易见的是，元件和材料可以代替本文中所图示和描述的元件和材料，可以颠倒或省略部分和材料，可以独立利用某些特征，并且可以组合实施例或实施例的特征。在不脱离如所附权利要求书中所描述的本发明的精神和范围的情况下，可以对本文中所描述的元件进行改变。本文中所使用的标题仅用于组织目的，并不意指用来限制本说明书的范围。
如在整个申请中所使用的，单词“可以(may)”以宽泛的意义(即，意指可能)而非强制性的意义(即，意指必须)使用。单词“包括(include、including和includes)”等意指包括但不限于。如在整个申请中所使用的，除非内容明确地另外指出，否则单数形式的“一”、“一个”和“该”包括复数个指示物。因此，例如，对“一个”元件或“一”元件的引用包括两个或更多个元件的组合，尽管对于一个或多个元件使用其他术语和短语，诸如“一个或多个”。除非另有说明，否则“或”是非排他性的，即，涵盖“和”和“或”两者。描述条件关系的术语(例如，“响应于X，Y”、“在X，Y时”、“如果X，Y”、“当X，Y时”)等涵盖因果关系，其中前因是必要因果条件，前因是充分因果条件，或者前因是后件的有贡献的因果条件，例如，“状态X在获得条件Y时发生”与“X仅在Y时发生”和“X在Y和Z时发生”通用。这种条件关系不限于紧跟前因获得的后果，因为一些后果可能会延迟，并且在条件语句中，前因与其后果相关联，例如，前因与随后发生的可能性有关。除非另有说明，否则其中多个属性或功能被映射到多个物体(例如，执行步骤A，B，C和D的一个或多个处理器)的语句涵盖所有这些属性或功能被映射到所有这些物体并且属性或功能的子集被映射到属性或功能的子集(例如，所有处理器各自执行步骤A至D，以及处理器1执行步骤A、处理器2执行步骤B和步骤C的一部分并且处理器3执行步骤C和步骤D的一部分的情况两者)两者。进一步地，除非另外说明，否则一个值或动作“基于”另一条件或值的语句涵盖条件或值是唯一因素的实例和条件或值是多个因素中的一个因素的实例两者。除非另有说明，否则不应将某个集合的“每个”实例具有一些特性的语句理解为排除更大集合中某些其他相同或相似的成员没有该特性的情况，即，每个不一定意指每一个。
所描述的一个或多个实施例以及说明书中对“一个实施例”、“一实施例”，“示例实施例”等的引用指示所描述的一个或多个实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可能不一定包括特定特征、结构或特性。而且，这种短语不一定是指同一实施例。进一步地，当结合实施例来描述特定特征、结构或特性时，无论是否明确描述，均认为结合其他实施例来实现这种特征、结构或特性处于本领域的技术人员的知识范围之内。
按某些美国专利、美国专利申请或其他材料(例如，文章)通过引用并入的程度，此类美国专利、美国专利申请和其他材料的文本仅按这些材料与本文中所陈述的陈述和附图之间不存在冲突的程度通过引用并入。在发生这种冲突的情况下，通过引用并入的美国专利、美国专利申请和其他材料中的任何这种冲突文本在本文中均不会通过引用明确并入。
特定实施例的以上描述揭示了本发明的主题的一般性质，使得其他人可以在不偏离本发明的一般概念的情况下通过应用本领域内的知识针对各种应用容易对这些具体实施例进行修改和/或调整，而无需过度实验。因此，基于本文中所提出的教导和指导，这种调整和修改旨在在所公开的实施例的等同物的含义和范围内。应当理解，本文中的措词或术语的目的是描述而非限制，使得本说明书的术语或措辞要由技术人员根据教导和指导进行解释。
上文的描述旨在是说明性的，而非限制性的。因此，对于本领域的技术人员而言是显而易见的是，可以在不背离下文所陈述的权利要求的范围的前提下，对所描述的本公开进行修改，并且本发明的广度和范围不应受到任何上文所描述的示例性实施例的限制，而是应当仅根据所附权利要求及其等同物来定义。

Claims (20)

1.一种检查装置，包括：
光学系统，被配置为向待测表面提供辐射的射束并且从所述表面接收重定向的辐射；以及
检测系统，被配置为测量所述重定向的辐射，
其中所述光学系统包括光学元件，所述光学元件用于处理所述辐射，所述光学元件包括MacNeille型多层偏振涂层，所述MacNeille型多层偏振涂层被配置为产生所述辐射的减小的色偏。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述偏振涂层在至少500nm至900nm的所述辐射波长范围内产生小于或等于10微米的色偏。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，其中所述偏振涂层在至少500nm至900nm的所述辐射波长范围内产生至少100的消光比。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中所述偏振涂层包括层的重复组合的第一叠层和层的重复组合的第二叠层，其中所述第二叠层中的所述层中的至少一个层的厚度不同于所述第一叠层中的各个层的厚度。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第一叠层的所述层的材料与所述第二叠层的所述层的材料相同。
6.根据权利要求4或5所述的装置，其中在所述第二叠层中重复的所述组合的所述层的所述厚度的比例是在所述第一叠层中重复的所述组合的所述层的厚度的比例的倍数。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的装置，其中所述偏振涂层还包括：与所述第一叠层的层的材料相同的材料的层，该层邻接所述第一叠层以具有所述第一叠层的所述材料的层的对称布置；和/或与所述第二叠层的层的材料相同的材料的层，该层邻接所述第二叠层以具有所述第二叠层的所述材料的层的对称布置。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的装置，其中所述第一叠层的层的所述组合的厚度大于所述第二叠层的层的所述组合的厚度，并且与所述第二叠层相比较，所述第一叠层更远离首先接收所述辐射的所述涂层的所述表面。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其中所述光学元件包括其他多层偏振涂层，其中所述MacNeille型多层偏振涂层在第一方向或方位上提供第一色偏，并且所述其他多层偏振涂层在第二不同的方向或方位上提供第二色偏，使得所述第一色偏和所述第二色偏的组合色偏小于所述第一色偏和所述第二色偏。
10.一种测量方法，所述方法包括：
向待测表面提供辐射的射束并且从所述表面接收重定向的辐射，其中所述辐射使用光学元件进行处理，所述光学元件包括被配置为产生所述辐射的减小的色偏的MacNeille型多层偏振涂层；以及
检测所述重定向的辐射以获得测量。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述偏振涂层在至少500nm至900nm的所述辐射波长范围内产生小于或等于10微米的色偏。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中所述偏振涂层在至少500nm至900nm的所述辐射波长范围内产生至少100的消光比。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中所述偏振涂层包括层的重复组合的第一叠层和层的重复组合的第二叠层，其中所述第二叠层中的所述层中的至少一个层的厚度不同于所述第一叠层中的各个层的厚度。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一叠层的所述层的材料与所述第二叠层的所述层的材料相同。
15.根据权利要求13或14所述的方法，其中在所述第二叠层中重复的所述组合的所述层的所述厚度的比例是在所述第一叠层中重复的所述组合的所述层的所述厚度的比例的倍数。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法，其中所述偏振涂层还包括：与所述第一叠层的层的材料相同的材料的层，该层邻接所述第一叠层以具有所述第一叠层的所述材料的层的对称布置；和/或与所述第二叠层的层的材料相同的材料的层，该层邻接所述第二叠层以具有所述第二叠层的所述材料的层的对称布置。
17.一种检查装置，包括：
光学系统，被配置为向待测表面提供辐射的射束并且从所述表面接收重定向的辐射；以及
检测系统，被配置为测量所述重定向的辐射，
其中所述光学系统包括用于处理所述辐射的光学元件，所述光学元件包括第一多层偏振和第二多层偏振涂层，所述第一多层偏振被配置为在第一方向或方位上提供第一色偏，所述第二多层偏振涂层被配置为在第二不同的方向或方位上提供第二色偏，使得所述第一色偏和所述第二色偏的组合色偏小于所述第一色偏和所述第二色偏。
18.根据权利要求17所述的检查装置，其中所述第一偏振或所述第二偏振是MacNeille型多层偏振涂层。
19.根据权利要求17或权利要求18所述的检查装置，其中所述第一方向或方位基本上与所述第二方向或方位相反。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的检查装置，其中所述第一色偏与所述第二色偏基本上相同。
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