CN111163270A - 消除闪烁的方法、电子装置和存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种消除闪烁的方法和电子装置。电子装置包括成像模组，成像模组包括图像传感器和电致变色元件，电致变色元件遮盖图像传感器。消除闪烁的方法包括步骤：判断当前场景中是否存在闪烁；在当前场景中存在闪烁时，调整图像传感器的曝光时长为闪烁周期的整数倍；和控制电致变色元件的透光率降低以减小图像传感器的曝光度。本申请中，当拍摄场景中存在闪烁现象时，一方面通过调节曝光时长来消除闪烁，同时为了避免调节曝光时长后图像过曝，通过降低电致变色元件的透光率来减少图像传感器的感光量，从而能够在消除闪烁的同时避免拍摄的图像过曝。

Description

消除闪烁的方法、电子装置和存储介质

技术领域

本申请涉及电子技术领域，特别涉及一种消除闪烁的方法、电子装置和存储介质。

背景技术

消费性电子产品的摄像头多采用互补金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor,CMOS)图像传感器，CMOS图像传感器多采用行曝光的方式，即不同行的图像在不同时刻曝光采集得到。当拍摄带有日光灯的场景时，由于日光灯采用交流电驱动，亮度会出现亮暗周期性变化。当行曝光时间不是灯光闪烁周期的整数倍时，不同行会产生亮度的明暗变化，从而使整个图像中形成亮暗的交替，也就是闪烁现象。相关技术中，为消闪烁现象，需将曝光时间调整为曝光时间的整数倍，同时为了保证在调整曝光时间后图像仍能正常曝光，需要减小图像传感器的增益以保证不会过曝。然而如此，在某些较亮的场景中，增益已经调整到最小而无法再继续调整，导致图像仍然过曝，影响成像质量。

发明内容

本申请提供了一种消除闪烁的方法、电子装置和存储介质。

本申请实施方式提供了一种消除闪烁的方法，用于电子装置，其特征在于，所述电子装置包括成像模组，所述成像模组包括图像传感器和遮盖所述图像传感器的电致变色元件，所述控制方法包括以下步骤：

判断当前场景中是否存在闪烁；

在所述当前场景中存在闪烁时，调整所述图像传感器的曝光时长为闪烁周期的整数倍；

控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度。

本申请实施方式提供了一种电子装置。电子装置包括成像模组和处理器，所述成像模组包括图像传感器和遮盖所述图像传感器的电致变色元件，所述图像传感器用于感测通过所述电致变色元件的光线以获取图像，所述电致变色元件能够在电压的作用下改变自身的透光率，所述处理器连接所述图像传感器和所述电致变色元件，所述处理器用于：

判断当前场景中是否存在闪烁；

在所述当前场景中存在闪烁时，调整所述图像传感器的曝光时长为闪烁周期的整数倍；

控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度。

本申请实施方式还提供一种包含计算机可执行指令的非易失性计算机可读存储介质，当所述计算机可执行指令被一个或多个处理器执行时，使得所述处理器执行以上所述的控制方法。

本申请实施方式的控制方法、电子装置和存储介质中，在成像模组中增加电致变色元件，当拍摄场景中存在闪烁现象时，一方面通过调节曝光时长来消除闪烁，同时为了避免调节曝光时长后图像过曝，通过降低电致变色元件的透光率来减少图像传感器的感光量，从而能够在消除闪烁的同时避免拍摄的图像过曝。

本申请的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实施方式的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本申请实施方式的控制方法的流程示意图；

图2是本申请实施方式的电子装置的平面示意图；

图3是本申请实施方式的电子装置的部分结构的模块示意图；

图4是本申请实施方式的成像模组的结构示意图；

图5是本申请实施方式的成像模组的另一结构示意图；

图6是本申请实施方式的成像模组的电致变色元件的结构示意图；

图7是本申请实施方式的电致变色元件透过的光谱示意图；

图8是本申请实施方式的控制方法的另一流程示意图；

图9是本申请实施方式的控制方法的又一流程示意图；

图10是本申请实施方式的控制方法的再一流程示意图。

主要元件符号说明：

电子装置100、成像模组、图像传感器11、电致变色元件12、电致变色层121、第一透明电极122、第二透明电极123、第一透明基板124、第二透明基板125、镜头13、封装壳体14、处理器20、壳体30。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

请参阅图1至图3，本申请实施方式提供一种消除闪烁的方法，用于本申请实施方式的电子装置100，电子装置100包括成像模组10，成像模组10包括图像传感器11和电致变色元件12，电致变色元件12遮盖图像传感器11。消除闪烁的方法包括步骤：

S10：判断当前场景中是否存在闪烁；

S20：在当前场景中存在闪烁时，调整图像传感器的曝光时长为闪烁周期的整数倍；和

S30：控制电致变色元件的透光率降低以减小图像传感器的曝光度。

请参阅图2和图3，本申请实施方式提供的电子装置100还包括处理器20，处理器20连接电致变色元件12和图像传感器11，图像传感器11用于感测通过电致变色元件12的光线以获取图像信息，电致变色元件12能够在电压的作用下改变自身的透光率。上述步骤S10-S30可由处理器20实现，也即是说，处理器20可用于判断当前场景中是否存在闪烁，及用于在当前场景中存在闪烁时调整图像传感器11的曝光时长为闪烁周期的整数倍，以及用于控制电致变色元件12的透光率降低以减小图像传感器11的曝光度。

具体地，在本实施方式中，处理器20电性连接图像传感器11和电致变色元件12，处理器20可在图像传感器11获取的图像曝光过度时给电致变色元件12提供电压以使得电致变色元件12的透光率降低，从而使得图像传感器11获得的图像的曝光度正常。在本文中“曝光度”是指图像的曝光程度。曝光度越高，图像的亮度就越高，图像就越发白。曝光度越低，图像的亮度就越低，图像就越偏暗。

在本申请的实施方式中，电子装置100可为手机、数码相机和平板电脑等具有成像和拍照功能的电子装置。此外，请参阅图2，通常情况下，电子装置100还包括壳体30，成像模组10安装在壳体30上，处理器20设置在壳体30内部。

在相机拍摄有日光灯的场景时，由于日光灯由交流电驱动，目前我国的市电工频为50Hz，日本等国家为60Hz，因此，亮度会出现亮暗周期性变化。当使用相机拍摄这样的场景时，可能会导致拍摄的图像画面也出现亮暗的闪烁。具体而言，以工频为50Hz为例，光源亮度的变化频率为100Hz，也即是闪烁周期为1/100s。相机的图像传感器采用行曝光的方式，如果曝光时间不是光源闪烁周期的整数倍，那么有的行就会在光源亮度高的时间段内曝光，有的行则在光源亮度低的时间段内曝光，就会导致所拍摄的图像出现亮暗的交替。

可以理解地，为了解决闪烁的问题，就需要将图像传感器的曝光时间调整为是光源闪烁周期的整数倍。如此，每一行的曝光时间内光源的亮暗变化是完全一样的，所拍摄的图像就不会出现闪烁了。然而仅调整曝光时长将会导致进光量的变化，例如，延长曝光时长可能会导致过曝，因此为了达到理想的曝光状态，还需要相应的调整图像传感器的曝光增益。然而在一些场景下，比如比较亮的拍摄场景下，曝光增益已经调整至最小值，无法继续减小，那么就会造成图像曝光过度，影响画面质量。

在本申请实施方式的消除闪烁的方法和电子装置100中，成像模组10设置有电致变色元件12，当拍摄场景中存在闪烁现象时，一方面通过调节曝光时长来消除闪烁，同时为了避免调节曝光时长后图像过曝，通过降低电致变色元件12的透光率来减少图像传感器11的感光量，通过调节电致变色元件12的透光率可以使得图像传感器11的感光量相对于调节曝光增益的变化更大，也即是说，当曝光增益已经调节至最小后，通过调节电致变色元件12的透光率仍然可以进一步地减小图像传感器11的感光率，从而达到理想的曝光状态，如此，能够在消除闪烁的同时避免拍摄的图像过曝。

在本实施方式中，判断当前场景中是否存在闪烁，可以采用基于帧差的方法，在当前设定的曝光时间的情况下，取当前连续两帧图像的对应行的像素差，然后根据差值判定当前帧图像是否存在闪烁现象。

当然，随着人工智能技术的发展，可以利用AI拍摄相关的功能，例如物体识别功能，来检测是否存在闪烁。具体地，当识别到被摄场景中有日光灯，且曝光时长不是日光灯闪烁周期的整数倍时，可以判断当前场景中存在闪烁。

在判断当前场景中存在闪烁时，可将曝光时长调整为闪烁周期的整数倍。例如，若当前光源的工频为50Hz，那么闪烁周期为1/100秒，可将曝光时长调整为N/100秒，N为正整数。相类似地，若当前光源的工频为60Hz，那么闪烁周期为1/120秒，可将曝光时长调整为N/120秒，N为正整数。光源的工频可以通过电子装置的定位信息确定。

可以理解地，当未检测到场景中存在闪烁时，则可以直接获取当前场景的图像。

请参阅图4，在某些实施方式中，成像模组10还包括镜头13，镜头13位于图像传感器11上方，电致变色元件12位于图像传感器11与所述镜头13之间。

如此，从镜头13入射的光线会经过电致变色元件12的过滤后再照射在图像传感器11上，从而使得通过改变电致变色元件12的透光率来减小图像的曝光度。

进一步地，请参阅图4和图5，成像模组10还包括封装壳体14，图像传感器11和镜头13均设置且封装在封装壳体14内，镜头13至少部分地从封装壳体14露出，电致变色元件12卡设在封装壳体14内。

具体地，封装壳体14包括封装基板141、封装侧壁142和封装顶板143，图像传感器11承载在封装基板141上，封装侧板142上形成有卡槽1421，电致变色元件12卡设在卡槽1421内。封装顶板143形成有入光窗口1431，镜头13至少部分从入光窗口1431露出。

需要说明的是，镜头13至少部分地露出封装壳体14可以理解为“从入光窗口1431进入的光线能够顺利地进入镜头13”。具体地，在图4和图5所示的实施方式中，入光窗口1431可以为开设在封装顶板142上的通孔，镜头13可以至少部分地位于通孔内以至少部分地从通孔内露出。可以理解的是，在其它实施方式中，入光窗口1431也可以是封装顶板143上选用透明材料制作而成的部位，具体在此不作限制。

此外，请参阅图5，在某些实施方式中，电致变色元件12也可以是位于镜头13的上方，也即是说，镜头13位于电致变色元件12和图像传感器11的之间。在这样的实施方式中，光线会先经过电致变色元件12过滤后再通过镜头13入射至图像传感器11。具体地，请参阅图4和图5，在这样的实施方式中，电致变色元件12可以设置在封装壳体14的上表面，例如，通过胶水粘结在封装壳体14的封装顶板143上。

另外，请继续参阅图4和图5，在上述实施方式中，电致变色元件12在镜头13所在的平面上的投影覆盖镜头13。

如此，在电致变色元件12位于镜头13与图像传感器11之间时，可以保证从镜头13入射的光线全部都会经过电致变色元件12以对所有入射光都进行过滤。

请参阅图6，在某些实施方式中，电致变色元件12包括电致变色层121、第一透明电极122和第二透明电极123，第一透明电极122和第二透明电极123连接在电致变色层121的相背两侧，第一透明电极122和第二透明电极123用于给电致变色层121施加电压。

第一透明电极122和第二透明电极123可为ITO导电玻璃，第一透明电极122为正极，第二透明电极123为负极。在通电的情况下，第一透明电极122、第二透明电极123以及电致变色层121形成电流回路，从而使得电致变色层121的透光率发生变化。

此外，在本申请的实施方式中，电致变色层121可由电致变色材料制成，电致变色材料的光学属性(反射率、透光率、吸收率等)在外加电场的作用下能够发生稳定、可逆的颜色变化，使得电致变色材料在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化。

具体地，当经过电极向电致变色材料加电压时，由于材料的氧化还原反应或者光电转移效应就会使材料的透过光谱发生变化。电致变色材料可为聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯导等导电聚合物，这样的材料在电压的作用下发生氧化还原反应使得材料能带结构的变化从而使得颜色发生变化，从而改变其透光率。此外，电致变色材料也可以是紫罗精或者联吡啶，这样的材料在被施加电压时，其分子间强烈的光电转移引起的颜色变化，从而改变其透光率。

具体地，在图6所示的示例中，电致变色层121在没有电压的作用下为无色，在通电的情况下，电致变色层121转变为着色态。并且，请参阅图7，图7表示的是电压与透光率的曲线关系图，其横轴代表时间，竖轴代表透光率，曲线I代表电压大小，曲线II代表电致变色元件12透光率。由图可知，在施加电压后，随着时间的推移，电致变色元件12的透光率逐渐降低，在断电后，电致变色元件12的透光率会逐渐升高。

可以理解的是，在一些实施方式中，电致变色层121也可以在不同的电压作用下具有不同的透光率。例如每一个电压可对应一个透光率，这样，只需要给电致变色元件12施加不同的电压即可达到所期望的透光率。

进一步地，请参阅图6，在某些实施方式中，电致变色元件12还包括间隔设置的第一透明基板124和第二透明基板125，第一透明电极122、电致变色层121和第二透明电极123堆叠设置在第一透明基板124和第二透明基板125之间。

如此，第一透明基板124和第二透明基板125可以对电致变色层121以及透明电极进行承载和支撑，同时也可保护电致变色元件12不会在外部压力损坏。另外，第一透明基板124和第二透明基板125均是透明的，两者并不会影响电致变色元件12的正常工作。

具体地，第一透明基板124的材质可为蓝玻璃。蓝玻璃的主要成分是磷酸盐或者氟磷酸盐，其对红外光线具有较高的吸收率，蓝玻璃制成的第一透明基板124对红外光具有较好的过滤效果，有利于提升拍摄的质量。第二透明基板125的材质可以与第一透明基板124的材质相同，也可以不同。例如第二透明基板125的材质可以为蓝玻璃，也可以为常规的玻璃。第二透明基板125的材质还可以为PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸类塑料)，PET具有较高的成膜性、光学性能和耐候性，采用PET材质制成的第二透明基板125具有良好的透光性。第二透明基板125的材质还可以为PI(Polyimide，聚酰亚胺)等透光性能较好的材料。

在某些实施方式中，电致变色元件12还可用于对红外光线进行过滤。

具体地，在本实施方式中，电致变色元件12在变化颜色后，可以吸收红外光，从而使得成像模组10可以省略红外滤光片，可以降低成像模组10的厚度，节约制造成本，降低制造难度。

请参阅图8，在某些实施方式中，消除闪烁的方法还包括步骤：

S40：根据图像传感器在调整曝光时长后获取的图像的亮度确定第一预设透光率；

步骤S30包括：

S31：控制电致变色元件的透光率降低至第一预设透光率以减小图像传感器的曝光度。

请参阅图2和图3，在某些实施方式中，上述步骤S40可以由处理器20实现，也即是说，处理器20可用于根据图像传感器11在调整曝光时长后获取的图像的亮度确定第一预设透光率。如此，在将电致变色元件12的当前透光率调节至第一预设透光率时，图像传感器11的曝光量是处于正常状态的，不会导致过曝，也即是说，将电致变色元件12的当前透光率调节至第一预设透光率的目的是为了使得图像传感器11在曝光时长延长后获取的图像不会曝光过度。

在本实施方式中，第一预设透光率可以是成像模组10根据调整后的曝光时长获取的预览图像的亮度来确定，具体地，可以采用平均亮度法、权重均值法、亮度直方图等方法。其中，平均亮度法即对预览图像所有像素亮度求平均值，然后通过调整电致变色元件12的透光率是图像亮度最终达到目标亮度。权重均值法是对图像不同区域设置不同权重来计算图像亮度。亮度直方图法是通过为直方图中峰值分配不同权重来计算图像亮度。在此不再赘述。如此，通过降低电致变色元件12的透光率可以在延长曝光时长后，平衡进光量，从而使得图像传感器11的曝光度得到有效控制，可获取到曝光正常的图像。

此外，在本实施方式中，步骤S31也可由处理器20实现，也即是说，处理器20还可用于控制电致变色元件12的透光率降低至第一预设透光率以减小图像传感器11的曝光度。具体地，如上述，在根据调整曝光时长后获取的图像亮度确定合适的第一预设透光率后，处理器20可以控制电致变色元件12的透光率降低至第一预设透光率以减小图像传感器11的曝光度。

请参阅图9，在某些实施方式中，步骤S30包括步骤：

S32：调整图像传感器的曝光增益；

S33：判断曝光增益是否调整至最小值；

S34：若曝光增益调整至最小值，控制电致变色元件的透光率降低以减小图像传感器的曝光度。

在某些实施方式中，步骤S32-S34可以由处理器20实现。也即是说，处理器20用于调整图像传感器11的曝光增益，及用于判断曝光增益是否调整至最小值，以及用于在曝光增益调整至最小值的情况下控制电致变色元件12的透光率降低以减小图像传感器11的曝光度。

具体地，图像传感器11的曝光增益指的是图像传感器11的信号放大系数。需要指出的是，在保持其它条件(例如环境亮度、曝光时间等)不变的情况下，图像传感器11的曝光增益越大，图像的亮度越大，即曝光度越大；反之，曝光增益越小，图像的亮度越小，即曝光度越小。对于每一个图像传感器11而言，曝光增益都存在一个最小值。

可以理解地，减小曝光增益，在降低亮度的同时能够降低噪声，有益于提升图像质量。因此，当判断当场场景中存在闪烁时，当调整曝光时长为闪烁周期的整数倍的情况下，首先调节曝光增益来减小图像传感器11的曝光度。若曝光增益未调节至最小值的情况下，图像亮度即能够达到目标亮度，那么可直接采用当前的曝光时长和曝光增益拍摄图像。若曝光增益已调节至最小值，但图像仍然过曝，那么将通过降低电致变色元件12的透光率来减小图像传感器11的感光量，从而降低图像传感器11的曝光度。

请参阅图10，进一步地，在这样的实施方式中，消除闪烁的方法还包括步骤：

S50：根据图像传感器在调整曝光时长以及调整曝光增益至最小值后获取的图像的亮度确定第二预设透光率；

步骤S34包括：

S341：控制电致变色元件的透光率降低至第二预设透光率以减小图像传感器的曝光度。

请参阅图2和图3，在某些实施方式中，步骤S50可以由处理器20实现。也即是说，处理器20可用于根据图像传感器11在调整曝光时长以及调整曝光增益至最小值后获取的图像的亮度确定第二预设透光率。如此，在曝光增益调整最小值仍不能满足曝光要求的情况下，将电致变色元件12的当前透光率调节至第二预设透光率时，图像传感器11的曝光量处于正常状态，不会导致过曝，也即是说，将电致变色元件12的当前透光率调节至第二预设透光率的目的是为了使得图像传感器11在曝光时长延长且曝光增益调整至最小值后获取的图像不会曝光过度。

在本实施方式中，第二预设透光率可以是成像模组10根据调整后的曝光时长且将增益调整至最小值后获取的预览图像的亮度来确定，具体地，可参照上述确定第一预设透光率的方式实现，在此不再赘述。

此外，在本实施方式中，步骤S341也可由处理器20实现，也即是说，处理器20还可用于控制电致变色元件12的透光率降低至第二预设透光率以减小图像传感器11的曝光度。具体地，如上述，在根据调整曝光时长且曝光增益调整至最小值后获取的图像亮度确定合适的第二预设透光率后，处理器20可以控制电致变色元件12的透光率降低至第二预设透光率以减小图像传感器11的曝光度。如此，优先减小增益，在增益不能再减小的情况下再去减小透光率，能够使得图像画质较佳。

在某些实施方式中，步骤S10可包括步骤：

改变电致变色元件的通电时间使电致变色元件的透光率降低以减小图像传感器的曝光度。

在某些实施方式在中，上述步骤也可由处理器20实现，也即是说，处理器20可用于改变电致变色元件12的通电时间使电致变色元件12的透光率降低以减小图像传感器11的曝光度。

具体地，有图7和上述可知，在施加电压后，随着时间的推移，电致变色元件12的透光率逐渐降低，因此，可以通过改变电致变色元件12的通电时间来使得电致变色元件12降低。

另外，在某些实施方式中，步骤S10可包括步骤：

改变电致变色元件的施加电压的大小使电致变色元件的透光率降低以减小图像传感器的曝光度。

在某些实施方式在中，上述步骤也可由处理器20实现，也即是说，处理器20可用于改变电致变色元件12的施加电压的大小使电致变色元件12的透光率降低以减小图像传感器11的曝光度。

具体地，电致变色元件12在没有施加电压时，呈透明态，此时透光率最高。在施加电压时，电致变色元件12呈着色态，并且施加的电压的大小不同，其着色的程度也不同，也即是说，施加的电压的大小不同，其透光率也不同，因此，可以通过改变电致变色元件12的施加电压的大小来调节电致变色元件12的透光率。

本申请实施方式还提供了一种计算机可读存储介质。一个或多个包含计算机可执行指令的非易失性计算机可读存储介质，当计算机可执行指令被一个或多个处理器20执行时，使得处理器20执行上述任一实施方式的消除闪烁的方法。

例如，当计算机可执行指令被一个或多个处理器20执行时，使得处理器20执行以下步骤：

S10：判断当前场景中是否存在闪烁；

S20：在当前场景中存在闪烁时，调整图像传感器的曝光时长为闪烁周期的整数倍；

S30：控制电致变色元件的透光率降低以减小图像传感器的曝光度。

本领域技术人员可以理解，图中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的示意图，并不构成对本申请方案所应用于其上的电子装置100的限定，具体的电子装置100可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的程序可存储于一非易失性计算机可读存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)等。

以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (13)

1.一种消除闪烁的方法，用于电子装置，其特征在于，所述电子装置包括成像模组，所述成像模组包括图像传感器和遮盖所述图像传感器的电致变色元件，所述控制方法包括以下步骤：

判断当前场景中是否存在闪烁；

在所述当前场景中存在闪烁时，调整所述图像传感器的曝光时长为闪烁周期的整数倍；

控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度。

2.根据权利要求1所述的消除闪烁的方法，其特征在于，所述消除闪烁的方法还包括步骤：

根据所述图像传感器在调整所述曝光时长后获取的图像的亮度确定第一预设透光率；

所述控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度的步骤包括：

控制所述电致变色元件的透光率降低至所述第一预设透光率以减小所述图像传感器的曝光度。

3.根据权利要求1所述的消除闪烁的方法，其特征在于，所述控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度的步骤包括：

调整所述图像传感器的曝光增益；

判断所述曝光增益是否调整至最小值；

若所述曝光增益调整至最小值，控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度。

4.根据权利要求3所述的消除闪烁的方法，其特征在于，所述消除闪烁的方法还包括步骤：

根据所述图像传感器在调整所述曝光时长以及调整所述曝光增益至最小值后获取的图像的亮度确定第二预设透光率；

所述控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度的步骤包括：

控制所述电致变色元件的透光率降低至所述第二预设透光率以减小所述图像传感器的曝光度。

5.根据权利要求1所述的消除闪烁的方法，其特征在于，所述控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度的步骤包括：

改变所述电致变色元件的通电时间使所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度；或

改变所述电致变色元件的施加电压的大小使所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度。

6.一种电子装置，其特征在于，电子装置包括成像模组和处理器，所述成像模组包括图像传感器和遮盖所述图像传感器的电致变色元件，所述图像传感器用于感测通过所述电致变色元件的光线以获取图像信息，所述处理器连接所述图像传感器和所述电致变色元件，所述处理器用于：

判断当前场景中是否存在闪烁；

在所述当前场景中存在闪烁时，调整所述图像传感器的曝光时长为闪烁周期的整数倍；

控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述处理器用于：

根据所述图像传感器在调整所述曝光时长后获取的图像的亮度确定第一预设透光率；

控制所述电致变色元件的透光率降低至所述第一预设透光率以减小所述图像传感器的曝光度。

8.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述处理器用于：

调整所述图像传感器的曝光增益；

判断所述曝光增益是否调整至最小值；

若所述曝光增益调整至最小值，控制所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述处理器用于：

根据所述图像传感器在调整所述曝光时长以及调整所述曝光增益至最小值后获取的图像的亮度确定第二预设透光率；

控制所述电致变色元件的透光率降低至所述第二预设透光率以减小所述图像传感器的曝光度。

10.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述处理器还用于：

改变所述电致变色元件的通电时间使所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度；或

改变所述电致变色元件的施加电压的大小使所述电致变色元件的透光率降低以减小所述图像传感器的曝光度。

11.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述成像模组包括镜头，所述镜头位于所述图像传感器上方，所述电致变色元件位于所述图像传感器与所述镜头之间。

12.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述成像模组包括镜头，所述镜头位于所述图像传感器和所述电致变色元件之间。

13.一种包含计算机可执行指令的非易失性计算机可读存储介质，当所述计算机可执行指令被一个或多个处理器执行时，使得所述处理器执行权利要求1至5中任一项所述的消除闪烁的方法。

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