CN111159966B - 非易失性存储器验证方法 - Google Patents

非易失性存储器验证方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111159966B
CN111159966B CN201911363506.8A CN201911363506A CN111159966B CN 111159966 B CN111159966 B CN 111159966B CN 201911363506 A CN201911363506 A CN 201911363506A CN 111159966 B CN111159966 B CN 111159966B
Authority
CN
China
Prior art keywords
variable
test
vector file
nonvolatile memory
parameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911363506.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111159966A (zh
Inventor
刘德斌
李姣姣
雷冬梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Praran Semiconductor Shanghai Co ltd
Original Assignee
Praran Semiconductor Shanghai Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Praran Semiconductor Shanghai Co ltd filed Critical Praran Semiconductor Shanghai Co ltd
Priority to CN201911363506.8A priority Critical patent/CN111159966B/zh
Publication of CN111159966A publication Critical patent/CN111159966A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111159966B publication Critical patent/CN111159966B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Abstract

本发明公开了一种非易失性存储器验证方法,预存源向量文件及多个测试向量文件;源向量文件是把多个测试向量的文件名按照一定顺序集合在一起;验证平台顶层调用指令以测试向量文件名的行号n为调用对象时,生成一个形参量传递给参量生成器;所生成的形参量的x1变量的值为源向量文件中的行号n所对应的测试向量文件名;参量生成器根据形参量生成宏参量并发送到验证平台;宏参量中的x1变量被赋值为形参量中的x1变量的值,宏参量的x2变量赋值为x1变量的值对应的测试向量文件路径;验证平台根据宏参量的x2变量的值,寻找具体仿真用的测试向量文件。本发明便于搭建仿真验证环境,降低多种产品验证配置难度,仿真效率高。

Description

非易失性存储器验证方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路验证技术,特别涉及一种非易失性存储器验证方法。
背景技术
半导体集成电路验证技术是集成电路设计的一部分,集成电路验证设计分为前仿真和后仿真。前仿真面向寄存器传输级仿真,用硬件描述语言进行寄存器传输级的设计仿真,验证设计功能的正确性;后仿真把实际电路的延时信息反标到综合后的设计中,作为一个实际电路仿真模型。
搭建仿真验证环境复杂繁琐,根据实际设计要求,不同设计的配置所验证的设计不同,选择的测试文件也不同。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种非易失性存储器验证方法,便于搭建仿真验证环境,降低多种产品验证配置难度,且结构清晰,便以理解,仿真效率高。
为解决上述技术问题,本发明提供的非易失性存储器验证方法,其预存源向量文件及多个测试向量文件;
所述源向量文件是把多个测试向量的文件名按照一定顺序集合在一起,每个行号对应一个测试向量的文件名;
验证平台顶层调用指令以测试向量文件名的行号n为调用对象时,生成一个形参量传递给参量生成器;所述形参量包括x1变量,所生成的形参量的x1变量的值为源向量文件中的行号n所对应的测试向量文件名;
所述参量生成器,根据形参量生成宏参量并发送到验证平台;
宏参量包括x1变量、x2变量,x2变量为测试向量文件的路径;
宏参量中的x1变量被赋值为所述形参量中的x1变量的值,即源向量文件中的行号n所对应的测试向量文件名,并将x2变量赋值为x1变量的值对应的测试向量文件路径;
所述验证平台,根据所述宏参量的x2变量的值,即测试向量文件路径,寻找具体仿真用的测试向量文件。
较佳的,所述验证平台运行所述测试向量文件,测试向量文件调用一系列测试指令;
其驱动器将所述测试指令按驱动协议发送到非易失性待验证存储器设计;
非易失性待验证存储器设计执行所述测试指令,并返回执行结果到其监视器;
其监视器,检测发送到非易失性待验证存储器设计的测试指令及执行结果。
较佳的,所述监视器,打印或显示发送到非易失性待验证存储器设计的测试指令所做的做场景描述及非易失性待验证存储器设计执行测试指令的执行结果。
较佳的,所述形参量还包括x3变量,x3变量为所需验证配置信息;
宏参量还包括x3变量;
所述参量生成器,根据形参量生成宏参量并发送到验证平台;
宏参量包括x1变量、x2变量,x2变量为测试向量文件路径变量;
宏参量中的x3变量被赋值为所述形参量中的x3变量的值;
所述验证平台,寻找到具体仿真用的测试向量文件并运行后,形成一系列测试指令,并根据宏参量中的x3变量自动选择具有相应验证配置条件的非易失性待验证存储器设计;
所述驱动器将所述测试指令按驱动协议发送到上述具有相应验证配置条件的非易失性待验证存储器设计,对具有相应验证配置条件的非易失性待验证存储器设计进行验证。
较佳的,所需验证配置信息包括容量或规格。
较佳的,所需验证配置信息按设计人员所需自行设置。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面对本发明所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的非易失性存储器验证方法一实施例的验证平台示意图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
非易失性存储器验证方法,预存源向量文件及多个测试向量文件;
所述源向量文件是把多个测试向量的文件名按照一定顺序集合在一起,每个行号对应一个测试向量的文件名;
验证平台顶层调用指令以测试向量文件名的行号n为调用对象时,生成一个形参量传递给参量生成器;所述形参量包括x1变量,所生成的形参量的x1变量的值为源向量文件中的行号n所对应的测试向量文件名;
所述参量生成器,根据形参量生成宏参量并发送到验证平台;
宏参量包括x1变量、x2变量,x2变量为测试向量文件的路径;
宏参量中的x1变量被赋值为所述形参量中的x1变量的值,即源向量文件中的行号n所对应的测试向量文件名,并将x2变量赋值为x1变量的值对应的测试向量文件路径;
所述验证平台,根据所述宏参量的x2变量的值,即测试向量文件路径,寻找具体仿真用的测试向量文件。
较佳的,如图1所示,所述验证平台运行所述测试向量文件,测试向量文件调用一系列测试指令;
其驱动器将所述测试指令按驱动协议发送到非易失性待验证存储器设计;
非易失性待验证存储器设计执行所述测试指令,并返回执行结果到其监视器;
所述监视器,检测发送到非易失性待验证存储器设计的测试指令及执行结果。
较佳的,所述监视器,打印或显示发送到非易失性待验证存储器设计的测试指令所做的做场景描述及非易失性待验证存储器设计执行测试指令的执行结果。
实施例一的非易失性存储器验证方法,便于搭建仿真验证环境,降低多种产品验证配置难度,且结构清晰,便以理解,仿真效率高。
实施例二
基于实施例一的非易失性存储器验证方法,
所述形参量还包括x3变量,x3变量为所需验证配置信息;
宏参量还包括x3变量;
所述参量生成器,根据形参量生成宏参量并发送到验证平台;
宏参量包括x1变量、x2变量,x2变量为测试向量文件路径变量;
宏参量中的x3变量被赋值为所述形参量中的x3变量的值;
所述验证平台,寻找到具体仿真用的测试向量文件并运行后,形成一系列测试指令;
并根据宏参量中的x3变量自动选择具有相应验证配置条件的非易失性待验证存储器设计;
所述驱动器将所述测试指令按驱动协议发送到上述具有相应验证配置条件的非易失性待验证存储器设计,对具有相应验证配置条件的非易失性待验证存储器设计进行验证。
较佳的,所需验证配置信息包括容量或规格。
较佳的,所需验证配置信息按设计人员所需自行设置。
实施例二的非易失性存储器验证方法,所述参量生成器传递所需验证配置信息,根据形参量生成宏参量并发送到验证平台,验证平台自动选择同所需验证配置信息匹配的配置条件下的非易失性待验证存储器设计,可以按照程序设计者的要求对多种不同配置的非易失性待验证存储器设计进行验证,能对非易失性存储器进行前仿真和后仿真。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (6)

1.一种非易失性存储器验证方法,其特征在于,预存源向量文件及多个测试向量文件;
所述源向量文件是把多个测试向量的文件名按照一定顺序集合在一起,每个行号对应一个测试向量的文件名;
验证平台顶层调用指令以测试向量文件名的行号n为调用对象时,生成一个形参量传递给参量生成器;所述形参量包括x1变量,所生成的形参量的x1变量的值为源向量文件中的行号n所对应的测试向量文件名;
所述参量生成器,根据形参量生成宏参量并发送到验证平台;
宏参量包括x1变量、x2变量,x2变量为测试向量文件的路径;
宏参量中的x1变量被赋值为所述形参量中的x1变量的值,即源向量文件中的行号n所对应的测试向量文件名,并将x2变量赋值为x1变量的值对应的测试向量文件路径;
所述验证平台,根据所述宏参量的x2变量的值,即测试向量文件路径,寻找具体仿真用的测试向量文件。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器验证方法,其特征在于,
所述验证平台运行所述测试向量文件,测试向量文件调用一系列测试指令;
其驱动器将所述测试指令按驱动协议发送到非易失性待验证存储器设计;
非易失性待验证存储器设计执行所述测试指令,并返回执行结果到其监视器;
监视器检测发送到非易失性待验证存储器设计的测试指令及执行结果。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器验证方法,其特征在于,
所述监视器,打印或显示发送到非易失性待验证存储器设计的测试指令所做的做场景描述及非易失性待验证存储器设计执行测试指令的执行结果。
4.根据权利要求2所述的非易失性存储器验证方法,其特征在于,
所述形参量还包括x3变量,x3变量为所需验证配置信息;
宏参量还包括x3变量;
所述参量生成器,根据形参量生成宏参量并发送到验证平台;
宏参量包括x1变量、x2变量,x2变量为测试向量文件路径变量;
宏参量中的x3变量被赋值为所述形参量中的x3变量的值;
所述验证平台,寻找到具体仿真用的测试向量文件并运行后,形成一系列测试指令,并根据宏参量中的x3变量自动选择具有相应验证配置条件的非易失性待验证存储器设计;
所述驱动器将所述测试指令按驱动协议发送到上述具有相应验证配置条件的非易失性待验证存储器设计,对具有相应验证配置条件的非易失性待验证存储器设计进行验证。
5.根据权利要求4所述的非易失性存储器验证方法,其特征在于,
所需验证配置信息包括容量或规格。
6.根据权利要求4所述的非易失性存储器验证方法,其特征在于,
所需验证配置信息按设计人员所需自行设置。
CN201911363506.8A 2019-12-26 2019-12-26 非易失性存储器验证方法 Active CN111159966B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911363506.8A CN111159966B (zh) 2019-12-26 2019-12-26 非易失性存储器验证方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911363506.8A CN111159966B (zh) 2019-12-26 2019-12-26 非易失性存储器验证方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111159966A CN111159966A (zh) 2020-05-15
CN111159966B true CN111159966B (zh) 2023-05-12

Family

ID=70556858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911363506.8A Active CN111159966B (zh) 2019-12-26 2019-12-26 非易失性存储器验证方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111159966B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112365917B (zh) * 2020-12-04 2021-11-05 芯天下技术股份有限公司 非易失存储器指令组合验证方法、装置、存储介质和终端

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6484135B1 (en) * 1999-08-30 2002-11-19 Hewlett-Packard Company Method for adaptive test generation via feedback from dynamic emulation
CN108333501A (zh) * 2018-03-26 2018-07-27 中国科学院微电子研究所 硬件木马的旁路检测方法和装置、仿真验证方法和装置
CN109726507A (zh) * 2019-01-17 2019-05-07 湖南进芯电子科技有限公司 一种高效的多功能验证平台及方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6484135B1 (en) * 1999-08-30 2002-11-19 Hewlett-Packard Company Method for adaptive test generation via feedback from dynamic emulation
CN108333501A (zh) * 2018-03-26 2018-07-27 中国科学院微电子研究所 硬件木马的旁路检测方法和装置、仿真验证方法和装置
CN109726507A (zh) * 2019-01-17 2019-05-07 湖南进芯电子科技有限公司 一种高效的多功能验证平台及方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
严迎建 ; 杨志峰 ; 任方 ; .面向专用指令集处理器设计的软硬件协同验证.计算机工程.2010,(第06期),全文. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111159966A (zh) 2020-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106445506A (zh) 一种业务流程图生成方法、装置和系统
EP1093619B1 (en) System and method for identifying finite state machines and verifying circuit designs
CN106293664A (zh) 代码生成方法及装置
CN109447276B (zh) 一种机器学习系统、设备及应用方法
CN109614093B (zh) 可视化智能合约系统以及智能合约的处理方法
US20120197617A1 (en) Co-Simulation with Peer Negotiated Time Steps
CN111159966B (zh) 非易失性存储器验证方法
CN106708687A (zh) 一种基于可执行文件的芯片验证方法和装置
US20170255718A1 (en) Method and system for determing welding process parameters
CN106682370A (zh) 一种仿真验证系统
CN111290954B (zh) 一种基于uvm的fpga构件可视化测试框架和方法
CN105303000A (zh) 一种电路设计方法及系统
CN101674205B (zh) 基于有限状态机的网络通信协议测试序列生成方法及装置
CN105320593B (zh) 多路帧随机数据验证处理方法及装置
CN108228965B (zh) 一种存储单元的仿真验证方法、装置和设备
CN109176601A (zh) 用于机器人的开门测试方法及装置
Sun et al. Bisimilarity enforcing supervisory control for deterministic specifications
CN110515604A (zh) 验证环境的可执行程序文件的获取方法及装置
US11799724B2 (en) Internet-of-things model-based virtual internet-of-things device generation method and apparatus
CN116302901A (zh) 一种通用验证方法学uvm验证平台的生成方法及装置
Deniz et al. Supporting dynamic simulations with Simulation Modeling Architecture (SiMA): a Discrete Event System Specification-based modeling and simulation framework
Monkewich et al. OSPF efficient LSA refreshment function in SDL
CN112069756A (zh) 一种可编程逻辑验证架构及其实现方法
Patzina et al. A case study based comparison of ATL and SDM
JP4484048B2 (ja) ハードウェア/ソフトウェア協調検証システム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Room 504, 560 shengxia Road, Pudong New Area, Shanghai, 201210

Applicant after: Praran semiconductor (Shanghai) Co.,Ltd.

Address before: 201210, room 560, 503, midsummer Road, Shanghai, Pudong New Area

Applicant before: PUYA SEMICONDUCTOR (SHANGHAI) Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant