CN111123423B - 火焰探测用双通道红外滤光片组合及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种火焰探测用双通道红外滤光片组合，所述的双通道红外滤光片组合包括第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片。在第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片中，使用相同的短波通膜系结构，因此，本发明提供的滤光片组合具有同一种短波通膜系结构对应两种长波通膜系结构的特点，以保证取差运算时光谱下降沿完全归零，实现中心波长4.3μm、带宽100nm的窄带滤光片的效果。由此，本发明提供的双通道滤光片组合，在无干扰时，配合相关算法可以明显提高火焰探测距离，有效探测距离可达70米；在有阳光干扰时，“取差运算”可以实现抗阳光干扰进行火焰探测。
Description
技术领域
本发明涉及火焰探测器技术领域，涉及一种火焰探测用双通道红外滤光片组合及其制备方法和应用。
背景技术
近年来随着人们安全意识的增强，对火灾防护及报警装置的需求越来越高。火焰探测器是应对大型石油化工、易燃易爆存储仓库等场所最为有效的一种火灾探测及报警装置。在一般情况下通过探测4.3μm～4.6μm波段的辐射信号可以有效判断是否在有效范围内是否有火灾发生。但是在一些人类活动场所会存在一些工业照明、生物体热源干扰、背景辐射等方面的影响，于是衍生出了三通道、四通道，甚至是五通道的火焰探测器，如增加2.2μm、2.7μm、3.9μm和5.02μm等红外信号通道，通过算法来减少各种干扰带来的误判。
但是经过实际测试，国内市场上还没有能够经受住阳光干扰下仍能很好的识别出火焰信号的探测器。这主要是因为在阳光干扰下各通道的响应信号过高，甚至响应截止，即产生阳光致盲现象，即探测范围内有无火焰不能进行识别。
目前国内标准GB 15631-2008 《特种火灾探测器》并未对阳光干扰试验做出具体的要求，但美国标准FM Approval Standard 3260 《Radiant energy-sensing firedetectors used for automatic fire alarm signaling 》已对阳光干扰提出了要求，即存在阳光干扰（直射或反射）的情况下也要在有效范围内识别出是否有火灾情况发生。
为此，要在阳光干扰情况下能够正常识别出火焰信号，需要特殊的抗阳光干扰的滤光片来实现。但是，阳光干扰毕竟不总是存在，而是偶然事件。那么单独增加一个使用频率不高的通道，就会存在一定的资源冗余。并且，在无阳光干扰时，火焰探测距离一般小于50米，很难继续提高探测距离。
专利CN201510578168.5“4.2～4.45透过中红外滤光片及其制备方法”，其使用了长波通加短波通的膜系组合，制备了满足遥感探测用的4.2～4.5微米波段的红外滤光片，但该4.2～4.5微米波段的红外滤光片并不能满足火焰探测使用要求。
发明内容
本发明的主要目的就是针对以上存在的现有火焰探测器用滤光片无法抗阳光干扰、导致在阳光干扰下火焰探测器信号过大甚至响应截止、无法正常工作并且在无阳光干扰时火焰探测距离一般小于50米、很难继续提高探测距离的问题，提供一种在抗阳光干扰的同时可以提高火焰探测距离达到70米的火焰探测用双通道红外滤光片组合及其制备方法和应用。
为了实现上述目的，本发明采用的火焰探测用双通道红外滤光片组合的技术方案如下：所述的双通道红外滤光片组合包括第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片，第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片集成在同一个红外传感器上；
所述的第一通道红外滤光片包括第一基底、第一长波通膜系结构以及第一短波通膜系结构，所述的第一长波通膜系结构和第一短波通膜系结构设置于所述的第一基底的两侧；
所述的第二通道红外滤光片包括第二基底、第二长波通膜系结构以及第二短波通膜系结构，所述的第二长波通膜系结构和第二短波通膜系结构设置于所述的第二基底的两侧；
所述的第一长波通膜系结构为：Sub/ 0.41(0.5HL0.5H)^7 0.68(0.5HL0.5H)^70.5L/Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，L为四分之一波长光学厚度的SiO膜层，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，符号^7表示其对应括号内的膜堆重复的次数，设计波长为4500nm；
所述的第二长波通膜系结构为：Sub/ 0.41(0.5HL0.5H)^7 0.68(0.5HL0.5H)^70.5L /Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，L为四分之一波长光学厚度的SiO膜层，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，符号^7表示其对应括号内的膜堆重复的次数，设计波长为4605nm；
所述的第一短波通膜系结构和第二短波通膜系结构均为：Sub/1.40(0.5LH0.5L)^6/Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，L为四分之一波长光学厚度的SiO膜层，符号^6表示其对应括号内的膜堆重复的次数，设计波长为4500nm；
所述的第一通道红外滤光片的透射中心波长为4.5μm±20nm，透射带宽为400±40nm，除透射带外其余1.5～8μm波段全部截止，截止区平均透射率＜1%；及所述的第二通道红外滤光片的透射中心波长为4.55μm±20nm，透射带宽为300±40nm，除透射带外其余1.5～8μm波段全部截止，截止区平均透射率＜1%；
在有阳光干扰时，双通道信号取差运算，使得所述的第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片组合实现中心波长4.35μm、带宽100nm的窄带滤光片的效果。
较佳地，所述的第一基底和第二基底均为单晶硅基底。
较佳地，所述的第一基底和第二基底的厚度为0.5mm。
本发明提供了一种用于制备所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合的方法，所述的方法包括步骤：
（1）将基底装入夹具并放置到镀膜机真空室内，使基底处于膜厚均匀的区域，抽真空；
（2）烘烤基底；
（3）离子轰击基底；
（4）在基底的一侧，按照短波通膜系结构要求的膜层逐层镀制短波通膜系结构；
（5）在其中一半的基底的另一侧，按照第一长波通膜系结构要求的膜层逐层镀制第一长波通膜系结构；在另一半的基底的另一侧，按照第二长波通膜系结构要求的膜层逐层镀制第二长波通膜系结构；
（6）镀制结束后，破空，取件。
较佳地，所述的步骤（1）具体为：
将光洁度满足40/20标准的单晶硅片基底材料装入夹具并放置到镀膜机真空室内，将本底真空度抽至1×10-3Pa；
所述的步骤（2）具体为：
在170℃～190℃下烘烤基底材料，并保持恒温20min以上；
所述的步骤（3）具体为：
采用霍尔离子源离子轰击所述的基底材料5～15min，其中，离子源使用高纯氩气，气体流量为10～20sccm；
所述的步骤（6）具体为：
镀制结束后，烘烤温度降至40～60℃，进行破空、取件。
较佳地，所述的步骤（4）具体为：
按照短波通膜系结构要求的膜层逐层镀制短波通膜系结构，采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，采用电阻蒸发工艺蒸发SiO膜料，其中Ge膜的镀膜速率为0.5～0.7nm/s，SiO膜的镀膜速率为1.4～1.6nm/s，沉积过程使用间接光控和晶控联合控制膜层厚度及速率。
较佳地，所述的步骤（5）具体为：
在镀制第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构时，采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，Ge膜的镀膜速率为0.5～0.7nm/s，采用电阻蒸发工艺蒸发SiO膜料，SiO膜的镀膜速率为1.4～1.6nm/s，沉积过程使用间接光控和晶控联合控制膜层厚度及速率。
较佳地，在所述的步骤（5）中，通过调整镀膜机的Tooling设置，先后进行第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构的镀制，第一长波通膜系结构或第二长波通膜系结构先进行镀制；或者，
通过修改膜厚修正板的结构，使得第一部分区域的膜厚和第二部分区域的膜厚的比例为4605/4500，以同时进行第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构的镀制。
较佳地，所述的方法还包括步骤：
（7）将镀制好的第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片放置到退火炉中退火，退火温度180～220℃，恒温时间7～9小时，升/降温速度1℃/min。
本发明还提供了一种火焰探测传感器，所述的火焰探测传感器设置所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合。
采用了本发明的火焰探测用双通道组合红外滤光片及其制备方法和应用，该滤光片组合具有同一个短波通膜系对应两种长波通膜系的特点，双通道滤光片组合在无干扰时相关算法可以明显提高火焰探测距离，在有阳光干扰时“取差运算”可以实现抗阳光干扰进行火焰探测。
附图说明
图1a和1b为本发明的双通道滤光片组合的结构示意图。
图2为大气层中红外波段透射率曲线图。
图3为典型燃料火焰发射光谱图。
图4为本发明的双通道滤光片组合的光谱图。
图5为图4中双通道滤光片组合的光谱局部放大图。
图6为光学镀膜机真空腔室示意图。
图7为阶梯形膜厚修正挡板示意图。
图8为本发明的双通道滤光片组合的封装图。
图9为本发明的制备方法的流程图。
图10为使用本发明进行远距离火焰探测的信号响应图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的技术内容，特举以下实施例详细说明。
如图1a和1b所示，为本发明提供的火焰探测用双通道红外滤光片组合实施例，其中，所述的双通道红外滤光片组合包括如图1a所示的第一通道红外滤光片和如图1b所示的第二通道红外滤光片。
如图1a所示，所述的第一通道红外滤光片包括单晶硅基底、第一长波通膜系结构以及第一短波通膜系结构，所述的第一长波通膜系结构和第一短波通膜系结构分别设置于所述的第一基底的两侧。
如图1b所示，所述的第二通道红外滤光片包括单晶硅基底、第二长波通膜系结构以及第二短波通膜系结构，所述的第二长波通膜系结构和第二短波通膜系结构分别设置于所述的第二基底的两侧。
在第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片中，短波通膜系结构及长波通膜系结构使用交替叠加Ge膜层和SiO膜层；单晶硅基底优选厚度为0.5mm，双面抛光。
在第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片中，可以使用相同的短波通膜系结构，即，第一短波通膜系结构和第二短波通膜系结构为同一短波通膜系，因此，本发明提供的滤光片组合具有同一种短波通膜系结构对应两种长波通膜系结构的特点，以保证取差运算时光谱下降沿完全归零，实现中心波长4.35μm、带宽100nm的窄带滤光片的效果。
所述的第一长波通膜系结构为：Sub/ 0.41(0.5HL0.5H)^7 0.68(0.5HL0.5H)^70.5L /Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，L为四分之一波长光学厚度的SiO膜层，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，符号^7表示其对应括号内的膜堆重复的次数，设计波长为4500nm。
所述的第二长波通膜系结构为：Sub/ 0.41(0.5HL0.5H)^7 0.68(0.5HL0.5H)^70.5L /Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，L为四分之一波长光学厚度的SiO膜层，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，符号^7表示其对应括号内的膜堆重复的次数，设计波长为4605nm。
其中，两个长波通膜系结构的区别在于设计波长不同，从4500nm调整到4605nm，在工艺实施上具有调整方便的特点。
所述的第一短波通膜系结构和第二短波通膜系结构均为：Sub/1.40(0.5LH0.5L)^6/Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，L为四分之一波长光学厚度的SiO膜层，符号^6表示其对应括号内的膜堆重复的次数，设计波长为4500nm。
本发明提供的滤光片组合中，具有完全相同的短波通膜系结构，从设计和镀膜工艺上，可以保证其光谱特性的一致性，有助于在“取差运算”时其光谱下降沿可以完全归零。
所述的第一通道红外滤光片的透射中心波长为4.5μm±20nm，透射带宽为400±40nm，除透射带外其余1.5～8μm波段全部截止，截止区平均透射率＜1%；及所述的第二通道红外滤光片的透射中心波长为4.55μm±20nm，透射带宽为300±40nm，除透射带外其余1.5～8μm波段全部截止，截止区平均透射率＜1%。
为了实现在阳光干扰情况下能够正常识别出火焰信号，需要特殊的抗阳光干扰的滤光片来实现，本发明创造性地结合地表处的太阳光谱日盲区（如图2所示）和火焰发射光谱发射区（如图3所示）的重叠区，即，中心波长4.35微米、带宽约100nm的窄带滤光片可以实现抗阳光干扰的效果。
如图4～5所示，所述的第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片组合实现中心波长4.35μm、带宽100nm的窄带滤光片的效果。
虽然可以通过增加一个中心波长4.35微米、带宽约100nm的窄带滤光片来实现抗阳光干扰的效果，但是阳光干扰毕竟不总是存在，而是偶然事件，单独增加一个使用频率不高的通道，就会存在一定的资源冗余。本发明创造性地提供了双通道组合型红外滤光片，在无阳光干扰时，双通道配合相关算法，可以将火焰的探测距离从50米提高到70米；在有阳光干扰时双通道信号“取差运算”，可以抗阳光干扰识别火焰信号。
由此，本发明提供的双通道滤光片组合，在无干扰时，配合相关算法，如图10可知，虚线表示火焰信号，实线表示参考信号，可以看出70米处的火焰信号仍然能够别识别出来，因此，能够明显提高火焰探测距离，有效探测距离可达70米；在有阳光干扰时，“取差运算”（即，4.5μm通道和4.55μm通道做差分运算后的信号代表4.35μm通道的信号）可以实现抗阳光干扰进行火焰探测。
本发明提供了一种用于制备所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合的方法，包括：
准备单晶硅基底；在裸基片上镀制短波通膜系结构；将已镀制短波通膜系的基片分出一半出来，在其反面镀制第一长波通膜系结构，对于已镀制短波通膜系结构的另外一半基片，在其反面镀制第二长波通膜系结构。
其中，滤光片的制备涉及镀膜机，如图6所示，显示镀膜机内部的真空腔室，该真空腔室包括位于底部的两个相间隔的蒸发源1和蒸发源2、与蒸发源1、蒸发源2分别对应的修正挡板1和修正挡板2、位于顶部的旋转基片台、放置于旋转基片台上的镀膜基片。高、低折射率材料分别通过蒸发源1和蒸发源2镀制到基片表面上，在镀制过程中正在工作的蒸发源对应的修正挡板会抬起，进行膜厚修正，这样会使得靠近旋转基片台中心和边缘处的膜厚相对均匀，当然，也可以故意改变修正挡板的形状使得基片台内圈和外圈的膜厚具有相对固定的比值。
如图8所示，将本发明制备的具有第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构的滤光片各一片分别封装到同一个TO管帽的对应窗口位置上，完成封装，以获得相应的火焰探测器产品。
其中，第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构可以分两次镀制，也可以利用如图7所示的特制膜厚修正板来取代图6中的修正挡板1和修正挡板2，进行一次镀制。
为说明第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构的镀制方法，以总计20片基片为例进行具体镀制方法说明，将这20片已镀制好短波通膜系结构的基片分两组，每组10片，其中一组的反面用来镀制第一长波通膜系结构，另一组的反面用来镀制第二长波通膜系结构，第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构具有相同的膜系结构，差别点在于设计波长的不同，在具体镀制时可以通过以下方法进行：
方法（1）：分两次镀制，在两次镀制时，只需调整镀膜机的Tooling设置，即实现两种膜系的切换，非常方便；
方法（2）：一次镀制，如图7所示，修改膜厚修正板的结构，使得一部分区域的膜厚和另一部分的膜厚满足4605/4500的比例，以实现一炉镀制第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构。
如图9所示，本发明提供一种用于制备所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合的方法的具体实施例，所述的方法包括步骤：
（1）将厚度0.5mm、直径76.2mm、光洁度满足40/20标准的单晶硅片装入夹具并放置到镀膜机真空腔室内；其中，40/20标准是指美国军用标准MIL-PRF-13830B，光洁度40/20表示表面疵病的限制等级，其中40代表限制划痕大小的标号，20代表限制麻点大小的标号；如图6所示，为便于下面的步骤（5）镀制短波通膜系结构，将基片放置在镀膜机真空室内时，基片优先放置在膜厚均匀性较好的位置，一般要避开旋转基片台最外圈工位；
（2）本底真空抽至1×10-3Pa；
（3）基底烘烤180℃，并保持恒温30分钟以上；
（4）基底采用霍尔离子源离子轰击约10分钟，离子源使用高纯氩气，气体流量15sccm；
（5）短波通膜系结构镀制，采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，采用电阻蒸发工艺蒸发SiO膜料，按照短波通膜系结构要求的膜层厚度逐层镀制，其中Ge膜的镀膜速率为0.6nm/s，SiO膜的镀膜速率为1.5nm/s，沉积过程使用间接光控和晶控联合控制膜层厚度及速率；
（6）镀制完成后，降温至50℃，真空腔室充分，取件，并将基片按数量平分两组，标记为A和B，设定，A组镀制第一长波通膜系结构，B组镀制第二长波通膜系结构，采用两次镀膜方式或一次镀膜方式进行长波通膜系结构镀制；
将镀好短波通膜系结构的基片翻转并装入夹具，将夹具尽可能多的放到工件盘上，按照长波通膜系结构要求逐层镀制，其中采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，Ge膜的镀膜速率为0.6nm/s，使用电阻蒸发工艺蒸发SiO膜料，SiO膜的镀膜速率为1.5nm/s，沉积过程使用间接光控和晶控联合控制膜层厚度及速率；
当选用两次镀膜方式时，可以如图9所示先进行A组镀膜再进行B组镀膜，也可以先进行B组镀膜再进行A组镀膜；
当选用一次镀膜方式时，需使用图7所示特制阶梯形膜厚修正挡板，该膜厚修正板的结构中，一部分区域的膜厚和另一部分的膜厚满足4605/4500的比例。
（7）镀制结束待烘烤温度降至50℃时，进行破空、取件，将具有两种长波通膜系结构的滤光片区分放置；
（8）镀制好的滤光片放置到退火炉中退火，退火温度200℃，恒温时间8小时，升/降温速度1℃/min；
（9）使用PE spectrum two傅里叶变换红外光谱仪测量滤光片正入射时的透射率光谱；
（10）退火后的滤光片在室温下放置24小时，然后使用蓝膜粘贴好并放入DISCO划片机中，将滤光片按照要求尺寸进行划片。
（11）分别取具有第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构的滤光片各一片，使用MUSASHI自动点胶机将滤光片粘到TO管帽对应的窗口位置上。
如图4～5所示，由此制备的双通道滤光片组合，其中一个滤光片中心波长为4.5μm，带宽400nm；另外一个滤光片的中心波长为4.55μm，带宽300nm；截止区满足除通带范围外，其余1.5～8μm波段全部截止，截止区平均透射率小于1%；两通道取差运算可以实现一个中心波长4.35μm，带宽100nm的窄带滤光片效果，在火焰探测器上具有抗阳光干扰的效果。双通道配合神经网络算法具有提高火焰探测距离的效果，有效探测距离可达70米。
采用了本发明的火焰探测用双通道组合红外滤光片及其制备方法和应用，该滤光片组合具有同一个短波通膜系对应两种长波通膜系的特点，双通道滤光片组合在无干扰时相关算法可以明显提高火焰探测距离，在有阳光干扰时“取差运算”可以实现抗阳光干扰进行火焰探测。
在此说明书中，本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。
Claims (10)
1.一种火焰探测用双通道红外滤光片组合，其特征在于，所述的双通道红外滤光片组合包括第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片；
所述的第一通道红外滤光片包括第一基底、第一长波通膜系结构以及第一短波通膜系结构，所述的第一长波通膜系结构和第一短波通膜系结构分别设置于所述的第一基底的两侧；
所述的第二通道红外滤光片包括第二基底、第二长波通膜系结构以及第二短波通膜系结构，所述的第二长波通膜系结构和第二短波通膜系结构分别设置于所述的第二基底的两侧；
所述的第一长波通膜系结构为：Sub/ 0.41(0.5HL0.5H)^7 0.68(0.5HL0.5H)^70.5L /Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，L为四分之一波长光学厚度的SiO膜层，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，符号^7表示其对应括号内的膜堆重复的次数，设计波长为4500nm；
所述的第二长波通膜系结构为：Sub/ 0.41(0.5HL0.5H)^7 0.68(0.5HL0.5H)^70.5L/Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，L为四分之一波长光学厚度的SiO膜层，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，符号^7表示其对应括号内的膜堆重复的次数，设计波长为4605nm；
所述的第一短波通膜系结构和第二短波通膜系结构均为：Sub/1.40(0.5LH0.5L)^6/Air，其中Sub表示基底，Air表示空气，H为四分之一波长光学厚度的Ge膜层，L为四分之一波长光学厚度的SiO膜层，符号^6表示其对应括号内的膜堆重复的次数，设计波长为4500nm；
所述的第一通道红外滤光片的透射中心波长为4.5μm±20nm，透射带宽为400±40nm，除透射带外其余1.5～8μm波段全部截止，截止区平均透射率＜1%；所述的第二通道红外滤光片的透射中心波长为4.55μm±20nm，透射带宽为300±40nm，除透射带外其余1.5～8μm波段全部截止，截止区平均透射率＜1%；
在有阳光干扰时，双通道信号取差运算，使得所述的第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片组合实现中心波长4.35μm、带宽100nm的窄带滤光片的效果。
2.根据权利要求1所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合，其特征在于，所述的第一基底和第二基底均为单晶硅基底。
3.根据权利要求1所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合，其特征在于，所述的第一基底和第二基底的厚度为0.5mm。
4.一种用于制备权利要求1至3中任一项所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合的方法，其特征在于，所述的方法包括步骤：
（1）将基底装入夹具并放置到镀膜机真空室内，使基底处于膜厚均匀的区域，抽真空；
（2）烘烤基底；
（3）离子轰击基底；
（4）在基底的一侧，按照短波通膜系结构要求的膜层逐层镀制短波通膜系结构；
（5）在其中一半的基底的另一侧，按照第一长波通膜系结构要求的膜层逐层镀制第一长波通膜系结构；在另一半的基底的另一侧，按照第二长波通膜系结构要求的膜层逐层镀制第二长波通膜系结构；
（6）镀制结束后，破空，取件。
5.根据权利要求4所述的用于制备所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合的方法，其特征在于，所述的步骤（1）具体为：
将光洁度满足40/20标准的单晶硅片基底材料装入夹具并放置到镀膜机真空室内，将本底真空度抽至1×10-3Pa；
所述的步骤（2）具体为：
在170℃～190℃下烘烤基底材料，并保持恒温20min以上；
所述的步骤（3）具体为：
采用霍尔离子源离子轰击所述的基底材料5～15min，其中，离子源使用高纯氩气，气体流量为10～20sccm；
所述的步骤（6）具体为：
镀制结束后，烘烤温度降至40～60℃，进行破空、取件。
6.根据权利要求4所述的用于制备所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合的方法，其特征在于，所述的步骤（4）具体为：
按照短波通膜系结构要求的膜层逐层镀制短波通膜系结构，采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，采用电阻蒸发工艺蒸发SiO膜料，其中Ge膜的镀膜速率为0.5～0.7nm/s，SiO膜的镀膜速率为1.4～1.6nm/s，沉积过程使用间接光控和晶控联合控制膜层厚度及速率。
7.根据权利要求4所述的用于制备所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合的方法，其特征在于，所述的步骤（5）具体为：
在镀制第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构时，采用电子束蒸发工艺蒸发Ge膜料，Ge膜的镀膜速率为0.5～0.7nm/s，采用电阻蒸发工艺蒸发SiO膜料，SiO膜的镀膜速率为1.4～1.6nm/s，沉积过程使用间接光控和晶控联合控制膜层厚度及速率。
8.根据权利要求4或7所述的用于制备所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合的方法，其特征在于，在所述的步骤（5）中，通过调整镀膜机的Tooling设置，先后进行第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构的镀制，第一长波通膜系结构或第二长波通膜系结构先进行镀制；或者，
通过修改膜厚修正板的结构，使得第一部分区域的膜厚和第二部分区域的膜厚的比例为4605/4500，以同时进行第一长波通膜系结构和第二长波通膜系结构的镀制。
9.根据权利要求4所述的用于制备所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合的方法，其特征在于，所述的方法还包括步骤：
（7）将镀制好的第一通道红外滤光片和第二通道红外滤光片放置到退火炉中退火，退火温度180～220℃，恒温时间7～9小时，升/降温速度1℃/min。
10.一种火焰探测传感器，其特征在于，所述的火焰探测传感器设置权利要求1至3中任一项所述的火焰探测用双通道红外滤光片组合。
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