CN111113703A - 一种lyso晶片的制造保护方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LYSO晶片的制造保护方法，包括晶片第1面和第2面粘接固定；晶片第1面和第2面研磨抛光；晶片群第3面和第4面研磨抛光；晶体群二型保护片固定；小晶体群切割；晶片群第3面3和第4面4研磨抛光；小晶体群的第5面和第6面进行研磨抛光；保护片脱离等步骤，最终的小晶体群的尺寸为18.1×2.76×2.76mm；并将一型保护片和二型保护片拆除；最终的LYSO晶片；本发明采用了LYSO晶片的制造方法，尤其在小截面的LYSO晶片的制造方面，减少了发生崩边等问题，提升了晶片的质量，降低了加工成本使得LYSO晶片在上述的研磨时晶片可以得到有效保护，降低了成本。
Description
技术领域
本发明涉及晶体加工研磨，尤其涉及一种LYSO晶片的制造保护方法。尤其涉及一种在研磨时保护晶片的技术。
背景技术
近年来，随着高能物理、核技术、核医学等领域的快速发展，无机闪烁晶体的应用领域不断拓宽，对其中的核心元件———闪烁晶体材料提出了更高要求。
Ce:LYSO晶体的光输出高，衰减时间短(38ns),能更快地进行响应,器件的时间、空间分辨率都有很大提高；密度为7.10g/cm3,有利于探测器小型化；发光波长420ns，与光电倍增管的光阴极匹配；其优良的温度特性及良好的物理化学性质能拓宽晶体的应用范围。
PET-CT在医学成像领域有其独特的优势，其核心部件即为闪烁晶体组成的阵列，因此需要对晶体进行加工研磨。在研磨时，若不对晶片采取保护措施，则很容易发生崩边等问题，影响晶片质量，增加加工成本。
基于以上问题，提出了一种LYSO晶片的制造保护方法尤其是在研磨时保护晶片的技术，在晶片周围粘贴青玻璃(浮法玻璃)，以uv紫外固化胶在紫外环境下固定，研磨后适当加热即可分离，然后酒精擦拭。采用此种方法后，研磨时晶片可以得到有效保护，降低了成本。
发明内容
在本发明中针对上述的不足，提供了一种LYSO晶片的制造保护方法，其特征在于，包括以下的步骤：
步骤S10：晶片第1面和第2面粘接固定：先将切割后尺寸:长为46.5mm-46.6mm,高为18.6mm-18.8mm,宽为2.9mm-2.92mm；单晶片的第1面和第2面研磨抛光，将经过第一次研磨抛光的晶片第1面和第2面用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接，然后以10片一批次沿第1面和第2面将单晶片粘接固定，最外两侧粘接一型保护片，得到晶体群；
步骤S20：晶片第1面和第2面研磨抛光：将步骤S10中得到的晶片群，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂，粗磨厚度至2.81mm；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，抛光尺寸至2.76mm±0.01mm；
步骤S30：晶片群第3面和第4面研磨抛光：将步骤S20中得到的晶片群翻转，再将晶片群第3面和第4面，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，抛光至高度为18.10mm±0.01mm；
步骤S40：晶体群二型保护片固定：将S30中得到的晶体群的最外侧晶片的第3面和第4面与二型保护片用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接固定；
步骤S50：切割：将步骤S40中的晶体群用内圆切割机沿第3面和第4面切割加工，切削厚度2.9mm；得到切割后的小晶体群；
步骤S60：晶片群第5面和第6面研磨抛光：将步骤S50中得到的小晶体群的第5面和第6面进行研磨抛光，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，最终的小晶体群的尺寸：长度为18.1mm-18.11mm,高度为2.76-2.77mm,宽度为2.76mm-2.77mm；；
步骤S70：保护片脱离：将一型保护片和二型保护片，经加热后与晶片脱离，然后酒精擦拭小晶体群，将紫外固化胶擦拭掉，得到最终的LYSO晶片。
进一步，所述的一型保护片尺寸:长为46.5mm-46.6mm，高度为18.6mm-18.8mm；宽度为2mm-2.1mm；所述的二型保护片尺寸：长为46.5mm-46.6mm，高度为31.6mm-31.8mm，宽度为2mm-2.1mm。
进一步，所述的步骤70中的加热温度为50℃-75℃。
进一步，所述的紫外固化胶呈全透明状。
进一步，所述的一型保护片和所述的二型保护片的材料为青玻璃。
本发明的技术效果在于，采用了LYSO晶片的制造方法，尤其在小截面的LYSO晶片的制造方面，减少了发生崩边等问题，提升了晶片的质量，降低了加工成本使得LYSO晶片在上述的研磨时晶片可以得到有效保护，降低了成本。
附图说明
图1为晶片群的六面示意图；
图2为与一型保护片粘接的晶片群；
图3为与二型保护片粘接的晶片群；
图4为切割加工后的晶片群。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本实施例中，结合附图1和附图2以及附图3、附图4所示，本实施例提供了一种LYSO晶片的制造方法，包括以下的步骤：
步骤S10：晶片第1面1和第2面2粘接固定：先将切割后尺寸：长为46.5mm-46.6mm,高为18.6mm-18.8mm,宽为2.9mm-2.92mm；单晶片的第1面1和第2面2研磨抛光，将经过第一次研磨抛光的晶片第1面1和第2面2用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接，然后以10片一批次沿第1面1和第2面2将单晶片粘接固定，最外两侧粘接一型保护片7，得到晶体群；
步骤S20：晶片第1面1和第2面2研磨抛光：将步骤S10中得到的晶片群，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂，粗磨厚度至2.81mm；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，抛光尺寸至2.76mm±0.01mm；
步骤S30：晶片群第3面3和第4面4研磨抛光：将步骤S20中得到的晶片群翻转，再将晶片群第3面3和第4面4，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，抛光至高度为18.10mm±0.01mm；
步骤S40：晶体群二型保护片8固定：将S30中得到的晶体群的最外侧晶片的第3面3和第4面4与二型保护片8用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接固定；
步骤S50：切割：将步骤S40中的晶体群用内圆切割机沿第3面3和第4面4切割加工，切削厚度2.9mm；得到切割后的小晶体群；
步骤S60：晶片群第5面5和第6面6研磨抛光：将步骤S50中得到的小晶体群的第5面5和第6面6进行研磨抛光，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，最终的小晶体群的尺寸为18.1×2.76×2.76mm；
步骤S70：保护片脱离：将一型保护片7和二型保护片8，经加热后与晶片脱离，然后酒精擦拭小晶体群，将紫外固化胶擦拭掉，得到最终的LYSO晶片。
在本实施例中，所述的一型保护片尺寸:长为46.5mm-46.6mm，高度为18.6mm-18.8mm；宽度为2mm-2.1mm；所述的二型保护片尺寸：长为46.5mm-46.6mm，高度为31.6mm-31.8mm，宽度为2mm-2.1mm。一型保护片7和二型保护片8的材料为青玻璃。
同时，在步骤70中的加热温度为50℃-75℃。本实施例中中采用的紫外固化胶呈全透明状。紫外装置为UV固化机。
在本发明中，经过反复试验，以下实施例为最佳的制造方式：
切割加工为长度为46.5mm，高度为18.6mm,宽度为2.9mm尺寸晶片，单晶片第1面1和第2面2在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂，粗磨厚度至2.81mm，然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，抛光尺寸至2.76mm±0.01mm.
将经过第一次研磨抛光的晶片第1面1和第2面2用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接，10片一批，最外侧第1面1和第2面2用一型保护片粘接，一型保护片尺寸：长度为46.5mm；高度为18.6；宽度为2mm，然后依次研磨抛光第3面3和第4面4，最终至高度为18.10mm±0.01mm。
再将外侧第3面3和第4面4与二型保护片8用紫外固化胶固定，二型保护片8尺寸:长度为46.5mm；高度为31.6mm；宽度为2mm，用内圆切割机沿第3面3和第4面4切割加工，切削厚度2.9mm,最终研磨抛光第5面5和第6面6，此时晶片尺寸：长度为18.1mm,高度为2.76mm,宽度为2.76mm，保护片经适当加热即与晶片脱离，然后酒精擦拭即可。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (6)
1.一种LYSO晶片的制造保护方法，其特征在于，包括以下的步骤：
步骤S10：晶片第1面和第2面粘接固定：先将切割后尺寸为长为46.5mm-46.6mm,高为18.6mm-18.8mm,宽为2.9mm-2.92mm；单晶片的第1面和第2面研磨抛光，将经过第一次研磨抛光的晶片第1面和第2面用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接，然后以10片一批次沿第1面和第2面将单晶片粘接固定，最外两侧粘接一型保护片，得到晶体群；
步骤S20：晶片第1面和第2面研磨抛光：将步骤S10中得到的晶片群，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂，粗磨厚度至2.81mm；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，抛光尺寸至2.76mm±0.01mm；
步骤S30：晶片群第3面和第4面研磨抛光：将步骤S20中得到的晶片群翻转，再将晶片群第3面和第4面，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，抛光至高度为18.10mm±0.01mm；
步骤S40：晶体群二型保护片固定：将S30中得到的晶体群的最外侧晶片的第3面和第4面与二型保护片用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接固定；
步骤S50：切割：将步骤S40中的晶体群用内圆切割机沿第3面和第4面切割加工，切削厚度2.9mm；得到切割后的小晶体群；
步骤S60：晶片群第5面和第6面研磨抛光：将步骤S50中得到的小晶体群的第5面和第6面进行研磨抛光，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，最终的小晶体群的尺寸：长度为18.1mm-18.11mm,高度为2.76-2.77mm,宽度为2.76mm-2.77mm；
步骤S70：保护片脱离：将一型保护片和二型保护片，经加热后与晶片脱离，然后酒精擦拭小晶体群，将紫外固化胶擦拭掉，得到最终的LYSO晶片。
2.如权利要求1中所述的一种LYSO晶片的制造保护方法，其特征在于，所述的一型保护片尺寸:长为46.5mm-46.6mm，高度为18.6mm-18.8mm；宽度为2mm-2.1mm；所述的二型保护片尺寸：长为46.5mm-46.6mm，高度为31.6mm-31.8mm，宽度为2mm-2.1mm。
3.如权利要求1中所述的一种LYSO晶片的制造保护方法，其特征在于，所述的步骤70中的加热温度为50℃-75℃。
4.如权利要求1中所述的一种LYSO晶片的制造保护方法，其特征在于，所述的紫外固化胶呈全透明状。
5.如权利要求2中所述的一种LYSO晶片的制造保护方法，其特征在于，所述的一型保护片和所述的二型保护片的材料为青玻璃。
6.如权利要求1中所述的一种LYSO晶片的制造保护方法，其特征在于，所述的紫外装置为UV固化机。
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