CN111092012A - 一种半导体清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体清洗方法，包括：将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作，以去除所述半导体表面上的胶质物体；对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作；其中，所述清洗操作包括：在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间；在第二预设温度下将所述半导体置于乙醇溶液中浸泡第二预设时间；对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥。采用本发明实施例，能有效清除半导体上的残留物。
Description
技术领域
本发明涉及工件清洗领域，尤其涉及一种半导体清洗方法。
背景技术
在电子产品组装过程中会由于误操作出现大量的不合格品，这些不合格品在没有质量问题的情况下，可以通过返工而重新装配，但是与外界接触后的半导体上会有残留物质，因此重新装配前要将半导体产品进行清洗，可清除半导体表面的残留物和污染物，如微粒、有机物和无机物金属离子等。现有技术常用的清洗方法中，首先将半导体元件置于氢氟酸清洗，接着，将半导体元件移至去离子水中洗去氢氟酸，最后进行干燥。现有技术的清洗方法非常粗糙，不能有效的将半导体清洗干净，而且也不符合减排绿色生产的号召。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种半导体清洗方法，能有效清除半导体上的残留物。
为实现上述目的，本发明实施例提供了一种半导体清洗方法，包括：
将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作，以去除所述半导体表面上的胶质物体；
对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作；其中，所述清洗操作包括：在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间；在第二预设温度下将所述半导体置于乙醇溶液中浸泡第二预设时间；
对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥。
与现有技术相比，本发明公开的半导体清洗方法，首先将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作，以去除所述半导体表面上的胶质物体；然后，对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作，从而彻底清除所述半导体表面上的残留物；最后，对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥。解决了现有技术中的清洗方法非常粗糙，不能有效的将半导体清洗干净，而且也不符合减排绿色生产的号召的问题，能有效清除半导体上的残留物，且所述NMP溶液不会对环境造成污染，所述乙醇溶液也可以循环再用，完全可以达到绿色环保的要求。
作为上述方案的改进，所述脱胶操作包括：
将所述半导体放入NMP溶液中进行第一次浸泡；其中，浸泡温度为45～55℃，浸泡时长为20～25min；
将所述半导体放入NMP溶液中进行第二次浸泡；其中，浸泡温度为50～60℃，浸泡时长为20～25min。
作为上述方案的改进，所述第一预设温度为20～30℃；所述第一预设时间为15～25min。
作为上述方案的改进，所述第二预设温度为20～23℃；所述第二预设时间为15～25min。
作为上述方案的改进，所述对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥，具体包括：
用气枪将所述半导体表面的液体吹干。
作为上述方案的改进，所述在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间后，还包括：
将所述半导体静置晾干，静置温度为20～30℃。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种半导体清洗方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
参见图1，图1是本发明实施例提供的一种半导体清洗方法的流程图；包括：
步骤S1、将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作，以去除所述半导体表面上的胶质物体；
步骤S2、对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作；其中，所述清洗操作包括：在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间；在第二预设温度下将所述半导体置于乙醇溶液中浸泡第二预设时间；
步骤S3、对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥。
具体的，在步骤S1中，所述脱胶操作包括：
将所述半导体放入NMP溶液中进行第一次浸泡；其中，浸泡温度为45～55℃，浸泡时长为20～25min；将所述半导体放入NMP溶液中进行第二次浸泡；其中，浸泡温度为50～60℃，浸泡时长为20～25min。
具体的，所述NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶液为无色透明液体，是从石油中提炼的有机溶剂，具有一定的腐蚀性，它可以有效的溶解半导体表面的胶质和蜡，以及其他有机杂质。所述NMP溶液能与水混溶，溶于乙醚，丙酮及各种有机溶剂，稍有氨味，化学性能稳定，具有粘度低，化学稳定性和热稳定性好，极性高，挥发性低，能与水及许多有机溶剂无限混溶等优点。
具体的，在步骤S2中，首先，在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间。优选的，所述第一预设温度为20～30℃；所述第一预设时间为15～25min。通过所述去离子水的漂洗能去除所述NMP溶剂和化学药液残留和颗粒杂质。其中，所述去离子水就是去掉了水中的除氢离子、氢氧根离子外的其他由电解质溶于水中电离所产生的全部离子，即去掉溶于水中的电解质物质。由于电解质溶于水中电离所产生的离子能增大水的导电能力，所述去离子水纯度自然用电导率来衡量，所述去离子水基本用离子交换法制得，但所述去离子水中可以含有不能电离的非电解质，如乙醇等。
具体的，在用所述去离子水对所述半导体进行漂洗后，还包括：在第二预设温度下将所述半导体置于乙醇溶液中浸泡第二预设时间。优选的，所述第二预设温度为20～23℃；所述第二预设时间为15～25min。放入所述乙醇溶液中浸泡，能够进一步去除所述半导体表面的化学药液残留和颗粒杂质。
进一步的，在用所述去离子水对所述半导体进行漂洗后，还包括：将所述半导体静置晾干，静置温度为20～30℃。将所述半导体晾干后再将所述半导体放入所述乙醇溶液中浸泡。
具体的，在步骤S3中，用气枪将所述半导体表面的液体吹干，清洗完成。
优选的，除通过物理方法将所述半导体表面上的液体吹干外，还可以采用化学方法将所述半导体表面上的液体进行干燥，此时，本发明实施例可以采用异丙醇蒸汽进行干燥，通过所述异丙醇蒸汽将所述半导体表面的水分带走，从而完成整个清洗过程，当然可以采取其他的干燥方法进行干燥，本发明实施例对此不做具体限定。
下面以具体实施例对本发明进行说明：将半导体从未使用过且报废的电子产品中剥离收集；将所述半导体放入NMP溶液中进行第一次浸泡，浸泡温度为50℃，浸泡时长为20min；将所述半导体放入NMP溶液中进行第二次浸泡，浸泡温度为55℃，浸泡时长为25min；在25℃下，将在NMP中浸泡过的半导体在去离子水中漂洗，浸泡时间为20min；将半导体中取出，常温下自然晾干；在20℃下将所述半导体置于乙醇溶液中浸泡20min；用气枪将所述半导体表面的液体吹干，清洗完成。
具体实施时，首先将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作，以去除所述半导体表面上的胶质物体；然后，对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作，从而彻底清除所述半导体表面上的残留物；最后，对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥。
与现有技术相比，本发明公开的半导体清洗方法，解决了现有技术中的清洗方法非常粗糙，不能有效的将半导体清洗干净，而且也不符合减排绿色生产的号召的问题，能有效清除半导体上的残留物，且所述NMP溶液不会对环境造成污染，所述乙醇溶液也可以循环再用，完全可以达到绿色环保的要求。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种半导体清洗方法，其特征在于，包括：
将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作，以去除所述半导体表面上的胶质物体；
对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作；其中，所述清洗操作包括：在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间；在第二预设温度下将所述半导体置于乙醇溶液中浸泡第二预设时间；
对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥。
2.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述脱胶操作包括：
将所述半导体放入NMP溶液中进行第一次浸泡；其中，浸泡温度为45～55℃，浸泡时长为20～25mi n；
将所述半导体放入NMP溶液中进行第二次浸泡；其中，浸泡温度为50～60℃，浸泡时长为20～25mi n。
3.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述第一预设温度为20～30℃；所述第一预设时间为15～25mi n。
4.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述第二预设温度为20～23℃；所述第二预设时间为15～25mi n。
5.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥，具体包括：
用气枪将所述半导体表面的液体吹干。
6.如权利要求1所述的半导体清洗方法，其特征在于，所述在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间后，还包括：
将所述半导体静置晾干，静置温度为20～30℃。
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