CN111087404A - 一种基于物理气相沉积的p型与n型有机半导体共晶材料及制备方法 - Google Patents
一种基于物理气相沉积的p型与n型有机半导体共晶材料及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111087404A CN111087404A CN201911393227.6A CN201911393227A CN111087404A CN 111087404 A CN111087404 A CN 111087404A CN 201911393227 A CN201911393227 A CN 201911393227A CN 111087404 A CN111087404 A CN 111087404A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cupc
- eutectic
- preparation
- temperature
- nanowire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 title claims abstract description 90
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 13
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 181
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 61
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 56
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 9
- FJAOBQORBYMRNO-UHFFFAOYSA-N f16cupc Chemical compound [Cu+2].[N-]1C(N=C2C3=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C3C(N=C3C4=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C4C(=N4)[N-]3)=N2)=C(C(F)=C(F)C(F)=C2F)C2=C1N=C1C2=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C2C4=N1 FJAOBQORBYMRNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 claims description 3
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- YLGQLQSDQXOIBI-UHFFFAOYSA-N (29h,31h-phthalocyaninato(2-)-n29,n30,n31,n32)platinum Chemical compound [Pt+2].[N-]1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)[N-]3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 YLGQLQSDQXOIBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WDEQGLDWZMIMJM-UHFFFAOYSA-N benzyl 4-hydroxy-2-(hydroxymethyl)pyrrolidine-1-carboxylate Chemical compound OCC1CC(O)CN1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 WDEQGLDWZMIMJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N cobalt phthalocyanine Chemical compound [Co+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 perylene anhydrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002979 perylenes Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 claims 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002288 cocrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000009474 hot melt extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000001046 rapid expansion of supercritical solution Methods 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 239000012453 solvate Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
- C07D487/22—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/311—Phthalocyanine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/371—Metal complexes comprising a group IB metal element, e.g. comprising copper, gold or silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
- C07B2200/05—Isotopically modified compounds, e.g. labelled
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
- C07B2200/13—Crystalline forms, e.g. polymorphs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料及其制备方法，获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料，发明还涉及制备这类有机半导体共晶材料的制备方法。本发明还公开一种F16CuPc与CuPc共晶材料，其X‑射线衍射谱在衍射角度2θ为6.5±0.1º、8.6±0.1º、14.1±0.1º、24.5±0.1º、26.5±0.1º、27.6±0.1º处具有特征峰；本发明还公开了F16CuPc与CuPc共晶材料的制备方法，本发明提供了一种具有特定结构的F16CuPc和CuPc混合的共晶材料，其物理和化学性质良好，能更好地应用于有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池、量子计算等领域中；本发明提供的制备方法不需要真空或加压操作，操作简便、效率高，共晶在除生长区域的其它区域几乎不生长。
Description
技术领域
本发明涉及有机光电子材料领域，具体涉及一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料及其制备方法，特别是采用二种或二种以上有机分子以特定的成分比例形成共晶，获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料，发发明还涉及制备这类有机半导体共晶材料的制备方法。
背景技术
在热处理工业，冶金工业中，一定成分的合金液体在共晶反应温度下,冷却、凝固、结晶为两种或更多致密晶体混合物称为共晶，共晶合金具有特定的凝固点。与无机材料相比，有机半导体材料具有许多显著的优势，如成本低、重量轻、易于自组装、机械柔韧性。在有机材料，特别是药物共晶制备技术领域，由两种或多种分子以一定化学计量比通过非共价键结合而成共晶，可获得在溶解度、溶出速率、生物利用度以及稳定性等方面优于原料药的共晶药物。共晶体系中，分子间通过氢键、范德华键、卤键等非共价键相互结合，是热力学、动力学、分子间相互作用的结果。共晶制备方法直接影响成品含量、晶型、粒度分布与晶体形貌等理化性质。在药物共晶制备技术领域，按照方法中是否有溶剂参与，将共晶制备技术分为溶剂依赖型与无溶剂型。溶剂依赖型为传统共晶制备方法，包括：蒸发结晶、冷却结晶、溶析结晶、平衡搅拌转晶、超声辅助、超临界流体技术、RESS法、SAS法、喷雾干燥、冷冻干燥蒸气扩散、高压均质等。无溶剂共晶制备技术，制备过程中不需要溶剂的参与，减小溶剂化物生成的可能性，包括：干法研磨、湿法研磨、添加聚合物研磨、热熔挤出技术、添加基质共结晶、熔融结晶、熔融喷雾、微波诱导结晶技术等。
近年来，有机半导体材料在有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池、量子计算等领域的应用取得较大的进展，但探索新技术方法制备优于单质材料光电特性的有机半导体共晶材料并应用有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池、量子计算等于方面的研究较少。
发明内容
本发明的目的是针对以上问题，提出一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料及其制备方法，特别是采用二种或二种以上有机分子通过氢键、π-π堆积作用、范德华力或其他非共价键作用下，以固定的化学计量比结合形成具有优异光电特性的共晶，包括提升载流子传输特性、隔离磁矩、增强非线性光学特性等，发明还涉及制备这类有机半导体共晶材料的制备方法。
本发明解决上述问题采用的技术方案是：
一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料，采用二种或二种以上有机小分子以特定的成分比例形成共晶，获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料。
一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料，这些P型与N型有机小分子半导体材料包括但不限于以下材料，包括但不限于通过对以下材料的分子剪裁制备的可升华的P型与N型有机小分子半导体材料。P型与N型有机小分子半导体材料包括：酞菁铜、酞菁镍、酞菁锌、酞菁钴、酞菁铂、自由酞菁、酞菁氧钛、酞菁氧钒、噻吩齐聚物、聚噻吩、并四苯、并五苯、酚箐类化合物、苝、红荧烯、苝酐、富勒烯、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、Almqs、Zn(5Fa)2、BeBq2、氟代酞菁铜、氟代酞菁锌、氟代酞菁铁和氟代酞菁钴。
一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料的制备方法，二种或二种以上有机小分子采用物理气相沉积升华，在其升华过程中对采用独立升温和控温，独立调控二种或二种以上有机小分子材料的温度场、温度梯度、气氛压强、气体流量、气体温度，以及通过调控有机小分子材料在气相状态下电场强度、磁场强度和电磁波频率等较好地控制有机半导体共晶材料的结构、形貌、尺寸和生长方向。
一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线，其X-射线衍射谱在衍射角度2θ为6.5±0.1°、8.6±0.1°、14.1±0.1°、24.5±0.1°、26.5±0.1°、27.6±0.1°处具有特征峰。
优选地，F16CuPc与CuPc共晶纳米线在拉曼光谱的173.05cm-1、233.48cm-1、255.74cm-1、594.48cm-1、678.76cm-1、831.43cm-1、1036.8cm-1、1141.55cm-1、1337.15cm-1、1448.48cm-1、1523.22cm-1、1586.83cm-1处具有特征峰。
优选地，F16CuPc与CuPc共晶纳米线在傅氏转换红外线光谱732.37cm-1、749.72cm-1、839.40cm-1、964.27cm-1、1090.11cm-1、1151.34cm-1、1275.25cm-1、1322.02cm-1、1461.84cm-1、1490.77cm-1、1526.45cm-1、1632.52cm-1具有特征峰。
本发明还提供了一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，以F16CuPc和CuPc为原料，通过气相沉积法使F16CuPc和CuPc在生长区上生长，得到F16CuPc与CuPc共晶纳米线。
该制备方法包括下列步骤：
1)以质量比为6:4的F16CuPc和CuPc为原料置于水平管式炉密封管中的加热区域；
2)对管式炉抽真空后，密封管内通入流量稳定的载气，在载气氛围下，将加热区域加热至420℃-480℃后保温300-600min，使F16CuPc和CuPc原料升华；
3)通过载气，引导升华的F16CuPc和CuPc的原料离开加热区域，至生长区域冷却后得到F16CuPc和CuPc的共晶纳米线；
水平管式炉可以为单温段管式炉也可以为多温段管式炉，生长区域可以靠近加热区域也可以通过隔温材料与加热区域隔开。
水平管式炉为多温段管式炉时，密封管包括梯度设置的不同温度区域，中温段加热至100-300℃，生长区域的温度低于200℃，各个温度区域之间填充有隔温材料，所述隔温材料中设置有通气孔，通气孔的直径为5mm，以使得引导F16CuPc和CuPc升华的载气通过。
优选地，隔温材料为硅酸钙或硅酸铝，所述通气孔由两端通孔的小石英管组成。
优选地，步骤2中的加热方式采用阶梯加热的方式，升温速率为1-8℃/min。
优选地，所述密封管的材质为石英或不锈钢或硅或氧化铝或陶瓷或玻璃，所述载气为氮气，所述载气通入密封管时的流速为0.1-0.7L/min。
相对于现有技术，本发明取得的有益效果为：
1、本发明提供的一种P型与N型共晶有机半导体材料及其制备方法，采用二种或二种以上有机分子通过氢键、π-π堆积作用、范德华力或其他非共价键作用下，以固定的化学计量比结合形成具有优异光电特性的共晶，提升了载流子传输特性、隔离磁矩、增强非线性光学特性等，相较于现有技术能更好地应用于有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳能电池、量子计算等领域中。
2、本发明提供了一种具有特定结构的F16CuPc和CuPc混合的纳米线新晶体，其均匀性好，物理和化学性质良好，如易于自组装、机械柔韧性、光谱吸收能力和载流子迁移率等，能更好地应用于光电导材料、有机发光二极管、有机光伏、液晶彩色显示等领域中；
3、本发明提供的制备方法不需要真空或加压操作，操作简便、效率高，共晶在除生长区域的其它区域几乎不生长。同时，本发明制备F16CuPc和CuPc混合的纳米线新晶体的方法还可以用于酞菁、金属酞菁和卟啉等有机半导体纳米材料的制备；
4、本发明得到的F16CuPc和CuPc混合的纳米线新晶体在长时间保存后，其物理化学性质不变。
附图说明
图1为本发明的F16CuPc与CuPc共晶纳米线的XRD图谱；
图2为本发明的F16CuPc与CuPc共晶纳米线的拉曼光谱图；
图3为本发明的F16CuPc与CuPc共晶纳米线的FTIR红外光谱图；
图4中，(a)为本发明晶体生长设置的示意图，(b)以不同的粉末质量比沉积在玻璃基板上的F16CuPc和CuPc及其共晶纳米线。
图5为本发明的F16CuPc与CuPc共晶纳米线的SEM图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明，但不以任何方式对本发明加以限制，基于本发明教导所作的任何变换或替换，均属于本发明的保护范围。
CuPc，F16CuPc结构分别如下图所示：
本发明提供了一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线，其X-射线衍射谱在衍射角度2θ为6.5±0.1°、8.6±0.1°、14.1±0.1°、24.5±0.1°、26.5±0.1°、27.6±0.1°处具有特征峰，而相应的半峰宽分别为：0.588、0.654、0.412、0.387、0.326、0.372；峰高分别为：1408、278、209、84、238、750；衍射强度分别为：100％、21.9％、10.4％、3.9％、9.4％、33.6％，见图1。
F16CuPc和CuPc共晶纳米线在拉曼光谱的173.05cm-1、233.48cm-1、255.74cm-1、594.48cm-1、678.76cm-1、831.43cm-1、1036.8cm-1、1141.55cm-1、1337.15cm-1、1448.48cm-1、1523.22cm-1、1586.83cm-1处具有特征峰，见图2。
F16CuPc和CuPc共晶纳米线在傅氏转换红外线光谱732.37cm-1、749.72cm-1、839.40cm-1、964.27cm-1、1090.11cm-1、1151.34cm-1、1275.25cm-1、1322.02cm-1、1461.84cm-1、1490.77cm-1、1526.45cm-1、1632.52cm-1具有特征峰，见图3。
本发明还提供了一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，以一定F16CuPc和CuPc为原料，通过气相沉积法使F16CuPc和CuPc在生长区生长，得到F16CuPc和CuPc的共晶纳米线，如图4(a)和图4(b)所示。
本发明得到的F16CuPc和CuPc共晶纳米线的SEM图如图5所示。
该制备方法包括下列步骤：
1)以质量比为6:4的F16CuPc和CuPc为原料置于水平管式炉密封管中的加热区域，所述生长区域位于附近或远离加热区域；
2)对管式炉抽真空后，密封管内通入流量稳定的载气，在载气氛围下，将加热区域加热至420℃-480℃后保温300-600min，使F16CuPc和CuPc原料升华；
3)通过载气，引导升华的F16CuPc和CuPc的原料离开加热区域，至生长区域冷却后得到F16CuPc和CuPc共晶纳米线；
进一步的，水平管式炉为多温段管式炉，密封管包括梯度设置的不同温度区域，中温段加热至100-300℃，生长区域的温度低于200℃，各个温度区域之间填充有隔温材料，隔温材料中设置有通气孔，以使得引导F16CuPc和CuPc升华的载气通过。
进一步的，隔温材料为硅酸钙或硅酸铝，隔温材料中放置有数个的小石英管用于引导载气通过。
进一步的，步骤2中的加热方式采用阶梯加热的方式，升温速率为1-8℃/min。
进一步的，所述密封管的材质为石英或不锈钢或硅或氧化铝或陶瓷或玻璃，所述载气为氮气，所述载气通入密封管时的流速为0.1-0.7/min。
本发明提供的F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法可应用于酞菁或金属酞菁或卟啉等半导体的制备。
以下结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，包括以下步骤：
依次清洗好石英管和通气导管，并连接安装好实验设备之后，调节实验条件为：气路管道为PU1065软管，石英管腔体内的压强为常压，运载气体为N2，采用可编程控温的单温段开启式管式炉。将F16CuPc和CuPc以质量比6:4为原料置于该管式炉中的加热区域，调控N2入口处的流量为0.1L/min。在加热前先通45min的氮气，之后对F16CuPc和CuPc原料加热，先加热F16CuPc和CuPc原料至400℃，再以1℃/min的速度阶梯升温至420℃，达到420℃并保温300min。载气引导F16CuPc和CuPc升华气体沿管式炉从加热区域到生长区域，该生长区域的温度为常温20℃。保温完成后，停止加热，继续通氮气30min，F16CuPc和CuPc共晶纳米线长在处于室温的生长区域的管壁上，F16CuPc和CuPc共晶纳米线的制备结束。
实施例2
F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，包括以下步骤：
依次清洗好石英管和通气导管，并连接安装好实验设备之后，调节实验条件为：气路管道为PU1065软管，石英管腔体内的压强为常压，运载气体为N2，采用可编程控温的单温段开启式管式炉。将F16CuPc和CuPc以质量比6:4为原料置于该管式炉中的加热区域，调控N2入口处的流量为0.4L/min。在加热前先通45min的氮气，之后对F16CuPc和CuPc原料加热，先加热F16CuPc和CuPc原料至400℃，再以4℃/min的速度阶梯升温至430℃，达到430℃并保温450min。载气引导F16CuPc和CuPc升华气体沿管式炉从加热区域到生长区域，该生长区域的温度为100℃。保温完成后，停止加热，继续通氮气30min，F16CuPc和CuPc共晶纳米线长在100℃的生长区域上，F16CuPc和CuPc共晶纳米线的制备结束。
实施例3
F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，包括以下步骤：
依次清洗好石英管和通气导管，并连接安装好实验设备之后，调节实验条件为：气路管道为PU1065软管，石英管腔体内的压强为常压，运载气体为N2，采用可编程控温的单温段开启式管式炉。将F16CuPc和CuPc以质量比6:4为原料置于该管式炉中的加热区域，调控N2入口处的流量为0.7L/min。在加热前先通45min的氮气，之后对F16CuPc和CuPc原料加热，先加热F16CuPc和CuPc原料至400℃，再以8℃/min的速度阶梯升温至480℃，达到450℃并保温600min。载气引导F16CuPc和CuPc升华气体沿管式炉从加热区域到相邻的生长区域，保温完成后，停止加热，继续通氮气30min，停止通气，F16CuPc与CuPc共晶纳米线在200℃的生长区域生长，F16CuPc和CuPc共晶纳米线制备结束。
实施例4
F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，包括以下步骤：
在实施例1的基础上，改变实验条件：对F16CuPc和CuPc原料以8℃/min的速度阶梯升温，经历370℃，410℃，420℃直至到达目标温度430℃的4个阶段，除在目标温度430℃保温360min,，其余3个阶段均保温20min。在生长区域与加热区域的间隙区放置一个直径为5mm，长为50mm的小石英管，载气引导F16CuPc和CuPc升华气体至与加热区域相邻的生长区域，使得通过间隔区的通气孔后的载气流速较入口处流速有所提高。加热结束后，继续通氮气30min，然后停止通气，F16CuPc和CuPc共晶纳米线在温度为20℃的生长区域生长，收集F16CuPc和CuPc共晶纳米线。
实施例5
F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，包括以下步骤：
加热前给石英管腔体抽真空，然后进行通N2气使管内的压强为常压。实验过程中，载气引导F16CuPc和CuPc升华气体至与加热区域相邻的生长区域。该生长区域与加热区域间隔区中放置一个直径为5mm，长为50mm的小石英管。当加热达到目标温度430℃时，保温300min。保温结束后，持续通氮气30min。停止通气，F16CuPc和CuPc共晶纳米线在处于室温的生长区域生长，F16CuPc和CuPc共晶纳米线的制备结束。
实施例6
F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，包括以下步骤：
采用三温段均可独立控温的开合式管式炉，将F16CuPc和CuPc以质量比6:4为原料放置于该管式炉高温段的中央位置，其它两温段不加热，让其自由变化。升温经历400℃，430℃，440℃，445℃，448℃，449℃，450℃的升温过程，在450℃保持300min，F16CuPc和CuPc共晶纳米线在生长区域生长，停止加热，F16CuPc和CuPc共晶纳米线的制备结束。
实施例7
F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，包括以下步骤：
采用三温段均可独立控温的开合式管式炉，将F16CuPc和CuPc以质量比6:4为原料放置于该管式炉高温段的中央位置，中温端加热至300℃，生长区域段加热至200℃，各个区域间隔区中放置一个直径为5mm，长为20mm的小石英管。加温区域升温经历400℃，430℃，440℃，445℃，448℃，449℃，450℃的升温过程，在450℃保持420min。F16CuPc和CuPc共晶纳米线在200℃的生长区域生长。停止加热，F16CuPc和CuPc共晶纳米线的制备结束。
实施例8
F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，包括以下步骤：
采用三温段均可独立控温的开合式管式炉，将F16CuPc和CuPc以质量比6:4为原料放置于该管式炉高温段的中央位置，中温端加热至200℃，生长区域段加热至100℃，各个区域间隔区中放置一个直径为5mm，长为20mm的小石英管。加温区域升温经历430℃，450℃，460℃，475℃，478℃，479℃，480℃的升温过程，在480℃保持480min。F16CuPc和CuPc共晶纳米线在100℃的生长区域生长。停止加热，F16CuPc和CuPc共晶纳米线的制备结束。
实施例9
F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，包括以下步骤：
采用三温段均可独立控温的开合式管式炉，F16CuPc和CuPc原料放置于该管式炉高温段的中央位置，中温端加热至100℃，生长区域段保持常温，各个区域间隔区中放置一个直径为5mm，长为20mm的小石英管。加温区域升温经历430℃，450℃，460℃，475℃，478℃，479℃，480℃的升温过程，在480℃保持600min。F16CuPc和CuPc共晶纳米线在处于室温的生长区域生长。停止加热，F16CuPc和CuPc共晶纳米线的制备结束。
Claims (10)
1.一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料，其特征在于，采用二种或二种以上有机小分子以特定的成分比例形成共晶，获得具有独特和优异光电特性的有机半导体共晶材料。
2.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料，其特征在于，所述P型与N型有机小分子半导体材料包括：酞菁铜、酞菁镍、酞菁锌、酞菁钴、酞菁铂、自由酞菁、酞菁氧钛、酞菁氧钒、噻吩齐聚物、聚噻吩、并四苯、并五苯、酚箐类化合物、苝、红荧烯、苝酐、富勒烯、三(8-羟基喹啉)铝(Alq 3 )、Almqs、Zn(5Fa)2、BeBq2、氟代酞菁铜、氟代酞菁锌、氟代酞菁铁和氟代酞菁钴。
3.权利要求1或2所述的物理气相沉积P型与N型共晶有机半导体材料的制备方法，其特征在于，二种或二种以上有机小分子采用物理气相沉积升华，其升华过程中采用独立升温和控温，独立调控二种或二种以上有机小分子材料的温度场、温度梯度、气氛压强、气体流量、气体温度，以及通过调控有机小分子材料在气相状态下电场强度、磁场强度和电磁波频率等较好地控制有机半导体共晶材料的结构、形貌、尺寸和生长方向。
4.一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线，其特征在于，F16CuPc与CuPc共晶纳米线的X-射线衍射谱在衍射角度2θ为6.5±0.1º、8.6±0.1º、14.1±0.1º、24.5±0.1º、26.5±0.1º、27.6±0.1º处具有特征峰。
5.根据权利要求4所述的一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线，其特征在于，F16CuPc与CuPc共晶纳米线在拉曼光谱的173.05 cm-1、233.48cm-1、255.74cm-1、594.48cm-1、678.76cm-1、831.43cm-1、1036.8cm-1、1141.55cm-1、1337.15cm-1、1448.48cm-1、1523.22cm-1、1586.83cm-1处具有特征峰。
6.根据权利要求4所述的一种F16CuPc与CuPc共晶纳米线，其特征在于，F16CuPc与CuPc共晶纳米线在傅氏转换红外线光谱732.37 cm-1、749.72 cm-1、839.40 cm-1、964.27 cm-1、1090.11cm-1、1151.34cm-1、1275.25cm-1、1322.02 cm-1、1461.84 cm-1、1490.77cm-1、1526.45cm-1、1632.52 cm-1具有特征峰。
7.权利要求4-6任意一项所述的F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，其特征在于，以F16CuPc和CuPc为原料，通过气相沉积法使F16CuPc和CuPc在生长区生长，得到F16CuPc和CuPc的共晶纳米线。
8.根据权利要求7所述的F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：
1）以质量比为6:4的F16CuPc和CuPc为原料置于水平管式炉密封管中的加热区域；
2）对管式炉抽真空后，密封管内通入流量稳定的载气，在载气氛围下，将加热区域加热至420℃-480℃后保温300-600min，使F16CuPc和CuPc原料升华；
3）通过所述载气，引导升华的F16CuPc和CuPc的原料离开加热区域，至生长区域冷却后得到F16CuPc和CuPc的共晶纳米线；
其中，步骤2中的加热方式采用阶梯加热的方式，升温速率为1-8℃/min。
9.根据权利要求7所述的F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，其特征在于，所述水平管式炉为多温段管式炉，所述密封管包括梯度设置的不同温度区域，中温段加热至100-300℃，生长区域的温度控制低于200℃，所述生长区域与加热区域通过隔温材料隔开，所述隔温材料中具有多个通气孔，所述密封管的材质为石英或不锈钢或硅或氧化铝或陶瓷或玻璃，所述载气为氮气，所述载气通入密封管时的流速为0.1-0.7L/min。
10.根据权利要求9所述的F16CuPc与CuPc共晶纳米线的制备方法，其特征在于，所述隔温材料为硅酸钙或硅酸铝，所述通气孔由两端通孔的小石英管组成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911393227.6A CN111087404A (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 一种基于物理气相沉积的p型与n型有机半导体共晶材料及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911393227.6A CN111087404A (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 一种基于物理气相沉积的p型与n型有机半导体共晶材料及制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111087404A true CN111087404A (zh) | 2020-05-01 |
Family
ID=70398588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911393227.6A Pending CN111087404A (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 一种基于物理气相沉积的p型与n型有机半导体共晶材料及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111087404A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114702496A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-07-05 | 天津大学 | 有机共晶材料及其制备方法和应用 |
| CN115109063A (zh) * | 2021-09-10 | 2022-09-27 | 天津大学 | 基于d-a型酞菁共晶的双极性半导体材料及其制备方法和应用 |
| CN115215791A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-10-21 | 北京仿生界面科学未来技术研究院 | 一种有机共晶材料的无溶剂制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1430293A (zh) * | 2003-01-30 | 2003-07-16 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法 |
| CN1471182A (zh) * | 2003-06-17 | 2004-01-28 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 两种或两种以上有机分子构成的有机半导体及其加工方法 |
| CN103255374A (zh) * | 2012-09-19 | 2013-08-21 | 苏州大学 | 一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法 |
| CN104086555A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-10-08 | 昆明学院 | 新晶体结构酞菁钴（J-CoPc）纳米线及其制备方法 |
| CN104557952A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-04-29 | 昆明学院 | 新晶体结构酞菁锌（ι-ZnPc）纳米线及其制备方法 |
| CN104610269A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-05-13 | 昆明学院 | 新晶体结构酞菁镍(ω-NiPc)纳米线及其制备方法 |
| CN105601637A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-05-25 | 昆明学院 | 一种光谱吸收能力强、载流子迁移率高的四苯基卟啉锌纳米材料的制备方法 |
-
2019
- 2019-12-30 CN CN201911393227.6A patent/CN111087404A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1430293A (zh) * | 2003-01-30 | 2003-07-16 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法 |
| CN1471182A (zh) * | 2003-06-17 | 2004-01-28 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 两种或两种以上有机分子构成的有机半导体及其加工方法 |
| CN103255374A (zh) * | 2012-09-19 | 2013-08-21 | 苏州大学 | 一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法 |
| CN104086555A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-10-08 | 昆明学院 | 新晶体结构酞菁钴（J-CoPc）纳米线及其制备方法 |
| CN104557952A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-04-29 | 昆明学院 | 新晶体结构酞菁锌（ι-ZnPc）纳米线及其制备方法 |
| CN104610269A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-05-13 | 昆明学院 | 新晶体结构酞菁镍(ω-NiPc)纳米线及其制备方法 |
| CN105601637A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-05-25 | 昆明学院 | 一种光谱吸收能力强、载流子迁移率高的四苯基卟啉锌纳米材料的制备方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115109063A (zh) * | 2021-09-10 | 2022-09-27 | 天津大学 | 基于d-a型酞菁共晶的双极性半导体材料及其制备方法和应用 |
| CN114702496A (zh) * | 2022-03-16 | 2022-07-05 | 天津大学 | 有机共晶材料及其制备方法和应用 |
| CN114702496B (zh) * | 2022-03-16 | 2022-11-11 | 天津大学 | 有机共晶材料及其制备方法和应用 |
| CN115215791A (zh) * | 2022-09-02 | 2022-10-21 | 北京仿生界面科学未来技术研究院 | 一种有机共晶材料的无溶剂制备方法 |
| CN115215791B (zh) * | 2022-09-02 | 2023-10-03 | 北京仿生界面科学未来技术研究院 | 一种有机共晶材料的无溶剂制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111087404A (zh) | 一种基于物理气相沉积的p型与n型有机半导体共晶材料及制备方法 | |
| Jiang et al. | Single-crystal growth of organic semiconductors | |
| CN109956463B (zh) | 一种碳纳米管及其制备方法 | |
| Wu et al. | A Facile PDMS‐Assisted Crystallization for the Crystal‐Engineering of C60 Single‐Crystal Organic Field‐Effect Transistors | |
| Xiao et al. | Metastable Copper‐Phthalocyanine Single‐Crystal Nanowires and Their Use in Fabricating High‐Performance Field‐Effect Transistors | |
| CN105431214B (zh) | 真空纯化方法 | |
| WO2015192810A1 (zh) | 晶体结构酞菁钴（j-copc）纳米线及其制备方法 | |
| CN103258970A (zh) | 一种核壳型有机/硫化镉纳米线异质结阵列的制备方法 | |
| Wang et al. | Solution synthesis of ZnO nanotubes via a template-free hydrothermal route | |
| CN104404478A (zh) | 一种有机铵金属卤化物薄膜的制备方法 | |
| CN110284189A (zh) | 微距升华法生长分子晶体方法与装置 | |
| CN113044831A (zh) | 一种氮掺杂碳纳米管阵列的制备方法 | |
| CN112048197A (zh) | 一种炉体均温辐射涂料及其制备方法 | |
| CN105399061B (zh) | 一种一维硒化锡单晶纳米线的制备方法 | |
| CN103787284A (zh) | 一种制备碲化铋纳米片的方法 | |
| CN103691962A (zh) | 一种尺寸可控的金属纳米颗粒的制备方法 | |
| CN107915496A (zh) | 一种大面积二维有机‑无机钙钛矿薄膜的制备方法 | |
| Zhang et al. | Fabrication and physical properties of self-assembled ultralong polymer/small molecule hybrid microstructures | |
| CN105294706B (zh) | 新晶体结构酞菁铁纳米线及其制备方法 | |
| CN113697777B (zh) | 一种菱方相CuCrSe2纳米材料及其制备方法和应用 | |
| CN107699856A (zh) | 采用蒸发镀膜‑电场诱导可控制备定向Bi‑Te‑Se纳米柱阵列的方法 | |
| CN110420650B (zh) | 一种核壳结构Bi/BiOBr复合材料的制备方法 | |
| CN107934927B (zh) | 一种二碲化钼纳米管的制备方法 | |
| CN107057041B (zh) | 一种大面积窄带隙有机聚萘热电薄膜的制备方法 | |
| CN111636065B (zh) | 银三角环纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200501 |