CN111081573A - 一种剥离强度测试方法 - Google Patents
一种剥离强度测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111081573A CN111081573A CN201811217236.5A CN201811217236A CN111081573A CN 111081573 A CN111081573 A CN 111081573A CN 201811217236 A CN201811217236 A CN 201811217236A CN 111081573 A CN111081573 A CN 111081573A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ball
- peel strength
- chip
- copper wire
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明的一种剥离强度测试方法，用于针对芯片键合中的剥离强度测试工序。本发明的有益效果是：根据不同芯片选用金丝/铜丝键合后球径的大小，分别来确定芯片键合强度的测试标准，以此来明确芯片的键合牢固程度，便于操作。
Description
技术领域
本发明涉及芯片封装行业，具体涉及剥离芯片键合强度的测试方法。
背景技术
随着科技发展，电子产业突飞猛进，各种集成、控制电路需求急剧增长，对芯片封装的需求也增长迅猛。
芯片封装是指，将精密的半导体集成电路芯片安装到框架上，然后利用引线将芯片与框架引脚相连接，最后用环氧树脂将半导体集成电路芯片固封起来，外界通过引脚与内部的芯片进行信号传输。封装主要是对精密的半导体集成电路芯片进行固封，使半导体集成电路芯片在发挥作用的同时，不受外界湿度、灰尘的影响，同时提供良好的抗机械振动或冲击保护，提高半导体集成电路芯片的适用性。同时封装在金属框架上，增加了散热面积，提高了芯片的运行可靠性。
在键合技术中，键合强度是一个非常重要的参数。它是关系到键合好坏的一个技术指标：键合强度小，在加工过程中键合处很有可能会开裂，导致失效；只有键合强度大，才能保证产品的成品率和质量。
发明内容
本发明的目的是提供一种剥离强度测试方法，以弥补现有测试过程中的不足。
为了达到上述目的，本发明提供了一种剥离强度测试方法，步骤如下：
步骤1、取键合好的芯片固定于推力测试台上；
步骤2、调整推力测试探头，对准芯片键合球，并将机器启动进入待测试状态，推力测试探头离芯片表面3~5μm处；
步骤3、启动推力测试仪，均匀加载推力，直至键合球剥离；
步骤4、推球测试后，在10-40倍显微镜下进行自视检查，并记录推球后压焊点现象。
优选的，上述步骤1中，键合好的芯片为金线/铜线键合芯片。
优选的，上述步骤3中，剥离强度参数如下：
1）金丝/铜丝球径＞96μm，F＞50g；
2）金丝/铜丝球径95～76μm，F＞30g；
3）金丝/铜丝球径75～61μm，F＞20g；
4）金丝/铜丝球径60～51μm，F＞15g；
5）金丝/铜丝球径50～40μm，F＞8g。
本发明的一种剥离强度测试方法，用于针对芯片键合中的剥离强度测试工序。本发明的有益效果是：根据不同芯片选用金丝/铜丝键合后球径的大小，分别来确定芯片键合强度的测试标准，以此来明确芯片的键合牢固程度，便于操作。
附图说明
图1为本发明的剥离强度测试示意图；
其中，1为芯片；2为键合球；3为推力测试探头。
具体实施方式
如图1所示，本发明主要针对芯片键合中的剥离强度测试工序，提供了一种剥离强度测试方法，具体步骤如下：
步骤1、取金丝/铜丝键合好的芯片固定于推力测试台上；
步骤2、调整推力测试探头3放置于芯片1表面3~5μm处，对准芯片键合球2，并将机器启动进入待测试状态；
步骤3、启动推力测试仪，均匀加载推力，直至键合球剥离；
步骤4、推球测试后，在10-40倍显微镜下进行自视检查，并记录推球后压焊点现象。
其中，推力测试探头的测力计读数为剥离强度，具体参数如下：
1）金丝/铜丝球径＞96μm，F＞50g；
2）金丝/铜丝球径95～76μm，F＞30g；
3）金丝/铜丝球径75～61μm，F＞20g；
4）金丝/铜丝球径60～51μm，F＞15g；
5）金丝/铜丝球径50～40μm，F＞8g。
推球测试后，在10-40倍显微镜下进行目视检查(如需要，高倍显微镜可以采用)，符合A，B，C，D模式的批量均为次品。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (3)
1.一种剥离强度测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、取键合好的芯片固定于推力测试台上；
步骤2、调整推力测试探头，对准芯片键合球，并将机器启动进入待测试状态，所述推力测试探头离芯片表面3~5μm处；
步骤3、启动推力测试仪，均匀加载推力，直至键合球剥离；
步骤4、推球测试后，在10-40倍显微镜下进行自视检查，并记录推球后压焊点现象。
2.根据权利1所述的一种剥离强度测试方法，其特征在于，上述步骤1中，键合好的芯片为金线/铜线键合芯片。
3.根据权利1所述的一种剥离强度测试方法，其特征在于，上述步骤3中，剥离强度参数如下：
1） 金丝/铜丝球径＞96μm，F＞50g；
2）金丝/铜丝球径95～76μm，F＞30g；
3）金丝/铜丝球径75～61μm，F＞20g；
4）金丝/铜丝球径60～51μm，F＞15g；
5）金丝/铜丝球径50～40μm，F＞8g。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811217236.5A CN111081573A (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 一种剥离强度测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811217236.5A CN111081573A (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 一种剥离强度测试方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111081573A true CN111081573A (zh) | 2020-04-28 |
Family
ID=70308773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811217236.5A Pending CN111081573A (zh) | 2018-10-18 | 2018-10-18 | 一种剥离强度测试方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111081573A (zh) |
-
2018
- 2018-10-18 CN CN201811217236.5A patent/CN111081573A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100681772B1 (ko) | 반도체 시험 방법 및 반도체 시험 장치 | |
| US20080290885A1 (en) | Probe test system and method for testing a semiconductor package | |
| JP2703204B2 (ja) | ボール・グリッド・アレイ半導体パッケージのワイヤボンディング検査方法 | |
| KR20060106601A (ko) | 반도체 장치의 생산 관리 방법 및 반도체 기판 | |
| US20130330846A1 (en) | Test vehicles for encapsulated semiconductor device packages | |
| TW201710691A (zh) | 使用單一探針測試晶片的多個連接墊的測試裝置及方法 | |
| US8994397B2 (en) | Thermal pad shorts test for wire bonded strip testing | |
| US8063656B1 (en) | Method of enabling a circuit board analysis | |
| Chen et al. | Nondestructive analysis of interconnection in two-die BGA using TDR | |
| CN111081573A (zh) | 一种剥离强度测试方法 | |
| CN107727484A (zh) | 一种装片固化测试方法 | |
| CN105388413A (zh) | 芯片失效分析仪器 | |
| CN105425139A (zh) | 芯片失效分析的测试设备 | |
| CN107887290A (zh) | 一种剥离强度测试方法 | |
| CN102455373B (zh) | 探针卡结构 | |
| US6881593B2 (en) | Semiconductor die adapter and method of using | |
| CN111081567A (zh) | 一种装片固化测试方法 | |
| KR100744029B1 (ko) | 페키지된 반도체 칩의 디캡 방법 | |
| KR101215366B1 (ko) | 접촉자의 제조방법, 반도체 검사장치의 제조방법, 접촉자 및 이를 포함하는 반도체 검사장치 | |
| KR100533569B1 (ko) | 테스트용 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| TWI770523B (zh) | Ic測試電路板組合及ic測試系統 | |
| CN111081569A (zh) | 一种装片固化测试方法 | |
| KR100894804B1 (ko) | 반도체부품의 결합 체크 방법 | |
| JPH08255976A (ja) | 多層配線基板 | |
| CN105425138A (zh) | 失效分析系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200428 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |