CN111029471B - 一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111029471B
CN111029471B CN201911235146.3A CN201911235146A CN111029471B CN 111029471 B CN111029471 B CN 111029471B CN 201911235146 A CN201911235146 A CN 201911235146A CN 111029471 B CN111029471 B CN 111029471B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
type silicon
spiro
ometad
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911235146.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111029471A (zh
Inventor
朱煜剑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heguang Tongcheng Photovoltaic Technology Yibin Co ltd
Original Assignee
Heguang Tongcheng Photovoltaic Technology Yibin Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heguang Tongcheng Photovoltaic Technology Yibin Co ltd filed Critical Heguang Tongcheng Photovoltaic Technology Yibin Co ltd
Priority to CN201911235146.3A priority Critical patent/CN111029471B/zh
Publication of CN111029471A publication Critical patent/CN111029471A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111029471B publication Critical patent/CN111029471B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤：在n型硅片的上表面制备硅纳米线阵列，接着对所述n型硅片的上表面进行钝化处理，接着在所述n型硅片的表面依次制备第一Spiro‑OMeTAD层、第二Spiro‑OMeTAD层、第三Spiro‑OMeTAD层、金属银薄层、PEDOT:PSS层，在各Spiro‑OMeTAD层以及PEDOT:PSS层的退火过程中通过将热处理后的n型硅片立刻置于低温环境中，并进行低温处理一段时间，通过低温处理可以将Spiro‑OMeTAD和PEDOT:PSS紧紧贴附于硅纳米线的表面，接着在所述n型硅片上制备正面电极以及背面电极。

Description

一种太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
现有的硅/导电聚合物异质结太阳能电池的制备过程中，通常是直接在硅基底上直接旋涂导电聚合物材料，然后再进行简单的热处理后就直接蒸镀电极。然而在以硅纳米线作为基底的硅/导电聚合物异质结太阳能电池的制备过程中，硅纳米线与导电聚合物层之间的接触问题，是研究人员的研究热点。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种太阳能电池及其制备方法。
为实现上述目的，本发明提出的一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)提供一n型硅片，在所述n型硅片的上表面制备硅纳米线阵列；
2)接着对所述n型硅片的上表面进行钝化处理；
3)第一Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂浓度为10-15mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在60-80℃下热处理10-15分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-60—-70℃的环境中，并进行低温处理10-20分钟，形成第一Spiro-OMeTAD层；
4)第二Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤3得到的n型硅片的正面旋涂浓度为5-10mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在60-80℃下热处理5-10分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-65—-75℃的环境中，并进行低温处理5-15分钟，形成第二Spiro-OMeTAD层；
5)第三Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤4得到的n型硅片的正面旋涂浓度为1-5mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在60-80℃下热处理3-8分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-70—-80℃的环境中，并进行低温处理5-10分钟，形成第三Spiro-OMeTAD层；
6)接着在所述第三Spiro-OMeTAD层上蒸镀一金属银薄层，蒸镀的速率为1-2埃米/秒，蒸镀的时间为5-15秒；
7)PEDOT:PSS层的制备：在步骤6得到的n型硅片的正面旋涂浓度为10-20mg/ml的PEDOT:PSS溶液，并进行退火处理，所述退火处理包括：在升温速率为30-40℃/min的条件下升温至110-120℃，然后热处理10-15分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-70—-80℃的环境中，并进行低温处理10-20分钟，形成PEDOT:PSS层；
8)在步骤7得到的所述n型硅片上制备正面电极；
9)在步骤8得到的所述n型硅片上制备背面电极。
作为优选，在所述步骤1中，在所述n型硅片的上表面通过湿法刻蚀或者干法刻蚀制备所述硅纳米线阵列，所述硅纳米线阵列中单个硅纳米线的直径为150-300纳米，单个硅纳米线的长度为1-2微米，相邻硅纳米线之间的间距为300-500纳米。
作为优选，在所述步骤2)中，对所述n型硅片进行钝化处理的具体步骤为：将所述n型硅片在HF中浸泡3-6分钟，然后将氢化的所述n型硅片在饱和的五氯化磷的氯苯溶液中进行氯化处理，使得硅-氢键变为硅-氯键，然后对所述n型硅片在甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中进行甲基化处理，使得硅-氯键变为硅碳键，以钝化所述n型硅片。
作为优选，在所述步骤3)中，旋涂的转速为3000-4000转/分钟，旋涂的时间为60-90秒；在所述步骤4)中，旋涂的转速为4000-5000转/分钟，旋涂的时间为60-90秒；在所述步骤5)中，旋涂的转速为5000-6000转/分钟，旋涂的时间为60-90秒。
作为优选，在所述步骤7)中，旋涂的转速为3000-4500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟。
作为优选，在所述步骤8)中，形成正面电极的方法为热蒸镀、磁控溅射和电子束蒸镀中的一种，所述正面电极的材料为铜或银，所述正面电极的厚度为100-200纳米，所述正面电极为栅电极。
作为优选，在所述步骤9)中，形成背面电极的方法为热蒸镀、磁控溅射和电子束蒸镀中的一种，所述背面电极的材料为铝，所述背面电极的厚度为100-200纳米。
本发明还提出一种太阳能电池，其采用上述方法制备形成的。
本发明与现有技术相比具有下列优点：
在硅纳米线阵列上依次制备第一Spiro-OMeTAD层、第二Spiro-OMeTAD层、第三Spiro-OMeTAD层以及第一PEDOT:PSS层，通过优化空穴传输层的材料以及结构，且在各Spiro-OMeTAD层以及PEDOT:PSS层的退火过程中通过将热处理后的n型硅片立刻置于低温环境中，并进行低温处理一段时间，通过低温处理可以将Spiro-OMeTAD和PEDOT:PSS紧紧贴附于硅纳米线的表面，由于Spiro-OMeTAD为小分子结构，其体积较小，有利于渗透到硅纳米线的间隙中，因此通过依次旋涂浓度逐渐降低的Spiro-OMeTAD溶液，方便其在硅纳米线表面附着的同时，有效修饰了Spiro-OMeTAD的成膜性能，进而得到高质量的Spiro-OMeTAD层和PEDOT:PSS层，有效避免硅纳米线裸露进而与电极直接接触。通过优化各Spiro-OMeTAD层和PEDOT:PSS层的具体退火工艺，有效提高了该太阳能电池光电转换效率。
附图说明
图1为本发明的太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
本发明具体提出的一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)提供一n型硅片，在所述n型硅片的上表面制备硅纳米线阵列，在所述步骤1中，在所述n型硅片的上表面通过湿法刻蚀或者干法刻蚀制备所述硅纳米线阵列，所述硅纳米线阵列中单个硅纳米线的直径为150-300纳米，单个硅纳米线的长度为1-2微米，相邻硅纳米线之间的间距为300-500纳米。
2)接着对所述n型硅片的上表面进行钝化处理，在所述步骤2)中，对所述n型硅片进行钝化处理的具体步骤为：将所述n型硅片在HF中浸泡3-6分钟，然后将氢化的所述n型硅片在饱和的五氯化磷的氯苯溶液中进行氯化处理，使得硅-氢键变为硅-氯键，然后对所述n型硅片在甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中进行甲基化处理，使得硅-氯键变为硅碳键，以钝化所述n型硅片。
3)第一Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂浓度为10-15mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在60-80℃下热处理10-15分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-60—-70℃的环境中，并进行低温处理10-20分钟，形成第一Spiro-OMeTAD层。
4)第二Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤3得到的n型硅片的正面旋涂浓度为5-10mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在60-80℃下热处理5-10分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-65—-75℃的环境中，并进行低温处理5-15分钟，形成第二Spiro-OMeTAD层。
5)第三Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤4得到的n型硅片的正面旋涂浓度为1-5mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在60-80℃下热处理3-8分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-70—-80℃的环境中，并进行低温处理5-10分钟，形成第三Spiro-OMeTAD层。
其中，在所述步骤3)中，旋涂的转速为3000-4000转/分钟，旋涂的时间为60-90秒；在所述步骤4)中，旋涂的转速为4000-5000转/分钟，旋涂的时间为60-90秒；在所述步骤5)中，旋涂的转速为5000-6000转/分钟，旋涂的时间为60-90秒。
6)接着在所述第三Spiro-OMeTAD层上蒸镀一金属银薄层，蒸镀的速率为1-2埃米/秒，蒸镀的时间为5-15秒。
7)PEDOT:PSS层的制备：在步骤6得到的n型硅片的正面旋涂浓度为10-20mg/ml的PEDOT:PSS溶液，并进行退火处理，所述退火处理包括：在升温速率为30-40℃/min的条件下升温至110-120℃，然后热处理10-15分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-70—-80℃的环境中，并进行低温处理10-20分钟，形成PEDOT:PSS层，在所述步骤7)中，旋涂的转速为3000-4500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟。
8)在步骤7得到的所述n型硅片上制备正面电极，在所述步骤8)中，形成正面电极的方法为热蒸镀、磁控溅射和电子束蒸镀中的一种，所述正面电极的材料为铜或银，所述正面电极的厚度为100-200纳米，所述正面电极为栅电极。
9)在步骤8得到的所述n型硅片上制备背面电极，在所述步骤9)中，形成背面电极的方法为热蒸镀、磁控溅射和电子束蒸镀中的一种，所述背面电极的材料为铝，所述背面电极的厚度为100-200纳米。
本发明还提出一种太阳能电池，其采用上述方法制备形成的。所述太阳能电池从下至上背面电极1、n型硅片2、硅纳米线阵列3、Spiro-OMeTAD层4(其包括第一、第二、第三Spiro-OMeTAD层)、金属银薄层5、PEDOT:PSS层6以及正面电极7。
实施例1：
一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)提供一n型硅片，在所述n型硅片的上表面制备硅纳米线阵列，在所述步骤1中，在所述n型硅片的上表面通过湿法刻蚀或者干法刻蚀制备所述硅纳米线阵列，所述硅纳米线阵列中单个硅纳米线的直径约为220纳米，单个硅纳米线的长度约为1.5微米，相邻硅纳米线之间的间距约为400纳米。
2)接着对所述n型硅片的上表面进行钝化处理，在所述步骤2)中，对所述n型硅片进行钝化处理的具体步骤为：将所述n型硅片在HF中浸泡5分钟，然后将氢化的所述n型硅片在饱和的五氯化磷的氯苯溶液中进行氯化处理，使得硅-氢键变为硅-氯键，然后对所述n型硅片在甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中进行甲基化处理，使得硅-氯键变为硅碳键，以钝化所述n型硅片。
3)第一Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂浓度为12mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在70℃下热处理12分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-65℃的环境中，并进行低温处理15分钟，形成第一Spiro-OMeTAD层。
4)第二Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤3得到的n型硅片的正面旋涂浓度为8mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在70℃下热处理8分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-70℃的环境中，并进行低温处理10分钟，形成第二Spiro-OMeTAD层。
5)第三Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤4得到的n型硅片的正面旋涂浓度为3mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在70℃下热处理5分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-75℃的环境中，并进行低温处理7分钟，形成第三Spiro-OMeTAD层。
其中，在所述步骤3)中，旋涂的转速为3500转/分钟，旋涂的时间为75秒；在所述步骤4)中，旋涂的转速为45000转/分钟，旋涂的时间为75秒；在所述步骤5)中，旋涂的转速为5500转/分钟，旋涂的时间为75秒。
6)接着在所述第三Spiro-OMeTAD层上蒸镀一金属银薄层，蒸镀的速率为1.5埃米/秒，蒸镀的时间为10秒。
7)PEDOT:PSS层的制备：在步骤6得到的n型硅片的正面旋涂浓度为15mg/ml的PEDOT:PSS溶液，并进行退火处理，所述退火处理包括：在升温速率为35℃/min的条件下升温至115℃，然后热处理12分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-75℃的环境中，并进行低温处理15分钟，形成PEDOT:PSS层，在所述步骤7)中，旋涂的转速为4000转/分钟，旋涂的时间为1.5分钟。
8)在步骤7得到的所述n型硅片上制备正面电极，在所述步骤8)中，形成正面电极的方法为热蒸镀，所述正面电极的材料为铜，所述正面电极的厚度为150纳米，所述正面电极为栅电极。
9)在步骤8得到的所述n型硅片上制备背面电极，在所述步骤9)中，形成背面电极的方法为热蒸镀，所述背面电极的材料为铝，所述背面电极的厚度为150纳米。
上述方法制备的太阳能电池的开路电压为0.62V，短路电流为36.1mA/cm2，填充因子为0.74，光电转换效率为16.6％。
实施例2
一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
1)提供一n型硅片，在所述n型硅片的上表面制备硅纳米线阵列，在所述步骤1中，在所述n型硅片的上表面通过湿法刻蚀或者干法刻蚀制备所述硅纳米线阵列，所述硅纳米线阵列中单个硅纳米线的直径约为300纳米，单个硅纳米线的长度约为2微米，相邻硅纳米线之间的间距约为500纳米。
2)接着对所述n型硅片的上表面进行钝化处理，在所述步骤2)中，对所述n型硅片进行钝化处理的具体步骤为：将所述n型硅片在HF中浸泡6分钟，然后将氢化的所述n型硅片在饱和的五氯化磷的氯苯溶液中进行氯化处理，使得硅-氢键变为硅-氯键，然后对所述n型硅片在甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中进行甲基化处理，使得硅-氯键变为硅碳键，以钝化所述n型硅片。
3)第一Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂浓度为15mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在80℃下热处理10分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-60℃的环境中，并进行低温处理10分钟，形成第一Spiro-OMeTAD层。
4)第二Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤3得到的n型硅片的正面旋涂浓度为10mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在80℃下热处理5分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-65℃的环境中，并进行低温处理8分钟，形成第二Spiro-OMeTAD层。
5)第三Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤4得到的n型硅片的正面旋涂浓度为5mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在80℃下热处理3分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-70℃的环境中，并进行低温处理5分钟，形成第三Spiro-OMeTAD层。
其中，在所述步骤3)中，旋涂的转速为4000转/分钟，旋涂的时间为60秒；在所述步骤4)中，旋涂的转速为5000转/分钟，旋涂的时间为60秒；在所述步骤5)中，旋涂的转速为6000转/分钟，旋涂的时间为60秒。
6)接着在所述第三Spiro-OMeTAD层上蒸镀一金属银薄层，蒸镀的速率为1埃米/秒，蒸镀的时间为10秒。
7)PEDOT:PSS层的制备：在步骤6得到的n型硅片的正面旋涂浓度为10mg/ml的PEDOT:PSS溶液，并进行退火处理，所述退火处理包括：在升温速率为40℃/min的条件下升温至110℃，然后热处理15分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-70℃的环境中，并进行低温处理10分钟，形成PEDOT:PSS层，在所述步骤7)中，旋涂的转速为3000转/分钟，旋涂的时间为1分钟。
8)在步骤7得到的所述n型硅片上制备正面电极，在所述步骤8)中，形成正面电极的方法为热蒸镀，所述正面电极的材料为银，所述正面电极的厚度为200纳米，所述正面电极为栅电极。
9)在步骤8得到的所述n型硅片上制备背面电极，在所述步骤9)中，形成背面电极的方法为热蒸镀，所述背面电极的材料为铝，所述背面电极的厚度为200纳米。
上述方法制备的太阳能电池的开路电压为0.61V，短路电流为35.3mA/cm2，填充因子为0.73，光电转换效率为15.7％。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)提供一n型硅片，在所述n型硅片的上表面制备硅纳米线阵列；
2)接着对所述n型硅片的上表面进行钝化处理；
3)第一Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂浓度为10-15mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在60-80℃下热处理10-15分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-60—-70℃的环境中，并进行低温处理10-20分钟，形成第一Spiro-OMeTAD层；
4)第二Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤3得到的n型硅片的正面旋涂浓度为5-10mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在60-80℃下热处理5-10分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-65—-75℃的环境中，并进行低温处理5-15分钟，形成第二Spiro-OMeTAD层；
5)第三Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤4得到的n型硅片的正面旋涂浓度为1-5mg/ml的Spiro-OMeTAD溶液，接着在60-80℃下热处理3-8分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-70—-80℃的环境中，并进行低温处理5-10分钟，形成第三Spiro-OMeTAD层；
6)接着在所述第三Spiro-OMeTAD层上蒸镀一金属银薄层，蒸镀的速率为1-2埃米/秒，蒸镀的时间为5-15秒；
7)PEDOT:PSS层的制备：在步骤6得到的n型硅片的正面旋涂浓度为10-20mg/ml的PEDOT:PSS溶液，并进行退火处理，所述退火处理包括：在升温速率为30-40℃/min的条件下升温至110-120℃，然后热处理10-15分钟，接着将热处理后的该n型硅片放置于温度为-70—-80℃的环境中，并进行低温处理10-20分钟，形成PEDOT:PSS层；
8)在步骤7得到的所述n型硅片上制备正面电极；
9)在步骤8得到的所述n型硅片上制备背面电极；
其中，在所述步骤1中，在所述n型硅片的上表面通过湿法刻蚀或者干法刻蚀制备所述硅纳米线阵列，所述硅纳米线阵列中单个硅纳米线的直径为150-300纳米，单个硅纳米线的长度为1-2微米，相邻硅纳米线之间的间距为300-500纳米；在所述步骤3)中，旋涂的转速为3000-4000转/分钟，旋涂的时间为60-90秒；在所述步骤4)中，旋涂的转速为4000-5000转/分钟，旋涂的时间为60-90秒；在所述步骤5)中，旋涂的转速为5000-6000转/分钟，旋涂的时间为60-90秒。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤2)中，对所述n型硅片进行钝化处理的具体步骤为：将所述n型硅片在HF中浸泡3-6分钟，然后将氢化的所述n型硅片在饱和的五氯化磷的氯苯溶液中进行氯化处理，使得硅-氢键变为硅-氯键，然后对所述n型硅片在甲基氯化镁的四氢呋喃溶液中进行甲基化处理，使得硅-氯键变为硅碳键，以钝化所述n型硅片。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤7)中，旋涂的转速为3000-4500转/分钟，旋涂的时间为1-2分钟。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤8)中，形成正面电极的方法为热蒸镀、磁控溅射和电子束蒸镀中的一种，所述正面电极的材料为铜或银，所述正面电极的厚度为100-200纳米，所述正面电极为栅电极。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于：在所述步骤9)中，形成背面电极的方法为热蒸镀、磁控溅射和电子束蒸镀中的一种，所述背面电极的材料为铝，所述背面电极的厚度为100-200纳米。
6.一种太阳能电池，其特征在于，其采用权利要求1-5任一项所述的方法制备形成的。
CN201911235146.3A 2019-12-05 2019-12-05 一种太阳能电池及其制备方法 Active CN111029471B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911235146.3A CN111029471B (zh) 2019-12-05 2019-12-05 一种太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911235146.3A CN111029471B (zh) 2019-12-05 2019-12-05 一种太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111029471A CN111029471A (zh) 2020-04-17
CN111029471B true CN111029471B (zh) 2023-10-13

Family

ID=70207646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911235146.3A Active CN111029471B (zh) 2019-12-05 2019-12-05 一种太阳能电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111029471B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102517539A (zh) * 2012-01-09 2012-06-27 西南大学 一种提高硬质涂层与基体界面结合强度的方法
CN104183303A (zh) * 2014-09-03 2014-12-03 欧依有机光电子科技有限公司 一种稳定的pedot/pss导电层电极及其制备方法
CN107946470A (zh) * 2017-11-28 2018-04-20 佛山市宝粤美科技有限公司 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN108461580A (zh) * 2018-05-04 2018-08-28 苏州宝澜环保科技有限公司 一种硅太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102517539A (zh) * 2012-01-09 2012-06-27 西南大学 一种提高硬质涂层与基体界面结合强度的方法
CN104183303A (zh) * 2014-09-03 2014-12-03 欧依有机光电子科技有限公司 一种稳定的pedot/pss导电层电极及其制备方法
CN107946470A (zh) * 2017-11-28 2018-04-20 佛山市宝粤美科技有限公司 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN108461580A (zh) * 2018-05-04 2018-08-28 苏州宝澜环保科技有限公司 一种硅太阳能电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111029471A (zh) 2020-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107946470B (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN107946471B (zh) 一种基于硅纳米线阵列的异质结光伏电池及其制备方法
EP2351100B1 (en) Nanostructured devices
TWI426619B (zh) 太陽能電池與其異質接合結構的製造方法
CN109411607B (zh) 太阳能电池及其制备方法和改善钙钛矿层传输特性的方法
CN103996739A (zh) 用纳米/微球光刻制造纳米/微线太阳能电池
CN107994119B (zh) 一种有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN108417719B (zh) 一种硅基核壳结构光伏电池及其制备方法
KR102130286B1 (ko) 포토다이오드 및 그 제조 방법
CN108461580A (zh) 一种硅太阳能电池及其制备方法
CN115117247B (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108258124B (zh) 一种异质结光伏电池及其制备方法
TW201044601A (en) Three-dimensional indium-tin-oxide electrode, method of fabricating the same, device of fabricating the same, and method of fabricating solar cell comprising the same
CN111029471B (zh) 一种太阳能电池及其制备方法
CN108023021B (zh) 一种硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池及其制备方法
Peksu et al. Towards the fabrication of third generation solar cells on amorphous, flexible and transparent substrates with well-ordered and disordered Si-nanowires/pillars
CN108831955B (zh) 一种硅太阳能电池及其制备方法
CN110993796B (zh) 一种钙钛矿光伏电池及其制备方法
JP6768986B2 (ja) ドープ半導体材料の複数の粒を含む光吸収層を有する光起電力装置
CN111029433B (zh) 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法
CN110690351A (zh) 一种制造钙钛矿太阳能电池的方法
CN110931641B (zh) 一种硅基有机无机杂化太阳能电池及其制备方法
CN110993794B (zh) 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN108847428B (zh) 一种基于硅纳米线阵列的太阳能电池及其制备方法
TWI538272B (zh) 光電元件及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20230911

Address after: 644600 Building 72, Jinrun Industrial Park, Gaoxin Community, Gaochang Town, Xuzhou District, Yibin City, Sichuan Province

Applicant after: Heguang Tongcheng Photovoltaic Technology (Yibin) Co.,Ltd.

Address before: 221000 room 527, building 11, Xuzhou Software Park, No. 6, Software Park Road, Quanshan District, Xuzhou City, Jiangsu Province

Applicant before: Xuzhou wurui Information Technology Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant