CN111009446A - 一种陶瓷继电器壳体 - Google Patents

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汪鹏
康文涛
彭悦
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Loudi Antaeus Electronic Ceramics Co ltd
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Loudi Antaeus Electronic Ceramics Co ltd
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H50/00—Details of electromagnetic relays
    • H01H50/02—Bases; Casings; Covers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
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Abstract

本发明公开了一种陶瓷继电器壳体，所述陶瓷继电器壳体为一内部中空、底面开口的长方体，所述长方体的顶面设有两个通孔；所述长方体的顶面边缘由内至外依次设有斜角平台和倒角平台。本发明通过对陶瓷继电器壳体结构进行设计，通过设置倒角平台与斜角平台，抑制产品在撞击时，裂纹的延伸和缺损面积的扩大，降低缺损比例。

Description

一种陶瓷继电器壳体
技术领域
本发明属于继电器设备领域，尤其涉及一种继电器壳体。
背景技术
目前陶瓷继电器壳体因其结构复杂，产品外围轮廓棱角处极易产生碰缺，产生缺损不良。故需要对产品进行倒角设计。现有产品的倒角设计过小，产品装盘过程、装钵过程、搬运过程与倒料过程中，倒角设计过小产生的抑制作用不够明显。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服以上背景技术中提到的不足和缺陷，提供一种陶瓷继电器壳体，该壳体能有效控制碰撞时缺损面积的扩大化，降低缺损比例。为解决上述技术问题，本发明提出的技术方案为：
一种陶瓷继电器壳体，所述陶瓷继电器壳体为一内部中空、底面开口的长方体，所述长方体的顶面设有两个通孔；所述长方体的顶面边缘由内至外依次设有斜角平台和倒角平台。
上述陶瓷继电器壳体中，优选的，所述斜角平台的倾斜角度为30-45°，所述斜角平台的宽度k1和倒角平台的宽度k2相等(宽度是指投影到底面的宽度)。
上述陶瓷继电器壳体中，优选的，所述斜角平台的面积S斜角平台和所述倒角平台的面积S倒角平台满足以下要求：
S倒角平台＝S圆孔平台*(2-8％)；
S斜角平台＝S圆孔平台*(2-8％)；
S圆孔平台＝LA*LB-2*π(R/2)2；
其中，LA是指所述长方体的顶面长度，LB是指所述长方体的顶面宽度，R是指所述通孔的直径。
上述陶瓷继电器壳体中，优选的，所述斜角平台的面积S斜角平台和所述倒角平台的面积S倒角平台满足以下要求：
S倒角平台＝S圆孔平台*4.5％；
S斜角平台＝S圆孔平台*6％。
本发明中，增加斜角平台可起到便于脱模和抑制产品碰撞时裂纹延伸的作用。倒角平台与斜角平台的宽度需要得到合理的控制，倒角平台与斜角平台的宽度占比小于2％，倒角平台与斜角平台产生的作用微小，倒角平台与斜角平台的宽度占比大于8％，倒角和斜角设计相对陶瓷继电器壳体不科学，影响到产品金属化和焊接。更优选的方案中，倒角平台与斜角平台的作用效果更优。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
本发明通过对陶瓷继电器壳体结构进行设计，通过设置倒角平台与斜角平台，抑制产品在撞击时，裂纹的延伸和缺损面积的扩大，降低缺损比例。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为实施例中陶瓷继电器壳体的结构示意图。
图2为实施例中陶瓷继电器壳体另一角度的结构示意图。
图3为图1的俯视图。
图例说明：
1、通孔；2、斜角平台；3、倒角平台。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下文将结合说明书附图和较佳的实施例对本发明作更全面、细致地描述，但本发明的保护范围并不限于以下具体的实施例。
除非另有定义，下文中所使用的所有专业术语与本领域技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的，并不是旨在限制本发明的保护范围。
实施例：
如图1-3所示，一种陶瓷继电器壳体，陶瓷继电器壳体为一内部中空、底面开口的长方体，长方体的顶面设有两个通孔1；长方体的顶面边缘由内至外依次设有斜角平台2和倒角平台3。
上述陶瓷继电器壳体中，斜角平台2的倾斜角度为30-45°(上述范围均可)，斜角平台2的宽度k1和倒角平台3的宽度k2相等。
上述陶瓷继电器壳体中，斜角平台2的面积S斜角平台和倒角平台3的面积S倒角平台满足以下要求：
S倒角平台＝S圆孔平台*(2-8％)；
S斜角平台＝S圆孔平台*(2-8％)；
S圆孔平台＝LA*LB-2*π(R/2)2；
其中，LA是指长方体的顶面长度，LB是指长方体的顶面宽度，R是指通孔1的直径。
为了说明本实施例中陶瓷继电器壳体的优势，本实施例提供几种情况对比如下：
1、陶瓷继电器壳体坯件在压制成型时，坯件和模具分离。上述设置无倒角设计，分离时产品棱角会呈90°，极易产生碰缺。
2、陶瓷继电器壳体坯件在压制成型时，坯件和模具分离。上述设置增加倒角设计，但只有倒角设计，对裂纹走势的抑制作用不明显。
3、陶瓷继电器壳体坯件在压制成型时，坯件和模具分离。采用本实施例中的斜角平台2和倒角平台3设计，具体的，斜角平台2为倾斜角度为45°，斜角平台2的面积S斜角平台和倒角平台3的面积S倒角平台满足以下要求：
S倒角平台＝S圆孔平台*4.5％；
S斜角平台＝S圆孔平台*6％。
上述设置可以有效遏制裂纹走势，降低缺损比例。
4、陶瓷继电器壳体坯件在压制成型时，坯件和模具分离。采用本实施例中的斜角平台2和倒角平台3设计，具体的，斜角平台2为倾斜角度为45°，斜角平台2的面积S斜角平台和倒角平台3的面积S倒角平台满足以下要求：
S倒角平台＝S圆孔平台*6％；
S斜角平台＝S圆孔平台*4％。
上述设置可以遏制裂纹走势，降低缺损比例，但作用效果稍劣于上述第3种情况。
5、陶瓷继电器壳体坯件在压制成型时，坯件和模具分离。采用本实施例中的斜角平台2和倒角平台3设计，具体的，斜角平台2为倾斜角度为45°，斜角平台2的面积S斜角平台和倒角平台3的面积S倒角平台满足以下要求：
S倒角平台＝S圆孔平台*3％；
S斜角平台＝S圆孔平台*5％。
上述设置可以遏制裂纹走势，降低缺损比例，但作用效果稍劣于上述第3种情况，好于上述第4种情况。

Claims (4)

1.一种陶瓷继电器壳体，其特征在于，所述陶瓷继电器壳体为一内部中空、底面开口的长方体，所述长方体的顶面设有两个通孔；所述长方体的顶面边缘由内至外依次设有斜角平台和倒角平台。
2.根据权利要求1所述的陶瓷继电器壳体，其特征在于，所述斜角平台的倾斜角度为30-45°，所述斜角平台的宽度k1和倒角平台的宽度k2相等。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷继电器壳体，其特征在于，所述斜角平台的面积S斜角平台和所述倒角平台的面积S倒角平台满足以下要求：
S倒角平台＝S圆孔平台*(2-8％)；
S斜角平台＝S圆孔平台*(2-8％)；
S圆孔平台＝LA*LB-2*π(R/2)2；
其中，LA是指所述长方体的顶面长度，LB是指所述长方体的顶面宽度，R是指所述通孔的直径。
4.根据权利要求3所述的陶瓷继电器壳体，其特征在于，所述斜角平台的面积S斜角平台和所述倒角平台的面积S倒角平台满足以下要求：
S倒角平台＝S圆孔平台*4.5％；
S斜角平台＝S圆孔平台*6％。
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