CN110996638B - 毫米波屏蔽膜的生产方法及毫米波屏蔽膜 - Google Patents

毫米波屏蔽膜的生产方法及毫米波屏蔽膜 Download PDF

Info

Publication number
CN110996638B
CN110996638B CN201911100184.8A CN201911100184A CN110996638B CN 110996638 B CN110996638 B CN 110996638B CN 201911100184 A CN201911100184 A CN 201911100184A CN 110996638 B CN110996638 B CN 110996638B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metal shielding
shielding layer
metal
millimeter wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911100184.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110996638A (zh
Inventor
由龙
林翠盈
赵伟业
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Kenuoqiao Technology Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Kenuoqiao Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Kenuoqiao Technology Co ltd filed Critical Shenzhen Kenuoqiao Technology Co ltd
Publication of CN110996638A publication Critical patent/CN110996638A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110996638B publication Critical patent/CN110996638B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本发明公开了一种毫米波屏蔽膜的生产方法,包括以下步骤:提供载体制成保护层;通过橡胶、离子捕捉剂、树脂、碳粉、固化剂和稀释剂制成黑胶胶液,在保护层表面涂布黑胶胶液并热固化,形成绝缘层;绝缘层表面溅射金属形成第一金属屏蔽层;第一金属屏蔽层表面电镀形成第二金属屏蔽层;第二金属屏蔽层表面涂布导电胶胶液并热固化,形成导电层。本发明提供的毫米波屏蔽膜的生产方法,提升屏蔽性能且提升屏蔽膜的韧性。

Description

毫米波屏蔽膜的生产方法及毫米波屏蔽膜
技术领域
本发明涉及屏蔽膜技术领域,具体地说,涉及一种毫米波屏蔽膜的生产方法及毫米波屏蔽膜。
背景技术
随着通信技术的发展,5G通信技术逐渐成熟,5G通信中,为了提升传输速度,5G通信采用高频率电磁波进行信号的传输,传输速度得到明显提升。商用5G的高频段将采用28GHz频段和60GHz频段,28GHz频段和60GHz频段的波长为毫米级,即毫米波。
5G通信产品的天线为了消除外部干扰电磁信号,需要在天线的线路板(FPC)表面设置屏蔽膜,同时也避免线路板散发的电磁波干扰其它通信元件,但现有的屏蔽膜性能差,且应用于天线线路板时易断裂,不能适用于5G产品的天线结构。
申请号为201710421861.0公开了一种电磁波屏蔽膜和带电磁波屏蔽膜的印刷配线版,电磁波屏蔽膜包括绝缘树脂层;金属薄膜层,与绝缘树脂层邻接;各向异性导电性粘合剂层,与金属薄膜层的和绝缘树脂层相反的一侧邻接;以及第一脱模膜,与绝缘树脂层的和金属薄膜层相反的一侧邻接。但这类电磁波屏蔽膜韧性较差,覆盖在线路板上时容易发生断裂,特别是在拐角处。
发明内容
本发明的目的在于提供一种毫米波屏蔽膜的生产方法及毫米波屏蔽膜,提升屏蔽性能且提升屏蔽膜的韧性。
本发明公开的纸锅所采用的技术方案是:
一种毫米波屏蔽膜的生产方法,包括以下步骤:提供载体制成保护层;通过橡胶、离子捕捉剂、树脂、碳粉、固化剂和稀释剂制成黑胶胶液,在保护层表面涂布黑胶胶液并热固化,形成绝缘层;绝缘层表面溅射金属形成第一金属屏蔽层;第一金属屏蔽层表面电镀形成第二金属屏蔽层;第二金属屏蔽层表面涂布导电胶胶液并热固化,形成导电层。
作为优选方案,所述载体为PE离型膜或PP离型膜。
作为优选方案,所述黑胶胶液中还添加阻燃剂、抗氧化剂和促进剂。
作为优选方案,所述第一金属屏蔽层的材质为镍银合金、镍金合金、钛银合金、钛金合金、铬银合金或铬金合金。
作为优选方案,所述电镀的方式采用酸铜沉淀法在第一金属屏蔽层上形成第一电镀铜箔层,再采用碱铜沉淀法在所述第一电镀铜箔层上形成第二电镀铜箔,制成第二金属屏蔽层。
作为优选方案,所述导电胶胶液由半成品胶液A、粉体B和半成品胶液C混合而成,所述半成品胶液A由质量分数为30~45%的橡胶、30~45%的双酚环氧树脂901、1~2%的固化剂混合而成,所述半成品胶液C由质量分数为40~70%的稀释剂甲苯和30~60%的甲醇混合而成。
作为优选方案,所述粉体B为银包铜粉体,所述银包铜粉体中银含量为10%,且银包铜粉体表面95%以上被银包裹。
作为优选方案,所述银包铜粉体由质量分数为40~60%的1~3μm枝状粉体、30~40%的5~7μm枝状粉体和20~30%的10~12μm枝状粉体混合而成。
一种毫米波屏蔽膜,由上述任一种的生产方法制得,包括保护层、绝缘层、金属屏蔽层和导电层,所述绝缘层设于保护层表面,所述金属屏蔽层设于绝缘层表面,所述导电层设于金属屏蔽层表面,所述金属屏蔽层包括溅射形成的第一金属屏蔽层和电镀形成的第二金属屏蔽层。
作为优选方案,所述第一金属屏蔽层设于绝缘层表面,所述第二金属屏蔽层设于第一金属屏蔽层表面。
本发明公开的毫米波屏蔽膜的生产方法的有益效果是:在保护层表面涂布黑胶胶液并热固化形成绝缘层,通过橡胶、离子捕捉剂、树脂、碳粉、固化剂和稀释剂制成黑胶胶液,使形成的绝缘层韧性增强并且具有很好的绝缘性,同时应用于线路板时,气体更容易释放。第一金属屏蔽层通过溅射工艺溅射在绝缘层表面,通过溅射工艺使导电粒子更小,更容易沉淀镶嵌在绝缘层表面,增加剥离力,使第一金属屏蔽层和黑胶制成的绝缘层之间粘结牢固,再通过电镀工艺在第一金属屏蔽层表面形成第二金属屏蔽层,第二金属屏蔽层与第一金属屏蔽层之间的粘结牢固,使第一金属屏蔽层和第二金属屏蔽层结合而成的金属屏蔽层与黑胶制成的绝缘层之间结合力增强,并且有效增强屏蔽效果,同时通过电镀工艺制成第二金属屏蔽层,有效增加整体金属屏蔽层的厚度,有效避免溅射效率低的问题,提升生产效率。再通过涂布导电胶胶液并热固化形成的导电层,起到稳定的连接作用,并起到很好的粘结性。
本发明公开的电磁屏蔽膜的有益效果是:通过在保护层表面设置第一金属屏蔽层和第二金属屏蔽层,可有效增强第二金属屏蔽层的结合力,使第一金属屏蔽层和第二金属屏蔽层组成的金属屏蔽层与绝缘层粘合牢固。并通过第一金属屏蔽层和第二金属屏蔽层,增强屏蔽效果,并提升折弯性能。
附图说明
图1是本发明毫米波屏蔽膜的生产方法的工艺流程图。
图2是本发明毫米波屏蔽膜的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和说明书附图对本发明做进一步阐述和说明:
请参考图1和图2,一种毫米波屏蔽膜的生产方法,包括以下步骤:
S100、提供载体,制成保护层10。载体采用PE离型膜或PP离型膜。
PE离型膜或PP离型膜可在市场上进行购买,通过PE离型膜或PP离型膜,为后续步骤提供支撑并起到很好的保护效果。
S200、在保护层10表面涂布黑胶胶液并热固化,形成绝缘层20。
先配置半成品胶液D,半成品胶液D由质量分数为10~30%橡胶和70~90%稀释剂混合而成;
半成品胶液E,半成品胶液E由质量分数为40~50%半成品胶液D、20~30%阻燃剂和20~40%稀释剂混合而成;
半成品胶液F,半成品胶液F由质量分数为20~40%固化剂和60~80%稀释剂混合而成;
半成品胶液G,半成品胶液G由质量分数为10~20%半成品胶液D、40~60%离子捕捉剂和20~50%稀释剂混合而成;
半成品胶液H,半成品胶液H由质量分数为20~40%抗氧化剂和60~80%稀释剂混合而成;
半成品胶液I,半成品胶液I由质量分数为20~30%促进剂和70~80%稀释剂混合而成;
半成品胶液J,半成品胶液J由质量分数为40~60%树脂和40~60%稀释剂混合而成;
半成品胶液K,半成品胶液K由质量分数为20~30%碳粉和70~80%稀释剂混合而成。其中橡胶为1072cgj或1072cgx,稀释剂为MEK或mcs,阻燃剂为OP935、A42M或101HRT,固化剂为DDS,离子捕捉剂为IXE-100,树脂为901或128,抗氧化剂为E1010,促进剂为2E4MZ-CN。
黑胶胶液由质量分数为15~35%半成品胶液D、7~15%半成品胶液E、3~5%半成品胶液F、10~12%半成品胶液G、8~12%半成品胶液H、10~12%半成品胶液I、8~25%半成品胶液J和10~20%半成品胶液K混合而成。
半成品胶液混合成黑胶胶液后,通过高速分散机分散3~5h,高速分散机的转速为800~1200r/min,为避免分散过程温度过高,增加恒温水槽,使温度保持在25~30℃。分散完成后通过5~10μm过滤网过滤后得到黑胶胶液。
胶粘剂制成后通过涂布线涂布在保护层10表面形成绝缘层20,烘道分区域且温度依次设定为60℃、80℃、120℃、160℃、160℃、60℃,各区域进风风频按上述对应温度依次设定为25 HZ、20 HZ、20 HZ、20 HZ、20 HZ、25HZ,各区域排风风频均设定为40HZ,在60~80℃烘烤进行低温固化,形成绝缘层20。绝缘层20厚度为3~60微米。制成的绝缘层20韧性较强,具有较强的延展性。
S300、绝缘层20表面溅射金属形成第一金属屏蔽层30,第一金属屏蔽层30表面电镀形成第二金属屏蔽层40。
在绝缘层20表面通过溅射机溅射第一金属和第二金属,先将第一金属靶材和第二金属靶材放入溅射机内进行固定,进行清洗,溅射机真空脱气,真空等级达到1.0X10-3Pa,并充入氩气,氩气压力为2Pa,供应量为30~60Ppm。再将载体放入,第一金属靶材进行溅射,形成第一金属膜层,在第一金属膜层表面溅射第二金属靶材,形成第二金属膜层,最后在第二金属膜层表面溅射第一金属靶材,形成金属防氧化膜层,制成第一金属屏蔽层30,第一靶材和第二靶材的减速速度为0.5~5m/min。
第一金属为钛、镍或铬,第二金属为银或金,形成的第一金属屏蔽层30材质为镍银合金、镍金合金、钛银合金、钛金合金、铬银合金或铬金合金,通过将第二金属形成的第二金属膜层放置于第一金属形成的第一金属膜层和金属防氧化膜层之间,通过抗氧化性强的第一金属将第二金属包裹,有效防止第二金属的材料氧化,提升第一金属屏蔽层30的使用寿命,通过溅射工艺,使第一金属屏蔽层30厚度更薄,并有效减小整体的厚度,第一金属屏蔽层30的厚度为10nm~5μm。通过溅射工艺使导电粒子更小,更容易沉淀镶嵌在绝缘层20表面,增加剥离力,使第一金属屏蔽层30和黑胶制成的绝缘层20之间粘结牢固。
绝缘层20表面溅射形成第一金属屏蔽层30后的产品置于粗化电镀液中,进行表面粗化处理。通过调控粗化电镀液的组成、浓度以及电镀参数,促进铜离子更加高效地结合在第一金属屏蔽层30表面,形成第一电镀铜箔层,在第一金属屏蔽层30表面快速沉淀铜离子,提高沉铜速度,但粗化处理得到的铜层晶格不紧密。粗化电镀液由浓度为80-120g/L的硫酸铜和浓度为50-100g/L的五水硫酸铜混合而成。本发明实施例选择特定浓度的硫酸铜、五水硫酸铜作为电镀液体系,利于铜离子的快速富集。
表面粗化处理后的产品置于固化电镀液中,进行固化处理。通过调控固化电镀液的组成、浓度以及电镀参数,在表面粗化处理后的不紧密铜层进行固化稳定,并形成致密均匀的第一电镀铜箔层,从而保证第一电镀铜箔层的使用性能。该步骤中,为了调节铜离子的固化效果和沉积均匀性,需要对电解液中的离子浓度进行调整,固化电镀液由浓度为60-110g/L的硫酸铜和浓度为100-200g/L的五水硫酸铜混合而成。本发明实施例选择硫酸铜、五水硫酸铜作为电镀液体系,可以有效提高铜离子的沉积。且上述固化电镀液具有合适的沉积环境和铜离子浓度,从而可以在经粗化处理后的第一电镀铜箔层表面均匀地沉积铜离子,填补不致密铜层的空隙,形成致密、厚度均匀的第一电镀铜箔层。
固化处理后的产品置于钝化电镀液中,进行表面钝化处理。经固化处理获得的第一电镀铜箔层,表面的铜层活性较高,容易发生氧化而影响其性能,如降低导电性能。该步骤中,将经固化处理后的产品置于钝化电镀液中,通过调控钝化电镀液的组成、浓度以及电镀参数,对形成的第一电镀铜箔层表面进行离子掺杂,具体的,掺杂锌离子和镍离子,从而降低表面铜层的活性,防止其被氧化;同时,由于经固化处理获得的第一电镀铜箔层,表面粗糙度相对较高,通过表面钝化处理,可以在粗糙的表面凹点填充锌离子、镍离子,对铜箔表面进行磨平钝化,从而得到的第一电镀铜箔层表面相对光滑。钝化电镀液由浓度为2-10g/L的硫酸锌和浓度为1-3g/L的五水硫酸镍混合而成,且粗化电镀液的pH为3-5。合适的钝化电镀液的锌离子、镍离子浓度,有利于调节铜箔表层的锌、镍离子的掺杂量,从而在实现防止铜箔氧化、表面钝化的同时,防止过多的锌、镍离子掺杂导致第一电镀铜箔层表层金相发生实质改变,进而影响第一电镀铜箔层本身的性能。
将经钝化处理后的产品置于碱性电镀液,在走速为20Hz、电流为32 .1A、电压为3.1V的条件下进行碱铜电镀处理,得到第二电镀铜箔层。合适的电镀沉铜条件,有利于铜离子均匀、有序地沉积,最终得到致密度高、表面均匀光滑的第二电镀铜箔层。将经钝化处理的工件置于碱性电镀液,通过调控碱性电镀液的组成、浓度以及电镀参数,在钝化处理后的产品表面均匀沉积铜离子,并形成第二电镀铜箔层。碱性电镀液由浓度为30-100g/L的焦磷酸铜和浓度为200-400g/L的焦磷酸钾混合而成,且碱性电镀液的pH为8-10。本发明实施例选择焦磷酸铜、焦磷酸钾作为电镀液体系,一方面,可以通过焦磷酸铜提供电镀所述的铜离子,另一方面,焦磷酸铜、焦磷酸钾作为一对缓冲溶液,可以有效使电镀液的pH保持在8-10的范围内,从而促进铜离子在第一电镀铜箔层表面致密、均匀沉积,形成致密光亮的第二电镀铜箔层,第一电镀铜箔层和第二电镀铜箔层形成第二金属屏蔽层40,第二金属屏蔽层40的厚度为1~6微米。通过碱铜沉淀处理,可以增加第二金属屏蔽层40与第一金属屏蔽层30之间的剥离强度,从而使整体金属屏蔽层与绝缘层20之间的剥离强度增加。
S400、第二金属屏蔽层40表面涂布导电胶胶液并热固化,形成导电层50。
导电胶胶液由质量分数为40~60%半成品胶液A、30~45%粉体B和30~45%半成品胶液C混合而成。
半成品胶液A由质量分数为30~45%橡胶、30~45%双酚环氧树脂901、1~2%固化剂、1~2%促进剂、1~2%抗氧化剂、1~2%双氰胺和10~30%稀释剂混合而成。
半成品胶液C由质量分数为40~70%的稀释剂甲苯和30~60%的甲醇混合而成。
粉体B为银包铜粉体,银包铜粉体中银含量为10%,且银包铜粉体表面95%以上被银包裹。
银包铜粉体由质量分数为40~60%的1~3μm枝状粉体、30~40%的5~7μm枝状粉体和20~30%的10~12μm枝状粉体混合而成。
半成品A先用搅拌器以800r/min的速度搅拌,再将半成品B和半成品C均匀缓慢倒入,避免一次添加出现团聚或分散不开,有效提升混合的均匀性。加入后将搅拌速度提升至1000r/min搅拌15~30min,然后将搅拌速度降至500r/min搅拌5~10min,最后静止5min,得到的胶液即为导电胶胶液。导电胶胶液制成后在精密涂布线上涂布,优选采用挤压式涂头涂布,提升产品的均匀性,根据审查的速度调整烘道参数,理论烘道长度>10m,优选采用烘道长度为24m,温度设置40~130℃。涂布完成后,放入冷库中储存24h,存储温度为2~10摄氏度,湿度为30%~70%,制成导电层5030,制成的导电层50厚度为3~60微米。
上述方案中,本发明公开的毫米波屏蔽膜的生产方法的有益效果是:在保护层10表面涂布黑胶胶液并热固化形成绝缘层20,通过橡胶、离子捕捉剂、树脂、碳粉、固化剂和稀释剂制成黑胶胶液,使形成的绝缘层20韧性增强并且具有很好的绝缘性,同时应用于线路板时,气体更容易释放。第一金属屏蔽层30通过溅射工艺溅射在绝缘层20表面,第一金属屏蔽层30和黑胶制成的绝缘层20之间粘结牢固,再通过电镀工艺在第一金属屏蔽层30表面形成第二金属屏蔽层40,第二金属屏蔽层40与第一金属屏蔽层30之间的粘结牢固,使第一金属屏蔽层30和第二金属屏蔽层40结合而成的金属屏蔽层与黑胶制成的绝缘层20之间结合力增强,并且有效增强屏蔽效果。再通过涂布导电胶胶液并热固化形成的导电层50,起到稳定的连接作用,并起到很好的粘结性。通过本结构,使产品更薄,信号传输及屏蔽性能更强。在天线的线路板上应用时,能很好的填充线路板的接地孔,并且阻值更小。
请参考图2,一种毫米波屏蔽膜,由上述任一种的生产方法制得,包括保护层10、绝缘层20、金属屏蔽层和导电层50,绝缘层20设于保护层10表面,金属屏蔽层设于绝缘层20表面,导电层50设于金属屏蔽层表面,金属屏蔽层包括溅射形成的第一金属屏蔽层30和电镀形成的第二金属屏蔽层40,第一金属屏蔽层30设于绝缘层20表面,第二金属屏蔽层40设于第一金属屏蔽层30表面,第一金属屏蔽层30。金属屏蔽层优选为上下依次排列的第一金属膜层、第二金属膜层和金属防氧化膜层,第一金属膜层和金属防氧化膜层的材质为钛、镍或铬,第二金属膜层的材质为银或金,形成金属屏蔽层为镍银合金、镍金合金、钛银合金、钛金合金、铬银合金或铬金合金。银和金的导电性能好,有效保证金属屏蔽层的信号传递性能,同时,通过钛、镍或铬等耐腐蚀性和抗氧化材料对第二金属膜层进行保护。
第二金属屏蔽层40包括第一电镀铜箔层和第二电镀铜箔层,第一电镀铜箔层设于第一金属屏蔽层30表面,第二电镀铜箔层设于第一电镀铜箔层表面。通过第二金属屏蔽层40,金属屏蔽层整体的剥离强度增大,并通过第二金属屏蔽层40增强电磁屏蔽效果,同时对第一金属屏蔽层30起到保护作用。
保护层10由PE离型膜或PP离型膜制成,通过橡胶、离子捕捉剂、树脂、碳粉、固化剂和稀释剂制成黑胶胶液,在保护层10表面涂布黑胶胶液并热固化,形成绝缘层20。相比于PI制成的绝缘层20,黑胶胶液制成的绝缘层20具有更强的韧性,同时具有很强的透气性。
按本方案生产的产品的性能测试结果如下表1:
表1本方案产品的性能测试结果
Figure DEST_PATH_IMAGE001
从测试结果可知,按照本方案生产的产品,测试结果明显高于行业标准的要求,并且电阻的阻值明显降低,介质损耗极小,保证了产品的导通性能。并且屏蔽效能高于标准,提高了屏蔽效果,具有高于标准的剥离强度,并且其它性能也得到有效提高,能很好的适用于5G天线产品。
上述方案中,本发明公开的电磁屏蔽膜的有益效果是:通过在保护层10表面设置第一金属屏蔽层30和第二金属屏蔽层40,可有效增强第二金属屏蔽层40的结合力,使第一金属屏蔽层30和第二金属屏蔽层40组成的金属屏蔽层与绝缘层20粘合牢固。并通过第一金属屏蔽层30和第二金属屏蔽层40,增强屏蔽效果,并提升折弯性能。相比于PI制成的绝缘层20,黑胶胶液制成的绝缘层20具有更强的韧性,同时具有很强的透气性。
最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (9)

1.一种毫米波屏蔽膜的生产方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供载体制成保护层;
通过橡胶、离子捕捉剂、树脂、碳粉、固化剂和稀释剂制成黑胶胶液,在保护层表面涂布黑胶胶液并热固化,形成绝缘层;
绝缘层表面溅射金属形成第一金属屏蔽层;
第一金属屏蔽层表面电镀形成第二金属屏蔽层;
第二金属屏蔽层表面涂布导电胶胶液并热固化,形成导电层;
其中,形成第一金属屏蔽层后置于粗化电镀液中,进行表面粗化处理,得到第一电镀铜箔层;
表面粗化处理后置于固化电镀液中,进行固化处理;
固化处理后置于钝化电镀液中,进行表面钝化处理;
经钝化处理后置于碱性电镀液,进行碱铜电镀处理,得到第二电镀铜箔层;
第一电镀铜箔层和第二电镀铜箔层形成第二金属屏蔽层。
2.如权利要求1所述的毫米波屏蔽膜的生产方法,其特征在于,所述载体为PE离型膜或PP离型膜。
3.如权利要求1所述的毫米波屏蔽膜的生产方法,其特征在于,所述黑胶胶液中还添加阻燃剂、抗氧化剂和促进剂。
4.如权利要求1所述的毫米波屏蔽膜的生产方法,其特征在于,所述第一金属屏蔽层的材质为镍银合金、镍金合金、钛银合金、钛金合金、铬银合金或铬金合金。
5.如权利要求1-4任一项所述的毫米波屏蔽膜的生产方法,其特征在于,所述导电胶胶液由半成品胶液A、粉体B和半成品胶液C混合而成,所述半成品胶液A由质量分数为30~45%的橡胶、30~45%的双酚环氧树脂901、1~2%的固化剂混合而成,所述半成品胶液C由质量分数为40~70%的稀释剂甲苯和30~60%的甲醇混合而成。
6.如权利要求5所述的毫米波屏蔽膜的生产方法,其特征在于,所述粉体B为银包铜粉体,所述银包铜粉体中银含量为10%,且银包铜粉体表面95%以上被银包裹。
7.如权利要求6所述的毫米波屏蔽膜的生产方法,其特征在于,所述银包铜粉体由质量分数为40~60%的1~3μm枝状粉体、30~40%的5~7μm枝状粉体和20~30%的10~12μm枝状粉体混合而成。
8.一种毫米波屏蔽膜,其特征在于,由上述1-7任一种毫米波屏蔽膜的生产方法制得,包括保护层、绝缘层、金属屏蔽层和导电层,所述绝缘层设于保护层表面,所述金属屏蔽层设于绝缘层表面,所述导电层设于金属屏蔽层表面,所述金属屏蔽层包括溅射形成的第一金属屏蔽层和电镀形成的第二金属屏蔽层,所述第二金属屏蔽层由第一电镀铜箔层和第二电镀铜箔层形成。
9.如权利要求8所述的毫米波屏蔽膜,其特征在于,所述第一金属屏蔽层设于绝缘层表面,所述第二金属屏蔽层设于第一金属屏蔽层表面。
CN201911100184.8A 2019-09-06 2019-11-12 毫米波屏蔽膜的生产方法及毫米波屏蔽膜 Active CN110996638B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2019108439128 2019-09-06
CN201910843912 2019-09-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110996638A CN110996638A (zh) 2020-04-10
CN110996638B true CN110996638B (zh) 2021-08-27

Family

ID=70084041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911100184.8A Active CN110996638B (zh) 2019-09-06 2019-11-12 毫米波屏蔽膜的生产方法及毫米波屏蔽膜

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110996638B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107227120A (zh) * 2017-07-20 2017-10-03 海宁卓泰电子材料有限公司 一种电磁屏蔽膜及其制备方法
CN108753226A (zh) * 2018-05-31 2018-11-06 深圳科诺桥科技股份有限公司 一种遮光膜及fpc
CN109306487A (zh) * 2017-07-28 2019-02-05 苏州思锐达新材料有限公司 基于聚酰亚胺薄膜的电磁屏蔽材料及其制备方法与应用

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101448362B (zh) * 2008-12-25 2010-10-06 广州通德电子科技有限公司 可改变电路阻抗的极薄屏蔽膜、电路板及其制作方法
WO2018043683A1 (ja) * 2016-09-01 2018-03-08 旭硝子株式会社 金属積層板およびその製造方法、ならびにプリント基板の製造方法
CN107236485B (zh) * 2017-07-25 2019-02-15 深圳科诺桥科技股份有限公司 一种枝状热固型粘贴导电胶及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107227120A (zh) * 2017-07-20 2017-10-03 海宁卓泰电子材料有限公司 一种电磁屏蔽膜及其制备方法
CN109306487A (zh) * 2017-07-28 2019-02-05 苏州思锐达新材料有限公司 基于聚酰亚胺薄膜的电磁屏蔽材料及其制备方法与应用
CN108753226A (zh) * 2018-05-31 2018-11-06 深圳科诺桥科技股份有限公司 一种遮光膜及fpc

Also Published As

Publication number Publication date
CN110996638A (zh) 2020-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5871426B2 (ja) 高周波伝送用表面処理銅箔、高周波伝送用積層板及び高周波伝送用プリント配線板
CN102554219B (zh) 铜锡核壳结构的纳米粒子及其制备方法
CN110970729B (zh) 一种全方位屏蔽的天线结构及天线
CN103525340B (zh) 一种水溶性环氧改性丙烯酸酯树脂胶黏剂及其使用该胶黏剂制备的电磁屏蔽胶膜
CN110994164B (zh) 一种全方位屏蔽的天线结构
CN203015375U (zh) 印刷电路板及高填充性电磁屏蔽膜
CN109392296B (zh) 电磁屏蔽膜的制备方法
CN110351998A (zh) 毫米波电磁屏蔽膜的生产方法及电磁屏蔽膜
KR102553081B1 (ko) 초박형 동박 및 그 제작방법
JP6949724B2 (ja) 電磁波シールドフィルム及びその製造方法
JP6794589B1 (ja) 電磁波シールドフィルム
CN110996638B (zh) 毫米波屏蔽膜的生产方法及毫米波屏蔽膜
JP2003105404A (ja) 銀コート銅粉の製造方法、その製造方法で得られた銀コート銅粉、その銀コート銅粉を用いた導電ペースト、及びその導電ペーストを用いたプリント配線板
CN109168313A (zh) 电磁屏蔽膜以及包含屏蔽膜的线路板
CN112111233A (zh) 一种热固性导电屏蔽胶膜及其制备方法
CN108330517B (zh) 一种载体铜箔剥离层的镀液及剥离层的制备方法
CN109104851B (zh) 电磁屏蔽膜的制备方法
CN110459440A (zh) 一种温度电流高敏感度双控保险元器件及制备方法
CN113613482B (zh) 适用于极小接地孔接地的电磁波屏蔽膜、制备方法及应用
CN107645852A (zh) 一种高频印制电路板用双面铜箔表面处理工艺
CN113956808A (zh) 一种用于增强信号的铜箔胶带及其制造方法
KR102502018B1 (ko) 표면 처리 구리박 및 동장 적층판
JPH01201486A (ja) 耐マイグレーション性に優れた導電塗料用Agめっき複合粉末
CN111836456A (zh) 结合电磁屏蔽膜的线路板及其制备方法
CN110783015A (zh) 导电胶膜、线路板及导电胶膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant