CN110970547A - 一种led封装基底及led封装结构 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 60
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16F—SPRINGS; SHOCK-ABSORBERS; MEANS FOR DAMPING VIBRATION
- F16F15/00—Suppression of vibrations in systems; Means or arrangements for avoiding or reducing out-of-balance forces, e.g. due to motion
- F16F15/02—Suppression of vibrations of non-rotating, e.g. reciprocating systems; Suppression of vibrations of rotating systems by use of members not moving with the rotating systems
- F16F15/04—Suppression of vibrations of non-rotating, e.g. reciprocating systems; Suppression of vibrations of rotating systems by use of members not moving with the rotating systems using elastic means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种LED封装基底及LED封装结构,包括石墨基底、底座和芯片凹槽,所述石墨基底的顶端设置有绝缘氧化层,且绝缘氧化层的顶端两侧固定有保护层,所述保护层的顶端设置有导电层,且导电层的内部设置有第一接线口,所述导电层的顶端设置有外接电器层,所述第一接线口的一端设置有电极引线,所述第一接线口的通过电极引线与第二接线口相连接,所述第二接线口的一端设置有正极板,且正极板的右端固定有永久磁凹槽。本发明石墨基底的3个面呈锯齿状结构,且石墨基底的设置有8个锯齿形的支撑脚,锯齿形的结构的设计加快石墨基底的散热,降低工作时温度的升高对装置的性能的影响,同时也延长了装置的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域,具体为一种LED封装基底及LED封装结构。
背景技术
LED(Light Emitting Diode),发光二极管,主要由支架、银胶、晶片、金线、环氧树脂五种物料所组成,LED是一种能够将电能转化为光能的半导体,它改变了白炽灯钨丝发光与节能灯三基色粉发光的原理,而采用电场发光,据分析,LED的特点非常明显,寿命长、光效高、辐射低与功耗低,白光LED的光谱几乎全部集中于可见光频段,其发光效率可超过150lm/W。
目前,市场上的LED封装基底较单一,不能对不同型号的LED的芯片进行封装,且在使用时对LED芯片产生的热量,不能及时的进行分散、散热不均匀,导致芯片局部温度过高,对其内部的结构产生影响,进而影响LED的正常的使用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED封装基底及LED封装结构,解决了市场上的LED封装基底较单一,不能对不同型号的LED的芯片进行封装,且在使用时对LED芯片产生的热量,不能及时的进行分散、散热不均匀,导致芯片局部温度过高,对其内部的结构产生影响,进而影响LED的正常的使用的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种LED封装基底及LED封装结构,包括石墨基底、底座和芯片凹槽,所述石墨基底的顶端设置有绝缘氧化层,且绝缘氧化层的顶端两侧固定有保护层,所述保护层的顶端设置有导电层,且导电层的内部设置有第一接线口,所述导电层的顶端设置有外接电器层,所述第一接线口的一端设置有电极引线,所述第一接线口的通过电极引线与第二接线口相连接,所述第二接线口的一端设置有正极板,且正极板的右端固定有永久磁凹槽,所述底座设置于石墨基底的顶端,所述底座的顶端设置有橡胶弹簧,所述橡胶弹簧的顶端设置有第一滑道,所述第一滑道的顶端设置有散热板,所述散热板的左端焊接有圆形磁柱,所述第一滑道的右端设置有滑块,所述第一滑道的顶端设置有负极板,所述芯片凹槽设置在底座与导电层之间,所述绝缘氧化层的左右两端设置有第二滑道,所述第二接线口的右端设置有弹簧柱,且弹簧柱的上下两端固定有导线,所述弹簧柱的右端设置有接触板,所述第二滑道的内部设置有滑扣,且第二滑道的底端设置有挡板,所述挡板的顶端通过螺栓与第二滑道的底端相连接。
优选的,所述石墨基底呈锯齿状结构,且石墨基底的宽度等于绝缘氧化层的宽度。
优选的,所述绝缘氧化层的底端的表面的面积等于石墨基底的顶端表面的面积,且绝缘氧化层的厚度为0.5cm。
优选的,所述保护层的顶端的表面与导电层的底端的表面相吻合,且保护层的底端的表面与绝缘氧化层的顶端的表面之间紧密贴合。
优选的,所述橡胶弹簧设置有5个,且橡胶弹簧等距均匀分布在底座的顶端。
优选的,所述圆形磁柱的直径等于永久磁凹槽的直径,且圆形磁柱与永久磁凹槽内部的磁条互为异性磁条。
优选的,所述弹簧柱的两端分别于接触块和第二接口相连接,且弹簧柱与接触块和第二接口为一体化结构。
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
1、本发明石墨基底的3个面呈锯齿状结构,且石墨基底的设置有8个锯齿形的支撑脚,锯齿形的结构的设计加快石墨基底的散热,降低工作时温度的升高对装置的性能的影响,同时也延长了装置的使用寿命。
2、本发明保护层的顶端的表面与导电层的底端的表面相吻合,且保护层顶端的面积等于导电层的低端的面积相等,全方面的对导电层进行保护,同时可利用保护层自身具有的散热功能对导电层进行散热,降低温度对导电层工作的影响,从而对导电层进行保护。
3、本发明5个橡胶弹簧的设计可将底座受到的作用力进行分解,避免作用面积过小对装置造成破坏,通过橡胶弹簧可对芯片受到外界的作用力进行削弱,降低芯片受到其他力的作用而对其内部的部件进行破坏,从而对芯片和底座都进行保护。
4、本发明圆形磁柱的外表面与永久磁凹槽的内表面紧密贴合在一起,对散热板进行初步的固定,通过圆形磁柱内部的圆形磁条与永久磁凹槽的内部的磁条相互吸引,对散热板进行二次固定,避免散热板固定不牢靠,降低芯片散热的效率,进而对芯片的性能造成破坏的现象的产生。
5、本发明滑扣的设计可将多个这样的装置进行连接,扩大了装置的使用范围,且各个装置之间通过滑扣内的齿轮都是相互吻合的,在对其进行连接的同时也对其进行了初步的固定,通过第二滑道底端的挡板,对连接的装置进行再一次固定,提高了装置之间的稳定的性。
附图说明
图1为本发明内部结构示意图;
图2为本发明接线口结构示意图;
图3为本发明第二滑道结构示意图。
图中:A01石墨基底、A02绝缘氧化层、A03、保护层、A04导电层、A05第一线接口、A06外接电器层、A07电极引线、A08第二接线口、A09正极板、A10永久磁凹槽、A11底座、A12橡胶弹簧、A13第一滑道、A14散热板、A15圆形磁柱、A16滑块、A17负极板、A18芯片凹槽、A19第二滑道、A20弹簧柱、A21导线、A22接触板、A23滑扣、A24挡板、A25螺栓。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-3,一种LED封装基底及LED封装结构,包括石墨基底A01、绝缘氧化层A02、保护层A03、导电层A04、第一线接口A05、外接电器层A06、电极引线A07、第二接线口A08、正极板A09、永久磁凹槽A10、底座A11、橡胶弹簧A12、第一滑道A13、散热板A14、圆形磁柱A15、滑块A16、负极板A17、芯片凹槽A18、第二滑道A19、弹簧柱A20、导线A21、接触板A22、滑扣A23、挡板A24和螺栓A25,石墨基底A01的顶端设置有绝缘氧化层A02,且绝缘氧化层A02的顶端两侧固定有保护层A03,且石墨基底A01的宽度等于绝缘氧化层A02的宽度,,呈锯齿状的石墨基底A01的设置,可加快对石墨基底A01内部的热量的分散,一方面对石墨基底A01进行保护,另一方面,为LED的工作提供一个稳定的环境,绝缘氧化层A02的底端的表面的面积等于石墨基底A01的顶端表面的面积,且绝缘氧化层A02的厚度为0.5cm,绝缘氧化层可对石墨基底A01进行保护,同时避免了其他电器的使用对此装置的影响,保护层A03的顶端设置有导电层A04,且导电层A04的内部设置有第一接线口A05,保护层A03的顶端的表面与导电层A04的底端的表面相吻合,且保护层A03的底端的表面与绝缘氧化层A02的顶端的表面之间紧密贴合,避免导电层A04长期的使用对其内部的结构产生影响,保护层A03的设计可对导电层A04进行保护,导电层A04的顶端设置有外接电器层A06,第一接线口A05的一端设置有电极引线A07,第一接线口A05的通过电极引线A07与第二接线口A08相连接,第二接线口A08的一端设置有正极板A09,且正极板A09的右端固定有永久磁凹槽A10,底座A11设置于石墨基底A01的顶端,底座A11的顶端设置有橡胶弹簧A12,橡胶弹簧A12设置有5个,且橡胶弹簧A12等距均匀分布在底座A11的顶端,橡胶弹簧A12的设计可将底座A11和芯片受到的外界的作用力进行削弱,进而对底座A11和芯片进行保护,橡胶弹簧A12的顶端设置有第一滑道A13,第一滑道A13的顶端设置有散热板A14,散热板A14的左端焊接有圆形磁柱A15,圆形磁柱A15的直径等于永久磁凹槽A10的直径,且圆形磁柱A15与永久磁凹槽A10内部的磁条互为异性磁条,圆形磁柱A15的外表面和永久磁凹槽A10的内表面相吻合可对散热板A14进行初步的固定,且通过异性磁条的设置再一次对其的接口进行固定,提高了装置的稳定性,第一滑道A13的右端设置有滑块16,第一滑道A13的顶端设置有负极板A17,芯片凹槽A18设置在底座A11与导电层A04之间,绝缘氧化层A02的左右两端设置有第二滑道A19,第二接线口A08的右端设置有弹簧柱A20,且弹簧柱A20的上下两端固定有导线A21,弹簧柱A20的两端分别于接触块A21和第二接口A08相连接,且弹簧柱A20与接触块A21和第二接口A08为一体化结构,一体化结构的设计,提高了接口处的稳定性能,进而有利于LED的正常的使用进行,弹簧柱A20的右端设置有接触板A22,第二滑道A19的内部设置有滑扣A23,且第二滑道A19的底端设置有挡板A24,挡板A24的顶端通过螺栓A25与第二滑道A19的底端相连接。
使用时,将封装的石墨基底A01放置到相对应的位置,将LED的芯片放置到底座A11上,通过移动负极板A17来调节对不同芯片的固定,工作时可通过散热板A14对芯片进行散热,保证芯片性能的稳定性,避免芯片温度过高影响其内部的结构,降低发光的强度和芯片的使用寿命,当芯片和底座A11受到外界作用力的时,可通过橡胶弹簧A12对其受到的力度进行削弱,进而对芯片和底座A11进行保护,通过圆形磁柱A15和永久磁凹槽A10的吻合和其内部互为异性磁条的相互吸引,可对散热板A14进行固定,避免散热板A14固定不牢靠,导致芯片散热不均匀,均布温度过高对芯片的性能产生影响,石墨基底A01的外表面设置有均匀的小矩形,可对工作时的石墨基底A01的内部进行散热,避免石墨基底A01的内部温度过高影响装置的正常的使用,进而对LED的发光轻度产生影响,严重时可导致LED不能正常的使用,通过第二滑道A19可将多个同款的装置进行连接,通过第二滑道A19内部的滑扣A23可将多个装置进行连接,且通过螺栓A25将挡板A24固定在各个装置的连接处的底端,对其连接处进行固定。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种LED封装基底及LED封装结构,包括石墨基底(A01)、底座(A11)和芯片凹槽(A18),其特征在于:所述石墨基底(A01)的顶端设置有绝缘氧化层(A02),且绝缘氧化层(A02)的顶端两侧固定有保护层(A03),所述保护层(A03)的顶端设置有导电层(A04),且导电层(A04)的内部设置有第一接线口(A05),所述导电层(A04)的顶端设置有外接电器层(A06),所述第一接线口(A05)的一端设置有电极引线(A07),所述第一接线口(A05)的通过电极引线(A07)与第二接线口(A08)相连接,所述第二接线口(A08)的一端设置有正极板(A09),且正极板(A09)的右端固定有永久磁凹槽(A10),所述底座(A11)设置于石墨基底(A01)的顶端,所述底座(A11)的顶端设置有橡胶弹簧(A12),所述橡胶弹簧(A12)的顶端设置有第一滑道(A13),所述第一滑道(A13)的顶端设置有散热板(A14),所述散热板(A14)的左端焊接有圆形磁柱(A15),所述第一滑道(A13)的右端设置有滑块(16),所述第一滑道(A13)的顶端设置有负极板(A17),所述芯片凹槽(A18)设置在底座(A11)与导电层(A04)之间,所述绝缘氧化层(A02)的左右两端设置有第二滑道(A19),所述第二接线口(A08)的右端设置有弹簧柱(A20),且弹簧柱(A20)的上下两端固定有导线(A21),所述弹簧柱(A20)的右端设置有接触板(A22),所述第二滑道(A19)的内部设置有滑扣(A23),且第二滑道(A19)的底端设置有挡板(A24),所述挡板(24)的顶端通过螺栓(25)与第二滑道(19)的底端相连接。
2.根据权利要求1所述的一种LED封装基底及LED封装结构,其特征在于:所述石墨基底(A01)呈锯齿状结构,且石墨基底(A01)的宽度等于绝缘氧化层(A02)的宽度。
3.根据权利要求1所述的一种LED封装基底及LED封装结构,其特征在于:所述绝缘氧化层(A02)的底端的表面的面积等于石墨基底(A01)的顶端表面的面积,且绝缘氧化层(A02)的厚度为0.5cm。
4.根据权利要求1所述的一种LED封装基底及LED封装结构,其特征在于:所述保护层(A03)的顶端的表面与导电层(A04)的底端的表面相吻合,且保护层(A03)的底端的表面与绝缘氧化层(A02)的顶端的表面之间紧密贴合。
5.根据权利要求1所述的一种LED封装基底及LED封装结构,其特征在于:所述橡胶弹簧(A12)设置有(5个),且橡胶弹簧(A12)等距均匀分布在底座(A11)的顶端。
6.根据权利要求1-5所述的一种LED封装基底及LED封装结构,其特征在于:所述圆形磁柱(A15)的直径等于永久磁凹槽(A10)的直径,且圆形磁柱(A15)与永久磁凹槽(A10)内部的磁条互为异性磁条。
7.根据权利要求1-6所述的一种LED封装基底及LED封装结构,其特征在于:所述弹簧柱(A20)的两端分别于接触块(A21)和第二接口(A08)相连接,且弹簧柱(A20)与接触块(A21)和第二接口(A08)为一体化结构。
8.一种LED封装基底及LED封装方法,其特征在于:将封装的石墨基底(A01)放置到相对应的位置,将LED的芯片放置到底座(A11)上,通过移动负极板(A17)来调节对不同芯片的固定,工作时可通过散热板A14对芯片进行散热,保证芯片性能的稳定性,避免芯片温度过高影响其内部的结构,降低发光的强度和芯片的使用寿命,当芯片和底座受到外界作用力的时,可通过橡胶弹簧(A12)对其受到的力度进行削弱,进而对芯片和底座进行保护,通过圆形磁柱A15和永久磁凹槽(A10)的吻合和其内部互为异性磁条的相互吸引,可对散热板进行固定,避免散热板固定不牢靠,导致芯片散热不均匀,均布温度过高对芯片的性能产生影响,石墨基底的外表面设置有均匀的小矩形,可对工作时的石墨基底的内部进行散热,避免石墨基底的内部温度过高影响装置的正常的使用,进而对LED的发光轻度产生影响,严重时可导致LED不能正常的使用,通过第二滑道(A19)可将多个同款的装置进行连接,通过第二滑道内部的滑扣(A23)可将多个装置进行连接,且通过螺栓(A25)将挡板(A24)固定在各个装置的连接处的底端,对其连接处进行固定。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911341123.0A CN110970547B (zh) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | 一种led封装基底及led封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911341123.0A CN110970547B (zh) | 2019-12-23 | 2019-12-23 | 一种led封装基底及led封装结构 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110970547A true CN110970547A (zh) | 2020-04-07 |
CN110970547B CN110970547B (zh) | 2021-10-26 |
Family
ID=70036053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110970547B (zh) |
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- 2019-12-23 CN CN201911341123.0A patent/CN110970547B/zh active Active
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