CN110970300A - 堆叠环栅鳍式场效应管及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，包括以下步骤：提供鳍片，所述鳍片具有沟道层和牺牲层的交替结构；露出所述鳍片沿其延伸方向的端面；沿所述端面对所述沟道层中进行浅掺杂漏注入；对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂；形成与所述沟道层耦合的源漏外延结构。沟道层经杂质离子注入后，不仅能够防止原掺杂离子与间隙原子形成掺杂缺陷簇，修复沟道的损伤，还能够防止后续形成高浓度掺杂的源漏结构中的掺杂离子向沟道层中的扩散。
Description
技术领域
本发明涉及半导体生产工艺领域，更详细地说，本发明涉及一种堆叠环栅鳍式场效应管及其形成方法。
背景技术
为了提高电路密度和达到更高的性能要求，半导体器件的特征尺寸正在不断减小。随之而来地，技术人员也面临着如何抑制短沟道效应的问题。
目前广泛采用的三栅式鳍式场效应晶体管结构即是一种用于抑制短沟道效应的技术方案。三栅式鳍式场效应晶体管的鳍部具有三个侧面能够与晶体管栅极结构直接接触，这三个侧面能够充分地耗尽，从而一定程度地抑制了短沟道效应。然而，远离栅极结构的第四个侧面，则无法受到栅极结构的控制。随着晶体管尺寸的不断缩小，该不受控制部分的寄生泄漏问题成为三栅极晶体管微缩的主要障碍。
为了进一步增强对沟道的控制能力，抑制短沟道效应，一种新型晶体管架构，堆叠环栅(stacked Gate-All-Around，stacked GAA)鳍式场效应管结构被提出。然而，现有的堆叠环栅鳍式场效应管的器件性能仍然难以达到要求。
发明内容
鉴于现有技术的上述缺陷，本发明提供了一种堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，能够修复工艺过程中产生的沟道损伤，同时防止源漏外延区域的掺杂离子向沟道中的扩散，提高器件性能。
该堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法包括以下步骤：
提供鳍片，所述鳍片具有沟道层和牺牲层的交替结构；
露出所述鳍片沿其延伸方向的端面；
沿所述端面对所述沟道层进行浅掺杂漏注入；
对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂，所述杂质离子掺杂采用不同于所述浅掺杂漏注入的掺杂离子；
形成与所述沟道层耦合的源漏外延结构。
沟道层经杂质离子注入后，不仅能够防止原掺杂离子与间隙原子形成掺杂缺陷簇，修复沟道的损伤，还能够防止后续形成高浓度掺杂的源漏结构中的掺杂离子向沟道层中的扩散。
在本发明的较优技术方案中，所述露出所述鳍片沿其延伸方向的端面的步骤中，包括以下步骤：
形成横跨所述鳍片的栅极结构；
在所述栅极结构两侧形成外侧墙结构；
去除所述鳍片未被所述栅极结构和所述外侧墙结构覆盖的部分。
在本发明的较优技术方案中，在对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂的步骤中，掺杂的杂质离子为碳、氮或氟。
在本发明的较优技术方案中，在对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂的步骤中，所述杂质离子掺杂采用离子注入工艺实现。
在本发明的较优技术方案中，在沿所述端面对所述沟道层中进行浅掺杂漏注入之后，在对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂之前，还包括：选择性去除部分所述牺牲层，在所述鳍片的所述端面形成若干横向凹槽。
在本发明的较优技术方案中，在对经过浅掺杂的所述沟道层进行杂质离子注入之后，在所述横向凹槽内形成内侧墙结构。在填充内侧墙之前进行杂质离子注入，能够对更大面积的沟道区域进行掺杂，进一步提高器件性能。
在本发明的较优技术方案中，所述横向凹槽的深度为5-20nm。
在本发明的较优技术方案中，在提供鳍片之前，还包括：提供衬底，所述衬底的顶部平面具有第一晶格常数；以及在形成与所述沟道层耦合的源漏外延结构步骤中，所述源漏外延结构具有不同于所述第一晶格常数的第二晶格常数。
在本发明的较优技术方案中，所述沟道层的材料为硅，所述牺牲层的材料为锗硅。
在本发明的较优技术方案中，所述牺牲层的层数为两层或两层以上，优选为2-3层，所述沟道层的层数为两层或两层以上，优选为2-3层，以较好地平衡驱动电流容量和鳍片高度带来的集成度的要求。
在本发明的较优技术方案中，所述源漏外延结构采用原位掺杂的气相外延工艺制得。
在本发明的较优技术方案中，所述源漏外延结构的掺杂离子为硼、磷或砷。
在本发明的较优技术方案中，所述浅掺杂漏注入形成的超浅结的结深为10-50埃，以均衡高能离子带来的缺陷和热载流子效应的影响。
本发明还提供了一种堆叠环栅鳍式场效应管结构，包括
衬底；
鳍片，所述鳍片设置于所述衬底上，包括两层或两层以上的沟道层；
栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍片且包围所述沟道层设置；
源漏外延结构，所述源漏外延结构设置于所述鳍片两侧，并与所述沟道层耦合；
所述沟道层沿所述鳍片延伸方向的两端面处设置有超浅结，并且，所述沟道层内掺杂有杂质离子，所述杂质离子不同于所述超浅结中的掺杂离子。
在本发明的较优技术方案中，所述超浅结的结深为10-50埃。
在本发明的较优技术方案中，所述杂质离子为碳、氮或氟。
在本发明的较优技术方案中，所述源漏外延结构的掺杂离子为硼、磷或砷。
附图说明
图1-图8是本发明一个实施例中堆叠环栅场效应管形成方法各步骤中场效应管结构的立体图或剖视图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边大致说明本发明的优选实施例。另外，本发明的实施例并不限定于下述实施例，能够采用在本发明的技术构思范围内的各种各样的实施例。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
在本说明书通篇中对“实施例”的提及表示结合该实施例说明的特定的特征、结构、功能或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因而，说明书中多处出现的短语“在实施例中”不一定全都指代本发明同一实施例。而且，特定的特征、结构、功能或特性可以以任意适合的方式组合到一个或多个实施例中。例如，第一实施例可以与第二实施例组合，只要两个实施例不相互排斥。
参考图1，提供衬底100，并沿衬底100表面外延生长沿垂直方向堆叠的沟道层202和牺牲层200的交替结构2。
本实施例中，所述交替结构2由依次交替排列的牺牲层200和沟道层202构成。具体地，所述牺牲层200为锗硅材料层，所述沟道层202为硅材料层。
在本发明的一些实施例中，衬底100可以包括单晶半导体材料，诸如但不限于Si、Ge、SiGe、GaAs、InSb、GaP、GaSb、InAlAs、InGaAs、GaSbP、GaAsSb和InP。在本实施例中，所述衬底100由硅制成。
本实施例中，所述牺牲层200和所述沟道层202由具有不同晶格常数的材料制成并且可以包括诸如但不限于Si、Ge、SiGe、GaAs、InSb、GaP、GaSb、InAlAs、InGaAs、GaSbP、GaAsSb和InP的一层或多层。
在本发明的一些实施例中，所述牺牲层200和所述沟道层202由Si、Si化合物、SiGe、Ge或Ge化合物制成。在一个实施例中，所述牺牲层200为Si1-xGex(其中，x大于0.3)或Ge(x＝1)并且所述沟道层202为Si或Si1-yGey，其中，y小于约0.4并且x<y。本实施例中，所述牺牲层200为锗原子浓度为30％的Si0.7Ge0.3。
交替结构2中，沟道层202和牺牲层200的厚度影响沟道纳米线的电气特性和器件集成性能。在一个实施例中，沟道层202需要达到一定厚度以避免表面散射而造成沟道电阻的升高以及载流子迁移率的降低。牺牲层200用作为后续形成的栅极结构保留空间位置。沟道层202与牺牲层200的总厚度还影响鳍片的总高度。优选地，所述沟道层202的厚度为5-50nm，所述牺牲层的厚度为5-30nm。
参考图2，在所述交替结构2上形成图形化的掩膜层301，以所述图形化的掩膜层301为掩膜，采用各向异性干法刻蚀，刻蚀所述交替结构2及衬底100，以形成若干分立的鳍片状的交替结构2。
接着，在形成的若干分立的鳍片状的交替结构2之间形成浅槽隔离结构102，所述浅槽隔离结构102覆盖所述交替结构2的部分侧壁，且其顶部与所述交替结构2底部位于或基本位于同一平面。
浅槽隔离结构102采用电介质材料，例如但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k电介质及其任意组合。本实施例中，所述浅槽隔离结构102的材料为氧化硅。所述隔离结构102的形成方法包括以下步骤：采用化学气相沉积工艺在所述衬底100表面形成隔离介质膜，所述隔离介质膜覆盖所述交替结构2和所述掩膜层301；对所述隔离介质膜进行化学机械平坦化，使其表面与掩膜层301的表面齐平；回刻蚀所述隔离介质膜，使所述隔离介质膜的顶部表面低于所述硬掩膜301的顶部表面，露出所述交替结构2的侧壁表面。
参考图3，去除所述掩膜层301，并在所述交替结构2的顶部及侧壁表面形成伪栅氧层402，所述伪栅氧层402用于在后续的伪栅极刻蚀过程中保护所述交替结构2免受刻蚀影响。本实施例中，所述伪栅氧层402的材料为二氧化硅，其厚度为10～50埃。
之后，形成伪栅极400，所述伪栅极横跨由所述交替结构2以及其上覆盖的伪栅氧层402组成的鳍片20。本实施例中，所述伪栅极400为多晶硅，所述伪栅极400的形成方法包括以下步骤：形成厚度超过鳍片20高度的伪栅极膜，在所述伪栅极400表面形成图案化的掩膜层404，以所述掩膜层404为掩膜，刻蚀所述伪栅极膜，形成横跨所述鳍片20的伪栅极400。
本实施例中，所述掩膜层404为硬掩膜，所述硬掩膜404及所述伪栅极400随后用于在刻蚀交替结构2，露出源漏区域的步骤中保护鳍片20的沟道区域。
接着，在所述掩膜层404和所述伪栅极400的两侧侧壁上形成外侧墙结构406。在一个实施例中，首先在所述鳍片20和伪栅极400的全部结构上共形均厚沉积外侧墙膜，例如但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及其组合。可以使用诸如低压化学气相沉积(LPCVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法形成所述外侧墙膜，所述外侧墙膜具有2～10纳米的厚度。接着，使用诸如反应离子刻蚀(RIE)的各向异性刻蚀方法在所述外侧墙膜上执行无掩膜刻蚀。在该各向异性刻蚀的过程中，水平表面的外侧墙膜被完全去除，仅在垂直表面上留下部分所述外侧墙膜，例如所述伪栅极400的侧壁和所述交替结构2形成的鳍片20的侧壁。由于伪栅极400的厚度大于包括交替结构2的鳍片20的高度，这个厚度差允许外侧墙在伪栅极400的表面上选择性形成。之后，继续使用无掩膜的各向异性刻蚀，去除位于鳍片20侧壁表面的外侧墙膜，形成外侧墙结构406。本实施例中，所述外侧墙结构406的材料为氮氧化硅。
继续参考图4，去除鳍片20未被栅极结构及所述外侧墙结构406覆盖的部分，同时露出所述鳍片20沿其延伸方向的端面204。所述栅极结构包括伪栅极400、掩膜层404。
本实施例中，在去除所述鳍片20未被栅极结构及所述外侧墙结构406覆盖的部分的同时，还刻蚀所述衬底100夹于所述浅沟槽隔离结构102的中间部分，使其顶部表面凹陷，以形成后续供源漏外延生长的沟槽。在一个实施例中，该后续供源漏外延生长的沟槽深度为20-30nm。
图5是图4中的半导体结构沿AA线垂直截该半导体结构所得的剖视图。参考图5，沿交替结构2两侧的端面204向沟道层202执行浅掺杂漏(LDD)注入工艺，形成低掺杂扩展区(lowly doped extension region)，即超浅结2022。
形成LDD的方法可以是离子注入工艺或扩散工艺。所述LDD注入的离子类型根据将要形成的半导体器件的电性决定，即形成的器件为NMOS器件，则LDD注入工艺中掺入的离子为磷、砷、锑、铋中的一种或多种的组合；若形成的器件为PMOS器件，则LDD注入工艺中掺入的离子为硼或铟。本实施例中，所述LDD注入采用大倾角离子注入工艺(large tilt angleion implant)完成，注入角度为20°-60°，注入离子为B或P的二聚或多聚离子，注入离子能量为200-400eV。根据所需的离子浓度，所述离子注入工艺可以一步或多步完成。优选地，所述浅掺杂漏注入形成的低掺杂扩展区的结深为10-50埃，以均衡高能离子带来的缺陷和热载流子效应的影响。
然而，在完成所述LDD注入步骤后，高能量的入射离子或扩散离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使晶格原子发生位移，造成大量的空位或缺陷，进而造成沟道层202的损伤。为了修复该损伤，通常需要使器件在一定温度下退火，以回复晶体结构、消除缺陷，但退火步骤的高温环境将对其他器件结构的性能造成影响，影响工艺设计的自由度。
参考图6，选择性刻蚀部分所述牺牲层200，在鳍片20的端面204处形成若干横向凹槽2002。本实施例中，每个堆叠环栅鳍式场效应管形成过程中使用两层牺牲层200，相应地，形成的横向凹槽2002的数量为4。
在形成横向凹槽2002之后，在填充横向凹槽2002形成内侧墙结构之前，还包括：对经过LDD注入后的沟道层202进行杂质离子掺杂。
所述杂质离子掺杂可以通过扩散或离子注入的方式实现。所述杂质离子可以是除常见P型或N型掺杂离子之外的杂质离子，例如碳、氟、氮等离子。本实施例中，所述杂质离子为碳，掺杂方法采用离子注入方法实现。沟道层202经杂质离子注入后，不仅能够防止LDD掺杂离子与沟道层的间隙原子形成掺杂缺陷簇，以修复沟道层202的损伤，还能够防止后续形成高浓度掺杂的源漏结构中的掺杂离子向沟道层202中的横向扩散。本实施例中，所述杂质离子掺杂所采用的离子为碳，注入角度为20°-60°，注入能量为200-2000eV。
此外，在形成横向凹槽2002之后，在填充横向凹槽2002形成内侧墙结构之前进行杂质离子掺杂，该工序设计使得本实施例提供的技术方案能够对更大面积的沟道区域进行掺杂，进一步提高器件性能。
参考图7，形成填充所述横向凹槽2002的内侧墙结构2004，并在所述衬底100上形成与所述沟道层202耦合的源漏外延结构600。
具体地，所述内侧墙结构2004可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质材料。本实施例中，所述内侧墙结构2004采用氮化硅材料，其形成方法包括以下步骤：采用原子层沉积方法共形沉积一定厚度的内侧墙膜，所述内侧墙膜填充所述横向凹槽2002，并覆盖鳍片20的端面204与所述衬底100、所述硬掩膜404的顶部表面上；之后，采用对氮化硅材料具有高选择性的各向异性刻蚀方法，对所述内侧墙膜进行刻蚀，形成内侧墙结构2004。
所述源漏外延结构可以采用低压化学气相沉积、气相外延或分子束外延工艺制得。在一个实施例中，所述源漏外延结构600形成于图4中所示的由浅槽隔离结构102间形成的沟槽中，并与沟道层202耦合，上升至伪栅氧层402的顶部表面以上。所述源漏外延结构600可以由晶格结构的任何公知的材料构成。理论上，所述源漏外延结构600由单晶半导体材料构成，例如但不限于Si、Ge、SiGe、GeSn、GaAs、InSb、GaP、GaSb、InAlAs、InGaAs、GaSbP、GaAsSb、GaN、GaP和InP。在本实施例中，所述源漏外延结构600与所述衬底100顶部表面采用晶格常数不同的材料制得，以在两者接触面处形成应力，并将该应力经由源漏外延结构600与沟道层202的耦合传递至沟道层202中，增强沟道层202纳米线中的单轴压缩晶格应力，提高纳米线的载流子迁移率。
参考图8，沉积层间介质层800，覆盖已形成的半导体结构，之后平坦化所述层间介质层800，直至露出所述伪栅极400。
具体地，可以采用化学气相沉积方法沉积所述层间介质层800。所述层间介质层800可以是任何已知的介质材料，包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅、低k介质材料(介电系数为大于或等于2.5、小于3.9，例如多孔氧化硅、或多孔氮化硅)或超低k介质材料(介电系数小于2.5，例如多孔SiCOH)。
在本实施例中，所述介质层的材料为氧化硅；所述介质膜的形成工艺为流体化学气相沉积(Flowable Chemical Vapor Deposition，FCVD)工艺、高密度等离子沉积(HighDensity Plasma，HDP)工艺、等离子体增强沉积工艺中的一种或多种。
本实施例中，所述层间介质层800除了为后续工艺提供工艺平台，还用于确保在后续对栅极结构进行处理时源漏外延结构600不受影响。
然后，去除伪栅极400以及伪栅氧层402，以露出所述鳍片20的交替结构2。
具体地，可以采用诸如等离子干法刻蚀或湿法刻蚀的传统刻蚀方法去除所述伪栅极400。本实施例中，所述伪栅极400为多晶硅材料，层间介质层800为氧化硅，因此可采用诸如TMAH溶液的液体刻蚀剂以选择性地去除所述伪栅极400。本实施例中，所述伪栅氧层402为氧化硅，可以采用HF湿法刻蚀去除。
之后，去除交替结构2中的所述牺牲层200，露出所述沟道层202；具体地，所述牺牲层200采用对牺牲层200具有高选择性的刻蚀方法去除。本实施例中，采用湿法刻蚀方法选择性地去除所述牺牲层200。
接着，形成包围所述沟道层202的栅氧层402’以及填充原伪栅极400位置的栅电极400’。具体地，所述栅氧层402’的材料为高k介质材料(介电系数大于3.9)；所述高k介质材料包括氧化铪、氧化锆、氧化铪硅、氧化镧、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛或氧化铝。所述栅氧层402’的形成工艺为原子层沉积工艺。所述栅电极400’的材料至少可以为铜、钨、铝或银；所述栅电极400’的形成工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、原子层沉积工艺、电镀工艺或化学镀工艺。
本实施例还提供了一种如图8所示的堆叠环栅鳍式场效应管结构，包括衬底100；鳍片(未示出)，所述鳍片设置于所述衬底100上，具有两层沟道层202；包围所述沟道层的栅极结构，所述栅极结构包括栅氧层402’和栅电极400’；源漏外延结构600，所述源漏外延结构600设置于所述鳍片两侧，并与所述沟道层202耦合；所述沟道层202沿所述鳍片延伸方向的两端面处设置有超浅结2022，并且，所述沟道层202内掺杂有杂质离子，所述杂质离子不同于所述超浅结中的掺杂离子。
在一个实施例中，所述超浅结2022的结深为10-50埃。
在一个实施例中，所述杂质离子为碳、氮或氟，所述源漏外延结构600的掺杂离子为硼、磷或砷。
至此，已经结合附图描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施例。在不偏离本发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换，这些更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供鳍片，所述鳍片具有沟道层和牺牲层的交替结构；
露出所述鳍片沿其延伸方向的端面；
沿所述端面对所述沟道层进行浅掺杂漏注入；
对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂，所述杂质离子掺杂采用不同于所述浅掺杂漏注入的掺杂离子；
形成与所述沟道层耦合的源漏外延结构。
2.如权利要求1所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述露出所述鳍片沿其延伸方向的端面的步骤中，包括以下步骤：
形成横跨所述鳍片的栅极结构；
在所述栅极结构两侧形成外侧墙结构；
去除所述鳍片未被所述栅极结构和所述外侧墙结构覆盖的部分。
3.如权利要求1所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂的步骤中，掺杂的杂质离子为碳、氮或氟。
4.如权利要求1-3任一项所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂的步骤中，所述杂质离子掺杂采用离子注入工艺实现，所述离子注入工艺的注入角度为20°-60°。
5.如权利要求1所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在沿所述端面对所述沟道层中进行浅掺杂漏注入之后，在对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂之前，还包括：
选择性去除部分所述牺牲层，在所述鳍片的所述端面形成若干横向凹槽。
6.如权利要求5所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在对经过浅掺杂的所述沟道层进行杂质离子注入之后，在所述横向凹槽内形成内侧墙结构。
7.如权利要求5所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述横向凹槽的深度为5-20nm。
8.如权利要求1所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在提供鳍片之前，还包括：提供衬底，所述衬底的顶部平面具有第一晶格常数；以及
在形成与所述沟道层耦合的源漏外延结构步骤中，所述源漏外延结构具有不同于所述第一晶格常数的第二晶格常数。
9.如权利要求1所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述沟道层的材料为硅，所述牺牲层的材料为锗硅。
10.如权利要求1或9所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的层数为两层或两层以上，所述沟道层的层数为两层或两层以上。
11.如权利要求1所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述源漏外延结构采用原位掺杂的气相外延工艺制得。
12.如权利要求11所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述源漏外延结构的掺杂离子为硼、磷或砷。
13.如权利要求1所述的堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述浅掺杂漏注入形成的超浅结的结深为10-50埃。
14.一种堆叠环栅鳍式场效应管结构，包括
衬底；
鳍片，所述鳍片设置于所述衬底上，包括两层或两层以上的沟道层；
栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍片且包围所述沟道层设置；
源漏外延结构，所述源漏外延结构设置于所述鳍片两侧，并与所述沟道层耦合；
其特征在于，所述沟道层沿所述鳍片延伸方向的两端面处设置有超浅结，并且，所述沟道层内掺杂有杂质离子，所述杂质离子不同于所述超浅结中的掺杂离子。
15.如权利要求14所述的堆叠环栅鳍式场效应管结构，其特征在于，所述超浅结的结深为10-50埃。
16.如权利要求14所述的堆叠环栅鳍式场效应管结构，其特征在于，所述杂质离子为碳、氮或氟。
17.如权利要求14或16所述的堆叠环栅鳍式场效应管结构，其特征在于，所述源漏外延结构的掺杂离子为硼、磷或砷。
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Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103515231A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-01-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | FinFET制造方法 |
| CN103578996A (zh) * | 2012-07-27 | 2014-02-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶体管制造方法 |
| CN104008962A (zh) * | 2013-02-27 | 2014-08-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于缺陷钝化以减少finfet器件的结泄漏的结构和方法 |
| CN104078363A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件制造方法 |
| CN104183487A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种FinTFET半导体器件及其制备方法 |
| US20160079124A1 (en) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | Institute of Microelectroics, Chinese Academy of Sciences | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN105470136A (zh) * | 2014-09-11 | 2016-04-06 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件制造方法 |
| CN106057886A (zh) * | 2015-04-17 | 2016-10-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 |
| CN107017290A (zh) * | 2015-10-20 | 2017-08-04 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 栅极结构、半导体器件以及形成半导体器件的方法 |
| CN107636838A (zh) * | 2015-06-27 | 2018-01-26 | 英特尔公司 | 低损害自对准两性finfet尖端掺杂 |
| CN108122769A (zh) * | 2016-11-28 | 2018-06-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 鳍式场效晶体管装置的制造方法 |
| CN108122776A (zh) * | 2016-11-29 | 2018-06-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Finfef器件及其形成方法 |
| US20180226405A1 (en) * | 2015-06-27 | 2018-08-09 | Intel Corporation | Low damage self-aligned amphoteric finfet tip doping |
-
2018
- 2018-09-29 CN CN201811146243.0A patent/CN110970300B/zh active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103515231A (zh) * | 2012-06-20 | 2014-01-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | FinFET制造方法 |
| CN103578996A (zh) * | 2012-07-27 | 2014-02-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶体管制造方法 |
| CN104008962A (zh) * | 2013-02-27 | 2014-08-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于缺陷钝化以减少finfet器件的结泄漏的结构和方法 |
| CN104078363A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件制造方法 |
| CN104183487A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种FinTFET半导体器件及其制备方法 |
| CN105470136A (zh) * | 2014-09-11 | 2016-04-06 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件制造方法 |
| US20160079124A1 (en) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | Institute of Microelectroics, Chinese Academy of Sciences | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN106057886A (zh) * | 2015-04-17 | 2016-10-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 包括鳍结构的半导体器件及其制造方法 |
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| US20180226405A1 (en) * | 2015-06-27 | 2018-08-09 | Intel Corporation | Low damage self-aligned amphoteric finfet tip doping |
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