CN110968142B - 动态偏压电流产生器以及相关的电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种动态偏压电流产生器以及相关的电子装置。动态偏压电流产生器包含检测电路与电流产生电路。检测电路对电源电压进行检测以产生检测信号，包含：电流源与第一组晶体管，位于第一路径上；第二组晶体管，位于第二路径上，第一、第二组晶体管的各自的晶体管的控制端子彼此耦接；第一电容器，耦接至电源电压及第二组晶体管中的晶体管的其它端子；及第二电容器，耦接至第一、第二组晶体管的各自晶体管的控制端子与接地电压。电流产生电路包含：多个晶体管，其依据检测信号产生动态偏压电流；其动态偏压电流可用于提高比较器的反应速度并用于掉电重置检测电路中。本发明的好处例如：动态偏压电流产生器使电子装置同时获得低功耗和高速性能。

Description

动态偏压电流产生器以及相关的电子装置

技术领域

本发明涉及低功耗电路设计，尤其涉及一种动态偏压电流产生器以及相关的电子装置。

背景技术

重设(reset)控制机制诸如上电重设(power-on reset，POR)、掉电重设(powerdown reset，PDR)、欠压重设(brown-out reset，BOR)等是电路设计中很重要的议题。例如，在给电子系统上电时，电源供应器需要某一段长度的时间才能使电压稳定且变到其稳态值。在这样的过渡期间，如果没有提供重设命令，通常不能定义存储元件的初始状态，因此也不能确定整个电子系统的电路行为。

依据相关技术，当尝试将重设控制机制直接应用于低功耗电路设计中，往往会遭遇一些扰人的问题。例如，比较器的速度将受到较低偏压电流的限制，但在某些应用案例中，即使在低功耗设计中，比较器也需要具有快速响应速度。特别地，在掉电重设或欠压重设电路中，比较器需要具有快速响应以检测何时电源的电压电平低于触发点，以产生对应的重设控制信号。于是，相关技术中通常不能同时获得低功耗和高速性能。因此，需要一种新颖的架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升整体效能。

发明内容

本发明的一目的在于公开一种动态偏压电流产生器以及相关的电子装置，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种动态偏压电流产生器以及相关的电子装置，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到电子装置的优化(optimal)效能。

本发明的至少一实施例公开一种动态偏压电流产生器，其中该动态偏压电流产生器可包含一检测电路与至少一电流产生电路。该检测电路耦接于一电源电压与一接地电压之间，用来对该电源电压进行检测运作以产生一检测信号，其中该检测电路包含：一电流源，耦接至该电源电压；一第一组晶体管，耦接于该电流源与该接地电压之间，其中该电流源与该第一组晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的一第一路径上；一第二组晶体管，耦接于该电源电压与该接地电压之间，其中该第二组晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的一第二路径上，且该第一组晶体管中的一晶体管的控制端子以及该第二组晶体管中的一晶体管的控制端子彼此耦接；一第一电容器，具有一第一端子与一第二端子，其中该第一电容器的该第一端子耦接至该电源电压，且该第一电容器的该第二端子耦接至该第二组晶体管中的该晶体管的一其它端子；以及一第二电容器，具有一第一端子与一第二端子，其中该第二电容器的该第一端子耦接至该第一组晶体管中的该晶体管的该控制端子以及该第二组晶体管中的该晶体管的该控制端子，且该第二电容器的该第二端子耦接至该接地电压。另外，该至少一电流产生电路耦接于该电源电压与该接地电压之间、且耦接至该检测电路，用来依据该检测信号产生对应的动态偏压电流，其中该至少一电流产生电路包含：多个晶体管，耦接于该电源电压与该接地电压之间，用来依据该检测信号产生该动态偏压电流，其中该多个晶体管中的至少一晶体管的控制端子耦接至该第二组晶体管中的该晶体管的另一其它端子；以及一端子，用来输出对应于该动态偏压电流的电压信号，以供进行重设控制。

本发明的至少一实施例公开一种配备了上述动态偏压电流产生器的电子装置，该电子装置可包含：一处理电路、一电源供应电路与一重设控制电路，其中该电源供应电路耦接至该处理电路，且该重设控制电路耦接至该处理电路与该电源供应电路。该处理电路可用来控制该电子装置的运作，而该电源供应电路可用来提供电源给该处理电路。另外，该重设控制电路可以依据该动态偏压电流提高掉电检测的反应速度，使其能输出一个快速的掉电重设信号对处理电路进行重置。

本发明的好处例如：该动态偏压电流产生器可产生动态偏压电流以增加比较器的响应速度，使该电子装置能同时获得低功耗和高速性能。例如，当电源的电压电平具有快速斜降(ramp down)时，该重设控制电路能引入动态偏压电流以提高比较器的速度。因此，本发明的动态偏压电流产生器与电子装置能进行妥善的控制，以达到电子装置的优化效能。另外，本发明解决了相关技术中的局限，诸如不能同时获得低功耗和高速性能的局限。

附图说明

图1为依据本发明一实施例的一种动态偏压电流产生器的示意图。

图2为依据本发明另一实施例的一种动态偏压电流产生器的示意图。

图3绘示图1所示架构中的动态偏压电流随着电源电压变化的例子。

图4绘示图2所示架构中的动态偏压电流随着电源电压变化的例子。

图5为依据本发明一实施例的一种电子装置的示意图。

其中，附图标记说明如下：

10 电子装置

11 电源供应电路

12 重设控制电路

13 处理电路

100，200 动态偏压电流产生器

110，210 检测电路

120，221，222 电流产生电路

215 助推电路

C1，C2 电容器

M1，M2，M3，M4， 晶体管

M5，M6，M8，M9

R1 电阻器

VCCA 电源电压

GNDA 接地电压

VB1，VB2，VB3， 电压

VP1，VX

I1，I_BOOST，I_NM4，I_NM9 电流

I_{SINK_DYNAMIC}，I_{SINK_BOOST} 动态偏压电流

N0，N1，N2 端子

具体实施方式

本发明的多个实施例公开一种动态偏压电流产生器，其中该动态偏压电流产生器可包含一检测电路与至少一电流产生电路(例如一或多个电流产生电路)。为了便于理解，该动态偏压电流产生器可被设置于一电子装置中的一重设控制电路中，尤其，可用来作为比较器来监控电源电压，以对该电子装置进行重设控制。该动态偏压电流产生器可产生动态偏压电流以增加比较器的响应速度，使该电子装置能同时获得低功耗和高速性能。该动态偏压电流产生器的例子可包含(但不限于)：图1所示动态偏压电流产生器100与图2所示动态偏压电流产生器200。图1所示架构与图2所示架构中采用了某些类型的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，可简称为“MOSFET”)，诸如P型(P-type)与N型(N-type)MOSFET，但本发明不限于此。

图1为依据本发明一实施例的一种动态偏压电流产生器100的示意图。动态偏压电流产生器100可包含耦接于一电源电压VCCA与一接地电压GNDA之间且彼此耦接的一检测电路110与一电流产生电路120，其可分别作为上述检测电路与上述至少一电流产生电路的例子。检测电路110可包含：产生电流I1的一电流源，其耦接至电源电压VCCA；耦接于该电流源与接地电压GNDA之间的一第一组晶体管{M1，M3}，其中该电流源与第一组晶体管{M1，M3}位于该电源电压与接地电压GNDA之间的一第一路径(诸如通过该电流源以及晶体管M3与M1的路径，尤其，电流I1的电流路径)上；耦接于电源电压VCCA与接地电压GNDA之间的一第二组晶体管{M2，M4，M5}，其中该第二组晶体管{M2，M4，M5}位于电源电压VCCA与接地电压GNDA之间的一第二路径(诸如通过晶体管M5、M4与M2的路径)上，且第一组晶体管{M1，M3}中的晶体管M3的控制端子诸如栅极(gate)端子以及第二组晶体管{M2，M4，M5}中的晶体管M4的控制端子诸如栅极端子彼此耦接；具有一第一端子与一第二端子的一电容器C1，其中电容器C1的该第一端子与该第二端子(诸如其上方端子与下方端子)分别耦接至电源电压VCCA与第二组晶体管{M2，M4，M5}中的晶体管M4的一其它端子诸如源极(source)端子；以及具有一第一端子与一第二端子的一电容器C2，其中电容器C2的该第一端子(诸如其上方端子)耦接至第一组晶体管{M1，M3}中的晶体管M3的控制端子诸如栅极端子以及第二组晶体管{M2，M4，M5}中的晶体管M4的控制端子诸如栅极端子，且电容器C2的该第二端子(诸如其下方端子)耦接至接地电压GNDA。另外，电流产生电路120可包含：耦接于电源电压VCCA与接地电压GNDA之间的多个晶体管诸如晶体管M6、M8与M9，其中该多个晶体管中的至少一晶体管M6的控制端子诸如栅极端子耦接至第二组晶体管{M2，M4，M5}中的晶体管M4的另一其它端子诸如漏极(drain)端子；耦接于晶体管M6与M8之间的一电阻器R1；以及一端子N1，其耦接至晶体管M9的端子诸如漏极端子。

如图1所示，晶体管M1与M2中的每一晶体管的二个端子彼此耦接，使这个晶体管(也就是上述每一晶体管，诸如晶体管M1或M2)被配置成二极管连接的(diode-connected)晶体管。另外，晶体管M1通过晶体管M3耦接至该电流源、且耦接于晶体管M3与接地电压GNDA之间，晶体管M2通过晶体管M4耦接至晶体管M5、且耦接于晶体管M4与接地电压GNDA之间，而晶体管M5耦接于电源电压VCCA与晶体管M4之间，并且，第二组晶体管{M2，M4，M5}中的晶体管M4的该另一其它端子诸如漏极端子是晶体管M4的用来耦接晶体管M5的端子。例如，电压VP1可为具有一预定电压电平的参考电压。此外，晶体管M6、电阻器R1与晶体管M8位于电源电压VCCA与接地电压之间GNDA的一第三路径(诸如通过晶体管M6、电阻器R1与晶体管M8的路径)上，且晶体管M8与M9的各自的控制端子诸如栅极端子彼此耦接，其中，晶体管M8的二个端子彼此耦接，使晶体管M8被配置成二极管连接的晶体管。

依据本实施例，检测电路110可对电源电压VCCA进行检测运作以产生一检测信号诸如电压VX，而电流产生电路120可依据该检测信号诸如电压VX产生对应的动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}，并且端子N1可以接入比较器的尾电源端，加大比相应该比较器的工作电流，提高反应速度。例如，电流产生电路120中的该多个晶体管诸如晶体管M6、电阻器R1与晶体管M8与M9可用来依据该检测信号产生动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}。当电源电压VCCA的电压电平突然下降，电压VB2也会下降；此状况下，该检测信号诸如电压VX可急速地下降，使得晶体管M6急速地开启，这可导致该第三路径(诸如通过晶体管M6、电阻器R1与晶体管M8的路径)上急速地出现电流，诸如通过晶体管M8的电流。晶体管M9与M8的各自的一特定参数(例如其各自的信道宽度)的比值可等于n，使通过晶体管M9的动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}是通过晶体管M8的电流的n倍，其中n大于1。于是，电流产生电路120可于电源电压VCCA刚开始下降的瞬间，及时地产生对应的动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}。通过晶体管M9与M8之间的n倍放大，动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}可为相当充足的电流。假设电阻器R1可具有电阻值R1(采用斜体字的相同符号，以便于理解)。动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}可表示如下：

I_{SINK_DYNAMIC}＝n*(((VCCA-VSS)-Vgs)/R1)；

其中Vgs可代表某一个晶体管(例如晶体管M8，其被配置成二极管连接的晶体管)所产生的参考电压，诸如这个晶体管的栅极-源极电压(栅极与源极之间的电压差)的大小，但本发明不限于此。在VSS＝0(V)的状况下，上列方程式可进一步简化如下：

I_{SINK_DYNAMIC}＝n*((VCCA-Vgs)/R1)。

例如，端子N1可用来将晶体管M9耦接至一比较器尾电流端。当动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}通过该比较器时，端子N1输出动态的偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}，提高该比较器的反应速度。在电源稳定情况下，电流产生电路120可控制动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}的大小减少至零(忽略微量漏电)，以节省电力。因此，动态偏压电流产生器100使该电子装置能同时获得低功耗和高速性能。

图2为依据本发明另一实施例的一种动态偏压电流产生器200的示意图。动态偏压电流产生器200可包含耦接于电源电压VCCA与接地电压GNDA之间且彼此耦接的一检测电路210以及电流产生电路221与222，其可分别作为上述检测电路与上述至少一电流产生电路的例子。相较于图1所示架构，图2所示架构中的各个元件(诸如产生电流I1的该电流源、晶体管M1-M6以及M8与M9、电容器C1与C2等)可以分别和检测电路110中的对应的元件相同或相似，但是晶体管M5的耦接方式修改了，且晶体管M5与M6被设计成具有m倍电流放大的功能。因应架构上的修改，上述端子N1与动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}分别被代换为端子N2与动态偏压电流I_{SINK_BOOST}，而端子N2耦接至晶体管M9的端子诸如漏极端子。在本实施例中，电流产生电路221可包含晶体管M5与M6，且检测电路210与电流产生电路221可共享晶体管M5，其中晶体管M5位于该第二路径，且晶体管M5与M6各自的控制端子诸如栅极端子彼此耦接。晶体管M5与M6的控制端子诸如栅极端子耦接至晶体管M4的漏极端子。另外，电流产生电路222可包含晶体管M8与M9，其中晶体管M6与M8位于电源电压VCCA与接地电压GNDA之间的第三路径(诸如通过晶体管M6与M8的路径)上，且晶体管M8与M9的各自的控制端子诸如栅极端子彼此耦接。

依据本实施例，检测电路210可对电源电压VCCA进行检测运作以产生一检测信号诸如电流I_BOOST，而电流产生电路221与222可依据该检测信号诸如电流I_BOOST产生对应的动态偏压电流I_{SINK_BOOST}，并且端子N2可用来输出动态偏压电流I_{SINK_BOOST}。例如，电流产生电路221与222中的该多个晶体管诸如晶体管M5、M6、M8与M9可用来依据该检测信号产生动态偏压电流I_{SINK_BOOST}。该检测信号可代表通过晶体管M5的电流I_BOOST，其可视为助推电流(boostcurrent)，其中检测电路210中的助推电路(boost circuit)215可包含晶体管M2、M4与M5以及电容器C1，且可产生该助推电流。当电源电压VCCA的电压电平突然下降，电压VB2也会下降；此状况下，该检测信号诸如电流I_BOOST可急速地上升，这可导致该第三路径(诸如通过晶体管M6与M8的路径)上急速地出现电流，诸如通过晶体管M6与M8的电流。

如图2所示，晶体管M5与M8中的每一晶体管的二个端子彼此耦接，使这个晶体管(也就是上述每一晶体管，诸如晶体管M5或M8)被配置成二极管连接的晶体管。晶体管M6与M5的各自的该特定参数(例如其各自的信道宽度)的比值等于m，使通过晶体管M6的电流是通过晶体管M5的电流I_BOOST的m倍，其中m大于1。另外，晶体管M9与M8的各自的该特定参数(例如其各自的信道宽度)的比值可等于n，使通过晶体管M9的动态偏压电流I_{SINK_BOOST}是通过晶体管M8的电流的n倍，其中n大于1。由于通过晶体管M8的电流等于通过晶体管M6的电流，故在通过晶体管M9的动态偏压电流I_{SINK_BOOST}是通过晶体管M8的电流的n倍、且通过晶体管M6的电流是通过晶体管M5的电流I_BOOST的m倍的状况下，通过晶体管M9的动态偏压电流I_{SINK_BOOST}是通过晶体管M5的电流I_BOOST的(m*n)倍。于是，电流产生电路221与222可在电源电压VCCA刚开始下降的瞬间，及时地产生对应的动态偏压电流I_{SINK_BOOST}。通过晶体管M5与M6之间的m倍放大以及晶体管M9与M8之间的n倍放大，动态偏压电流I_{SINK_BOOST}可为相当充足的电流。假设电容器C1可具有电容值C1(采用斜体字的相同符号，以便于理解)。动态偏压电流I_{SINK_BOOST}可表示如下：

I_{SINK_BOOST}＝(m*n)*C1*dV/dt；

其中dV/dt可代表电源电压VCCA对时间的变化，但本发明不限于此。

例如，端子N2可用来将晶体管M9耦接至比较器。当动态偏压电流I_{SINK_BOOST}通过该比较器时，端子N2输出对应于动态偏压电流I_{SINK_BOOST}用于提高该比较器反应速度在电源电压稳定的情况下，电流产生电路221与222可控制动态偏压电流I_{SINK_BOOST}的大小减少至零(忽略微量漏电)，以节省电力。因此，动态偏压电流产生器200使该电子装置能同时获得低功耗和高速性能。

依据某些实施例，由于电流产生电路221与222可进行(m*n)倍的电流放大，故在取得相同大小的电流的目标下，实施电容器C1时可以采用很小的电容器，例如只有很小的电容值C1诸如0.5pF(微微法拉；picofarad)，但本发明不限于此。依据某些实施例，只要(m*n)的数值增加，实施电容器C1时可以采用更小的电容器。

图3绘示图1所示架构中的动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}随着电源电压VCCA变化的例子，其中通过晶体管M9的漏极的电流I_NM9可作为动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}的例子，而相关信号诸如电压VB2与VX也绘示于图3以供参考，但本发明不限于此。于图3的例子中，时间的单位可为ms(毫秒；millisecond)，电压的单位可为V(伏；volt)，且电流的单位可为μA(微安；microampere)，但本发明不限于此。

图4绘示图2所示架构中的动态偏压电流I _{SINK_BOOST}随着电源电压VCCA变化的例子，其中通过晶体管M9的漏极的电流I_NM9可作为动态偏压电流I_{SINK_BOOST}的例子，而相关信号诸如电压VB3、VB1与VB2以及通过晶体管M4的漏极的电流I_NM4也绘示于图4以供参考，但本发明不限于此。于图4的例子中，时间的单位可为ms，电压的单位可为V或mV(毫伏；millivolt)，且电流的单位可为nA(纳安；nanoampere)或μA，但本发明不限于此。

图5为依据本发明一实施例的一种电子装置10的示意图，其中电子装置10可作为上述电子装置的例子。电子装置10可包含一电源供应电路11、一重设控制电路12与一处理电路13，这些电路彼此耦接。例如，重设控制电路12可包含该动态偏压电流产生器(例如动态偏压电流产生器100或200)、该比较器以及逻辑电路(例如逻辑门)，而处理电路13可包含处理器、微处理器、和/或微控制器，尤其可包含相关电路诸如存储元件，例如存储器、数字寄存器(digital register)和模拟积分器(analog integrator)，但本发明不限于此。处理电路13可控制电子装置10的运作，而电源供应电路11可提供电源给处理电路13，尤其可输出至少一电源电压(一或多个电源电压)，其包含电源电压VCCA。另外，重设控制电路12可依据该动态偏压电流(例如动态偏压电流I_{SINK_DYNAMIC}或I_{SINK_BOOST})于端子N0(例如端子N1或N2)来提高该比较器在电源下降时的检测速度，产生一个即时电重设信号POR，且依据重设信号POR对处理电路13进行重设控制，其中重设控制电路12与上电重设信号POR可分别作为上述重设控制电路与上述重设信号的例子，但本发明不限于此。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种动态偏压电流产生器，其特征在于，包含有：

检测电路，耦接于电源电压与接地电压之间，用来对该电源电压进行检测运作以产生检测信号，其中该检测电路包含：

电流源，耦接至该电源电压；

第一组晶体管，耦接于该电流源与该接地电压之间，其中该电流源与该第一组晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的第一路径上，且该第一组晶体管包含第一晶体管与第三晶体管；

第二组晶体管，耦接于该电源电压与该接地电压之间，其中该第二组晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的第二路径上，且该第二组晶体管包含第二晶体管、第四晶体管与第五晶体管，且该第一组晶体管中的晶体管的控制端子以及该第二组晶体管中的晶体管的控制端子彼此耦接，其中该第一组晶体管中的该晶体管代表该第三晶体管，且该第二组晶体管中的该晶体管代表该第四晶体管；以及该第一晶体管与该第二晶体管中的每一晶体管的二个端子彼此耦接，使所述每一晶体管被配置成二极管连接的(diode-connected)晶体管；

第一电容器，具有第一端子与第二端子，其中该第一电容器的该第一端子耦接至该电源电压，且该第一电容器的该第二端子耦接至该第二组晶体管中的该晶体管的其它端子；以及

第二电容器，具有第一端子与第二端子，其中该第二电容器的该第一端子耦接至该第一组晶体管中的该晶体管的该控制端子以及该第二组晶体管中的该晶体管的该控制端子，且该第二电容器的该第二端子耦接至该接地电压；以及

至少一电流产生电路，耦接于该电源电压与该接地电压之间、且耦接至该检测电路，用来依据该检测信号产生对应的动态偏压电流，其中该至少一电流产生电路包含：

多个晶体管，耦接于该电源电压与该接地电压之间，用来依据该检测信号产生该动态偏压电流，其中该多个晶体管中的至少一晶体管的控制端子耦接至该第二组晶体管中的该晶体管的另一其它端子；以及

端子，用来输出对应于该动态偏压电流的电压信号，以供进行重设控制。

2.如权利要求1所述的动态偏压电流产生器，其特征在于，该第一晶体管通过该第三晶体管耦接至该电流源、且耦接于该第三晶体管与该接地电压之间，该第二晶体管通过该第四晶体管耦接至该第五晶体管、且耦接于该第四晶体管与该接地电压之间，该第五晶体管耦接于该电源电压与该第四晶体管之间，以及该第二组晶体管中的该晶体管的该另一其它端子是该第四晶体管的用来耦接该第五晶体管的端子。

3.如权利要求1所述的动态偏压电流产生器，其特征在于，该多个晶体管包含第六晶体管、第八晶体管与第九晶体管，以及该至少一电流产生电路还包含：

电阻器，其中该第六晶体管、该电阻器与该第八晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的第三路径上，且该第八晶体管与该第九晶体管的各自的控制端子彼此耦接。

4.如权利要求3所述的动态偏压电流产生器，其特征在于，该第八晶体管的二个端子彼此耦接，使该第八晶体管被配置成二极管连接的(diode-connected)晶体管；以及该第九晶体管与该第八晶体管的各自的特定参数的比值等于n，使通过该第九晶体管的该动态偏压电流是通过该第八晶体管的电流的n倍，其中n大于1。

5.如权利要求3所述的动态偏压电流产生器，其特征在于，该检测信号代表该第六晶体管的控制端子上的电压信号。

6.如权利要求1所述的动态偏压电流产生器，其特征在于，该多个晶体管包含第五晶体管、第六晶体管、第八晶体管与第九晶体管，以及该至少一电流产生电路包含：

第一电流产生电路，其包含该第五晶体管与该第六晶体管，其中该检测电路与该第一电流产生电路共享该第五晶体管，该第五晶体管位于该第二路径，且该第五晶体管与该第六晶体管的各自的控制端子彼此耦接；以及

第二电流产生电路，其包含该第八晶体管与该第九晶体管，其中该第六晶体管与该第八晶体管位于该电源电压与该接地电压之间的第三路径上，且该第八晶体管与该第九晶体管的各自的控制端子彼此耦接。

7.如权利要求6所述的动态偏压电流产生器，其特征在于，该第五晶体管与该第八晶体管中的每一晶体管的二个端子彼此耦接，使所述每一晶体管被配置成二极管连接的(diode-connected)晶体管；该第六晶体管与该第五晶体管的各自的特定参数的比值等于m，使通过该第六晶体管的电流是通过该第五晶体管的电流的m倍，其中m大于1；以及该第九晶体管与该第八晶体管的各自的该特定参数的比值等于n，使通过该第九晶体管的该动态偏压电流是通过该第八晶体管的电流的n倍，其中n大于1。

8.如权利要求6所述的动态偏压电流产生器，其特征在于，该检测信号代表通过该第五晶体管的电流。

9.一种配备如权利要求1所述的动态偏压电流产生器的电子装置，其特征在于，包含有：

处理电路，用来控制该电子装置的运作；

电源供应电路，耦接至该处理电路，用来提供电源给该处理电路；以及

重设控制电路，耦接至该处理电路与该电源供应电路，用来依据该动态偏压电流对该处理电路进行重设控制，其中该重设控制电路包含该动态偏压电流产生器。

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