CN110967110B - 一种感光传感器材料的制备方法 - Google Patents
一种感光传感器材料的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110967110B CN110967110B CN201911118271.6A CN201911118271A CN110967110B CN 110967110 B CN110967110 B CN 110967110B CN 201911118271 A CN201911118271 A CN 201911118271A CN 110967110 B CN110967110 B CN 110967110B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pore
- photosensitive sensor
- sensor material
- forming agent
- mixing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 28
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 14
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 13
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 7
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000011269 treatment regimen Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种感光传感器材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂充分混合；然后对混合物进行高温处理，将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂熔接在一起；将熔融物中加入3‑氨丙基三乙氧基硅烷混合，搅拌，得到混合液；再加入Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子，搅拌、混合均匀，然后再加入硅球和氨水，混合，超声、充氮除氧，最终得到感光传感器材料。本发明解决了现有技术中存在的感光传感器材料制备方法工序繁琐，且得到的感光传感器材料性能薄弱的问题。
Description
技术领域
本发明属于感光材料技术领域，具体涉及一种感光传感器材料的制备方法。
背景技术
感光材料是指一种具有光敏特性的半导体材料，因此又称之为光导材料或是光敏半导体。它的特点就是在无光的状态下呈绝缘性，在有光的状态下呈导电性。目前复印机上常用的感光材料有：有机感光鼓(OPC)、无定形硅感光鼓、硫化镉感光鼓和硒感光鼓。
如今在人类的生产、生活中，传感器已得到了广泛的应用，尤其对于高精密的产品要借助各种传感器来监视和控制生产过程中的各个参数，使设备工作在正常状态或最佳状态，并使产品达到最好的质量。因此可以说，没有众多的优良的传感器，现代化生产也就失去了基础。在医学中，借助传感器能够更好分析病因，得到一个好的治疗方案。在科研究中，传感器更具有突出的地位，许多领域人的感官还有简易的传感器根本无法得到精确的数据，必须借助高精密的传感器来实现分析测量，而光敏传感器是利用光敏元件将光信号转换为电信号的传感器，因其具有非接触、响应快、性能可靠等特点，故而在自动控制和非电量电子技术中占有非常重要的地位。
但是目前关于感光传感器材料的制备方法，存在各种各样的缺陷，不但工序繁琐，且得到的感光传感器材料性能薄弱。
发明内容
本发明的目的是提供一种感光传感器材料的制备方法，解决了现有技术中存在的感光传感器材料制备方法工序繁琐，且得到的感光传感器材料性能薄弱的问题。
本发明所采用的技术方案是，一种感光传感器材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1、将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂充分混合；
步骤2、将步骤1得到的混合物进行高温处理，将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂熔接在一起；
步骤3、将步骤2得到的熔融物中加入3-氨丙基三乙氧基硅烷混合，搅拌，得到混合液；
步骤4、将步骤4得到的混合液中加入Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子，搅拌、混合均匀，然后再加入硅球和氨水，混合，超声、充氮除氧，最终得到感光传感器材料。
本发明的特点还在于，
步骤1中成孔剂为酚醛树脂成孔剂。
步骤1中原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂的占比关系为1:1.5:5:60～80。
步骤2中高温处理时控制温度为50～200℃。
步骤3中3-氨丙基三乙氧基硅烷与成孔剂的质量比为1:50。
步骤3中Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子总质量为20～30％。
本发明的有益效果是，本方法得到的感光传感器材料制成的传感器，灵敏度高，性能稳定，价格较低。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明一种感光传感器材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1、将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂充分混合；成孔剂为酚醛树脂成孔剂；原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂的占比关系为1:1.5:5:60～80；
步骤2、将步骤1得到的混合物进行高温处理，高温处理时控制温度为50～200℃；将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂熔接在一起；
步骤3、将步骤2得到的熔融物中加入3-氨丙基三乙氧基硅烷混合，搅拌，得到混合液；3-氨丙基三乙氧基硅烷与成孔剂的质量比为1:50；
步骤4、将步骤3得到的混合液中加入Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子，Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子总质量为20～30％；搅拌、混合均匀，然后再加入硅球和氨水，混合，超声、充氮除氧，最终得到感光传感器材料。
实施例1
本发明一种感光传感器材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1、将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂充分混合；成孔剂为酚醛树脂成孔剂；原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂的占比关系为1:1.5:5:60；
步骤2、将步骤1得到的混合物进行高温处理，高温处理时控制温度为50℃；将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂熔接在一起；
步骤3、将步骤2得到的熔融物中加入3-氨丙基三乙氧基硅烷混合，搅拌，得到混合液；3-氨丙基三乙氧基硅烷与成孔剂的质量比为1:50；
步骤4、将步骤3得到的混合液中加入Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子，Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子总质量为20％；搅拌、混合均匀，然后再加入硅球和氨水，混合，超声、充氮除氧，最终得到感光传感器材料。
实施例2
本发明一种感光传感器材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1、将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂充分混合；成孔剂为酚醛树脂成孔剂；原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂的占比关系为1:1.5:5:80；
步骤2、将步骤1得到的混合物进行高温处理，高温处理时控制温度为200℃；将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂熔接在一起；
步骤3、将步骤2得到的熔融物中加入3-氨丙基三乙氧基硅烷混合，搅拌，得到混合液；3-氨丙基三乙氧基硅烷与成孔剂的质量比为1:50；
步骤4、将步骤3得到的混合液中加入Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子，Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子总质量为30％；搅拌、混合均匀，然后再加入硅球和氨水，混合，超声、充氮除氧，最终得到感光传感器材料。
实施例3
本发明一种感光传感器材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1、将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂充分混合；成孔剂为酚醛树脂成孔剂；原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂的占比关系为1:1.5:5:70；
步骤2、将步骤1得到的混合物进行高温处理，高温处理时控制温度为100℃；将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂熔接在一起；
步骤3、将步骤2得到的熔融物中加入3-氨丙基三乙氧基硅烷混合，搅拌，得到混合液；3-氨丙基三乙氧基硅烷与成孔剂的质量比为1:50；
步骤4、将步骤3得到的混合液中加入Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子，Yb 3+、Ho 3+和Ce 3+三种稀土离子总质量为25％；搅拌、混合均匀，然后再加入硅球和氨水，混合，超声、充氮除氧，最终得到感光传感器材料。
Claims (6)
1.一种感光传感器材料的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：
步骤1、将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂充分混合；
步骤2、将步骤1得到的混合物进行高温处理，将原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂熔接在一起；
步骤3、将步骤2得到的熔融物中加入3-氨丙基三乙氧基硅烷混合，搅拌，得到混合液；
步骤4、将步骤3得到的混合液中加入Yb3+、Ho3+和Ce3+三种稀土离子，搅拌、混合均匀，然后再加入硅球和氨水，混合，超声、充氮除氧，最终得到感光传感器材料。
2.根据权利要求1所述的一种感光传感器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中成孔剂为酚醛树脂成孔剂。
3.根据权利要求1所述的一种感光传感器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中原硅酸四乙基酯、纤维素、纳米导电颗粒和成孔剂的占比关系为1:1.5:5:60～80。
4.根据权利要求1所述的一种感光传感器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤2中高温处理时控制温度为50～200℃。
5.根据权利要求1所述的一种感光传感器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3中3-氨丙基三乙氧基硅烷与成孔剂的质量比为1:50。
6.根据权利要求1所述的一种感光传感器材料的制备方法，其特征在于，所述步骤4中Yb3+、Ho3+和Ce3+三种稀土离子总质量为20～30％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911118271.6A CN110967110B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 一种感光传感器材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911118271.6A CN110967110B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 一种感光传感器材料的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110967110A CN110967110A (zh) | 2020-04-07 |
| CN110967110B true CN110967110B (zh) | 2021-12-28 |
Family
ID=70030653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911118271.6A Active CN110967110B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 一种感光传感器材料的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110967110B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102618259A (zh) * | 2012-03-14 | 2012-08-01 | 同济大学 | 一种光转换复合纳米孔材料的制备方法 |
| CN108344713A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-07-31 | 军事科学院军事医学研究院环境医学与作业医学研究所 | 光子晶体传感材料及其制备方法和应用 |
| CN108735902A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 丛聪 | 柔性全波段光电材料、光电器件及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006047045A1 (de) * | 2006-10-02 | 2008-04-03 | Universität Paderborn | Photovoltaische Einrichtung |
-
2019
- 2019-11-15 CN CN201911118271.6A patent/CN110967110B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102618259A (zh) * | 2012-03-14 | 2012-08-01 | 同济大学 | 一种光转换复合纳米孔材料的制备方法 |
| CN108735902A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | 丛聪 | 柔性全波段光电材料、光电器件及其制造方法 |
| CN108344713A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-07-31 | 军事科学院军事医学研究院环境医学与作业医学研究所 | 光子晶体传感材料及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110967110A (zh) | 2020-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101378092B (zh) | 太阳电池及组件隐裂检测装置及其测试方法 | |
| CN107828417B (zh) | 一种双通道荧光铀酰离子探针及其应用 | |
| CN105738364A (zh) | 基于图像处理的硅橡胶表面藻类生长程度测量方法及装置 | |
| CN110967110B (zh) | 一种感光传感器材料的制备方法 | |
| CN105203475A (zh) | 测定含氯水样中化学需氧量的方法 | |
| CN114524453A (zh) | 一种ZIF-8衍生的ZnO/g-C3N4的制备方法及其在土霉素传感器中的应用 | |
| CN106770531B (zh) | 一种水处理药剂阻垢性能评价方法和装置 | |
| CN105548169A (zh) | 一种硅酸根监测仪零点显色液及其制备方法 | |
| CN107394007B (zh) | 一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法 | |
| CN110093663A (zh) | 一种用于晶体直径测量的自动校准方法及校准系统 | |
| CN109856391A (zh) | 一种基于有机光晶体的免疫检测芯片、装置及其制备方法 | |
| CN204214801U (zh) | 在线监测数据试验仪 | |
| CN103466836A (zh) | 一种净化水装置中加碱量的控制方法 | |
| CN112268980B (zh) | 核级锂型阳离子交换树脂锂型率测试方法 | |
| CN107941731A (zh) | 一种水质中化学需氧量在线检测仪 | |
| CN105895547A (zh) | 基于透过率的在线检测CdS薄膜厚度的系统 | |
| JP2008218680A (ja) | Ｉａ族元素測定方法 | |
| CN209542460U (zh) | 一种总氮水质在线监测系统 | |
| CN108225454A (zh) | 一种具有水质监测功能的水表 | |
| CN102637765B (zh) | 一种多层纳米线的制备方法 | |
| CN101566572A (zh) | 一种水质在线监测仪智能消解控制器 | |
| CN110715902A (zh) | 一种铅酸蓄电池正铅膏均匀性的检测方法 | |
| CN205449816U (zh) | 用于实时获取工业废水酸碱指标的智能检测设备 | |
| CN204374464U (zh) | 通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件 | |
| CN110361600A (zh) | 非饱和混凝土传输过程中电阻率变化的测量装置及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20211208 Address after: 518000 room 505, building a, Xinmao Industrial Park, Xiawei Third Industrial Road, Guanlan street, Shenzhen, Guangdong Applicant after: Shenzhen quanchuangshi Industrial Co.,Ltd. Address before: Room 21113, block A10, Fengye new city, Keji Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710075 Applicant before: XI'AN HAIDE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |