CN110963696B - 一种用于制备光纤预制棒的ovd沉积腔体装置 - Google Patents

一种用于制备光纤预制棒的ovd沉积腔体装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，包括从上往下依次设置的抽风管、一级缓冲室、二级缓冲室、沉积腔室，沉积腔室底部设置有进风口，沉积芯棒和沉积喷灯设置在沉积腔室内部，沉积腔室为屋型：上部为梯形、下部为方型、顶部与二级缓冲室狭缝对接；二级缓冲室下部为倒梯形；一级缓冲室为圆管型，端面设置补风管，补风管上设置补风阀用于调节补风管的开合大小，一级缓冲室通过多个轴向并排分布的二级分管与二级缓冲室上下连通；抽风管通过两个弧形管左右对称的与所述一级缓冲室连通。本申请提高了沉积腔室内气流沿沉积芯棒轴向分布均匀性，稳定沉积腔室内的气压，提高喷灯火焰对沉积芯棒的包裹面积，提高SiO2粉末的收集率。

Description

一种用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置
技术领域
本发明涉及光纤制备领域中的OVD沉积。
背景技术
通信行业迅猛发展，各大厂家竞相扩大产能，导致产能过剩，光纤价格近乎腰斩。如何控制光纤生产成本、提高市场占有率成为企业生死存亡的关键。目前，主流的光纤预制棒制备技术为：VAD+OVD工艺，即：用VAD工艺制备芯棒；OVD工艺制备包层。而其中包层成本占预制棒成本的90％以上，因而，在当前的形势下，如何降低OVD工艺成本是形成企业竞争力的关键。
OVD腔体对光纤预制棒的成本和品质有重要影响。一方面OVD腔体可以进行沉积反应，提供一个洁净的空间，防止腔体外的粉尘和杂质污染影响预制棒的品质；另一方面可以通过抽风和送风系统在腔体内形成稳定的冷却气体流场。这个流场既可以带走反应生成的尾气，同时也可以影响沉积火焰的形状、温度、反应区域的大小等，对OVD的收集效率等工艺参数有重大的影响。由此可见OVD腔体结构对预制棒制备工艺来说极其重要。
目前常用的OVD腔体一般采用多个抽风罩沿轴向并排布置，通过调节每个抽风罩的风速，来使冷却空气流场分布均匀。这种结构在使用过程中存在以下几个缺陷：
1.冷却气体流速在疏松体轴向分布均匀性不好：OVD沉积腔体结构容易因单个灯罩从中心到外侧流速呈现中间高侧面低，使得冷却气体流速沿疏松体轴向呈周期性波动，导致最终沉积的预制棒外径出现波动，从而影响预制棒的品质，例如截止波长、模场直径的稳定性变差。
2.疏松体的收集效率低：现有OVD沉积腔体结构，冷却气体的流向得不到有效控制，导致沉积火焰与疏松体的接触面积较小，即沉积火焰对疏松体的包裹面积小，大量的SiO2粉体沉积不到疏松体表面，而是随气流被直接抽走，导致收集效率偏低，一般在45～50％之间。
3.腔体压力不能在线控制：现有OVD沉积腔体装置对腔体压力采取离线控制的方式。在这样的状态下，腔体压力会因疏松体不断长大或气流管道内不断积灰而下降，最终可能导致沉积生成的尾气无法及时抽走，粉尘大量在沉积腔体聚集，残留的粉尘落到疏松体上，在预制棒内形成杂质缺陷。
4.不利于清洁：目前的沉积腔体存在气流死角，这些气流死角大多数也是难以得到吹扫的卫生死角。尤其是抽风罩的背面容易积灰，如果沉积过程中灰尘掉落到疏松体上，很容易在soot中形成“白点”等杂质缺陷。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足和问题，创造性地设计出了一款适用于OVD制备光纤预制棒工艺的沉积腔体装置，用于提高疏松体沉积芯棒沿轴向冷却气流分布的均匀性，实现在线调整沉积腔室内部压力，提高疏松体的收集率，同时尽可能的消除沉积腔室内部卫生死角。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，包括从上往下依次设置的抽风管、一级缓冲室、二级缓冲室、沉积腔室，所述沉积腔室底部设置有进风口，沉积芯棒和沉积喷灯设置在所述沉积腔室内部，所述沉积腔室为屋型：上部为梯形、下部为方型、顶部与所述二级缓冲室狭缝对接；所述二级缓冲室为钻石型：上部为梯形、下部为倒梯形；所述一级缓冲室为圆管型，端面设置补风管，所述补风管上设置补风阀用于调节补风管的开合程度，所述一级缓冲室通过多个轴向并排分布的二级分管与所述二级缓冲室上下连通；所述抽风管通过两个弧形管左右对称的与所述一级缓冲室连通。
优选地，所述一级缓冲室的轴向长度长于所述沉积芯棒的轴向长度，所述二级缓冲室的轴向长度长于所述沉积芯棒的轴向长度，所述一级缓冲室的轴向长度长于所述二级缓冲室的轴向长度。
优选地，各所述二级分管上设置有蝶阀，通过调节蝶阀使各个二级分管冷却气体流速一致。
优选地，所述抽风管上设置有主阀，用于调节抽风管的抽风强度，控制沉积腔室的冷却空气流量。
优选地，所述沉积腔室设置门，用于打开或关闭沉积腔室，以取放沉积芯棒。
优选地，在所述沉积腔室内部设置有气压传感器，所述气压传感器位于所述进风口的上方，气压传感器能够实时采集沉积腔室内的气压，从而判断气流的波动，便于及时校正。
优选地，所述进风口为条形孔，该条形孔与沉积芯棒上下对应，尽可能地使沉积芯棒轴向气流分布均匀。
优选地，所述狭缝的长度小于沉积芯棒的轴向长度。使沉积腔室上部气流合拢加速，促使沉积火焰对疏松体包裹。
优选地，所述抽风管的管径为280～350mm；所述弧形管的管径为150～300mm；所述一级缓冲室的管径为350～500mm、轴向长度较沉积芯棒长600～1200mm；所述补风管的管径为50～100mm，所述二级分管的管径为150～250mm、长度为400～800mm；所述二级缓冲室的轴向长度较沉积芯棒长400～1000mm，所述二级缓冲室下部的倒梯形结构的底部宽度50-200mm、顶部宽度500-1000mm、高500-1200mm；所述管径是指内管直径。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
本发明采用两级缓冲腔和两级分管设计将抽风压力多次均匀分配之后，使沉积腔室内的抽风压力沿轴向分布更均匀。
所设计的二级缓冲腔代替多个抽风罩能够有效避免气体流速在疏松体轴向周期性波动。
采用屋型沉积腔室，配合二级缓冲腔下端的进气狭缝，喷灯的沉积火焰经沉积芯棒两侧分成火苗，两侧火苗对沉积芯棒有合拢之势，使得沉积火焰对沉积芯棒的包裹面积显著增加，沉积收集率大幅提高。
本发明可实现在线调节沉积腔室内气压的方法，控制过程非常简单，利用压力传感器对沉积腔室内部气压进行采集，当沉积腔室内的压力高于设计值时，调大补风管的补风阀，消耗一部分抽风管的抽风负压，反之关小补风阀。这种方式不仅可以在线控制沉积过程中抽风压力，确保反应生成的尾气被充分吸走，另外对抽风管的流速影响较小，可以平衡因抽风管压力波动给沉积腔室内部压力产生的干扰。
本发明二级缓冲腔采用“钻石形”，底部与沉积腔室连接的结构为倒梯形，腔体内几乎没有流通死角，一方面鲜少产生积灰，另一方面方便吹扫，用气枪即可吹扫腔体的全内壁。
附图说明
图1为本发明实施例的OVD沉积腔体装置结构示意图；
图2为本发明实施例中沉积腔室内压力随时间的变化曲线；
图3为本发明实施例沉积腔体装置中气流流动示意图；
图4为现有OVD腔体结构中沉积火焰包裹疏松体的示意图；
图5为本发明实施例OVD腔体结构中沉积火焰包裹疏松体的示意图；
图中，1抽风管、2弧形管、3一级缓冲腔、4二级分管、5补风管、6二级缓冲腔、7沉积腔室、8进风口、9气压传感器、10沉积芯棒、11主阀、12补风阀、13蝶阀、14蝶阀、15蝶阀、16门、17疏松体、19喷灯。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本实施例涉及一种用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，包括从上往下依次设置的抽风管1、一级缓冲室3、二级缓冲室6、沉积腔室7，所述沉积腔室底部设置有进风口8，沉积芯棒10和沉积喷灯设置在沉积腔室7内部。
抽风管1通过两个弧形管2左右对称的与一级缓冲室3连通，抽风管1上设置有主阀11，可以调节抽风管1的抽风压力。抽风管1与尾气处理连接，为整个沉积腔体装置提供抽风压力。
一级缓冲室3为直径较大的圆管型，利用较大的内部空间为抽风压力提供缓冲，减小波动，使一级缓冲腔内压力分布更均匀。端面设置补风管5，补风管上设置补风阀12用于调节补风管5的开合程度，一级缓冲室3通过三个轴向并排分布的二级分管4与二级缓冲室6上下连通。三个二级分管4上面分别装置有蝶阀13、蝶阀14、蝶阀15。通过调节三个蝶阀使二级分管的气体流速一致。
二级缓冲室6为钻石型：上部为梯形、下部为倒梯形；底部与沉积腔室7狭缝对接，狭缝的轴向长度应小于沉积芯轴的轴向长度。
沉积腔室7为屋型：上部为梯形、下部为方型。在腔体的底部设置一个矩形的进风口8，在进气口的中间位置安装气压传感器9，沉积芯棒10位于进风口8上方。沉积腔室7侧面设置有门16，用于打开和关闭沉积腔室，便于喷灯和芯棒的取放。
进一步地，一级缓冲室3的轴向长度长于沉积芯棒10的轴向长度，二级缓冲室6的轴向长度长于沉积芯棒10的轴向长度，并且一级缓冲室3的轴向长度长于二级缓冲室6的轴向长度。
本发明的抽风管1的管径为350mm，长度500mm；一级分管2管径为280mm，管两端距离800mm，高度500mm；一级缓冲腔3的管径为400mm，长度为2400mm；二级分管4的管径为200mm，长度为600mm。二级缓冲腔6下端进气口尺寸为50×2400mm的矩形口，上端出气口尺寸为600*2400mm，高度800mm，再通过一个梯形腔体连接到二级分管4上。沉积腔体7，总高度1300mm，下端宽度1200mm，下半部分矩形高度900mm，顶端宽度50mm，腔体总长度5000mm。进风口长宽为800*2400mm。压力传感器测试范围0～100Pa，精度0.01Pa。
本发明使用时需要进行如下操作：
1.在采用OVD工艺沉积之前，先关闭沉积腔室的门、将补风阀12调节到50％的位置；然后通过主阀11将抽风管1的压力调节到1500±50Pa，该抽风压力必须确保将沉积腔室内的尾气带走，保持气流通畅。再调节二级分管4上的蝶阀13、14、15使每个二级分管4的冷却气体流速一致。
2.沉积过程中设定沉积腔室内的气压为30±0.5Pa。在沉积过程中，在线采集沉积腔室内的实时压力，然后反馈给PLC；PLC通过比较采集值与设定值的偏差，控制补风阀的开闭，在线调整沉积腔室内的气压，使达到设定值。
完成上述操作后，检测进风口8冷却气体流速沿沉积芯棒轴向的分布情况，详见表1表1进风口冷却气体流速轴向分布情况
位置(mm) 300 600 900 1200 1500 1800 2100
流速(m/s) 1.01 1.02 1.02 1.02 1.02 1.02 1.01
在沉积过程中记录不同时间段沉积腔室内部气压情况，详见图2。图2中可见沉积过程中腔体压力相当平稳，腔体压力波动±0.3Pa以内。
图3为本发明实施例的气体流向示意图，图中可以清晰看到底部进气在腔体中的流向。图3中冷却空气经过进风口吸入沉积腔室，先以层流的方式垂直向上运动，然后沿着疏松体表面以圆弧形气流向二级缓冲腔6的进气口流动。这种圆弧状气流会带动沉积火焰也呈现类似的分布，从而增加了沉积火焰对疏松体的包裹面积。
图4和图5分别是现有OVD腔体结构中沉积火焰对疏松体的包裹情况和本发明实施例沉积腔室中沉积火焰对疏松体的包裹情况。结果表明本发明的沉积火焰包裹面积要大于常规OVD腔体结构，从而显著促进喷灯中的SiO2粉末在沉积疏松体上继续沉积。本实施例OVD腔体沉积结束后，计算SiO2收集率为58.9％。
尽管以上详细地描述了本发明的优选实施例，但是应该清楚地理解，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：包括从上往下依次设置的抽风管、一级缓冲室、二级缓冲室、沉积腔室，所述沉积腔室底部设置有进风口，沉积芯棒和沉积喷灯设置在所述沉积腔室内部，所述沉积腔室为屋型：上部为梯形、下部为方型、顶部与所述二级缓冲室狭缝对接；所述二级缓冲室下部为倒梯形；所述一级缓冲室为圆管型，端面设置补风管，所述补风管上设置补风阀用于调节补风管的开合大小，所述一级缓冲室通过多个轴向并排分布的二级分管与所述二级缓冲室上下连通；所述抽风管通过两个弧形管左右对称的与所述一级缓冲室连通。
2.根据权利要求1所述的用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：所述一级缓冲室的轴向长度长于所述沉积芯棒的轴向长度，所述二级缓冲室的轴向长度长于所述沉积芯棒的轴向长度，所述一级缓冲室的轴向长度长于所述二级缓冲室的轴向长度。
3.根据权利要求1所述的用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：各所述二级分管上设置有蝶阀。
4.根据权利要求1所述的用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：所述抽风管上设置有主阀。
5.根据权利要求1所述的用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：所述沉积腔室设置门。
6.根据权利要求1所述的用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：在所述沉积腔室内部设置有气压传感器，所述气压传感器位于所述进风口的上方。
7.根据权利要求1所述的用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：所述进风口为条形孔，该条形孔与沉积芯棒上下对应。
8.根据权利要求1所述的用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：所述二级缓冲室为钻石型：上部为梯形、下部为倒梯形。
9.根据权利要求1所述的用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：所述狭缝的长度小于沉积芯棒的轴向长度。
10.根据权利要求1所述的用于制备光纤预制棒的OVD沉积腔体装置，其特征在于：所述抽风管的管径为280～350mm；所述弧形管的管径为150～300mm；所述一级缓冲室的管径为350～500mm、轴向长度较沉积芯棒长600～1200mm；所述补风管的管径为50～100mm，所述二级分管的管径为150～250mm、长度为400～800mm；所述二级缓冲室的轴向长度较沉积芯棒长400～1000mm，所述二级缓冲室下部的倒梯形结构的底部宽度50-200mm、顶部宽度500-1000mm、高500-1200mm；所述管径是指内管直径。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112795900B (zh) * 2021-03-24 2021-08-03 藤仓烽火光电材料科技有限公司 一种ovd工艺可调节沉积系统及其调节方法
CN115010352B (zh) * 2022-07-01 2024-01-23 长飞石英技术(武汉)有限公司 一种高均匀性石英棒材的沉积装置及方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000264646A (ja) * 1999-03-12 2000-09-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質ガラス母材
CN101492244A (zh) * 2008-12-29 2009-07-29 富通集团有限公司 一种制造光纤预制棒的装置和方法
CN103619766A (zh) * 2011-04-08 2014-03-05 贺利氏石英英国有限公司 二氧化硅烟炱体的生产
CN103771696A (zh) * 2012-10-18 2014-05-07 浙江富通光纤技术有限公司 一种制造光纤预制棒外包层的方法及装置
CN104843988A (zh) * 2015-06-05 2015-08-19 江苏法尔胜光子有限公司 多喷灯的疏松体光纤预制棒ovd沉积制备装置
CN105776839A (zh) * 2016-04-28 2016-07-20 江苏亨通光导新材料有限公司 光纤预制松散体沉积装置及其沉积方法
CN106587590A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 长飞光纤光缆股份有限公司 一种ovd工艺沉积光纤预制棒的设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1065175B1 (en) * 1999-07-02 2005-03-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing a glass optical fibre preform by the outside vapour deposition process

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000264646A (ja) * 1999-03-12 2000-09-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質ガラス母材
CN101492244A (zh) * 2008-12-29 2009-07-29 富通集团有限公司 一种制造光纤预制棒的装置和方法
CN103619766A (zh) * 2011-04-08 2014-03-05 贺利氏石英英国有限公司 二氧化硅烟炱体的生产
CN103771696A (zh) * 2012-10-18 2014-05-07 浙江富通光纤技术有限公司 一种制造光纤预制棒外包层的方法及装置
CN104843988A (zh) * 2015-06-05 2015-08-19 江苏法尔胜光子有限公司 多喷灯的疏松体光纤预制棒ovd沉积制备装置
CN105776839A (zh) * 2016-04-28 2016-07-20 江苏亨通光导新材料有限公司 光纤预制松散体沉积装置及其沉积方法
CN106587590A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 长飞光纤光缆股份有限公司 一种ovd工艺沉积光纤预制棒的设备

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