CN110959250B - 致动器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够进行旋转动作的薄型的致动器。该致动器具备：磁铁结构体，其包含磁极面为N极的磁铁和磁极面为S极的磁铁；以及电路基板，其包含第1和第2配线。磁铁结构体包含第1和第2区域，当从第1配线的一端向另一端流通电流时，以电流在位于第1区域的磁铁上沿一个方向至少部分地环绕，并且电流在位于第1区域的磁铁上沿相反方向至少部分地环绕的方式构成，当从第2配线的一端向另一端流通电流时，以电流在位于第2区域的磁铁上沿相反方向至少部分地环绕，并且电流在位于第2区域的磁铁上沿一个方向至少部分地环绕的方式构成。由此，能够实现以x轴为中心的旋转动作。

Description

致动器

技术领域

本发明涉及一种致动器，特别地，涉及一种能够进行旋转动作的 致动器。

背景技术

作为使用了电磁力的致动器，通常是能够沿一个轴方向往复运动 的致动器，但是专利文献1中，公开了一种通过将磁铁排列成矩阵状， 从而能够进行二维的动作的致动器。专利文献1中公开的致动器通过 将4个线圈分配至1个磁铁，并且控制流过这些线圈的电流的方向， 从而实现二维的动作。

现有专利文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-196560号公报

非专利文献

非专利文献1：薄膜钕磁铁的交变磁化和使用其的MEMS线性电 动机的试制(精密工学会志，Vol.79，No8，2013，p773-p778)

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，在专利文献1中公开的致动器中，由于将4个线圈分配至1 个磁铁，因此存在难以小型化这样的问题。特别地，难以缩小相对于 驱动平面垂直的厚度方向上的尺寸，不适用于如便携式设备等要求薄 型化的用途。另外，尽管能够进行二维的动作，但是无法进行旋转动 作。

作为能够薄型化的致动器，已知有非专利文献1中公开的线性电 动机。然而，非专利文献1中公开的线性电动机只沿1个轴方向往复 运动，无法进行二维的动作或旋转动作。

因此，本发明的目的在于，提供一种能够进行旋转动作的薄型的 致动器。

解决问题的技术手段

本发明的一个方面的致动器，其特征在于，具备：磁铁结构体， 其包含磁极面为N极的多个第1磁铁和磁极面为S极的多个第2磁铁； 以及电路基板，其包含第1和第2配线，经由间隙而与所述第1和第2 磁铁的磁极面相对，所述磁铁结构体包含第1和第2区域，当从所述 第1配线的一端向另一端流通电流时，以电流在位于所述第1区域的 所述第1磁铁上沿一个方向至少部分地环绕，并且电流在位于所述第1 区域的所述第2磁铁上沿相反方向至少部分地环绕的方式构成，当从 所述第2配线的一端向另一端流通电流时，以电流在位于所述第2区 域的所述第1磁铁上沿所述相反方向至少部分地环绕，并且电流在位 于所述第2区域的所述第2磁铁上沿所述一个方向至少部分地环绕的 方式构成。

根据本发明，通过在第1和第2配线流通电流，能够实现以平行 于磁极面的规定轴(例如x轴)为中心的旋转动作。

在本发明中，磁铁结构体也可以具有在沿第1方向和与第1方向 正交的第2方向延伸的第1平面，多个第1磁铁的磁极面和多个第2 磁铁的磁极面沿第1和第2方向交替地排列而成的结构。由此，能够 得到更大的驱动力。

在本发明中，第1区域和第2区域也可以排列于第2方向，通过 从第1配线的一端向另一端流通电流，并且从第2配线的一端向另一 端流通电流，从而能够以第1方向为轴使磁铁结构体和电路基板相对 地倾斜。由此，能够进行以第1方向为轴的旋转动作。

在本发明中，也可以通过从第1配线的一端向另一端流通电流， 并且从第2配线的另一端向一端流通电流，从而能够使间隙的距离变 化。由此，能够沿相对于磁极面垂直的方向驱动。

在本发明中，也可以是电路基板还包含第3和第4配线，磁铁结 构体包含排列于第2方向的第3和第4区域，第1和第3区域排列于 第1方向，第2和第4区域排列于第1方向，当从第3配线的一端向 另一端流通电流时，以电流在位于第1和第2区域的第1磁铁上沿一 个方向至少部分地环绕，并且电流在位于第1和第2区域的第2磁铁 上沿相反方向至少部分地环绕的方式构成，当从第4配线的一端向另 一端流通电流时，以电流在位于第3和第4区域的第1磁铁上沿相反 方向至少部分地环绕，并且电流在位于第3和第4区域的第2磁铁上 沿一个方向至少部分地环绕的方式构成。由此，通过在第3和第4配 线流通电流，能够实现以沿第2方向延伸的轴(例如y轴)为中心的 旋转动作。

在本发明中，也可以是第1和第2配线设置于平行于第1平面的 第2平面，第3和第4配线设置于平行于第1平面并且与第2平面不 同的第3平面。由此，能够使用设置于电路基板上的2层的配线层来 实现旋转动作。或者，第1至第4配线也可以设置于平行于第1平面的第3平面。由此，能够使用设置于电路基板上的1层的配线层来实 现旋转动作。

在本发明中，也可以是电路基板还可以包含第5和第6配线，磁 铁结构体包含第1磁铁和第2磁铁沿第1方向交替地排列的第1排列 部分、以及第1磁铁和第2磁铁沿第2方向交替地排列的第2排列部 分，第5配线沿第2方向横切包含于第1排列部分的第1和第2磁铁的至少一部分，第6配线沿第1方向横切包含于第2排列部分的第1 和第2磁铁的至少一部分。由此，通过在第5和第6配线流通电流， 能够实现二维的动作。

在本发明中，也可以是第5配线包含沿第2方向横切第1磁铁的 第1配线部分、以及沿第2方向横切第2磁铁的第2配线部分，第6 配线包含沿第1方向横切第1磁铁的第3配线部分、以及沿第1方向 横切第2磁铁的第4配线部分，以在第1配线部分和第2配线部分， 流通相互相反方向的电流的方式构成，以在第3配线部分和第4配线 部分，流通相互相反方向的电流的方式构成。由此，能够得到更大的 驱动力。

在本发明中，也可以是第5配线设置于平行于第1平面的第4平 面，第6配线设置于平行于第1平面并且与第4平面不同的第5平面。 由此，通过在电路基板上追加2层的配线层，从而能够实现二维的动 作。

在本发明中，也可以是第5配线包含覆盖第1和第3区域的第1 部分、以及覆盖第2和第4区域的第2部分，第1部分和第2部分以 个别地流通电流的方式构成。由此，通过在第1部分和第2部分流通 相反方向的电流，从而能够实现以相对于磁极面垂直的规定轴(例如z轴)为中心的旋转动作。

在本发明中，也可以是电路基板还包含第7配线，第7配线还包 含在位于第1至第4区域的第1磁铁上至少部分地环绕的第5配线部 分、以及在位于第1至第4区域的第2磁铁上至少部分地环绕的第6 配线部分，以在第5配线部分和第6配线部分，流通向相互相反方向环绕的电流的方式构成。由此，能够个别地控制向相对于磁极面垂直 的方向的动作和以平行于磁极面的规定轴(例如x轴)为中心的旋转 动作。

在本发明中，也可以是电路基板还包含第8配线，第8配线包含 沿第2方向横切第1磁铁的第7配线部分、以及沿第2方向横切第2 磁铁的第8配线部分，在覆盖第1和第3区域的部分上，以在第7配 线部分和第8配线部分流通相互相反方向的电流的方式构成，在覆盖第2和第4区域的部分上，以在第7配线部分和第8配线部分流通相 互相反方向的电流的方式构成，在第7配线部分中覆盖第1和第3区 域的部分以及覆盖第2和第4区域的部分，以能够向相互相反方向流 通电流的方式构成，在第8配线部分中覆盖第1和第3区域的部分以及覆盖第2和第4区域的部分，以能够向相互相反方向流通电流的方 式构成。由此，能够个别地控制向相对于磁极面水平的方向的动作和 以相对于磁极面垂直的规定轴(例如z轴)为中心的旋转动作。

本发明的另一个方面的致动器，其特征在于，具备：磁铁结构体， 其包含磁极面为N极的多个第1磁铁和磁极面为S极的多个第2磁铁； 以及电路基板，其包含第1和第2配线，经由间隙而与所述第1和第2 磁铁的磁极面相对，所述磁铁结构体包含第1和第2区域，所述第1 区域包含所述第1磁铁和所述第2磁铁沿第1方向交替地排列而成的 第1排列部分，所述第2区域包含所述第1磁铁和所述第2磁铁沿所 述第1方向交替地排列而成的第2排列部分，所述第1区域和所述第2 区域沿与所述第1方向正交的第2方向排列，所述第1配线包含沿所 述第2方向横切所述第1磁铁的第1配线部分、以及沿所述第2方向 横切所述第2磁铁的第2配线部分，所述第2配线包含沿所述第2方 向横切所述第1磁铁的第3配线部分、以及沿所述第2方向横切所述 第2磁铁的第4配线部分，以在所述第1配线部分和所述第2配线部分，流通相互相反方向的电流的方式构成，以在所述第3配线部分和 所述第4配线部分，流通相互相反方向的电流的方式构成，以在所述 第1配线部分和所述第3配线部分，能够流通相互相反方向的电流， 并且在所述第2配线部分和所述第4配线部分，能够流通相互相反方向的电流的方式构成。

根据本发明，通过在第1和第2配线流通电流，能够实现以相对 于磁极面垂直的规定轴(例如z轴)为中心的旋转动作。

在本发明中，也可以是第1和第2配线部分以及第3和第4配线 部分以个别地流通电流的方式相互分离。由此，能够个别地驱动磁铁 结构体的第1部分和第2部分。

在本发明中，也可以以在第1配线部分和第3配线部分，能够流 通相互相同方向的电流，并且在第2配线部分和第4配线部分，能够 流通相互相同方向的电流的方式构成。由此，除了旋转动作，还能够 实现沿与磁极面平行的规定轴(例如x轴)的偏移(Shift)动作。

在本发明中，第1和第2方向上的第1及第2磁铁的大小也可以 为1mm以下。另外，与第1和第2方向正交的第3方向上的磁铁结构 体的厚度也可以为1mm以下。由此，能够提供非常小型且薄型的致动 器。

本发明的致动器也可以还具备支撑磁铁结构体的支撑基板，支撑 基板的热扩散率比磁铁结构体的热扩散率低。由此，小型且薄的磁铁 结构体的制作变得容易。

在本发明中，在电路基板和磁铁结构体的任一方，也可以固定有 图像传感器。由此，能够用作相机的抖动校正用的致动器。

发明的效果

这样，根据本发明，能够提供一种能够进行旋转动作的薄型的致 动器。

附图说明

图1是示出本发明的第1实施方式的致动器10A的主要部的结构 的大致俯视图。

图2是沿图1所示的A-A线的大致截面图。

图3是用于说明磁铁结构体20所包含的第1～第4区域31～34的位 置关系的示意图。

图4是拔出第1配线110和第2配线120而示出的俯视图。

图5是拔出第3配线130和第4配线140而示出的俯视图。

图6是拔出第5配线150而示出的俯视图。

图7是拔出第6配线160而示出的俯视图。

图8是用于说明在第1配线110流通的电流赋予磁铁结构体20的 影响的图。

图9是用于说明在第1配线110和第2配线120流通电流而产生 的效果的示意图。

图10是用于说明在第3配线130和第4配线140流通电流而产生 的效果的示意图。

图11是用于说明在第5配线150流通的电流赋予磁铁结构体20 的影响的图。

图12是用于说明在第6配线160流通的电流赋予磁铁结构体20 的影响的图。

图13是用于说明磁铁结构体20的制造方法的工序图。

图14是示出第1变形例的第1和第2配线110、120的结构的俯 视图。

图15是示出第2变形例的第1和第2配线110、120的结构的俯 视图。

图16是示出第3变形例的第5配线150的结构的俯视图。

图17是用于说明在第5配线150的第1部分150A和第2部分150B 流通电流而产生的效果的示意图。

图18是示出本发明的第2实施方式的致动器10B的主要部的结构 的大致截面图。

图19是示出第2实施方式的第5配线150的结构的俯视图。

图20是示出第1～第4配线210、220、230、240的结构的俯视图。

图21是示出本发明的第3实施方式的致动器10C的主要部的结构 的大致截面图。

图22是示出第7配线170的结构的俯视图。

图23是示出本发明的第4实施方式的致动器10D的主要部的结构 的大致截面图。

图24是示出第8配线180的结构的俯视图。

图25是示出本发明的第5实施方式的致动器10E的主要部的结构 的大致截面图。

图26是示出致动器10的使用例的示意图。

具体实施方式

在下文中，一边参照附图，一边对本发明的优选实施方式进行详 细的说明。

＜第1实施方式＞

图1是示出本发明的第1实施方式的致动器10A的主要部的结构 的大致俯视图。另外，图2是沿图1所示的A-A线的大致截面图。

如图1和图2所示，本实施方式的致动器10A具备由在x方向和 y方向上以矩阵状排列的多个第1和第2磁铁21、22构成的磁铁结构 体20、以及相对于磁铁结构体20在z方向上重叠并且形成有第1～第6 配线110、120、130、140、150、160的电路基板100。

磁铁结构体20设置于由玻璃等构成的支撑基板23上，磁极面位 于沿xy方向延伸的第1平面S1。还有，考虑到附图的易于观察，在图 1中没有图示支撑基板23。在构成磁铁结构体20的磁铁21、22中， 第1磁铁21的位于第1平面S1的磁极面是N极，相反地，第2磁铁 22的位于第1平面S1的磁极面S极。于是，这些第1磁铁21和第2 磁铁22以方格图案矩阵排列。即，沿x方向延伸的各行构成第1磁铁 21和第2磁铁沿x方向交替地排列的第1排列部分Lx，沿y方向延伸 的各列构成第1磁铁21和第2磁铁沿y方向交替地排列的第2排列部 分Ly。

在图1和图2所示的例子中，第1排列部分Lx由6个磁铁21、22 构成，第2排列部分Ly由6个磁铁21、22构成，但是在本发明中， 第1和第2磁铁21、22的个数不限于此。另外，在本实施方式中，如 图3所示，磁铁结构体20被分为4个区域31～33。第1区域31位于图 3所示的右下部分，第2区域32位于图3所示的右上部分，第3区域 33位于图3所示的左下部分，第4区域34位于图3所示的左上部分。 因此，第1区域31和第2区域32沿y方向排列，第3区域33和第4 区域34沿y方向排列，第1区域31和第3区域33沿x方向排列，第 2区域32和第4区域34沿x方向排列。尽管没有特别限定，但是在本 实施方式中，任一区域均由3×3的磁铁21、22构成。

如图2所示，在本实施方式中，邻接的第1磁铁21和第2磁铁22 经由狭缝SL而分离，并且该狭缝SL到达支撑基板23的表层。在本发 明中，不一定要设置这样的狭缝SL，但是如下述，在磁铁结构体20 的制造工序中形成这样的狭缝SL是有利的。

第1～第6配线110、120、130、140、150、160层叠于电路基板 100上。电路基板100的主面构成平行于第1平面S1的第2平面S2， 并且第1和第2配线110、120形成于电路基板100的主面上，即第2 平面S2。第1和第2配线110、120被绝缘膜101覆盖。绝缘膜101 的表面构成平行于第1平面S1的第3平面S3，第3和第4配线130、 140形成于绝缘膜101的表面上，即第3平面S3。第3和第4配线130、 140被绝缘膜102覆盖。绝缘膜102的表面构成平行于第1平面S1的 第4平面S4，第5配线150形成于绝缘膜102的表面上，即第4平面 S4。第5配线150被绝缘膜103覆盖。绝缘膜103的表面构成平行于 第1平面S1的第5平面S5，第6配线160形成于绝缘膜103的表面上， 即第5平面S5。第6配线160被绝缘膜104覆盖。这样，第1～第6配 线110、120、130、140、150、160具有4层结构，并且以互相在z方 向上重叠的方式层叠于电路基板100上。

图4是拔出第1配线110和第2配线120而示出的俯视图。在图4 中，为了明确与磁铁结构体20的平面的位置关系，还表示了第1和第 2磁铁21、22的位置。这一点在下述的图5～图8、图11、图12、图 14～图16、图19、图20、图22和图24中也是相同的。

如图4所示，第1配线110是覆盖磁铁结构体20的第1和第3区 域31、33的能够一笔画的1根配线，并且具有曲折状地蜿蜒的平面形 状。当更具体地说明时，第1配线110包含在俯视时环绕第1磁铁21 的周围的一部分的配线部分111和在俯视时环绕第2磁铁22的周围的 一部分的配线部分112。另外，由于第1配线110是曲折状的，因此难 以在俯视时环绕第1磁铁21或第2磁铁22的整个周围，如图4所示， 大多为沿2边绕1/2周的情况或沿3边绕3/4周的情况。这一点在下述 的第2～第4配线120～140中也是同样的。

于是，当在第1配线110流通电流时，沿互相相反方向环绕的电 流流过配线部分111和配线部分112。在图4所示的例子中，当从第1 配线110的一端113向另一端114流通电流时，在配线部分111右旋 (顺时针)地流通电流，在配线部分112左旋(逆时针)地流通电流。 相反地，当从第1配线110的另一端114向一端113流通电流时，在 配线部分111左旋(逆时针)地流通电流，在配线部分112右旋(顺 时针)地流通电流。

如图4所示，第2配线120是覆盖磁铁结构体20的第2和第4区 域32、34的能够一笔画的1根配线，并且具有曲折状地蜿蜒的平面形 状。当更具体地说明时，第2配线120包含在俯视时环绕第1磁铁21 的周围的一部分的配线部分121和在俯视时环绕第2磁铁22的周围的 一部分的配线部分122。

于是，当在第2配线120流通电流时，沿互相相反方向环绕的电 流流过配线部分121和配线部分122。在图4所示的例子中，当从第2 配线120的一端123向另一端124流通电流时，在配线部分121左旋 (逆时针)地流通电流，在配线部分122右旋(顺时针)地流通电流。 相反地，当从第2配线120的另一端124向一端123流通电流时，在 配线部分121右旋(顺时针)地流通电流，在配线部分122左旋(逆 时针)地流通电流。

图5是拔出第3配线130和第4配线140而示出的俯视图。

如图5所示，第3配线130是覆盖磁铁结构体20的第1和第2区 域31、32的能够一笔画的1根配线，并且具有曲折状地蜿蜒的平面形 状。当更具体地说明时，第3配线130包含在俯视时环绕第1磁铁21 的周围的一部分的配线部分131和在俯视时环绕第2磁铁22的周围的 一部分的配线部分132。

于是，当在第3配线130流通电流时，沿互相相反方向环绕的电 流流过配线部分131和配线部分132。在图5所示的例子中，当从第3 配线130的一端133向另一端134流通电流时，在配线部分131右旋 (顺时针)地流通电流，在配线部分112左旋(逆时针)地流通电流。 相反地，当从第3配线130的另一端134向一端133流通电流时，在 配线部分131左旋(逆时针)地流通电流，在配线部分132右旋(顺 时针)地流通电流。

如图5所示，第4配线140是覆盖磁铁结构体20的第3和第4区 域33、34的能够一笔画的1根配线，并且具有曲折状地蜿蜒的平面形 状。当更具体地说明时，第4配线140包含在俯视时环绕第1磁铁21 的周围的一部分的配线部分141和在俯视时环绕第2磁铁22的周围的 一部分的配线部分142。

于是，当在第4配线140流通电流时，沿互相相反方向环绕的电 流流过配线部分141和配线部分142。在图5所示的例子中，当从第4 配线140的一端143向另一端144流通电流时，在配线部分141左旋 (逆时针)地流通电流，在配线部分142右旋(顺时针)地流通电流。 相反地，当从第4配线140的另一端144向一端143流通电流时，在 配线部分141右旋(顺时针)地流通电流，在配线部分142左旋(逆 时针)地流通电流。

图6是拔出第5配线150而示出的俯视图。

如图6所示，第5配线150是覆盖磁铁结构体20的第1～第4区域 31～34的能够一笔画的1根配线，并且具有曲折状地蜿蜒的平面形状。 当更具体地说明时，第5配线150包含沿y方向横切第1磁铁21的配 线部分151、沿y方向横切第2磁铁22的配线部分152、以及以连接两者的方式沿x方向延伸的连接部分153。

根据该结构，当电流流过第5配线150时，互相相反方向的电流 流过配线部分151和配线部分152。在图6所示的例子中，当从第5 配线150的一端154向另一端155流通电流时，在配线部分151沿向 下方向(-y方向)流通电流，在配线部分152沿向上方向(+y方向)流通电流。相反地，当从第5配线150的另一端155向一端154流通 电流时，在配线部分151沿向上方向(+y方向)流通电流，在配线部 分152沿向下方向(-y方向)流通电流。

图7是拔出第6配线160而示出的俯视图。

如图7所示，第6配线160是覆盖磁铁结构体20的第1～第4区域 31～34的能够一笔画的1根配线，并且具有曲折状地蜿蜒的平面形状。 当更具体地说明时，第6配线160包含沿x方向横切第1磁铁21的配 线部分161、沿x方向横切第2磁铁22的配线部分162、以及以连接两者的方式沿y方向延伸的连接部分163。

根据该结构，当电流流过第6配线160时，互相相反方向的电流 流过配线部分161和配线部分162。在图7所示的例子中，当从第6 配线160的一端164向另一端165流通电流时，在配线部分161沿向 右方向(+x方向)流通电流，在配线部分162沿向左方向(-x方向)流通电流。相反地，当从第6配线160的另一端165向一端164流通 电流时，在配线部分161沿向左方向(-x方向)流通电流，在配线部 分162沿向右方向(+x方向)流通电流。

图8是用于说明在第1配线110流通的电流赋予磁铁结构体20的 影响的图。

当电流I1或I2流过第1配线110时，在被配线部分111和配线部 分112包围的区域产生沿z方向贯通的磁通。

具体地，当电流I1流过第1配线110时，在被配线部分111包围 的区域沿-z方向产生磁通，在被配线部分112包围的区域沿+z方向产 生磁通。于是，由于配线部分111设置于在俯视时环绕第1磁铁21的 位置，因此被第1磁铁21吸引，并且在第1配线110作用向上方向(+z 方向)的吸引力F1。另一方面，由于配线部分112设置于在俯视时环 绕第2磁铁22的位置，因此被第2磁铁22吸引，并且在第1配线110 作用向上方向(+z方向)的吸引力F1。即，即使对于第1和第2磁铁 21、22的任一者，在第1配线110也都作用向上方向(+z方向)的吸 引力F1。

相反地，当电流I2流过第1配线110时，在被配线部分111包围 的区域沿+z方向产生磁通，在被配线部分112包围的区域沿-z方向产 生磁通。于是，由于配线部分111设置于在俯视时环绕第1磁铁21的 位置，因此排斥来自第1磁铁21的磁通，并且在第1配线110作用向 下方向(-z方向)的排斥力F2。另一方面，由于配线部分112设置于 在俯视时环绕第2磁铁22的位置，因此排斥来自第2磁铁22的磁通， 并且在第1配线110作用向下方向(-z方向)的排斥力F2。即，即使 对于第1和第2磁铁21、22的任一者，在第1配线110也都作用向下 方向(-z方向)的排斥力F2。

此处，由于第1配线110设置于与磁铁结构体20的第1和第3区 域31、33重叠的位置，因此通过流通电流I1或I2，从而可以使磁铁 结构体20的第1和第3区域31、33与第1配线110在z方向上的相 对的位置关系变化。变化的速度可以由电流I1或I2的大小来控制。

尽管未在图中示出，但是在第2配线120流通的电流赋予磁铁结 构体20的影响也是相同的，根据在第2配线120流通的电流的方向和 大小，从而可以使磁铁结构体20的第2和第4区域32、34与第2配 线120在z方向上的相对的位置关系变化。在本实施方式中，由于以 个别地流通电流的方式，第1配线110和第2配线120被互相分离， 因而可以任意地设定在第1配线110流通的电流的方向和大小、以及 在第2配线120流通的电流的方向和大小。

图9是用于说明在第1配线110和第2配线120流通电流而产生 的效果的示意图，表示在透过磁铁结构体20而俯视电路基板100的情 况下的电路基板100的运动。

首先，当沿吸引力F1作用的方向在第1配线110流通电流，且沿 排斥力F2作用的方向在第2配线120流通电流时，如图9(a)所示， 可以以沿x方向延伸的轴AX为中心，使磁铁结构体20和电路基板100 相对地在一个方向上旋转(倾斜)。为了实现这样的动作，只要从图4所示的第1配线110的一端113向另一端114流通电流，并且从第2 配线120的一端123向另一端124流通电流即可。

另一方面，当沿排斥力F2作用的方向在第1配线110流通电流， 且沿吸引力F1作用的方向在第2配线120流通电流时，如图9(b)所 示，可以以沿x方向延伸的轴AX为中心，使磁铁结构体20和电路基 板100相对地在相反方向上旋转(倾斜)。为了实现这样的动作，只 要从图4所示的第1配线110的另一端114向一端113流通电流，并 且从第2配线120的另一端124向一端123流通电流即可。

尽管未在图中示出，但是在第3和第4配线130、140流通的电流 赋予磁铁结构体20的影响也是相同的。即，根据在第3配线130流通 的电流的方向和大小，可以使磁铁结构体20的第1和第2区域31、32 与第3配线130在z方向上的相对的位置关系变化，并且根据在第4配线140流通的电流的方向和大小，可以使磁铁结构体20的第3和第 4区域33、34与第4配线140在z方向上的相对的位置关系变化。在 本实施方式中，由于以个别地流通电流的方式，第3配线130和第4 配线140被互相分离，因而可以任意地设定在第3配线130流通的电 流的方向和大小、以及在第4配线140流通的电流的方向和大小。

图10是用于说明在第3配线130和第4配线140流通电流而产生 的效果的示意图，表示在透过磁铁结构体20而俯视电路基板100的情 况下的电路基板100的运动。

首先，当沿吸引力F1作用的方向在第3配线130流通电流，且沿 排斥力F2作用的方向在第4配线140流通电流时，如图10(a)所示， 可以以沿y方向延伸的轴AY为中心，使磁铁结构体20和电路基板100 相对地在一个方向上旋转(倾斜)。为了实现这样的动作，只要从图5 所示的第3配线130的一端133向另一端134流通电流，并且从第4 配线140的一端143向另一端144流通电流即可。

另一方面，当沿排斥力F2作用的方向在第3配线130流通电流， 且沿吸引力F1作用的方向在第4配线140流通电流时，如图10(b) 所示，可以以沿y方向延伸的轴AY为中心，使磁铁结构体20和电路 基板100相对地在相反方向上旋转(倾斜)。为了实现这样的动作， 只要从图5所示的第3配线130的另一端134向一端133流通电流， 并且从第4配线140的另一端144向一端143流通电流即可。

于是，由于第1～第4配线110～140均形成于电路基板100，因此 如果控制流过第1～第4配线110～140的电流的方向和大小，则可以使 磁铁结构体20和电路基板100相对地在任意方向以任意角度倾斜。例 如，如果将电路基板100固定于规定的壳体等，则可以使磁铁结构体20在任意方向以任意角度倾斜，相反地，如果将磁铁结构体20固定于 规定的壳体等，则可以使电路基板100在任意方向以任意角度倾斜。

此外，如果沿吸引力F1或排斥力F2作用的方向在第1和第2配 线110、120的两者流通电流，则可以使磁铁结构体20和电路基板100 的z方向上的间隙变化。该动作也可以通过沿吸引力F1或排斥力F2 作用的方向在第3和第4配线130、140的两者流通电流来实现。

图11是用于说明在第5配线150流通的电流赋予磁铁结构体20 的影响的图。

如图11所示，当电流I3或I4流过第5配线150时，x方向的洛 伦兹力F3或F4作用于磁铁结构体20和第5配线150之间。

具体地，当电流I3流过第5配线150时，由于相对于第1磁铁21， 电流的方向为向下方向(-y方向)，因此向右方向(+x方向)的洛伦 兹力F3作用于第5配线150。另一方面，由于相对于第2磁铁22，电 流的方向为向上方向(+y方向)，因此向右方向(+x方向)的洛伦兹 力F3作用于第5配线150。即，即使对于第1和第2磁铁21、22的任 一者，向右方向(+x方向)的洛伦兹力F3也均作用于第5配线150。

相反地，当电流I4流过第5配线150时，由于相对于第1磁铁21， 电流的方向为向上方向(+y方向)，因此向左方向(-x方向)的洛伦 兹力F4作用于第5配线150。另一方面，由于相对于第2磁铁22，电 流的方向为向下方向(-y方向)，因此向左方向(-x方向)的洛伦兹 力F4作用于第5配线150。即，即使对于第1和第2磁铁21、22的任 一者，向左方向(-x方向)的洛伦兹力F4也均作用于第5配线150。

因此，通过流通电流I3或I4，可以使磁铁结构体20与第5配线 150的x方向上的相对的位置关系变化。变化的速度可以通过电流I3 或I4的大小来控制。

图12是用于说明在第6配线160流通的电流赋予磁铁结构体20 的影响的图。

如图12所示，当电流I5或I6流过第6配线160时，y方向的洛 伦兹力F5或F6作用于磁铁结构体20和第6配线160之间。

具体地，当电流I5流过第6配线160时，由于相对于第1磁铁21， 电流的方向为向右方向(+x方向)，因此向上方向(+y方向)的洛伦 兹力F5作用于第6配线160。另一方面，由于相对于第2磁铁22，电 流的方向为向左方向(-x方向)，因此向上方向(+y方向)的洛伦兹 力F5作用于第6配线160。即，即使对于第1和第2磁铁21、22的任 一者，向上方向(+y方向)的洛伦兹力F5也均作用于第6配线160。

相反地，当电流I6流过第6配线160时，由于相对于第1磁铁21， 电流的方向为向左方向(-x方向)，因此向下方向(-y方向)的洛伦 兹力F6作用于第6配线160。另一方面，由于相对于第2磁铁22，电 流的方向为向右方向(+x方向)，因此向下方向(-y方向)的洛伦兹 力F6作用于第6配线160。即，即使对于第1和第2磁铁21、22的任 一者，向下方向(-y方向)的洛伦兹力F6也均作用于第6配线160。

因此，通过流通电流I5或I6，可以使磁铁结构体20与第6配线 160的y方向上的相对的位置关系变化。变化的速度可以通过电流I5 或I6的大小来控制。

于是，由于第5配线150和第6配线160均形成于电路基板100， 因此可以根据电流I3～I6使磁铁结构体20和电路基板100的平面的位 置关系变化。因此，如果将电路基板100固定于规定的壳体等，则可 以通过电流I3～I6沿XY平面驱动磁铁结构体20。相反地，如果将电 磁铁结构体20固定于规定的壳体等，则可以通过电流I3～I6沿XY平 面驱动电路基板100。

尽管没有特别限定，但是本实施方式的致动器10A可以作为组装 于智能手机的相机的抖动校正用的致动器而使用。在该情况下，将磁 铁结构体20和电路基板100的任一者固定于智能手机的壳体，将另一 者固定于相机的光学透镜或图像传感器，并且如果将由内置于智能手 机的加速度传感器等所得到的抖动信号转换为电流I1～I6，则可以根据 抖动的方向、角度和大小，沿抵消它们的方向驱动光学透镜或图像传 感器。另外，如果以沿吸引力F1或排斥力F2作用的方向在第1和第2 配线110、120的两者(或第3和第4配线130140的两者)流通电流 的方式控制，则也能够实现相机的自动对焦功能。

图13是用于说明磁铁结构体20的制造方法的工序图。

首先，如图13(a)所示，在由玻璃等构成的支撑基板23上形成 磁铁20a。磁铁20a可以是通过溅射法等制作的薄膜，也可以是通过镀 覆法或电沉积法等制作的厚膜，还可以是粘结了烧结磁铁或粘结磁铁 等的块(Bulk)状磁铁的磁铁。尽管没有特别限定，但是作为磁铁20a， 从磁特性的观点来看，优选使用各向异性钕磁铁。易磁化轴为厚度方 向(z方向)。磁铁20a的厚度被组入有本实施方式的致动器10A的设 备所限制。例如，由于在组入于智能电话的相机的抖动校正用中驱动 光学透镜的用途中，要求为非常薄型，因此必然需要使用薄的磁铁20a。 在这样的用途中，磁铁20a的厚度被限制为1mm以下，例如500μm左 右。由于存在磁铁20a因氧化或加工形变而表面发生劣化，且磁特性 降低的可能性，因此在减小磁铁的厚度的情况下，需要通过在磁铁表 面设置保护层等技术手段，来抑制磁铁的劣化。

接下来，如图13(b)所示，通过在磁铁20a形成狭缝SL，分割 成分别成为第1和第2磁铁21、22的多个块(Block)21a、22a。狭缝 SL的目的是在利用了下述的激光束的局部加热的交替磁化中，抑制因 激光束产生的热量向不希望的邻接的区域的扩散，通过磁铁20a的厚 度减小且向支撑基板的热扩散是受支配的等，不产生向不希望的邻接 的区域的热扩散的情况下，不需要狭缝SL。即，狭缝SL在将烧结磁 铁粘结于支撑基板的情况下是有用的。作为狭缝SL的形成方法，可以 使用切割法或引线放电加工法等。在形成狭缝SL的情况下，作为狭缝 SL的深度，以块21a和块22a完全地分离的方式，优选设为到达支撑 基板23的表层的深度。即使在没有形成狭缝SL的情况下，也将在利 用了下述的激光束的局部加热的交替磁化中形成的磁化方向为反向平 行的各个的区域称为块21a、块22a。对块21a、块22a的尺寸没有特 别限定，但是为了通过降低反磁场的影响而得到更强的磁力，优选为 尽可能地小。但是，如上所述，由于磁铁20a的表层部分的矫顽力低， 因而如果磁铁20a被狭缝SL分割得太细，则反而矫顽力会降低。考虑 到这一点，因此优选将块21a、22a的尺寸设为与磁铁20a的厚度为相 同程度。即，长宽比(aspect ratio)优选为0.1～10左右，更优选为1 左右。例如，在磁铁20a的厚度为500μm左右的情况下，x方向和y 方向的尺寸也可以设为500μm左右。由此，磁铁20a被分割成500μm 见方的立方体即块21a、22a。

接下来，如图13(c)所示，将多个块21a、22a在z方向上进行 磁化。磁化优选为通过脉冲磁场施加进行至块21a、22a磁饱和为止。

接下来，如图13(d)所示，通过对成为第2磁铁22的块22a选 择性地照射激光束24来进行局部加热，从而使该块22a的矫顽力降低。 尽管由激光束24所赋予的热量也一定程度地传导至成为第1磁铁21 的块21a，但是由于在平面方向上被狭缝SL隔开，所以热量的传导少。 另外，作为支撑基板23的材料，通过使用如玻璃那样热扩散率比烧结 磁铁低的材料，从而对经由支撑基板23的热传导也可以抑制为最小限 度。由此，可以维持块21a的矫顽力且选择性地使块22a的矫顽力降 低。

之后，当进行自然冷却时，如图13(e)所示，来自块21a的漏磁 25通过块22a，块22a被该漏磁25在相反方向上磁化。由此达成了交 替磁化，如图13(f)所示，可以得到交替地排列有第1和第2磁铁21、 22的磁铁结构体20。

然后，如果以所制作的磁铁结构体20的第1平面S1与电路基板 100的第2～第5平面S2～S5相对的方式将两者摇动自如并且在平面方 向上滑动自如地支撑的话，则完成本实施方式的致动器10A。

这样，由于本实施方式的致动器10A由设置于支撑基板23的磁铁 结构体20和设置于电路基板100的平面的第1～第6配线110、120、 130、140、150、160构成，因此是非常地薄型的，且能够进行以x轴 和y轴为中心的旋转以及二维的动作。

图14是示出第1变形例的第1和第2配线110、120的结构的俯 视图。

在图14所示的第1变形例中，第1配线110的另一端114和第2 配线120的另一端124被短路，并且具有端子115连接于该部分的结 构。由此，如果使电流从第1配线110的一端113和第2配线120的 一端123向端子115流通，则可以实现图9(a)所示的动作。相反地， 如果使电流从端子115向第1配线110的一端113和第2配线120的 一端123流通，则可以实现图9(b)所示的动作。此外，如果使端子 115为打开(open)状态而使电流在第1和第2配线110、120流通， 则可以使磁铁结构体20与电路基板100的z方向上的间隙变化。

根据第1变形例，尽管难以完全地独立控制流通于第1配线110 的电流和流通于第2配线120的电流，但是能够削减端子数量。虽然 未在图中示出，但是对第3和第4配线130、140也可以进行同样的变 形。

图15是示出第2变形例的第1和第2配线110、120的结构的俯 视图。

在图15所示的第2变形例中，第1配线110的另一端114和第2 配线120的另一端124被短路，并且具有第2配线120的曲折形状相 对于图4所示的形状在x方向上偏移了一个间距的结构。因此，第2 配线120所包含的配线部分121与图4中的配线部分121为相反方向 地环绕第1磁铁21，第2配线120所包含的配线部分122与图4中的 配线部分122为相反方向地环绕第2磁铁22。还有，与第1变形例不 同，在第1配线110和第2配线120的连接部分没有设置端子。

通过该结构，如果使电流从第1配线110的一端113向第2配线 120的一端123流通，则可以实现图9(a)所示的动作。相反地，如 果使电流从第2配线120的一端123向第1配线110的一端113流通， 则可以实现图9(b)所示的动作。根据第2变形例，虽然不能使磁铁 结构体20和电路基板100的z方向上的间隙变化，但是能够进一步削 减端子数量。尽管未在图中示出，但是对第3和第4配线130、140也 可以进行同样的变形。

图16是示出第3变形例的第5配线150的结构的俯视图。

在图16所示的第3变形例中，第5配线150被中途切断，并且被 分成覆盖第1和第3区域31、33的第1部分150A、以及覆盖第2和 第4区域32、34的第2部分150B。由此，在第1部分150A和第2部 分150B，可以个别地流过电流。

于是，如图1所示，当使电流从第1部分150A的一端154向另一 端156流通，并且使电流从第2部分150B的另一端155向一端157流 通时，如图17(a)所示，相对于磁铁结构体20的第1和第3区域31、 33，向右方向的洛伦兹力进行作用，相对于磁铁结构体20的第2和第 4区域32、34，向左方向的洛伦兹力进行作用。因此，可以以沿z方 向延伸的轴AZ为中心，使磁铁结构体20和电路基板100相对地在一 个方向上旋转。

另一方面，当使电流从第1部分150A的另一端156向一端154流 通，并且使电流从第2部分150B的一端157向另一端155流通时，如 图17(b)所示，相对于磁铁结构体20的第1和第3区域31、33，向 左方向的洛伦兹力进行作用，相对于磁铁结构体20的第2和第4区域32、34，向右方向的洛伦兹力进行作用。因此，可以以沿z方向延伸 的轴AZ为中心，使磁铁结构体20和电路基板100相对地在相反方向 上旋转。

这样，根据第3变形例，能够以沿z方向延伸的轴AZ为中心，使 磁铁结构体20和电路基板100相对地旋转。当然，如果相对于第1部 分150A和第2部分150B使电流在相同方向流通，则可以使磁铁结构 体20和电路基板100的x方向上的相对的位置关系变化。尽管未在图 中示出，但是对于第6配线160也可以进行同样的变形。

＜第2实施方式＞

图18是示出本发明的第2实施方式的致动器10B的主要部的结构 的大致截面图。

如图18所示，本实施方式的致动器10B的设置于电路基板100上 的配线层具有3层结构。具体地，在电路基板100的第2平面S2形成 有图7所示的第6配线160，在第3平面S3形成有图19所示的第5 配线150，在第4平面S4形成有图20所示的第1～第4配线210、220、230、240。由于其它的基本结构与第1实施方式的致动器10A是同样 的，因此，对相同的部件赋予相同的符号，省略重复的说明。

如图19所示，在本实施方式中，在与第5配线150相同的配线层 上追加有连接配线250。连接配线250设置于不与第5配线150干涉的 中央部分，经由贯通绝缘膜102而设置的通孔导体251、252而与位于 上层的第2和第3配线220、230连接。

图20是示出第1～第4配线210、220、230、240的结构的俯视图。

如图20所示，第1～第4配线210、220、230、240分别设置于覆 盖磁铁结构体20的第1～第4区域31～34的位置。第1～第4配线210、 220、230、240的一端211、221、231、241分别构成端子。另外，第1配线210的另一端212和第4配线240的另一端242被短路，由此， 由能够一笔画的1根配线构成。第2配线220的另一端222和第3配 线230的另一端232经由通孔导体251、连接配线250和通孔导体252 而被短路。

第1配线210以当将电流从一端211向另一端212流通时，电流 在第1磁铁21上右旋(顺时针)地流通，且电流在第2磁铁22上左 旋(逆时针)地流通的方式，覆盖第1区域31并曲折状地形成。第2 配线220以当将电流从一端221向另一端222流通时，电流在第1磁 铁21上右旋(顺时针)地流通，且电流在第2磁铁22上左旋(逆时 针)地流通的方式，覆盖第2区域32并曲折状地形成。第3配线230 以当将电流从一端231向另一端232流通时，电流在第1磁铁21上右 旋(顺时针)地流通，且电流在第2磁铁22上左旋(逆时针)地流通 的方式，覆盖第3区域33并曲折状地形成。第4配线240以当将电流 从一端241向另一端242流通时，电流在第1磁铁21上右旋(顺时针) 地流通，且电流在第2磁铁22上左旋(逆时针)地流通的方式，覆盖第4区域34并曲折状地形成。

于是，由于第1配线210的另一端212和第4配线240的另一端 242被短路，因此，当电流从第1配线210的一端211向另一端212 流通时，电流从第4配线240的另一端242向一端241流通。当这样 流通电流时，如图9(a)和10(a)所示，对于第1区域31，吸引力 F1进行作用，对于第4区域34，排斥力F2进行作用。相反地，当电 流从第4配线240的一端241向第1配线210的一端211流通时，如 图9(b)和10(b)所示，对于第1区域31，排斥力F2进行作用，对于第4区域34，吸引力F1进行作用。

此外，由于第2配线220的另一端222和第3配线230的另一端 232被短路，因此，当电流从第2配线220的一端221向另一端222 流通时，电流从第3配线230的另一端232向一端231流通。当这样 流通电流时，如图9(b)和10(a)所示，对于第2区域32，吸引力 F1进行作用，对于第3区域33，排斥力F2进行作用。相反地，当电 流从第3配线230的一端231向第2配线220的一端221流通时，如 图9(a)和10(b)所示，对于第2区域32，排斥力F2进行作用，对于第3区域33，吸引力F1进行作用。

因此，可以相应于流通于第1～第4配线210、220、230、240的电 流的方向和大小，来自如地进行以沿x方向延伸的轴AX为中心的旋 转、以及以沿y方向延伸的轴AY为中心的旋转。即，可以削减形成 于电路基板100上的配线层的层数，并且可以实现与第1实施方式的 致动器10A相同的旋转动作。

＜第3实施方式＞

图21是示出本发明的第3实施方式的致动器10C的主要部的结构 的大致截面图。

如图21所示，本实施方式的致动器10C的设置于电路基板100上 的配线层具有5层结构。具体地，在作为绝缘膜104的表面的第6平 面S6形成有第7配线170，第7配线170被绝缘膜105覆盖。由于其 它的基本结构与根据第1实施方式的致动器10A是同样的，因此，对相同的部件赋予相同的符号，省略重复的说明。

图22是示出第7配线170的结构的俯视图。

如图22所示，第7配线170具有从图14所示的第1和第2配线 110、120去除了端子115的结构。因此，在第7配线170流通的电流 的方向为2种类型：从一端171向另一端172的方向、和从另一端172 向一端171的方向。于是，当使电流从第7配线170的一端171向另 一端172流通时，对于第1～第4区域31～34的全部，吸引力F1进行 作用，当使电流从第7配线170的另一端172向一端171流通时，对 于第1～第4区域31～34的全部，排斥力F2进行作用。

因此，可以根据在第7配线170流通的电流的方向和大小来使磁 铁结构体20和电路基板100的z方向上的间隙变化。这样，在本实施 方式中，由于另外具备用于在z方向上驱动的第7配线170，因此，对 于第1～第4配线110、120、130、140，只进行以x轴和y轴为中心的旋转(倾斜)的控制就足够了。即，由于可以通过分别的电流来实现 以x轴和y轴为中心的旋转控制和间隙的控制，因此控制变得更容易。

＜第4实施方式＞

图23是示出本发明的第4实施方式的致动器10D的主要部的结构 的大致截面图。

如图23所示，本实施方式的致动器10D的设置于电路基板100上 的配线层具有6层结构。具体地，在作为绝缘膜105的表面的第7平 面S7形成有第8配线180，第8配线180被绝缘膜106覆盖。由于其 它的基本结构与根据第3实施方式的致动器10C是同样的，因此，对相同的部件赋予相同的符号，省略重复的说明。

图24是示出第8配线180的结构的俯视图。

如图24所示，第8配线180具有与图6所示的第5配线150类似 的结构，但是具有覆盖第2和第4区域32、34的部分的曲折形状相对 于图6所示的形状在x方向上偏移了一个间距的结构。因此，当电流 从第8配线180的一端181向另一端182流通时，在覆盖第1和第3 区域31、33的部分，电流在第1磁铁21上向下方向(-y方向)流通， 电流在第2磁铁22上向上方向(+y方向)流通，于是，在覆盖第2 和第4区域32、34的部分，电流在第1磁铁21上向上方向(+y方向) 流通，电流在第2磁铁22上向下方向(-y方向)流通。

因此，根据流通于第8配线180的电流的方向和大小，可以以沿z 方向延伸的轴AZ为中心，使磁铁结构体20和电路基板100相对地旋 转。这样，在本实施方式中，由于另外具备用于以轴AZ为中心旋转的 第8配线180，因此，对于第5或第6配线150、160，只进行沿XY平面的驱动控制就足够了。即，由于可以通过分别的电流来实现以z 轴为中心的旋转控制和二维的动作控制，因此控制变得更加容易。

还有，对于第8配线180的结构不限于图24所示的结构，也可以 采用与图16所示的第5配线150同样的结构。

＜第5实施方式＞

图25是示出本发明的第5实施方式的致动器10E的主要部的结构 的大致截面图。

如图25所示，在本实施方式的致动器10E中，设置于电路基板100 上的配线层具有2层结构，并且图2所示的第1～第4配线110、120、 130、140以及绝缘膜103、104被削除。由于其它的基本结构与第1 实施方式的致动器10A是同样的，因此，对相同的部件赋予相同的符号，省略重复的说明。

在本实施方式中，第5配线150具有图16所示的结构，第6配线 160具有图7所示的结构。由此，本实施方式的致动器10E能够进行二 维的动作和以轴AZ为中心的旋转动作。如本实施方式所例示的那样， 在本发明中，用于进行以x轴或y轴为中心的旋转动作的结构不是必 须的。

＜第6实施方式＞

图26是示出致动器10的使用例的示意图。这里，致动器10是指 本发明的致动器，可以为上述的实施方式的致动器10A～10E中的任一 个。

在图26所示的使用例中，图像传感器310被固定于构成致动器10 的磁铁结构体20。对于电路基板100，被固定于壳体等的支撑体B， 并且在电路基板100与磁铁结构体20之间形成有间隙G。磁铁结构体 20和图像传感器310相对于支撑体B柔性地支撑。

在图像传感器310的上方配置有光学透镜320。光学透镜320起到 将从外部入射的光L聚光于形成于图像传感器310的表面310a的光电 转换元件的作用。于是，在检测到基于图像传感器310的输出信号或 未在图中示出的加速度传感器的输出信号的抖动的发生的情况下，如 果将用于抵消它们的电流供给于电路基板100，则能够通过使图像传感 器310的位置或角度变化来消除抖动的影响。

这里，如果抖动具有以x轴或y轴为中心的倾斜分量，则例如通 过在第1～第4配线110、120、130、140流通规定的电流，以x轴或y 轴为中心将图像传感器310倾斜，从而可以消除该分量的影响。另外， 如果抖动具有以z轴为中心的旋转分量，则例如通过在第8配线180流通规定的电流，使图像传感器310以z轴为中心旋转，从而可以消 除该分量的影响。此外，如果抖动具有沿xy平面的偏移分量，则例如 在第5和第6配线150、160流通规定的电流，而沿x方向和y轴方向 二维地驱动图像传感器310，从而可以消除该分量的影响。

另外，通过例如在第7配线170流通规定的电流，使间隙G的大 小变化，从而可以进行自动聚焦动作。

这样，如果将致动器10固定于图像传感器310，则能够与光L的 光路不干涉，且在任意的方向和角度驱动图像传感器310。还有，与图26所示的例子相反地，也可以将磁铁结构体20固定于支撑体B，将电 路基板100固定于图像传感器310。

以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明不限 于上述的实施方式，可以在不脱离本发明的宗旨的范围内进行各种变 更，不用说，它们也被包含于本发明的范围内。

例如，在上述实施方式中，将各配线的一部分分配于第1和第2 磁铁21、22的全部，但是在本发明中该结构不是必需的。

符号的说明

10、10A～10E 致动器

20 磁铁结构体

20a 块(Bulk)状的磁铁

21 第1磁铁

22 第2磁铁

21a、22a 块(Block)

23 支撑基板

24 激光束

31 第1区域

32 第2区域

33 第3区域

34 第4区域

100 电路基板

101～106 绝缘膜

110、210 第1配线

120、220 第2配线

130、230 第3配线

140、240 第4配线

150 第5配线

160 第6配线

170 第7配线

180 第8配线

111、112、121、122、131、132、141、142、151、152、161、162 配线部分

113、123、133、143、154、156、164、171、181、211、221、231、 241 一端

114、124、134、144、155、157、165、172、182、212、222、232、 242 另一端

115 端子

150A 第1部分

150B 第2部分

153 连接部分

163 连接部分

250 连接配线

251、252 通孔导体

310 图像传感器

310a 图像传感器的表面

320 光学透镜

B 支撑体

F1 吸引力

F2 排斥力

F3～F6 洛伦兹力

G 间隙

I1～I6 电流

L 光

Lx、Ly 排列部分

S1～S7 平面

SL 狭缝。

Claims (20)

1.一种致动器，其特征在于，

具备：

磁铁结构体，其包含磁极面为N极的多个第1磁铁和磁极面为S极的多个第2磁铁；以及

电路基板，其包含第1和第2配线，经由间隙而与所述第1和第2磁铁的磁极面相对，

所述磁铁结构体包含第1和第2区域，

当从所述第1配线的一端向另一端流通电流时，以电流在位于所述第1区域的所述第1磁铁上沿一个方向至少部分地环绕，并且电流在位于所述第1区域的所述第2磁铁上沿相反方向至少部分地环绕的方式构成，

当从所述第2配线的一端向另一端流通电流时，以电流在位于所述第2区域的所述第1磁铁上沿所述相反方向至少部分地环绕，并且电流在位于所述第2区域的所述第2磁铁上沿所述一个方向至少部分地环绕的方式构成。

2.根据权利要求1所述的致动器，其特征在于，

所述磁铁结构体具有在沿第1方向和与所述第1方向正交的第2方向延伸的第1平面，所述多个第1磁铁的磁极面和所述多个第2磁铁的磁极面沿所述第1和第2方向交替地排列而成的结构。

3.根据权利要求2所述的致动器，其特征在于，

所述第1区域和所述第2区域排列于所述第2方向，通过从所述第1配线的所述一端向所述另一端流通电流，并且从所述第2配线的所述一端向所述另一端流通电流，从而能够以所述第1方向为轴使所述磁铁结构体和所述电路基板相对地倾斜。

4.根据权利要求3所述的致动器，其特征在于，

通过从所述第1配线的所述一端向所述另一端流通电流，并且从所述第2配线的所述另一端向所述一端流通电流，从而能够使所述间隙的距离变化。

5.根据权利要求3所述的致动器，其特征在于，

所述电路基板还包含第3和第4配线，

所述磁铁结构体包含排列于所述第2方向的第3和第4区域，

所述第1和第3区域排列于所述第1方向，

所述第2和第4区域排列于所述第1方向，

当从所述第3配线的一端向另一端流通电流时，以电流在位于所述第1和第2区域的所述第1磁铁上沿一个方向至少部分地环绕，并且电流在位于所述第1和第2区域的所述第2磁铁上沿相反方向至少部分地环绕的方式构成，

当从所述第4配线的一端向另一端流通电流时，以电流在位于所述第3和第4区域的所述第1磁铁上沿所述相反方向至少部分地环绕，并且电流在位于所述第3和第4区域的所述第2磁铁上沿所述一个方向至少部分地环绕的方式构成。

6.根据权利要求5所述的致动器，其特征在于，

所述第1和第2配线设置于平行于所述第1平面的第2平面，

所述第3和第4配线设置于平行于所述第1平面并且与所述第2平面不同的第3平面。

7.根据权利要求5所述的致动器，其特征在于，

所述第1至第4配线设置于平行于所述第1平面的第3平面。

8.根据权利要求2所述的致动器，其特征在于，

所述电路基板还包含第3和第4配线，

所述磁铁结构体包含所述第1磁铁和所述第2磁铁沿所述第1方向交替地排列的第1排列部分、以及所述第1磁铁和所述第2磁铁沿所述第2方向交替地排列的第2排列部分，

所述第3配线沿所述第2方向横切包含于所述第1排列部分的所述第1和第2磁铁的至少一部分，

所述第4配线沿所述第1方向横切包含于所述第2排列部分的所述第1和第2磁铁的至少一部分。

9.根据权利要求8所述的致动器，其特征在于，

所述第3配线包含沿所述第2方向横切所述第1磁铁的第1配线部分、以及沿所述第2方向横切所述第2磁铁的第2配线部分，

所述第4配线包含沿所述第1方向横切所述第1磁铁的第3配线部分、以及沿所述第1方向横切所述第2磁铁的第4配线部分，

以在所述第1配线部分和所述第2配线部分，流通相互相反方向的电流的方式构成，

以在所述第3配线部分和所述第4配线部分，流通相互相反方向的电流的方式构成。

10.根据权利要求9所述的致动器，其特征在于，

所述第3配线设置于平行于所述第1平面的第4平面，

所述第4配线设置于平行于所述第1平面并且与所述第4平面不同的第5平面。

11.根据权利要求8所述的致动器，其特征在于，

所述磁铁结构体包含排列于所述第2方向的第3和第4区域，

所述第1和第3区域排列于所述第1方向，

所述第2和第4区域排列于所述第1方向，

所述第3配线包含覆盖所述第1和第3区域的第1部分、以及覆盖所述第2和第4区域的第2部分，

所述第1部分和所述第2部分以个别地流通电流的方式构成。

12.根据权利要求2所述的致动器，其特征在于，

所述磁铁结构体包含排列于所述第2方向的第3和第4区域，

所述第1和第3区域排列于所述第1方向，

所述第2和第4区域排列于所述第1方向，

所述电路基板还包含第3配线，

所述第3配线还包含在位于所述第1至第4区域的所述第1磁铁上至少部分地环绕的第1配线部分、以及在位于所述第1至第4区域的所述第2磁铁上至少部分地环绕的第2配线部分，

以在所述第1配线部分和所述第2配线部分，流通向相互相反方向环绕的电流的方式构成。

13.根据权利要求2所述的致动器，其特征在于，

所述磁铁结构体包含排列于所述第2方向的第3和第4区域，

所述第1和第3区域排列于所述第1方向，

所述第2和第4区域排列于所述第1方向，

所述电路基板还包含第3配线，

所述第3配线包含沿所述第2方向横切所述第1磁铁的第1配线部分、以及沿所述第2方向横切所述第2磁铁的第2配线部分，

在覆盖所述第1和第3区域的部分上，以在所述第1配线部分和所述第2配线部分流通相互相反方向的电流的方式构成，

在覆盖所述第2和第4区域的部分上，以在所述第1配线部分和所述第2配线部分流通相互相反方向的电流的方式构成，

在所述第1配线部分中覆盖所述第1和第3区域的部分以及覆盖所述第2和第4区域的部分，以能够向相互相反方向流通电流的方式构成，

在所述第2配线部分中覆盖所述第1和第3区域的部分以及覆盖所述第2和第4区域的部分，以能够向相互相反方向流通电流的方式构成。

14.根据权利要求2所述的致动器，其特征在于，

所述电路基板还包含第3和第4配线，

所述第1区域包含所述第1磁铁和所述第2磁铁沿所述第1方向交替地排列而成的第1排列部分，

所述第2区域包含所述第1磁铁和所述第2磁铁沿所述第1方向交替地排列而成的第2排列部分，

所述第1区域和所述第2区域沿所述第2方向排列，

所述第3配线包含沿所述第2方向横切所述第1磁铁的第1配线部分、以及沿所述第2方向横切所述第2磁铁的第2配线部分，

所述第4配线包含沿所述第2方向横切所述第1磁铁的第3配线部分、以及沿所述第2方向横切所述第2磁铁的第4配线部分，

以在所述第1配线部分和所述第2配线部分，流通相互相反方向的电流的方式构成，

以在所述第3配线部分和所述第4配线部分，流通相互相反方向的电流的方式构成，

以在所述第1配线部分和所述第3配线部分，能够流通相互相反方向的电流，并且在所述第2配线部分和所述第4配线部分，能够流通相互相反方向的电流的方式构成。

15.根据权利要求14所述的致动器，其特征在于，

所述第1和第2配线部分以及所述第3和第4配线部分以个别地流通电流的方式相互分离。

16.根据权利要求14所述的致动器，其特征在于，

以在所述第1配线部分和所述第3配线部分，能够流通相互相同方向的电流，并且在所述第2配线部分和所述第4配线部分，能够流通相互相同方向的电流的方式构成。

17.根据权利要求2所述的致动器，其特征在于，

所述第1和第2方向上的所述多个第1及第2磁铁各自的大小为1mm以下。

18.根据权利要求2所述的致动器，其特征在于，

与所述第1和第2方向正交的第3方向上的所述磁铁结构体的厚度为1mm以下。

19.根据权利要求1所述的致动器，其特征在于，

还具备支撑所述磁铁结构体的支撑基板，

所述支撑基板的热扩散率比所述磁铁结构体的热扩散率低。

20.根据权利要求1～19中任一项所述的致动器，其特征在于，

在所述电路基板和所述磁铁结构体的任一方，固定有图像传感器。

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