CN110957985A - 一种低电阻圆柱晶振的加工方法 - Google Patents

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何龙
施小罗
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    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
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Abstract

本发明公开了一种低电阻圆柱晶振的加工方法,所述低电阻圆柱晶振的加工方法包括如下步骤:切割;镀银,将制造出的石英晶棒表面镀一层纯银,镀银厚度为10nm到20nm;一次点胶;二次点胶;测试;封焊;密封性检查,检查封焊后的产品是否有漏气现象;打标,通过激光在圆柱晶振外表面打上标记;质量检测。该种低电阻圆柱晶振的加工方法操作简单,通过将异向导电胶与晶振银胶通过二次加工进行复合的工序,提高引脚与石英晶棒的连接处的连接稳定,同时极大的提高了圆柱晶振的基本输出频率偏差,提高圆柱晶振的使用性能,提高圆柱晶振的生产效率,同时极大的降低成品的电阻,提高圆柱晶振的合格率,具有良好的市场价值,适合推广使用。

Description

一种低电阻圆柱晶振的加工方法
技术领域
本发明涉及一种圆柱晶振的加工方法,具体为一种低电阻圆柱晶振的加工方法,属于压电晶体元件应用技术领域。
背景技术
圆柱晶振是指石英晶片外型类似音叉的晶振,应用领域包括钟表及表芯、手机、平板电脑、微型计算机、计算器、家电自动控制和工业自动控制等。目前,我国每年圆柱晶振产量超过40亿个,产量约占全球40%。
在圆柱晶振的加工过程中存在很多的问题,现有圆柱晶振在加工过程中,由于工艺设计自身存在原因导致成品电阻较大,合格率不高,影响使用。因此,针对上述问题提出一种低电阻圆柱晶振的加工方法。
发明内容
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种低电阻圆柱晶振的加工方法。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的,一种低电阻圆柱晶振的加工方法,所述低电阻圆柱晶振的加工方法包括如下步骤:
(1)切割,挑选合格的石英晶片,将挑选合格的石英晶体原材料进行切割处理,将切割后的石英片进行定角研磨,将石英片切割研磨成石英晶棒;
(2)镀银,将步骤(1)中制造出的石英晶棒表面镀一层纯银,镀银厚度为10nm到20nm;
(3)一次点胶,将晶振银胶点在基座上面,通过晶振银胶将引脚与石英晶棒进行固定;
(4)二次点胶,将异向导电胶复合在步骤(3)中的晶振银胶的表面,完成二次点胶过程;
(5)测试,通过专用的测试设备将步骤(4)中的圆柱晶振进行输出频率测量,同时在测试的时候再次补银做微调,便于提高圆柱晶振的工作精度;
(6)封焊,将步骤(5)中的圆柱晶振充满氮气进行密封;
(7)密封性检查,检查封焊后的产品是否有漏气现象;
(8)打标,通过激光在圆柱晶振外表面打上标记;
(9)质量检测,将步骤(8)中的打标后的圆柱晶振进行电性能指标侧视,挑选出不合格的圆柱晶振,保障圆柱晶振的生产质量。
优选的,所述步骤(1)中采用质量较好、硬度较高的石英晶片。
优选的,所述步骤(1)中石英晶棒表面光滑无毛刺。
优选的,所述步骤(1)中的石英晶棒表面需要清洗、烘干工序。
优选的,所述步骤(2)中的银均匀分布的在石英晶棒表面。
优选的,所述步骤(4)中的异向导电胶完全复合在晶振银胶表面。
优选的,所述步骤(7)中的漏气现象检测方式分为粗检漏和细检漏。
本发明的有益效果是:该种低电阻圆柱晶振的加工方法操作简单,通过将异向导电胶与晶振银胶通过二次加工进行复合的工序,提高引脚与石英晶棒的连接处的连接稳定,同时极大的提高了圆柱晶振的基本输出频率偏差,提高圆柱晶振的使用性能,提高圆柱晶振的生产效率,同时极大的降低成品的电阻,提高圆柱晶振的合格率,具有良好的市场价值,适合推广使用。
附图说明
图1为本发明的方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一:
一种低电阻圆柱晶振的加工方法,所述低电阻圆柱晶振的加工方法包括如下步骤:
(1)切割,挑选合格的石英晶片,将挑选合格的石英晶体原材料进行切割处理,将切割后的石英片进行定角研磨,将石英片切割研磨成石英晶棒;
(2)镀银,将步骤(1)中制造出的石英晶棒表面镀一层纯银,镀银厚度为10nm到15nm;
(3)一次点胶,将晶振银胶点在基座上面,通过晶振银胶将引脚与石英晶棒进行固定;
(4)二次点胶,将异向导电胶复合在步骤(3)中的晶振银胶的表面,完成二次点胶过程;
(5)测试,通过专用的测试设备将步骤(4)中的圆柱晶振进行输出频率测量,同时在测试的时候再次补银做微调,便于提高圆柱晶振的工作精度;
(6)封焊,将步骤(5)中的圆柱晶振充满氮气进行密封;
(7)密封性检查,检查封焊后的产品是否有漏气现象;
(8)打标,通过激光在圆柱晶振外表面打上标记;
(9)质量检测,将步骤(8)中的打标后的圆柱晶振进行电性能指标侧视,挑选出不合格的圆柱晶振,保障圆柱晶振的生产质量。
优选的,所述步骤(1)中采用质量较好、硬度较高的石英晶片。
优选的,所述步骤(1)中石英晶棒表面光滑无毛刺。
优选的,所述步骤(1)中的石英晶棒表面需要清洗、烘干工序。
优选的,所述步骤(2)中的银均匀分布的在石英晶棒表面。
优选的,所述步骤(4)中的异向导电胶完全复合在晶振银胶表面。
优选的,所述步骤(7)中的漏气现象检测方式分为粗检漏和细检漏。
本电阻圆柱晶振的加工方法,适合用于较为名贵的晶体元件的制作。
实施例二:
一种低电阻圆柱晶振的加工方法,所述低电阻圆柱晶振的加工方法包括如下步骤:
(1)切割,挑选合格的石英晶片,将挑选合格的石英晶体原材料进行切割处理,将切割后的石英片进行定角研磨,将石英片切割研磨成石英晶棒;
(2)镀银,将步骤(1)中制造出的石英晶棒表面镀一层纯银,镀银厚度为13nm到20nm;
(3)一次点胶,将晶振银胶点在基座上面,通过晶振银胶将引脚与石英晶棒进行固定;
(4)二次点胶,将异向导电胶复合在步骤(3)中的晶振银胶的表面,完成二次点胶过程;
(5)测试,通过专用的测试设备将步骤(4)中的圆柱晶振进行输出频率测量,同时在测试的时候再次补银做微调,便于提高圆柱晶振的工作精度;
(6)封焊,将步骤(5)中的圆柱晶振充满氮气进行密封;
(7)密封性检查,检查封焊后的产品是否有漏气现象;
(8)打标,通过激光在圆柱晶振外表面打上标记;
(9)质量检测,将步骤(8)中的打标后的圆柱晶振进行电性能指标侧视,挑选出不合格的圆柱晶振,保障圆柱晶振的生产质量。
优选的,所述步骤(1)中采用质量较好、硬度较高的石英晶片。
优选的,所述步骤(1)中石英晶棒表面光滑无毛刺。
优选的,所述步骤(1)中的石英晶棒表面需要清洗、烘干工序。
优选的,所述步骤(2)中的银均匀分布的在石英晶棒表面。
优选的,所述步骤(4)中的异向导电胶完全复合在晶振银胶表面。
优选的,所述步骤(7)中的漏气现象检测方式分为粗检漏和细检漏。
本低电阻圆柱晶振的加工方法适合用于大批量的低电阻圆柱晶振品的制作,极大的提高了整个晶体元件的品质。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (7)

1.一种低电阻圆柱晶振的加工方法,其特征在于:所述低电阻圆柱晶振的加工方法包括如下步骤:
(1)切割,挑选合格的石英晶片,将挑选合格的石英晶体原材料进行切割处理,将切割后的石英片进行定角研磨,将石英片切割研磨成石英晶棒;
(2)镀银,将步骤(1)中制造出的石英晶棒表面镀一层纯银,镀银厚度为10nm到20nm;
(3)一次点胶,将晶振银胶点在基座上面,通过晶振银胶将引脚与石英晶棒进行固定;
(4)二次点胶,将异向导电胶复合在步骤(3)中的晶振银胶的表面,完成二次点胶过程;
(5)测试,通过专用的测试设备将步骤(4)中的圆柱晶振进行输出频率测量,同时在测试的时候再次补银做微调,便于提高圆柱晶振的工作精度;
(6)封焊,将步骤(5)中的圆柱晶振充满氮气进行密封;
(7)密封性检查,检查封焊后的产品是否有漏气现象;
(8)打标,通过激光在圆柱晶振外表面打上标记;
(9)质量检测,将步骤(8)中的打标后的圆柱晶振进行电性能指标侧视,挑选出不合格的圆柱晶振,保障圆柱晶振的生产质量。
2.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法,其特征在于:所述步骤(1)中采用质量较好、硬度较高的石英晶片。
3.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法,其特征在于:所述步骤(1)中石英晶棒表面光滑无毛刺。
4.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法,其特征在于:所述步骤(1)中的石英晶棒表面需要清洗、烘干工序。
5.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法,其特征在于:所述步骤(2)中的银均匀分布的在石英晶棒表面。
6.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法,其特征在于:所述步骤(4)中的异向导电胶完全复合在晶振银胶表面。
7.根据权利要求1所述的一种低电阻圆柱晶振的加工方法,其特征在于:所述步骤(7)中的漏气现象检测方式分为粗检漏和细检漏。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102832902A (zh) * 2012-09-21 2012-12-19 成都晶宝时频技术股份有限公司 一种石英晶体谐振器及其加工方法
CN104467723A (zh) * 2014-10-17 2015-03-25 深圳中电熊猫晶体科技有限公司 抗跌落型49s石英晶体谐振器加工中去除银胶气泡方法

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