CN110943097B - 图像传感器封装及相关方法 - Google Patents

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Abstract

一种图像传感器封装，包括盖板玻璃、图像传感器以及集成电路。盖板玻璃具有盖板玻璃底表面，图像传感器接合到该盖板玻璃底表面。集成电路位于盖板玻璃底表面下方，与图像传感器相邻，并且电连接到图像传感器。一种用于封装图像传感器的方法，包括将图像传感器附着到盖板玻璃的盖板玻璃底表面，所述图像传感器的光感测区域面向盖板玻璃底表面。该方法还包括将集成电路附着到盖板玻璃底表面，所述集成电路的顶部IC表面面向盖板玻璃底表面。

Description

图像传感器封装及相关方法
技术领域
背景技术
在诸如独立数码照相机、移动设备、汽车部件和医疗设备之类的消费类设备中的照相机模块通常包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。为了有效地增加设备功能性而不增加尺寸，图像传感器通常与其它集成电路集成或封装为系统级封装(system-in-package)。上述集成电路例如是用于处理和存储由图像传感器捕获的图像的微处理器和/或存储器。
发明内容
在第一方面中，一种图像传感器封装包括盖板玻璃、图像传感器和集成电路。所述盖板玻璃具有盖板玻璃底表面。所述图像传感器接合到所述盖板玻璃底表面。所述集成电路位于所述盖板玻璃底表面的下方，与所述图像传感器相邻，并且电连接到所述图像传感器。
在第二方面中，一种用于封装图像传感器的方法包括将图像传感器附着到盖板玻璃的盖板玻璃底表面，所述图像传感器的光感测区域面向所述盖板玻璃底表面。该方法还包括将集成电路附着到所述盖板玻璃底表面，所述集成电路的顶部IC表面面向所述盖板玻璃底表面。
附图说明
图1描绘包括图像传感器封装的实施例的照相机。
图2是图像传感器封装的截面图，其为图1的图像传感器封装的实施例。
图3和图4是各个图像传感器封装的截面图，其每一个为图2的图像传感器封装的示例。
图5是图像传感器封装的截面图，其为图4的图像传感器封装的示例。
图6是盖板玻璃晶片的示意性透视图，其可被分割以产生图2-5的图像传感器封装的盖板玻璃。
图7是在实施例中的开孔晶片的截面图，其可被分割为图5的图像传感器封装的扇出扩展部。
图8是器件晶片的示意性截面图，其可被分割以产生图2-5的图像传感器封装。
图9是器件晶片的示意性截面图，其为包括图7的开孔晶片的图8的器件晶片的实施例。
图10是器件晶片的示意性截面图，其为包括隔离层的图8的器件晶片的实施例。
图11是示出在实施例中用于封装图像传感器的方法的流程图。
具体实施方式
图1描绘对场景进行成像的照相机190。照相机190包括图像传感器封装100。
图2是图像传感器封装200的截面图，其为图像传感器封装100的实施例。图2的示意性截面平面平行于由正交方向298X和298Z形成的平面，正交方向298X和298Z均正交于方向298Y。图像传感器封装200包括盖板玻璃210、图像传感器230和集成电路240。图像传感器230具有底表面231、顶表面232，并且可包括多个可以在顶表面232上暴露出的接合焊盘234。顶表面232可包括接合焊盘234的表面。图像传感器230还包括面向底表面211的光感测区域236。光感测区域236可以是顶表面232的一部分，并且可包括像素阵列。集成电路240包括底部IC表面241、顶部IC表面242，并且可包括图像信号处理器和半导体存储器(比如DRAM)中的至少一个。
盖板玻璃210包括底表面211，图像传感器230经由粘合层220接合到底表面211。粘合层220例如是紫外线固化粘合剂。集成电路240在底表面211下方，与图像传感器230相邻，并且可以电连接到图像传感器230。粘合层220可以在集成电路240和盖板玻璃210之间延伸，使得粘合层220将集成电路240接合到底表面211。在粘合层220上方，盖板玻璃210具有在例如0.20毫米和0.50毫米之间的厚度218。盖板玻璃210包括选自包括但不限于铝硅酸盐玻璃、无碱玻璃、硼硅酸盐玻璃、石英玻璃及其组合的材料组中的至少一种材料。
盖板玻璃210包括顶表面212，顶表面212可被不透明掩模208部分地覆盖，用于防止杂散光到达图像传感器230。不透明掩模208可包括从包括但不限于光刻胶、钨、钼、丙烯酸单体、环氧单体、氮化钛、碳、不透明染料、不透明颜料及其组合的材料组中选择的至少一种材料。不透明染料和不透明颜料可以分别是黑色染料和黑色颜料。不透明掩模208具有可以是至多3微米(例如在1微米和3微米之间)的厚度208H。
图像传感器封装200可包括一个或多个额外的集成电路249，每一个额外的集成电路249为集成电路240的示例。图像传感器230和集成电路240可集成在同一基板上，或者可具有各自不同的基板，使得例如图像传感器230和集成电路240可以独立地接合到盖板玻璃210。
集成电路240可经由多个接合焊盘234中的一个或多个，电连接到图像传感器230。图像传感器封装200包括，例如将集成电路240电连接到图像传感器230的导电元件244。导电元件244可以是再分布层(RDL)的一部分。RDL的第一部分可以在盖板玻璃210和集成电路240之间，而RDL的第二部分可以在盖板玻璃210和集成电路240之间，如图2中通过导电元件244所示。
图像传感器封装200还可包括隔离层250。图像传感器230和集成电路240中的每一个可以在盖板玻璃210和隔离层250之间。隔离层250可包括从包括但不限于氧化物、焊料掩模材料、碳化硅、二氧化硅、氮化硅、氧化铝、苯并环丁烯(BCB)、电介质、聚酰亚胺、树脂及其组合的材料组中选择的至少一种材料。
隔离层250具有底表面251和顶表面252。图2示出材料体(material-volume)219，其可以是盖板玻璃210的一部分，使得盖板玻璃210在底表面251和顶表面252之间延伸。可选地，材料体219可以是隔离层250的一部分。隔离层250在表面251和252之间的厚度可以在0.70微米和一微米的范围内。
隔离层250包括多个导电通孔254和多个导电通孔255。每个导电通孔254和255延伸穿过隔离层250，并且分别电连接到图像传感器230和集成电路240。当图像传感器封装200包括额外的集成电路249时，图像传感器封装200还可包括附着到额外的集成电路249的导电通孔256。导电通孔254-256中的任何一个可具有与该导电通孔机械地和/或电气地连接的焊球257。
图3是图像传感器封装300的截面图，其为图像传感器封装100的实施例。图像传感器封装300包括盖板玻璃310、图像传感器230和集成电路240。盖板玻璃310是盖板玻璃210的示例。图像传感器封装300可包括一个或多个额外的集成电路249。图像传感器封装300可包括隔离层350，该隔离层350是隔离层250的示例。
盖板玻璃310具有盖板玻璃底表面311，图像传感器230经由作为粘合层220的示例的粘合层320接合到盖板玻璃底表面311。集成电路240在盖板玻璃底表面311下方，与图像传感器230相邻，并且可以电连接到图像传感器230。集成电路240可经由多个接合焊盘234中的一个或多个，电连接到图像传感器230。
盖板玻璃底表面311是非平面的，使得盖板玻璃310包括内表面313和314。盖板玻璃底表面311和内表面313形成第一凹槽313R。盖板玻璃底表面311和内表面314形成第二凹槽314R。第一凹槽313R和第二凹槽314R分别至少部分地包含图像传感器230和集成电路240。第一凹部313R和第二凹部314R中的每一个可以是盖板玻璃底表面311内的盲孔。
图像传感器封装300还可包括隔离层350和导电通孔354、355和356，它们分别是隔离层250和导电通孔254、255和256的示例。图像传感器230和集成电路240中的每一个可以在盖板玻璃310和隔离层350的区域之间。隔离层350包括底表面351和顶表面352。顶表面352可以在凹槽313R和314R之间的盖板玻璃310的区域处，接合到盖板玻璃底表面311。在凹槽314R内，集成电路可以例如通过粘合层321接合到盖板玻璃310，该粘合层321可类似于粘合层320。集成电路240可以通过一个或多个导电通孔354-356、表面351上的再分布层、隔离层350内的再分布层、以及它们的组合，电连接到图像传感器230。
凹部313R和314R被分开最小距离315。相邻的导电通孔255被分开距离358。最小距离315可以超过距离358，使得底表面351可以容纳更多的导电通孔254和255。
图4是图像传感器封装400的截面图，其为图像传感器封装200的示例。图像传感器封装400包括盖板玻璃410、图像传感器230和集成电路240。盖板玻璃410是盖板玻璃210的示例，并且具有底表面411和顶表面412，底表面411和顶表面412中的每一个可以是平面的。图像传感器230可经由粘合层420接合到底表面411，粘合层420类似于粘合层220。
图像传感器封装400可包括一个或多个额外的集成电路249。图像传感器封装400还可包括隔离层450和导电通孔454-456，它们分别是隔离层250和导电通孔254-256的示例。图像传感器封装400包括导电元件444，该导电元件444是导电元件244的示例。
顶表面412可以被不透明掩模408部分地覆盖，该不透明掩模408类似于不透明掩模208。底表面411可以被不透明掩模409部分地覆盖，该不透明掩模409也类似于不透明掩模208。集成电路240可以通过例如粘合层420接合到不透明掩模409和导电元件444中的至少一个。
图5是图像传感器封装500的截面图，其为图像传感器封装400的示例。图像传感器封装500包括盖板玻璃510、图像传感器230和集成电路240。盖板玻璃510是盖板玻璃410的示例，并且具有盖板玻璃底表面511和盖板玻璃顶表面512，盖板玻璃底表面511和盖板玻璃顶表面512中的每一个可以是平面的。图像传感器230可经由粘合层520接合到盖板玻璃底表面511，该粘合层520类似于粘合层220。盖板玻璃顶表面512可以被不透明掩模508部分地覆盖，该不透明掩模508类似于不透明掩模408。盖板玻璃底表面511可被不透明掩模509部分地覆盖，该不透明掩模50也类似于不透明掩模408。
图像传感器封装500可包括一个或多个额外的集成电路249，以及可包括隔离层550。图像传感器封装500还可包括隔离层550和导电通孔554-556，其中分别是隔离层250和导电通孔254-256的示例。图像传感器封装500可包括为导电元件444的示例的导电元件544。集成电路240可以通过例如粘合层520接合到不透明掩模509和导电元件544中的至少一个。
图像传感器封装500包括在图像传感器230与集成电路240之间的扇出扩展部545。扇出扩展部545使得隔离层550能够容纳例如与隔离层450相比更多的导电通孔254和255。扇出扩展部545可包括从包括但不限于例如硅、聚酰亚胺的电介质和绝缘体、用于隔离层550的候选材料以及例如用于盖板玻璃210的候选材料的玻璃的材料组中选择的至少一种材料。
图6是盖板玻璃晶片610的示意性透视图，盖板玻璃晶片610可被分割(singulated)以产生盖板玻璃210、310、410和510中的一个。因此，用于盖板玻璃晶片610的候选材料包括从包括但不限于与盖板玻璃210相关联的材料组中选择的至少一种材料。盖板玻璃晶片610具有底表面611和顶表面612，该底表面611和顶表面612分别对应于盖板玻璃210的相应表面211和212。表面611和612可以均是平面的，并且平行于由图2的方向298X和298Y形成的平面，在下文中称为x-y平面。盖板玻璃晶片610具有可以在100到500毫米之间的直径614，例如300毫米或450毫米。
图7是在平行于x-y平面的平面中的开孔晶片700的截面图。开孔晶片700具有可等于盖板玻璃晶片610的直径614的直径714。盖板玻璃晶片610和开孔晶片700可由相同的材料形成。
开孔晶片700具有顶表面712和与其相对的底表面711，每个表面均可以是平面的并且平行于x-y平面。在图9中包括了用于底表面711的标注和参考数字，而为了清楚地说明，在图7中没有包括用于底表面711的标注和参考数字。在顶表面712和底表面711之间，开孔晶片700包括多个内表面720，所述内表面720形成穿过顶表面712和底表面711的相应多个开孔722。为了清楚地说明，在图7中仅标出了内表面720中的一个和相应的开孔722。
开孔晶片700可以被分割以产生多个扇出扩展部545。因此，扇出扩展部545和开孔晶片700具有相同的候选材料。一个扇出扩展部545对应于例如两个相邻的开孔722之间的开孔晶片700，其中所述相邻可以是在方向298X或298Y上。
图8是器件晶片800在垂直于表面611和612的平面中的示意性截面图。器件晶片800包括附着于底表面611的多个图像传感器230和多个集成电路240。在盖板玻璃晶片610和一个或多个集成电路240之间，器件晶片800可包括不透明层809与至少一个导电元件244之中的至少之一。不透明层809类似于图4的不透明掩模409。导电元件244和不透明层809具有各自的底表面244B和809B。器件晶片800的底表面可包括底表面231、241、244B和809B中的至少一个。
图9是器件晶片900的示意性截面图，其为包括开孔晶片700的器件晶片800的实施例。器件晶片900可通过将开孔晶片700附着到器件晶片800上而产生，使得多个图像传感器230中的每一个至少部分地在开孔晶片700的相应的开孔722内。多个集成电路240中的每一个也可以至少部分地位于开孔晶片700的相应的开孔722内。器件晶片900的底表面可包括底表面231、241、244B、809B和底表面711中的至少一个。
图10是器件晶片1000的示意性截面图，其为包括隔离层1050的器件晶片800的实施例。用于隔离层1050的候选材料与用于隔离层250的候选材料相同。器件晶片1000被分割以产生多个经封装的图像传感器，诸如图像传感器封装200、300、400和500。这种分割产生图像传感器封装200、300、400及500的相应隔离层250、350、250及550。隔离层1050覆盖器件晶片800的暴露的底表面。器件晶片1000还可包括开孔晶片700，如图10所示，在这种情况下，隔离层1050覆盖器件晶片800的暴露的底表面。隔离层1050包括多个穿过其中的开孔，每个开孔可被填充相应的导电通孔1055，其中导电通孔254-256是导电通孔1055的示例。
图11是示出用于封装图像传感器的方法1100的流程图。方法1100包括步骤1110、1115、1120、1125、1130、1140、1150、1160和1170中的至少一个。
步骤1110包括在盖板玻璃的盖板玻璃底表面上形成不透明掩模。步骤1110的示例包括在图4的盖板玻璃底表面411上形成不透明掩模409，以及在图5的盖板玻璃底表面511上形成不透明掩模509。
步骤1115包括在盖板玻璃底表面上形成再分布层。在步骤1115的示例中，在底表面411和511中的一个上形成再分布层，其中再分布层分别包括导电元件444和544。当方法1100包括步骤1110和1115两者时，步骤1115可包括在先前形成在盖板玻璃底表面上的不透明层上形成再分布层。例如，步骤1115可包括在不透明掩模409或不透明掩模509上形成再分布层，其中再分布层分别包括导电元件444和544。
步骤1120包括将图像传感器附着到盖板玻璃底表面，图像传感器的光感测区域面向盖板玻璃底表面。步骤1120的示例包括利用相应的粘合层220、320、420和520将图像传感器230附着到盖板玻璃底表面211、311、411和511(分别为图2-5)中的一个，使得光感测区域236面向前述盖板玻璃底表面。
步骤1120可包括步骤1122，步骤1122包括将图像传感器电连接到再分布层的第一多个顶部RDL迹线。在步骤1122的示例中，导电元件244是再分布层的一部分，并且图像传感器230被电连接到导电元件244。
步骤1125包括将集成电路附着到盖板玻璃底表面，集成电路的顶部IC表面面向盖板玻璃底表面。步骤1125的示例包括利用相应的粘合层220和321将集成电路240附着到盖板玻璃底表面211和311(图2-3)中的一个。步骤1125的第三示例是将集成电路240附着到盖板玻璃底表面411(图4)，其中不透明掩模409与导电元件444之中的至少之一在集成电路240与底表面411之间。步骤1125的第四示例是将集成电路240附着到盖板玻璃底表面511(图5)，其中不透明掩模509与导电元件544之中的至少之一在集成电路240与盖板玻璃底表面511之间。
步骤1125可包括步骤1127，步骤1127包括将集成电路电连接到再分布层的第二多个顶部RDL迹线。在步骤1127的示例中，导电元件244是再分布层的一部分，并且集成电路240被电连接到导电元件244与再分布层的不同导电元件之中的至少之一。
步骤1130包括在(a)图像传感器的与光感测区域相对的底表面、以及(b)集成电路的与顶部IC表面相对的底部IC表面上设置隔离层。在步骤1130中，隔离层包括多个穿过其中的导电通孔，其中每个通孔电连接到图像传感器和集成电路中的一个。步骤1130可包括通过旋涂或化学气相沉积形成隔离层。在步骤1130的示例中，隔离层250分别设置于图像传感器230和集成240的底表面231和241上。
当(a)盖板玻璃是盖板玻璃晶片比如盖板玻璃晶片610、(b)图像传感器是多个图像传感器中的一个、以及(c)集成电路是多个集成电路中的一个时，方法1100可包括步骤1140。步骤1140包括至少部分地通过对于每个图像传感器和多个集成电路中的相应集成电路重复以下步骤来形成器件晶片：(i)将图像传感器附着到盖板玻璃底表面，以及(ii)将集成电路附着到盖板玻璃底表面。在步骤1140的示例中，多个图像传感器230和多个集成电路240被附着到盖板玻璃晶片610的底表面611以产生器件晶片800。
当器件晶片具有器件晶片顶表面、和与器件晶片顶表面相对的器件晶片底表面时，方法1100可包括步骤1150。器件晶片顶表面对应于与盖板玻璃底表面相对的盖板玻璃的顶表面。盖板玻璃和器件晶片分别例如是盖板玻璃晶片610和器件晶片800。
步骤1150包括将开孔晶片附着到器件晶片底表面，使得多个图像传感器中的每一个至少部分地在开孔晶片的多个开孔的相应的开孔内。在步骤1150的示例中，将开孔晶片700附着到器件晶片800的底表面以产生器件晶片1000。
步骤1160包括在开孔晶片的与器件晶片底表面相对的底表面上形成隔离层。隔离层包括穿过其中的多个导电通孔，每个导电通孔电连接到(i)多个图像传感器中的一个、或(ii)多个集成电路中的一个。在步骤1160的示例中，在开孔晶片700的底表面上形成隔离层1050，以产生器件晶片1000。
步骤1170包括对器件晶片进行多个切割，以产生多个图像传感器封装。多个切割中的每一切割可以在器件晶片底表面处进入器件晶片，并且在器件晶片顶表面处离开器件晶片。与反向的切割方向相比，这种切割方向可产生更平坦的器件晶片顶表面，这对于将成像透镜堆叠在器件晶片顶表面是有利的。图10包括多个垂直于顶表面612并与开孔晶片700相交的划片平面1002。在步骤1170的示例中，穿过划片平面1002的多个切割产生以下中的一个：(i)多个图像传感器封装200，(ii)多个图像传感器封装300，(iii)多个图像传感器封装400，及(iv)多个图像传感器封装500。
特征的组合
在不脱离本发明范围的情况下，可以以各种方式组合上述特征以及下面要求保护的特征。以下示例说明一些可能的非限制性组合：
(A1)表示一种图像传感器封装，其包括盖板玻璃、图像传感器和集成电路。盖板玻璃具有盖板玻璃底表面。图像传感器接合到所述盖板玻璃底表面。集成电路位于盖板玻璃底表面下方，与图像传感器相邻，并且电连接到图像传感器。
(A2)由(A1)表示的任何图像传感器封装，可包括隔离层，该隔离层包括多个穿过其中的导电通孔，每个导电通孔电连接到图像传感器和集成电路中的一个，图像传感器和集成电路中的每一个在盖板玻璃和隔离层的区域之间。
(A3)在由(A1)和(A2)中的一个表示的任何图像传感器封装中，盖板玻璃底表面可形成至少部分地包含图像传感器的第一凹槽以及至少部分地包含集成电路的第二凹槽，所述图像传感器至少部分地位于所述第一凹槽中。
(A4)由(A3)表示的任何图像传感器封装，可包括隔离层，覆盖与盖板玻璃相对的图像传感器的底表面以及集成电路的底表面。所述隔离层包括(i)穿过其中的多个导电通孔，以及(ii)在隔离层的与盖板玻璃相对的底侧面上的多个焊盘。每个导电通孔将多个焊盘中的相应一个焊盘电连接到图像传感器和集成电路中的一个。相邻焊垫之间在第一方向上的第一最小距离小于第一凹槽和第二凹槽之间在第一方向上的第二最小距离。
(A5)在由(A4)表示的任何图像传感器封装中，盖板玻璃底表面的位于第一凹槽和第二凹槽之间的区域可以接合到隔离层。
(A6)由(A1)至(A5)中的一个表示的任何图像传感器封装可包括电连接集成电路和图像传感器的再分布层，再分布层的至少部分在集成电路和盖板玻璃之间。
(A7)由(A1)至(A6)中的一个表示的任何图像传感器封装可包括在盖板玻璃底表面和图像传感器的光感测区域之间的粘合层。
(A8)在由(A1)到(A7)中的一个表示的任何图像传感器封装中，图像传感器和集成电路可包括各自不同的基板。
(A9)在由(A1)到(A8)中的一个表示的任何图像传感器封装中，集成电路可包括图像信号处理器和半导体存储器中的一个。
(A10)由(A1)至(A9)中的一个表示的任何图像传感器封装，可以在平行于盖板玻璃底表面并且包括图像传感器和集成电路的平面中，包括在图像传感器和集成电路之间的间隔件。
(A11)在由(A1)到(A10)中的一个表示的任何图像传感器封装中，集成电路可附着到盖板玻璃底表面。
(B1)表示一种用于封装图像传感器的方法，包括将图像传感器附着到盖板玻璃的盖板玻璃底表面，所述图像传感器的光感测区域面向盖板玻璃底表面。该方法还包括将集成电路附着到盖板玻璃底表面，所述集成电路的顶部IC表面面向盖板玻璃底表面。
(B2)由(B1)表示的任何方法可在附着图像传感器和集成电路的步骤之后，包括在(a)图像传感器的与光感测区域相对的底表面上、以及(b)集成电路的与顶部IC表面相对的底部IC表面上设置隔离层。所述隔离层包括穿过其中的多个导电通孔，每个通孔电连接到图像传感器和集成电路中的一个。
(B3)由(B1)和(B2)中的一个表示的任何方法，可在附着图像传感器和集成电路的步骤之前，包括在盖板玻璃底表面上形成再分布层，其中：(a)附着图像传感器的步骤包括将图像传感器电连接到再分布层的第一多个顶部RDL迹线，以及(b)附着集成电路的步骤包括将集成电路电连接到再分布层的第二多个顶部RDL迹线。
(B4)由(B3)表示的任何方法，可在形成再分布层之前，包括在盖板玻璃底表面上形成不透明掩模，其中形成再分布层的步骤包括在不透明掩模上形成再分布层。
(B5)当图像传感器是多个图像传感器中的一个并且集成电路是多个集成电路中的一个时，由(B1)至(B4)中的一个表示的任何方法可包括：至少部分地通过对于每个图像传感器和多个集成电路中的相应集成电路重复以下步骤来形成器件晶片：(i)将图像传感器附着到盖板玻璃底表面，以及(ii)将集成电路附着到盖板玻璃底表面。
(B6)当器件晶片具有具有器件晶片顶表面和器件晶片底表面，所述器件晶片顶表面对应于与所述盖板玻璃底表面相对的所述盖板玻璃的顶表面，所述器件晶片底表面与所述器件晶片顶表面相对时，由(B5)表示的任何方法可包括：将开孔晶片附着至器件晶片底表面，使得多个图像传感器中的每一个图像传感器至少部分地在开孔晶片的多个开孔中的相应开孔之内。
(B7)由(B6)表示的任何方法可包括在开孔晶片的与器件晶片底表面相对的底表面上形成隔离层。所述隔离层包括穿过其中的多个导电通孔，每个导电通孔电连接到(i)多个图像传感器中的一个或(ii)多个集成电路中的一个。
(B8)由(B7)表示的任何方法可包括对器件晶片进行多个切割，以产生多个图像传感器封装。
在不脱离本发明范围的情况下，可以对上述图像传感器封装和相关方法进行改变。因此，应当注意，包含在以上描述中或在附图中示出的内容应当被解释为说明性的而非限制性的。在此，除非另外指出，形容词“示例性”意味着用作示例、例子或说明。下面的权利要求书旨在覆盖本文所述的所有一般和特定特征，以及本图像传感器封装和相关方法的范围的所有陈述，作为语言问题，可以说它们落入其中。

Claims (14)

1.一种图像传感器封装，包括：
盖板玻璃，具有盖板玻璃底表面；
图像传感器，接合到所述盖板玻璃底表面；
集成电路，位于所述盖板玻璃底表面的下方，与所述图像传感器相邻，并且电连接到所述图像传感器；以及
隔离层，(i)所述隔离层包括穿过其中的多个导电通孔，每个导电通孔电连接到所述图像传感器和所述集成电路中的一个，(ii)所述隔离层包括在平行于所述盖板玻璃底表面且包括所述图像传感器和所述集成电路的平面中、在所述图像传感器与所述集成电路之间的第一区域，(iii)所述图像传感器和所述集成电路中的每一个位于所述盖板玻璃和所述隔离层的第二区域之间，所述第二区域是所述平面的除第一区域以外的区域，以及(iv)所述隔离层没有在所述盖板玻璃底表面与所述图像传感器的光感测区域之间延伸的部分。
2.如权利要求1所述的图像传感器封装，所述盖板玻璃底表面形成至少部分地包含所述图像传感器的第一凹槽以及至少部分地包含所述集成电路的第二凹槽。
3.如权利要求2所述的图像传感器封装，
所述隔离层，覆盖与所述盖板玻璃相对的所述图像传感器的底表面和所述集成电路的底表面，并且包括在所述隔离层的与所述盖板玻璃相对的底侧面上的多个焊盘；
每个导电通孔将所述多个焊盘中的相应一个焊盘电连接到所述图像传感器和所述集成电路中的一个；
相邻焊盘之间在第一方向上的第一最小距离小于所述第一凹槽和所述第二凹槽之间在所述第一方向上的第二最小距离。
4.如权利要求3所述的图像传感器封装，所述盖板玻璃底表面的位于所述第一凹槽与所述第二凹槽之间的盖板玻璃区域被直接接合到所述隔离层。
5.如权利要求1所述的图像传感器封装，进一步包括电连接所述集成电路和所述图像传感器的再分布层，所述再分布层的至少部分在所述集成电路和所述盖板玻璃之间。
6.如权利要求1所述的图像传感器封装，进一步包括在所述盖板玻璃底表面与所述图像传感器的所述光感测区域之间的粘合层。
7.如权利要求1所述的图像传感器封装，所述图像传感器及所述集成电路包括各自不同的基板。
8.如权利要求1所述的图像传感器封装，所述集成电路包括图像信号处理器和半导体存储器中的一个。
9.如权利要求1所述的图像传感器封装，进一步包括：在所述平面中，在所述图像传感器与所述集成电路之间的间隔件，间隔件均没有在所述图像传感器与所述盖板玻璃之间，并且间隔件均没有是所述盖板玻璃的一部分。
10.如权利要求1所述的图像传感器封装，所述集成电路附着到所述盖板玻璃底表面。
11.如权利要求4所述的图像传感器封装，所述盖板玻璃底表面的所述区域被直接接合到所述隔离层，使得没有半导体材料直接在所述区域与所述隔离层之间。
12.如权利要求2所述的图像传感器封装，进一步包括：
粘合层，在所述盖板玻璃底表面与所述图像传感器的所述光感测区域之间；
所述隔离层覆盖与所述盖板玻璃相对的所述图像传感器的底表面和所述集成电路的底表面，部分地填充所述第一凹槽和所述第二凹槽，并且没有在所述盖板玻璃底表面与所述图像传感器的所述光感测区域之间延伸。
13.如权利要求12所述的图像传感器封装，
所述粘合层，包括(i)在所述第一凹槽中、在所述盖板玻璃底表面与所述图像传感器的所述光感测区域之间的第一粘合层区域，和(ii)在所述隔离层与所述盖板玻璃之间的第二粘合层区域。
14.如权利要求13所述的图像传感器封装，进一步包括：
第二粘合层，在所述第二凹槽中并且包括(i)在所述盖板玻璃底表面与所述集成电路之间的第三粘合层区域，和(ii)在所述隔离层与所述盖板玻璃之间的第四粘合层区域。
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