CN110943002B - 晶圆、晶圆检测系统与晶圆检测方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种晶圆、晶圆检测系统与晶圆检测方法，所述晶圆检测系统包含发光模块、收光模块以及处理模块。发光模块提供入射光至晶圆。收光模块用以接收晶圆的光线，以产生关联于晶圆的晶圆表面影像。处理模块耦接收光模块，用以判断晶圆表面影像是否对称，据以产生关联于晶圆的合格信号。

Description

晶圆、晶圆检测系统与晶圆检测方法

技术领域

本申请是有关于一种半导体结构、检测方法与检测系统，特别是关于一种晶圆、非接触式的晶圆检测方法与晶圆检测系统。

背景技术

一般来说，微型发光二极管(micro LED)于制作的过程中，需要进行各种测试与检测，以判断微型发光二极管的品质。举例来说，磊晶完成后的检测程序可能包含了利用探针去接触微型发光二极管的电极，接着由探针提供电流以测试微型发光二极管的是否可以正常发光。然而，由于晶圆中的微型发光二极管数量非常多，不论是逐一检查晶圆中的每个微型发光二极管，或抽样检查晶圆中的部分微型发光二极管，都需要耗费相当的时间。此外，因为微型发光二极管的尺寸是微米等级，当用探针接触微型发光二极管的电极时，也很容易造成微型发光二极管意外损坏。

因此，业界需要一种新的检测方法与系统，能够在磊晶晶圆制造成微型发光二极管前，快速地先判断整个晶圆在磊晶过程的质量，从而调整后续微型发光二极管的制程，能够提高后续检测时微型发光二极管的检测效率。

发明内容

有鉴于此，本申请提出一种晶圆检测方法，可以利用晶圆表面的影像直接判断晶圆在磊晶过程的质量，从而可以加快检测晶圆的速度，也可以避免后续检测时的微型发光二极管受到损坏。

本申请提供一种晶圆检测方法，所述晶圆检测方法包含下列步骤。首先，提供入射光至晶圆。接着，产生关联于晶圆的晶圆表面影像。并且，判断晶圆表面影像是否包含对称的多个第一条纹与多个第二条纹。当晶圆表面影像包含对称的所述多个第一条纹与所述多个第二条纹，提供关联于晶圆的合格信号。

于一些实施例中，对称的第一条纹与第二条纹，可以指第一条纹与第二条纹对称于晶圆表面影像的中心。在此，距离晶圆表面影像的中心第一距离可以定义有第一圆周，对称的第一条纹与第二条纹，可以指第一条纹与第二条纹于第一圆周上有规律地排列。此外，第一条纹可以分别自晶圆表面影像的中心延伸至第一圆周。另外，对称的第一条纹与第二条纹，也可以指第一条纹与第二条纹对称于通过晶圆表面影像的中心的直线。并且，晶圆表面影像中的第一条纹，可以指示从晶圆对应位置接收到的第一光线对应第一量测范围，且晶圆表面影像中的第二条纹，可以指示从晶圆对应位置接收到的第二光线对应第二量测范围，第一量测范围与第二量测范围不重叠。例如，第一量测范围和第二量测范围可以是为半高宽，第一量测范围可以小于第二量测范围，第一量测范围与第二量测范围的比值可以小于1且大于等于0.5。

本申请提供了一种晶圆检测系统，可以接收晶圆的光线，并且利用晶圆表面的影像直接判断晶圆在磊晶过程的质量，可以加快检测晶圆的速度，从而调整后续微型发光二极管的制程，能够提高后续检测时微型发光二极管的检测效率。

本申请提供一种晶圆检测系统，包含发光模块、收光模块以及处理模块。发光模块提供入射光至晶圆。收光模块用以接收晶圆的光线，以产生关联于晶圆的晶圆表面影像。处理模块耦接收光模块，用以判断晶圆表面影像是否对称，据以产生关联于晶圆的合格信号。当晶圆表面影像中具有对称的多个第一条纹与多个第二条纹时，则处理模块产生合格信号。

于一些实施例中，第一条纹与第二条纹可以对称于晶圆表面影像的中心，且第一条纹与第二条纹可以分别自晶圆表面影像的中心向外辐射状延伸。此外，对称的第一条纹与第二条纹，也可以指第一条纹与第二条纹对称于通过晶圆表面影像的中心的直线。另外，晶圆表面影像中的第一条纹，可以指示于晶圆对应位置测得的光线对应第一量测范围，且晶圆表面影像中的第二条纹，可以指示于晶圆对应位置测得的光线对应第二量测范围。例如，第一量测范围和第二量测范围可以是为半高宽，第一量测范围可以小于第二量测范围，第一量测范围与第二量测范围的比值可以小于1且大于等于0.5。

本申请提供了一种晶圆，可以应用于本申请的晶圆检测方法，并且利用晶圆表面的影像直接判断晶圆在磊晶过程的质量，可以加快检测晶圆的速度，从而调整后续微型发光二极管的制程，能够提高后续检测时微型发光二极管的检测效率。

本申请提供一种晶圆，适于本申请所述的晶圆检测方法所检测。所述晶圆包含图案化基板以及磊晶结构。磊晶结构配置于图案化基板上。收光模块用以接收晶圆的光线，以产生关联于晶圆的晶圆表面影像。其中经由本申请所述的晶圆检测方法所产生关联于磊晶结构的晶圆表面影像，晶圆表面影像包含对称的多个第一条纹与多个第二条纹。

于一些实施例中，所述多个第一条纹与所述多个第二条纹可以对称于晶圆表面影像的中心。此外，所述多个第一条纹与所述多个第二条纹可以分别自晶圆表面影像的中心向外辐射状延伸。另外，晶圆表面影像可以关联于一种光激发光光谱。

综上所述，本申请提供的晶圆、晶圆检测方法与系统，可以不需要接触晶圆，而是接收晶圆被光激发后的光线。并且，通过检查晶圆表面的影像是否具有对称的图样，判断晶圆在磊晶过程的质量。从而，可以加快检测晶圆的速度，从而调整后续微型发光二极管的制程，能够提高后续检测时微型发光二极管的检测效率。

有关本申请的其它功效及实施例的详细内容，配合附图说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1A是依据本申请一实施例的晶圆检测系统的功能方块图；

图1B是依据本申请一实施例的晶圆的结构示意图；

图2是依据本申请一实施例的晶圆表面影像的示意图；

图3是依据本申请一实施例的晶圆表面影像的示意图；

图4是依据本申请一实施例的晶圆检测方法的步骤流程图。

符号说明

1晶圆检测系统 10发光模块

12收光模块 14处理模块

2晶圆表面影像 20第一条纹

22第二条纹 24圆周

3晶圆表面影像 30第一条纹

32第二条纹 34圆周

36第三条纹 S40～S48步骤流程

A晶圆表面影像的中心 B晶圆表面影像的边缘

W晶圆

具体实施方式

有关本申请的前述及其它技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图的一优选实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本申请。

请参阅图1A与图1B，图1A是绘示依据本申请一实施例的晶圆检测系统的功能方块图，图1B是绘示依据本申请一实施例的晶圆的结构示意图。如图所示，本实施例公开的晶圆检测系统1可以用来检测晶圆16的质量，晶圆检测系统1可以包含发光模块10、收光模块12以及处理模块14。实务上，晶圆16中可以包含图案化基板160和在图案化基板160中的磊晶结构162，且晶圆16可以后续进行分离制程而形成多个微型发光二极管(Micro LED)。在此，图案化基板160的图案尺寸可以是纳米等级，例如2000纳米以内。本实施例不限制晶圆16是否已完成微型发光二极管所有的磊晶制程，例如晶圆16可能是在微型发光二极管磊晶过程中的半成品，或者也有可能是磊晶完成后的成品，只要图案化基板160中已有磊晶结构162即应属本案晶圆16的范畴。此外，收光模块12可以耦接于处理模块14，而发光模块10和收光模块12可以在晶圆16的同一侧，例如可以是朝向晶圆16中磊晶结构162的一侧。以下分别就晶圆检测系统1的组件进行说明。

发光模块10可以将入射光投射到晶圆16晶圆，并且收光模块12可以用来接收晶圆16的光线。在此，发光模块10可以用来发出平行且均匀的入射光，并以射向晶圆16。所述入射光可以用来激发晶圆16中的磊晶结构162，使得磊晶结构162中的电子受激发而升至更高的激发态(excited state)。经过一段时间后，受到激发的电子会因衰变(decay)至较低能量的其他激发态或者回到基态(ground state)，而衰变的电子会将多余能量会以光的形式释出，即发出光激发光(photoluminescence，PL)。实务上，发光模块10提供的入射光中心波长可能和待测的晶圆有关，特别是可能微型发光二极管的磊晶材料有关。例如，要激发不同的晶格常数与能阶宽度的磊晶材料，所需要的入射光中心波长可能不同。于一个例子中，入射光的中心波长可以选择325nm、375nm、405nm或其他适于激发磊晶结构162的波长。于所属技术领域具有通常知识者也可以些许调整前述的入射光中心波长，只要能够使磊晶结构162受激发，并发出光激发荧光，本实施例不限制入射光的中心波长。

以实际的例子来说，发光模块10可以做为一种雷射光源，而收光模块12可以是一种光谱仪(spectrometer)。当晶圆16中的磊晶结构162受到入射光的激发而产生光激发光后，收光模块12可以接收晶圆16的光线，以进行光激发光的量测，并且产生关联于晶圆16的晶圆表面影像。在此，所述晶圆表面影像和晶圆16应有位置上的对应关系，而在晶圆表面影像中呈现的图样，即代表了收光模块12从晶圆16的对应位置可以收到不同特性的光线。此外，为了分析晶圆表面影像，收光模块12也可以耦接于处理模块14，处理模块14可以用以判断晶圆表面影像是否对称，从而可以判断晶圆16的质量是否合格。

为了说明晶圆表面影像的内容，请一并参阅图1A与图2，图2是绘示依据本申请一实施例的晶圆表面影像的示意图。如图所示，收光模块12产生的晶圆表面影像2，可以包含多个第一条纹20(短虚线)与多个第二条纹22(点炼线)。如前所述，晶圆表面影像2和晶圆16可以有位置上的对应关系，例如晶圆表面影像2的中心A可以大致上就是晶圆16的中心。在此，晶圆表面影像2中每个第一条纹20对应到的晶圆16，本实施例以晶圆16中的第一区域称之。而晶圆表面影像2中每个第二条纹22对应到的晶圆16，本实施例以晶圆16中的第二区域称之。

以图2的例子来说，晶圆表面影像2可以有数条延伸于中心A和边缘B之间的第一条纹20，也可以有数条延伸于中心A和边缘B之间的第二条纹22。在此，本实施例不限制第一条纹20与第二条纹22的一端要在中心A，例如中心A也可以是在第一条纹20与第二条纹22的延长线上。同样地，本实施例也不限制第一条纹20与第二条纹22的另一端要在边缘B，例如第一条纹20与第二条纹22也有可能仅向边缘B延伸而不接触到边缘B。实务上，第一条纹20与第二条纹22可以各自具有不同的条纹宽度，例如每条第一条纹20与第二条纹22更像是各自占有一定的面积，或者涵盖了一定的区域。换句话说，晶圆表面影像2标示的短虚线可以看成是第一条纹20的中心线，而短虚线两侧的一定距离内，都有可能被看成是第一条纹20。同样地，晶圆表面影像2标示的点炼线可以看成是第二条纹22的中心线，而点炼线两侧的一定距离内，都有可能被看成是第二条纹22。当然，虽然图2绘示了6条第一条纹20与6条第二条纹22，且相邻的第一条纹20与第二条纹22夹有60度的圆心角，但图2仅用于举例与示范。实际上，本实施例不限制第一条纹20与第二条纹22的数量，并且也不限制相邻的第一条纹20与第二条纹22之间夹的角度。

于一个例子中，靠近中心A的第一条纹20与第二条纹22可能条纹的宽度较窄，而靠近边缘B的第一条纹20与第二条纹22可能条纹的较宽。也就是说，晶圆表面影像2中的第一条纹20与第二条纹22有可能接近扇形。此外，于所属技术领域具有通常知识者应也可以理解，由于晶圆表面影像2是收光模块12量测出来的结果，不能排除因各种量测条件造成的误差导致晶圆表面影像2有不够清晰的可能性。以第一条纹20为例，多条第一条纹20在晶圆表面影像2中可能有不同的清晰度。例如，有可能其中一条第一条纹20十分清晰且边界十分明显，而另一条第一条纹20的相对位置上，有较为模糊或甚至有些部分不连续的图样。此时，只要能够看出晶圆表面影像2中模糊或不连续的图样具有中心线，皆应解释为本实施例的第一条纹20。同样地，在第二条纹22的相对位置上，有较为模糊或甚至有些部分不连续的图样，只要能够看出晶圆表面影像2中模糊或不连续的图样具有中心线，皆应解释为本实施例的第二条纹22。

于一个例子中，晶圆表面影像2中的多个第一条纹20，可以用来指示收光模块12在晶圆16的第一区域中，接收到的光线对应第一量测范围。并且，晶圆表面影像2中的多个第二条纹22，可以用来指示收光模块12在晶圆16的第二区域中，接收到的光线对应第二量测范围。实务上，由于收光模块12是用来接收晶圆16中各个位置的光激发光，因此晶圆表面影像2能看出多个第一条纹20与多个第二条纹22，表示晶圆16分别在第一区域和第二区域所发出的光激发光，在光学特性上的量测数值范围上应有一些差异，例如是发光强度、波长分布或是波长半高宽。

举例来说，由于晶圆16磊晶的过程中，在材料与结构都相同的情况下，磊晶结构162发出的光激发光可能具有相同的中心波长。但是在实际的情况中，由于晶圆16是纳米级的图案化基板160和配置于上的磊晶结构162所形成，因为纳米级的图案化基板160可能使磊晶结构162各磊晶区域有细微的差异。并且，磊晶过程中有可能发生图案化基板160翘曲，使在磊晶过程中会产生磊晶均匀性有落差，或者在晶圆检测时，入射光于图案化基板160的图案中产生光干涉，因此，对晶圆16实施了本申请的晶圆检测方法检测后，晶圆16的第一区域和第二区域中，光激发光的半高宽可能不相同。当量测范围用来指示半高宽时，第一量测范围小于第二量测范围，且第一量测范围与第二量测范围的比值小于1且大于等于0.5。此种晶圆16具有不同量测范围但对称的区域，而于后续制成的微型发光二极管会具有合格质量而不会有太大的均匀落差。假设光激发光的中心波长是420nm，晶圆表面影像2中的第一条纹20可以表示在晶圆16的第一区域中，光激发光的半高宽在17nm～18nm(第一量测范围)之间，而晶圆影像2中的第二条纹22意味着在晶圆16的第二区域中，光激发光的半高宽在19nm～20nm(第二量测范围)之间。由此可知，本实施例第一条纹20和第二条纹22分别代表了第一量测范围和第二量测范围对应到的晶圆16不同的区域(第一区域和第二区域)。在此，第一量测范围和第二量测范围应是不相同，且第一量测范围和第二量测范围不互相重叠。

此外，于所属技术领域具有通常知识者应可明白半高宽的定义，例如当光激发光的中心波长是420nm且半高宽为18nm，表示波长在402nm和438nm之外的光激发光，强度不足波长为420nm的光激发光的一半。于另一个例子中，第一量测范围和第二量测范围除了用于表示半高宽之外，也有可能表示光激发光的中心波长不相同或是不同强度分布，即晶圆16的第一区域和第二区域有可能发出不同量测范围的光激发光，本实施例在此不加以限制。

请继续参阅图1A和图2，当处理模块14收到晶圆表面影像2后，便需要判断晶圆表面影像2是否对称。于一个例子中，晶圆表面影像2中的多个第一条纹20与多个第二条纹22如果对称于中心A，处理模块14便可以判断晶圆表面影像2为对称。此时，多个第一条纹20与多个第二条纹22大致上可以看成是一种点对称的图样。举例来说，如果每个第一条纹20都是从中心A延伸而出，而相邻两个第一条纹20中心线之间的夹角固定，且多个第一条纹20的宽度大致上相等时，则可以称多个第一条纹20对称。所述判断方式也可以适用于多个第二条纹22，本实施例在此不予赘述。当处理模块14判断多个第一条纹20与多个第二条纹22各自对称之后，则可以大致上判断晶圆表面影像2为对称。

实务上，处理模块14在判断晶圆表面影像2是否对称时，还可以在距离晶圆表面影像2的中心A一个预设半径(第一距离)的地方，画出一个虚拟的圆周(第一圆周)24(长虚线)，假设在圆周24上，可以看到多个第一条纹20与多个第二条纹22有规律地排列，则处理模块14可以判断晶圆表面影像2对称。举例来说，假设圆周24上，相邻的两个第一条纹20之间夹有一个第二条纹22，而多个第一条纹20与多个第二条纹22是间隔地排列，则处理模块14可以判断晶圆表面影像2对称。或者，假设圆周24上，不仅多个第一条纹20与多个第二条纹22间隔地排列，且第二条纹22与相邻的第一条纹20之间等间隔，则处理模块14可以判断晶圆表面影像2对称。又或者，假设圆周24上，每个第一条纹20占有圆周24上相近的弧长，且多个第一条纹20与多个第二条纹22间隔地排列，则处理模块14可以判断晶圆表面影像2对称。又或者，在圆周24内，不仅多个第一条纹20与多个第二条纹22间隔地排列，且每个第一条纹20都是从中心A延伸而出，则处理模块14可以判断晶圆表面影像2对称。

于另一个例子中，多个第一条纹20与多个第二条纹22除了是一种点对称的图样之外，也可以是一种线对称。以图2绘示的例子来说，假设以其中一条穿过中心A的直线为轴线，而多个第一条纹20与多个第二条纹22相对于所述轴线是对称，则处理模块14也可以判断晶圆表面影像2对称。于所属领域具有通常知识者应可以明白，处理模块14判断晶圆表面影像2是否对称的方式很多，只要在晶圆表面影像2中，多个第一条纹20与多个第二条纹22构成的图样至少有局部的重复性与周期性，即应能表示晶圆表面影像2为对称。实务上，当处理模块14判断晶圆表面影像2为对称，处理模块14便可以产生关联于晶圆16的合格信号，即晶圆检测系统1可以快速地将晶圆16标示为合格。反之，当处理模块14判断晶圆表面影像2为非对称，处理模块14则不会产生关联于晶圆16的合格信号。此时，晶圆检测系统1除了可以将晶圆16直接标示为不合格，也可能不需要直接给出合格与否的结论。于一个例子中，当处理模块14判断晶圆表面影像2为非对称，处理模块14可以将晶圆16标示为待再次检测，而随后可以再用其他的检测手段来评估晶圆16的质量。

值得一提的是，虽然图2仅绘示了晶圆表面影像2，包含多个第一条纹20(短虚线)与多个第二条纹22(点炼线)，但本实施例并不限制晶圆表面影像2中只有两种条纹。请参阅图1A与图3，图3是绘示依据本申请另一实施例的晶圆表面影像的示意图。与前一实施例相同的是，收光模块12产生的晶圆表面影像3，除了同样可以有多个第一条纹30(短虚线)与多个第二条纹32(点炼线)之外，晶圆表面影像3中的第一条纹30与第二条纹32也可以有数条延伸于中心A和边缘B之间，并且第一条纹30与第二条纹32可以分别自晶圆表面影像3的中心A向外辐射状延伸。与前一实施例不同的是，晶圆表面影像3还可以包含多个第三条纹36(点线)，相邻的两个第三条纹36之间可以有一个第一条纹30。

当用颜色来区别第一条纹30、第二条纹32与第三条纹36时，假设第一条纹30、第二条纹32与第三条纹36的颜色分别对应到红色、蓝色、绿色，此时在距离晶圆表面影像3的中心A一个预设半径(第一距离)的地方，画出一个虚拟的圆周(第一圆周)34(长虚线)，则在圆周34上可以看到蓝色(第二条纹32)、绿色(第三条纹36)、红色(第一条纹30)、绿色(第三条纹36)再到蓝色(第二条纹32)的规律。于一个例子中，处理模块14也可以通过晶圆表面影像3上的颜色分布，判断晶圆表面影像3是否对称。

为了说明本申请的晶圆检测方法，请一并参阅图1A至图4，图4是绘示依据本申请一实施例的晶圆检测方法的步骤流程图。如图所示，于步骤S40中，发光模块10可以投射入射光至晶圆16晶圆。于步骤S42中，收光模块12可以产生关联于晶圆16的晶圆表面影像2。于步骤S44中，处理模块14可以判断晶圆表面影像2是否包含对称的多个第一条纹20与多个第二条纹22。当处理模块14判断晶圆表面影像2包含对称的多个第一条纹20与多个第二条纹22，则于步骤S46中，处理模块14会再提供关联于晶圆16的合格信号。反之，当处理模块14判断晶圆表面影像2没有包含对称的多个第一条纹20与多个第二条纹22，则于步骤S48中，处理模块14不会提供关联于晶圆16的合格信号。由于本实施例所述的晶圆检测方法已描述于前述晶圆检测系统的实施例，本实施例在此不予赘述。

综上所述，本申请提供的晶圆、晶圆检测方法与系统，可以不需要接触晶圆，而是通过收光模块取得晶圆表面影像。经过多次实验与验证可知，若是晶圆表面影像具有对称的图样，大致上意味着晶圆在磊晶过程具有良好的质量。因此，本申请提供的晶圆检测方法与系统可以直接利用晶圆表面影像筛选合格的晶圆，从而可以加快检测晶圆的速度，从而调整后续微型发光二极管的制程，能够提高后续检测时微型发光二极管的检测效率。

以上所述的实施例及/或实施方式，仅是用以说明实现本申请技术的较佳实施例及/或实施方式，并非对本申请技术的实施方式作任何形式上的限制，任何本领域技术人员，在不脱离本申请内容所公开的技术手段的范围，当可作些许的更动或修改为其它等效的实施例，但仍应视为与本申请实质相同的技术或实施例。

Claims (9)

1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述晶圆检测方法包含：

提供一入射光至该晶圆；

产生关联于该晶圆的一晶圆表面影像；

判断该晶圆表面影像是否包含对称的多个第一条纹与多个第二条纹；以及

当该晶圆表面影像包含对称的该些第一条纹与该些第二条纹，提供关联于该晶圆的一合格信号；

对称的该些第一条纹与该些第二条纹，是指该些第一条纹与该些第二条纹对称于通过该晶圆表面影像的中心的一直线。

2.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，距离该晶圆表面影像的中心一第一距离定义有一第一圆周，对称的该些第一条纹与该些第二条纹，是指该些第一条纹与该些第二条纹于该第一圆周上有规律地排列。

3.如权利要求2所述的晶圆检测方法，其特征在于，该些第一条纹分别自该晶圆表面影像的中心延伸至该第一圆周。

4.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，该晶圆表面影像中的该些第一条纹，是指从该晶圆对应位置接收到的一第一光线对应一第一量测范围，且该晶圆表面影像中的该些第二条纹，是指从该晶圆对应位置接收到的一第二光线对应一第二量测范围，该第一量测范围与该第二量测范围不重叠。

5.如权利要求4所述的晶圆检测方法，其特征在于，该第一量测范围和该第二量测范围为半高宽范围，该第一量测范围小于该第二量测范围，且该第一量测范围与该第二量测范围的比值小于1且大于等于0.5。

6.一种晶圆检测系统，其特征在于，包含：

一发光模块，提供一入射光至一晶圆；

一收光模块，用以接收该晶圆的光线，以产生关联于该晶圆的一晶圆表面影像；以及

一处理模块，耦接该收光模块，用以判断该晶圆表面影像是否对称，据以产生关联于该晶圆的一合格信号，其中当该晶圆表面影像中具有对称的多个第一条纹与多个第二条纹时，则该处理模块产生该合格信号；

对称的该些第一条纹与该些第二条纹，是指该些第一条纹与该些第二条纹对称于通过该晶圆表面影像的中心的一直线。

7.如权利要求6所述的晶圆检测系统，其特征在于，该些第一条纹与该些第二条纹分别自该晶圆表面影像的中心向外辐射状延伸。

8.如权利要求6所述的晶圆检测系统，其特征在于，该晶圆表面影像中的该些第一条纹，是指该收光模块于该晶圆的对应位置，测得的光线对应一第一量测范围，且该晶圆表面影像中的该些第二条纹，是指该收光模块于该晶圆的对应位置，测得的光线对应一第二量测范围。

9.如权利要求8所述的晶圆检测系统，其特征在于，该第一量测范围和该第二量测范围为半高宽范围，该第一量测范围小于该第二量测范围，且该第一量测范围与该第二量测范围的比值小于1且大于等于0.5 。

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