CN110941115A - 低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板 - Google Patents
低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110941115A CN110941115A CN201911356683.3A CN201911356683A CN110941115A CN 110941115 A CN110941115 A CN 110941115A CN 201911356683 A CN201911356683 A CN 201911356683A CN 110941115 A CN110941115 A CN 110941115A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- low
- layer
- composite layer
- reflection composite
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 6
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 claims description 3
- -1 ferrous metal oxide Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000004227 thermal cracking Methods 0.000 description 2
- 239000005997 Calcium carbide Substances 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- BYKRNSHANADUFY-UHFFFAOYSA-M sodium octanoate Chemical compound [Na+].CCCCCCCC([O-])=O BYKRNSHANADUFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- CLZWAWBPWVRRGI-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-[2-[2-[2-[bis[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethyl]amino]-5-bromophenoxy]ethoxy]-4-methyl-n-[2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-2-oxoethyl]anilino]acetate Chemical compound CC1=CC=C(N(CC(=O)OC(C)(C)C)CC(=O)OC(C)(C)C)C(OCCOC=2C(=CC=C(Br)C=2)N(CC(=O)OC(C)(C)C)CC(=O)OC(C)(C)C)=C1 CLZWAWBPWVRRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明提供一种低反射复合体层及其制作方法与阵列基板。低反射复合体层包括三维硅橡胶以及黑色金属氧化物颗粒形成的三维多孔结构。本发明通过利用低反射复合体层的复合体材料形貌加强对可见光源的吸收，从而降低其反射率，且该方法成本低。本发明提供的阵列基板中的缓冲层采用所述低反射复合体层，避免了产生强烈的反光现象，节省了成本，并提高了对比度和观赏视觉效果，提升了产品竞争力。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板。
背景技术
在液晶显示面板中，随着高世代液晶显示器(TFT-LCD)的发展，面板向大型化、高画质、高分辨率演变，而随着尺寸越来越大，金属布线数量及长度均有大幅度增多。为了增加显示面板的视觉和外观效果，目前开发窄边框，甚至四边无边框技术，但此种方法与阵列基板侧朝外一样，面临着边缘漏光、对比度降低的不良。市面上已有公司开发出阵列基板侧朝外的方案设计并实际产出液晶电视产品，但其效果不佳，当阵列基板侧朝外时，其金属栅极(Gate)布线主要材质为Cu/Mo、Mo/Al、Cu/MoTi、Cu/Ti等强反射的金属，光在金属部分的反射率都很高。一般在金属电极的反射率在可见光400-700nm的平均反射率大于40％，强烈的反光严重影响人眼观赏的效果。
目前有在开发低反射金属膜层作为阻挡层降低反射率或对金属层表面进行粗化处理进而降低其反射率，但效果不佳；也有尝试通过贴附一张1/4λ波长的偏光片作为低反射膜来减少金属反光，但却增加了生产工艺成本。
因此，现有技术中存在反光严重影响人眼观赏或低反射金属膜层生产成本高的技术问题。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的其中一个目的在于，提供一种低反射复合体层、制作方法及其应用于阵列基板，制作形成的低反射复合体层由于其复合体材料形貌，加强对可见光源的吸收，从而降低其反射率，且该方法成本低，解决了低反光材料生产工艺成本过高的问题。应用所述低反射复合体层的阵列基板，其缓冲层采用所述低反射复合体层，避免了产生强烈的反光现象，节省了成本，并提高了对比度和观赏视觉效果，提升了产品竞争力。
为实现上述目的，本发明提供一种低反射复合体层，包括三维硅橡胶以及黑色金属氧化物颗粒形成的三维多孔结构。
进一步地，所述三维多孔结构的化学结构式为：
进一步地，所述黑色金属氧化物颗粒包括MoOx、MoOx-Nd、MoOx-Ta、MoOx-Al中的任一种或两种以上的组合。
进一步地，所述三维硅橡胶的化学分子式为SiO1.46C1.41。
本发明还提供一种低反射复合体层的制作方法，包括步骤：
制作三维硅橡胶并提供黑色金属氧化物颗粒；
将定量的所述三维硅橡胶与定量的黑色金属氧化物颗粒混合，再添加聚醚酰亚胺以及乙二醇，通过混合或真空抽滤的方式获得混合物；以及
将所述混合物加热处理后形成低反射复合体层。
进一步地，所述制作三维硅橡胶步骤包括：
在一硅橡胶以及铂触媒催化剂置于反应容器中获得反应液；以及
将所述第反应液加热至190℃并维持2小时进行交联反应后获得三维硅橡胶。
进一步地，所述聚醚酰亚胺的重量百分比为1％-10％；所述乙二醇的重量百分比为0.3％-5％。
进一步地，所述混合物的加热处理方式包括真空干燥、预烘烤或硬烤。
本发明还提供一种阵列基板，包括缓冲层，所述低反射复合体层应用于所述缓冲层。
进一步地，所述阵列基板还包括栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极金属层以及钝化层；具体的，所述栅极金属层设于所述缓冲层上；所述栅极绝缘层设于所述栅极层上；所述有源层设于所述栅极绝缘层上；所述源漏极金属层设于所述有源层上；所述钝化层设于所述源漏极金属层上。
本发明的技术效果在于，本发明提供一种低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板。通过利用低反射复合体层的复合体材料形貌加强对可见光源的吸收，从而降低其反射率，且该方法成本低。应用所述低反射复合体层的阵列基板，其缓冲层采用所述低反射复合体层，避免了产生强烈的反光现象，节省了成本，并提高了对比度和观赏视觉效果，提升了产品竞争力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中所述的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
“由……制作”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步骤、方法、制品或装置所固有的要素。
其中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
此外，还应注意的是，在一些可替代的实现方式中，本文中所描述的所有方法的步骤可不按顺序发生。例如，示出为连续的两个步骤可实际上大致同时执行，或者这两个步骤可有时以相反的顺序执行。
具体的，本发明提供一种低反射复合体层，包括三维硅橡胶以及黑色金属氧化物颗粒形成的三维多孔结构。所述三维多孔结构为具有复杂三维结构的陶瓷材料，也称减反结构材料(Anti-Reflective Structure Material)。所述三维多孔结构用于散射并吸收光线，使得所述低反射复合体层具有对可见光源的吸收作用，从而降低了对光线的反射率。
本实施例中，所述三维多孔结构的化学结构式为：
本实施例中，所述黑色金属氧化物颗粒包括MoOx、MoOx-Nd、MoOx-Ta、MoOx-Al中的任一种或两种以上的组合。所述黑色金属氧化物颗粒的作用为增加散射和吸收光线，以降低反射率。
本实施例中，所述三维硅橡胶的化学分子式为SiO1.46C1.41。
所述三维硅橡胶的化学结构式为：
本发明还提供一种低反射复合体层的制作方法，包括步骤：
制作三维硅橡胶并提供黑色金属氧化物颗粒；
将定量的所述三维硅橡胶与定量的黑色金属氧化物颗粒混合，再添加聚醚酰亚胺以及乙二醇，通过混合或真空抽滤的方式获得混合物；以及
将所述混合物加热处理后形成低反射复合体层。
本实施例中，所述制作三维硅橡胶步骤包括：
在一硅橡胶以及铂触媒催化剂置于反应容器中获得反应液；以及
将所述第反应液加热至190℃并维持2小时进行交联反应后获得三维硅橡胶。
可理解的是，所述制作三维硅橡胶的方法为“机械塑化-热裂解”方法，可制备同时具有宏观三维复杂结构和微纳米结构的材料，在硅橡胶中加入铂触媒催化剂，能促使硅橡胶中的硅-氧键发生可逆交换，即这两者原子位置发生转换，从而改变硅橡胶网络的拓扑结构，拓扑结构是指该结构中材料在各节点相互连接形成网络结构，宏观表现出永久形状的变化。这种变形和硅橡胶的弹性形变不同，是一类在无需模具的情况下实现固态状态下形状变化的塑性形变。
结合传统的模板法，就能简单制备表面具有微纳米结构的硅橡胶，再通过190℃高温热裂解后，能获得具有复杂三维结构的陶瓷材料，即所述三维硅橡胶。
为了更加详细地解释本发明的所述制作三维硅橡胶的制作方法，提供了其反应式大体如式(1)和式(2)所示。
在式(1)中，R代表CH3或H；Pt-based Cat.代表Pt触媒催化剂；Sodium Octanonate代表碳化钙。
本实施例中，所述聚醚酰亚胺的重量百分比为1％-10％；所述乙二醇的重量百分比为0.3％-5％。
本实施例中，所述混合物的加热处理方式包括真空干燥(VCD)、预烘烤(HP)或硬烤(Oven)。
如图1所示，本发明还提供一种阵列基板10，包括缓冲层1，所述缓冲层1包括上述低反射复合体层。
本实施例中，所述阵列基板还包括栅极金属层2、栅极绝缘层3、有源层4、源漏极金属层5以及钝化层6；具体的，所述栅极金属层2设于所述缓冲层1上；所述栅极绝缘层3设于所述栅极层2上；所述有源层4设于所述栅极绝缘层3上；所述源漏极金属层5设于所述有源层4上；所述钝化层6设于所述源漏极金属层5上。
本发明还提供一种显示装置包括所述阵列基板10，以及位于所述阵列基板侧部或者临近所述钝化层6一侧的背光模组，所述背光模组的光线照射在所述缓冲层1上，所述缓冲层1的低反射复合体层对可见光源的吸收，从而降低其反射率，并提高了所述显示装置的对比度和观赏视觉效果。
本发明的技术效果在于，本发明提供一种低反射复合体层及其制作方法通过利用低反射复合体层的复合体材料形貌加强对可见光源的吸收，从而降低其反射率，且该方法成本低。应用所述低反射复合体层的阵列基板，其缓冲层采用所述低反射复合体层，避免了产生强烈的反光现象，节省了成本，并提高了对比度和观赏视觉效果，提升了产品竞争力。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种低反射复合体层，其特征在于，包括三维硅橡胶以及黑色金属氧化物颗粒形成的三维多孔结构。
2.根据权利要求1所述的低反射复合体层，其特征在于，所述三维多孔结构的化学结构式为：
3.根据权利要求1所述的低反射复合体层，其特征在于，所述黑色金属氧化物颗粒包括MoOx、MoOx-Nd、MoOx-Ta、MoOx-Al中的任一种或两种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的低反射复合体层，其特征在于，所述三维硅橡胶的化学分子式为SiO1.46C1.41。
5.一种低反射复合体层的制作方法，其特征在于，包括步骤：
制作三维硅橡胶并提供黑色金属氧化物颗粒；
将定量的所述三维硅橡胶与定量的黑色金属氧化物颗粒混合，再添加聚醚酰亚胺以及乙二醇，通过混合或真空抽滤的方式获得混合物；以及
将所述混合物加热处理后形成低反射复合体层。
6.根据权利要求5所述的低反射复合体层的制作方法，其特征在于，所述制作三维硅橡胶步骤包括：
在一硅橡胶以及铂触媒催化剂置于反应容器中获得反应液；以及
将所述第反应液加热至190℃并维持2小时进行交联反应后获得三维硅橡胶。
7.根据权利要求5所述的低反射复合体层的制作方法，其特征在于，
所述聚醚酰亚胺的重量百分比为1％-10％；
所述乙二醇的重量百分比为0.3％-5％。
8.根据权利要求5所述的低反射复合体层的制作方法，其特征在于，
所述混合物的加热处理方式包括真空干燥、预烘烤或硬烤。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括：
缓冲层，权利要求1-4中任一项所述的低反射复合体层应用于所述缓冲层中。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
栅极金属层，设于所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设于所述栅极层上；
有源层，设于所述栅极绝缘层上；
源漏极金属层，设于所述有源层上；以及
钝化层，设于所述源漏极金属层上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911356683.3A CN110941115B (zh) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911356683.3A CN110941115B (zh) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110941115A true CN110941115A (zh) | 2020-03-31 |
| CN110941115B CN110941115B (zh) | 2022-09-09 |
Family
ID=69913158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911356683.3A Active CN110941115B (zh) | 2019-12-25 | 2019-12-25 | 低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110941115B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113097228A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 遮光基板及其制备方法和阵列基板 |
| US11256131B1 (en) | 2020-09-30 | 2022-02-22 | Giantplus Technology Co., Ltd. | Jump connection structure of reflective display and manufacturing method thereof |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242586A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Fuji Electric Co Ltd | Ｉｉｉ 族窒化物半導体装置およびその製造方法 |
| US20020117691A1 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate using low dielectric insulating layer and method of fabricating the same |
| US20070007648A1 (en) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Semiconductor device protective structure and method for fabricating the same |
| US20150279917A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display |
| CN105599311A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-05-25 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 基于增材制造技术制备硅橡胶多孔材料的方法 |
| CN105785645A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-07-20 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示模组和液晶显示装置 |
| CN106328819A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制作方法 |
| CN106653696A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种用于制作阵列基板的方法 |
| CN109143661A (zh) * | 2018-07-24 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶面板及减反层的制备方法 |
| CN110190070A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 三维多孔结构复合体材料及制备方法、阵列基板 |
-
2019
- 2019-12-25 CN CN201911356683.3A patent/CN110941115B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242586A (ja) * | 1997-02-24 | 1998-09-11 | Fuji Electric Co Ltd | Ｉｉｉ 族窒化物半導体装置およびその製造方法 |
| US20020117691A1 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate using low dielectric insulating layer and method of fabricating the same |
| US20070007648A1 (en) * | 2005-07-06 | 2007-01-11 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Semiconductor device protective structure and method for fabricating the same |
| US20150279917A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display |
| CN105599311A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-05-25 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 基于增材制造技术制备硅橡胶多孔材料的方法 |
| CN105785645A (zh) * | 2016-05-04 | 2016-07-20 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示模组和液晶显示装置 |
| CN106328819A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制作方法 |
| CN106653696A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种用于制作阵列基板的方法 |
| CN109143661A (zh) * | 2018-07-24 | 2019-01-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶面板及减反层的制备方法 |
| CN110190070A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 三维多孔结构复合体材料及制备方法、阵列基板 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 赵世荣: "《液体聚合物密封材料》", 31 December 1980 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11256131B1 (en) | 2020-09-30 | 2022-02-22 | Giantplus Technology Co., Ltd. | Jump connection structure of reflective display and manufacturing method thereof |
| CN113097228A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 遮光基板及其制备方法和阵列基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110941115B (zh) | 2022-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110941115B (zh) | 低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板 | |
| JP4233456B2 (ja) | 低屈折率薄膜形成用塗布組成物 | |
| Bautista et al. | Silica antireflective films on glass produced by the sol–gel method | |
| JP2007286554A (ja) | 反射防止膜、反射防止基材、及び当該反射防止基材が設けられた光電変換装置 | |
| ES2423507T3 (es) | Método para formar un revestimiento cerámico tipo óxido de silicio, método para producir un material inorgánico base, agente para formar un revestimiento cerámico tipo óxido de silicio, y dispositivo semiconductor | |
| US6586104B2 (en) | Coating liquid for forming a transparent coating and substrate with a transparent coating | |
| TW200816505A (en) | Solar battery module | |
| CN102943253A (zh) | 一种掺铝氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 | |
| JP2009145403A5 (zh) | ||
| KR102609050B1 (ko) | 광기능성 막 및 이의 제조방법 | |
| CN205317974U (zh) | 线栅偏振片及液晶显示面板 | |
| JP2009525901A5 (zh) | ||
| CN104628265B (zh) | 一种多层宽光谱疏水型太阳能电池增透膜及其制备方法 | |
| JP2002182006A (ja) | 反射防止膜、それを備えた基材および光電変換装置 | |
| JP5655384B2 (ja) | 凹凸基板およびその製造方法 | |
| CN107827367A (zh) | 一种具有防眩增透功能平板玻璃的制备方法 | |
| Meng et al. | Sol-gel derived Zn1-xMgxO: Al transparent conductive thin film and its application to thin film solar cells | |
| CN106019724A (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示器 | |
| CN101704635B (zh) | 一种在光学太阳反射镜上制备掺铝氧化锌薄膜的方法 | |
| CN107021644B (zh) | 一种光伏玻璃的制备方法 | |
| CN110408070B (zh) | 一种高阈值耐刮擦高透射率的基频激光薄膜及其制备方法 | |
| JPH04196364A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP6011215B2 (ja) | 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子 | |
| CN216373634U (zh) | 一种用于碘化铯平板探测器中的铝箔/反射膜 | |
| CN216972402U (zh) | 硬化带抗静电亚克力保护膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |