CN110941115A - 低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种低反射复合体层及其制作方法与阵列基板。低反射复合体层包括三维硅橡胶以及黑色金属氧化物颗粒形成的三维多孔结构。本发明通过利用低反射复合体层的复合体材料形貌加强对可见光源的吸收，从而降低其反射率，且该方法成本低。本发明提供的阵列基板中的缓冲层采用所述低反射复合体层，避免了产生强烈的反光现象，节省了成本，并提高了对比度和观赏视觉效果，提升了产品竞争力。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板。
背景技术
在液晶显示面板中，随着高世代液晶显示器(TFT-LCD)的发展，面板向大型化、高画质、高分辨率演变，而随着尺寸越来越大，金属布线数量及长度均有大幅度增多。为了增加显示面板的视觉和外观效果，目前开发窄边框，甚至四边无边框技术，但此种方法与阵列基板侧朝外一样，面临着边缘漏光、对比度降低的不良。市面上已有公司开发出阵列基板侧朝外的方案设计并实际产出液晶电视产品，但其效果不佳，当阵列基板侧朝外时，其金属栅极(Gate)布线主要材质为Cu/Mo、Mo/Al、Cu/MoTi、Cu/Ti等强反射的金属，光在金属部分的反射率都很高。一般在金属电极的反射率在可见光400-700nm的平均反射率大于40％，强烈的反光严重影响人眼观赏的效果。
目前有在开发低反射金属膜层作为阻挡层降低反射率或对金属层表面进行粗化处理进而降低其反射率，但效果不佳；也有尝试通过贴附一张1/4λ波长的偏光片作为低反射膜来减少金属反光，但却增加了生产工艺成本。
因此，现有技术中存在反光严重影响人眼观赏或低反射金属膜层生产成本高的技术问题。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的其中一个目的在于，提供一种低反射复合体层、制作方法及其应用于阵列基板，制作形成的低反射复合体层由于其复合体材料形貌，加强对可见光源的吸收，从而降低其反射率，且该方法成本低，解决了低反光材料生产工艺成本过高的问题。应用所述低反射复合体层的阵列基板，其缓冲层采用所述低反射复合体层，避免了产生强烈的反光现象，节省了成本，并提高了对比度和观赏视觉效果，提升了产品竞争力。
为实现上述目的，本发明提供一种低反射复合体层，包括三维硅橡胶以及黑色金属氧化物颗粒形成的三维多孔结构。
进一步地，所述三维多孔结构的化学结构式为：
进一步地，所述黑色金属氧化物颗粒包括MoOx、MoOx-Nd、MoOx-Ta、MoOx-Al中的任一种或两种以上的组合。
进一步地，所述三维硅橡胶的化学分子式为SiO1.46C1.41。
本发明还提供一种低反射复合体层的制作方法，包括步骤：
制作三维硅橡胶并提供黑色金属氧化物颗粒；
将定量的所述三维硅橡胶与定量的黑色金属氧化物颗粒混合，再添加聚醚酰亚胺以及乙二醇，通过混合或真空抽滤的方式获得混合物；以及
将所述混合物加热处理后形成低反射复合体层。
进一步地，所述制作三维硅橡胶步骤包括：
在一硅橡胶以及铂触媒催化剂置于反应容器中获得反应液；以及
将所述第反应液加热至190℃并维持2小时进行交联反应后获得三维硅橡胶。
进一步地，所述聚醚酰亚胺的重量百分比为1％-10％；所述乙二醇的重量百分比为0.3％-5％。
进一步地，所述混合物的加热处理方式包括真空干燥、预烘烤或硬烤。
本发明还提供一种阵列基板，包括缓冲层，所述低反射复合体层应用于所述缓冲层。
进一步地，所述阵列基板还包括栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极金属层以及钝化层；具体的，所述栅极金属层设于所述缓冲层上；所述栅极绝缘层设于所述栅极层上；所述有源层设于所述栅极绝缘层上；所述源漏极金属层设于所述有源层上；所述钝化层设于所述源漏极金属层上。
本发明的技术效果在于，本发明提供一种低反射复合体层、其制作方法及其应用于阵列基板。通过利用低反射复合体层的复合体材料形貌加强对可见光源的吸收，从而降低其反射率，且该方法成本低。应用所述低反射复合体层的阵列基板，其缓冲层采用所述低反射复合体层，避免了产生强烈的反光现象，节省了成本，并提高了对比度和观赏视觉效果，提升了产品竞争力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中所述的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
“由……制作”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步骤、方法、制品或装置所固有的要素。
其中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
此外，还应注意的是，在一些可替代的实现方式中，本文中所描述的所有方法的步骤可不按顺序发生。例如，示出为连续的两个步骤可实际上大致同时执行，或者这两个步骤可有时以相反的顺序执行。
具体的，本发明提供一种低反射复合体层，包括三维硅橡胶以及黑色金属氧化物颗粒形成的三维多孔结构。所述三维多孔结构为具有复杂三维结构的陶瓷材料，也称减反结构材料(Anti-Reflective Structure Material)。所述三维多孔结构用于散射并吸收光线，使得所述低反射复合体层具有对可见光源的吸收作用，从而降低了对光线的反射率。
本实施例中，所述三维多孔结构的化学结构式为：
本实施例中，所述黑色金属氧化物颗粒包括MoOx、MoOx-Nd、MoOx-Ta、MoOx-Al中的任一种或两种以上的组合。所述黑色金属氧化物颗粒的作用为增加散射和吸收光线，以降低反射率。
本实施例中，所述三维硅橡胶的化学分子式为SiO1.46C1.41。
所述三维硅橡胶的化学结构式为：
本发明还提供一种低反射复合体层的制作方法，包括步骤：
制作三维硅橡胶并提供黑色金属氧化物颗粒；
将定量的所述三维硅橡胶与定量的黑色金属氧化物颗粒混合，再添加聚醚酰亚胺以及乙二醇，通过混合或真空抽滤的方式获得混合物；以及
将所述混合物加热处理后形成低反射复合体层。
本实施例中，所述制作三维硅橡胶步骤包括：
在一硅橡胶以及铂触媒催化剂置于反应容器中获得反应液；以及
将所述第反应液加热至190℃并维持2小时进行交联反应后获得三维硅橡胶。
可理解的是，所述制作三维硅橡胶的方法为“机械塑化-热裂解”方法，可制备同时具有宏观三维复杂结构和微纳米结构的材料，在硅橡胶中加入铂触媒催化剂，能促使硅橡胶中的硅-氧键发生可逆交换，即这两者原子位置发生转换，从而改变硅橡胶网络的拓扑结构，拓扑结构是指该结构中材料在各节点相互连接形成网络结构，宏观表现出永久形状的变化。这种变形和硅橡胶的弹性形变不同，是一类在无需模具的情况下实现固态状态下形状变化的塑性形变。
结合传统的模板法，就能简单制备表面具有微纳米结构的硅橡胶，再通过190℃高温热裂解后，能获得具有复杂三维结构的陶瓷材料，即所述三维硅橡胶。
为了更加详细地解释本发明的所述制作三维硅橡胶的制作方法，提供了其反应式大体如式(1)和式(2)所示。
在式(1)中，R代表CH3或H；Pt-based Cat.代表Pt触媒催化剂；Sodium Octanonate代表碳化钙。
本实施例中，所述聚醚酰亚胺的重量百分比为1％-10％；所述乙二醇的重量百分比为0.3％-5％。
本实施例中，所述混合物的加热处理方式包括真空干燥(VCD)、预烘烤(HP)或硬烤(Oven)。
如图1所示，本发明还提供一种阵列基板10，包括缓冲层1，所述缓冲层1包括上述低反射复合体层。
本实施例中，所述阵列基板还包括栅极金属层2、栅极绝缘层3、有源层4、源漏极金属层5以及钝化层6；具体的，所述栅极金属层2设于所述缓冲层1上；所述栅极绝缘层3设于所述栅极层2上；所述有源层4设于所述栅极绝缘层3上；所述源漏极金属层5设于所述有源层4上；所述钝化层6设于所述源漏极金属层5上。
本发明还提供一种显示装置包括所述阵列基板10，以及位于所述阵列基板侧部或者临近所述钝化层6一侧的背光模组，所述背光模组的光线照射在所述缓冲层1上，所述缓冲层1的低反射复合体层对可见光源的吸收，从而降低其反射率，并提高了所述显示装置的对比度和观赏视觉效果。
本发明的技术效果在于，本发明提供一种低反射复合体层及其制作方法通过利用低反射复合体层的复合体材料形貌加强对可见光源的吸收，从而降低其反射率，且该方法成本低。应用所述低反射复合体层的阵列基板，其缓冲层采用所述低反射复合体层，避免了产生强烈的反光现象，节省了成本，并提高了对比度和观赏视觉效果，提升了产品竞争力。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种低反射复合体层，其特征在于，包括三维硅橡胶以及黑色金属氧化物颗粒形成的三维多孔结构。
2.根据权利要求1所述的低反射复合体层，其特征在于，所述三维多孔结构的化学结构式为：
3.根据权利要求1所述的低反射复合体层，其特征在于，所述黑色金属氧化物颗粒包括MoOx、MoOx-Nd、MoOx-Ta、MoOx-Al中的任一种或两种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的低反射复合体层，其特征在于，所述三维硅橡胶的化学分子式为SiO1.46C1.41。
5.一种低反射复合体层的制作方法，其特征在于，包括步骤：
制作三维硅橡胶并提供黑色金属氧化物颗粒；
将定量的所述三维硅橡胶与定量的黑色金属氧化物颗粒混合，再添加聚醚酰亚胺以及乙二醇，通过混合或真空抽滤的方式获得混合物；以及
将所述混合物加热处理后形成低反射复合体层。
6.根据权利要求5所述的低反射复合体层的制作方法，其特征在于，所述制作三维硅橡胶步骤包括：
在一硅橡胶以及铂触媒催化剂置于反应容器中获得反应液；以及
将所述第反应液加热至190℃并维持2小时进行交联反应后获得三维硅橡胶。
7.根据权利要求5所述的低反射复合体层的制作方法，其特征在于，
所述聚醚酰亚胺的重量百分比为1％-10％；
所述乙二醇的重量百分比为0.3％-5％。
8.根据权利要求5所述的低反射复合体层的制作方法，其特征在于，
所述混合物的加热处理方式包括真空干燥、预烘烤或硬烤。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括：
缓冲层，权利要求1-4中任一项所述的低反射复合体层应用于所述缓冲层中。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
栅极金属层，设于所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设于所述栅极层上；
有源层，设于所述栅极绝缘层上；
源漏极金属层，设于所述有源层上；以及
钝化层，设于所述源漏极金属层上。
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