CN110940733A - 一种多层瓷介电容器检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多层瓷介电容器检测方法，包括根据待测电容器确定相应的检测扫描参数；根据所述检测扫描参数对声学显微镜进行配置；利用配置好的所述声学显微镜对所述待测电容器进行扫描检测，得到扫描结果；对所述扫描结果进行验证。利用SONIX Q‑350声学扫描显微镜对多层瓷介电容器的内部结构进行扫描，能够保证完整、准确、清晰地显示多层瓷介(独石)电容器内部情况，方便观察是否存在裂缝、气隙及空洞等缺陷，对该类电容器的质量进行检测和把控。

Description

一种多层瓷介电容器检测方法
技术领域
本发明涉及检测试验领域，特别是指一种多层瓷介电容器检测方法。
背景技术
随着多层瓷介(独石)电容器的制造技术的发展，多层瓷介电容器在工业生产尤其是航天工程领域中得到越来越广泛的应用，同时也为多层瓷介电容器的质量提出更加严格的要求。为保证多层瓷介电容器的质量，需要在使用前对多层瓷介电容器成品进行无损检测，尤其是针对电容器内部的裂缝、气隙或空洞等进行无损检测。
现有的无损检测技术主要有射线检验(RT)、超声检测(UT)、磁粉检测(MT)和液体渗透检测(PT)四种方法，其中磁粉检测方法和液体渗透检测方法主要用于对待测物体的表面进行检测，射线检验方法与超声检测方法可以用于对待测物体的内部结构进行检测。然而，射线检验方法对多层瓷介电容器内部缺陷不敏感，且检测成本较高，超声检测方法的检测结果受待测物体内存在的缺陷的位置、取向和形状以及待测物体材质和晶粒度的影响较大，得到的检测结果也不够直观。
声学扫描显微镜(SAM)是一种多功能、高分辨率的显微成像仪器，兼具电子显微术高分辨率和声学显微术非破坏性内部成像的特点,可以检测材料内部的晶格结构、杂质颗粒、内部裂纹、分层缺陷、空洞、气泡、空隙等。然而现有的使用声学扫描显微镜进行检测的标准与方法并不适用于多层瓷介电容器的检测，无法对多层瓷介电容器的内部情况进行准确检测。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提出一种能够对多层瓷介电容器的内部情况进行检测，得到完整、准确、清晰的检测结果的检测方法。
基于上述目的，本发明提供了一种多层瓷介电容器检测方法，包括：
根据待测电容器确定相应的检测扫描参数；
根据所述检测扫描参数对声学显微镜进行配置；
利用配置好的所述声学显微镜对所述待测电容器进行扫描检测，得到扫描结果；
对所述扫描结果进行验证。
可选的，所述声学显微镜的型号为SONIX Q-350。
可选的，所述检测扫描参数包括准备参数、扫描模式参数与成像模式参数；
所述准备参数用于确定所选用的声学扫描探头规格；
所述扫描模式参数用于确定所述声学显微镜的扫描工作模式；
所述成像模式参数用于确定数据处理模块的数据处理工作模式。
可选的，所述准备参数包括：
所选用的所述声学扫描探头规格为75Mhz。
可选的，所述扫描模式参数包括：
所述声学显微镜的扫描ENERGY模式为勾选状态；
设定所述声学显微镜的扫描高通参数为5，扫描低通参数为300。
可选的，所述成像模式参数包括：
取消所述声学显微镜成像数据窗中的Phase Gate 1数据窗，并添加Data Gate 1与Data Gate2数据窗；
选取扫描模式为C-Scan模式。
可选的，所述利用配置好的所述声学显微镜对所述待测电容器进行扫描检测包括：
将所述待测电容器放入去离子水中，安装声学扫描探头并移动所述声学扫描显微镜将所述声学扫描探头对准所述待测电容器中心部位，调节动态扫描参数对所述待测电容器进行扫描。
可选的，所述动态扫描参数包括增益参数、聚焦参数与分辨率参数；
其中，所述分辨率参数为10或20。
可选的，所述对所述扫描结果进行验证为采用TAMI扫描方式对所述待测电容器再次进行扫描，将两次扫描结果进行比对验证。
从上面所述可以看出，本发明提供的多层瓷介电容器检测方法通过针对待测电容确定相应的检测扫描参数，根据检测扫描参数对声学扫描显微镜进行预先配置对待测电容进行扫描，扫描得到的结果能够保证完整、准确、清晰地显示待测电容器内部情况，便于对待测电容器的质量进行检测和把控。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种多层瓷介电容器检测方法示意图；
图2为本发明实施例所提供的一种多层瓷介电容器检测方法中配置扫描模式参数的界面示意图；
图3为本发明实施例所提供的一种多层瓷介电容器检测方法中配置成像模式参数的界面示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。
如图1所示，本发明的一些可选实施例所提供的多层瓷介电容器检测方法，包括：
S1：根据待测电容器确定相应的检测扫描参数；
S2：根据所述检测扫描参数对声学显微镜进行配置；
S3：利用配置好的所述声学显微镜对所述待测电容器进行扫描检测，得到扫描结果；
S4：对所述扫描结果进行验证。
所述声学显微镜的型号为SONIX Q-350,所述多层瓷介电容器检测方法利用所述SONIX Q-350声学扫描显微镜对待测电容器进行扫描，首先根据待测电容器有针对性的确定检测扫描参数以对所述声学扫描显微镜进行配置，再对所述待测电容器进行扫描，能够得到完整、准确、清晰的电容器内部结构扫描结果，方便观察是否存在裂缝、气隙及空洞等结构缺陷，对该类电容器的质量进行检测和把控。
在一些可选实施例所提供的所述多层瓷介电容器检测方法中，针对所述待测电容确定的所述检测扫描参数包括准备参数、扫描模式参数与成像模式参数；
所述准备参数用于确定所选用的声学扫描探头规格；
所述扫描模式参数用于确定所述声学显微镜的扫描工作模式；
所述成像模式参数用于确定数据处理模块的数据处理工作模式。
在一些可选实施例所提供的所述多层瓷介电容器检测方法中，所述声学扫描显微镜针对所述待测电容器所选用的所述声学扫描探头规格为75Mhz。
如图2所示，在一些可选实施例所提供的所述多层瓷介电容器检测方法中，所述扫描模式参数包括：
所述声学显微镜的扫描ENERGY模式为勾选状态；
设定所述声学显微镜的扫描高通参数为5，扫描低通参数为300。
在根据所述扫描模式参数对所述声学显微镜进行扫描工作模式配置之前，相对所述声学显微镜进行系统重置。
如图3所述，在一些可选实施例所提供的所述多层瓷介电容器检测方法中，所述成像模式参数包括：
取消所述声学显微镜成像数据窗中的Phase Gate 1数据窗，并添加Data Gate 1与Data Gate2数据窗；
选取扫描模式为C-Scan模式。
在根据所述成像模式参数对所述声学显微镜的数据处理工作模式进行配置时，选取C-Scan扫描成像模式，所述Data Gate 1与Data Gate2数据窗适用于在此扫描成像模式下形成图像，能够达到检测多层瓷介电容器内部结构缺陷的目的。
在一些可选实施例所提供的所述多层瓷介电容器检测方法中，所述利用配置好的所述声学显微镜对所述待测电容器进行扫描检测S3包括：
将所述待测电容器放入去离子水中，安装声学扫描探头并移动所述声学扫描显微镜将所述声学扫描探头对准所述待测电容器中心部位，调节动态扫描参数对所述待测电容器进行扫描。
所述动态扫描参数包括增益参数、聚焦参数与分辨率参数。
具体的，所述分辨率参数为10或20。
由于多层瓷介电容器与常规塑封器件声学扫描显微镜检查的参数调节不同，采用分辨率为10或20(根据电容器大小调整)，关键参数是聚焦，普通塑封器件通过上下调节探头，停留在波形图波峰最高的位置，并将聚焦调整到50％-60％之间，而在本发明实施例中，将聚焦固定在某个较小的范围内即可，无需调整探头位置到波形图中波峰最高的位置，从而达到扫描清晰可分辨缺陷的目的。
在一些可选实施例所提供的所述多层瓷介电容器检测方法中，所述对所述扫描结果进行验证S4为采用TAMI扫描方式对所述待测电容器再次进行扫描，将两次扫描结果进行比对验证。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本发明的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本发明难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本发明难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本发明的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本发明的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本发明。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
尽管已经结合了本发明的具体实施例对本发明进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。
本发明的实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种多层瓷介电容器检测方法，其特征在于，包括：
根据待测电容器确定相应的检测扫描参数；
根据所述检测扫描参数对声学显微镜进行配置；
利用配置好的所述声学显微镜对所述待测电容器进行扫描检测，得到扫描结果；
对所述扫描结果进行验证。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述声学显微镜的型号为SONIX Q-350。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述检测扫描参数包括准备参数、扫描模式参数与成像模式参数；
所述准备参数用于确定所选用的声学扫描探头规格；
所述扫描模式参数用于确定所述声学显微镜的扫描工作模式；
所述成像模式参数用于确定数据处理模块的数据处理工作模式。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述准备参数包括：
所选用的所述声学扫描探头规格为75Mhz。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述扫描模式参数包括：
所述声学显微镜的扫描ENERGY模式为勾选状态；
设定所述声学显微镜的扫描高通参数为5，扫描低通参数为300。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述成像模式参数包括：
取消所述声学显微镜成像数据窗中的Phase Gate 1数据窗，并添加DataGate 1与DataGate2数据窗；
选取扫描模式为C-Scan模式。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用配置好的所述声学显微镜对所述待测电容器进行扫描检测包括：
将所述待测电容器放入去离子水中，安装声学扫描探头并移动所述声学扫描显微镜将所述声学扫描探头对准所述待测电容器中心部位，调节动态扫描参数对所述待测电容器进行扫描。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述动态扫描参数包括增益参数、聚焦参数与分辨率参数；
其中，所述分辨率参数为10或20。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述扫描结果进行验证为采用TAMI扫描方式对所述待测电容器再次进行扫描，将两次扫描结果进行比对验证。
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