CN110911533A - 一种半导体发光元件晶片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体技术领域，且公开了半导体发光元件晶片，包括晶片基板和发光元件，所述发光元件形成于晶片基板的一面之上，一种半导体发光元件晶片及其制作方法，包括以下步骤：1)采用溶胶凝胶法在(302)LiAlO2衬底上制备了ZnO薄膜，在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中使得(GaN)基的外延片的制作，准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高LiAlO2(302)衬底上完成氮化镓纯的气体之后，按照常规工艺的要求就可以逐步把外延片做好。该半导体发光元件晶片及其制作方法，选用(302)LiAlO2衬底在抛光、外延、稳定性等方面优于常规衬底，具备更高的实用性，且经本制作方法处理后的发光元件得以进一步的提升晶片的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体为一种半导体发光元件晶片及其制作方法。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用和大功率电源转换等领域应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连，常见的半导体材料有硅、锗和砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
目前的半导体发光元件晶片及其制作方法可以制作出符合规格的发光晶片，但是现有的半导体发光元件晶片及其制作方法在抛光、外延、稳定性等方面不够优良，故而提出一种半导体发光元件晶片及其制作方法来解决上述所提出问题。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体发光元件晶片及其制作方法，具备抛光、外延和稳定性等方面更加优良的优点，解决了现有的半导体发光元件晶片及其制作方法在抛光、外延、稳定性等方面不够优良的问题。
(二)技术方案
为实现上述抛光、外延和稳定性等方面更加优良的目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体发光元件晶片，包括晶片基板和发光元件，所述发光元件形成于晶片基板的一面之上。
优选的，所述发光元件主要由砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
优选的，所述发光元件是通过将形成于半导体发光元件晶片的多个半导体发光元件基体分离而形成的。
优选的，包围所述发光元件中的功能部分的周围的部位、即所述分离区域实施平坦化的平坦化工序。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种半导体发光元件晶片及其制作方法，包括以下步骤：
1)采用溶胶凝胶法在(302)LiAlO2衬底上制备了ZnO薄膜，在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中使得(GaN)基的外延片的制作，准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高LiAlO2(302)衬底上完成氮化镓纯的气体之后，按照常规工艺的要求就可以逐步把外延片做好；
2)将两个电机分布在外延片的异侧，以图形化电极和全部的p型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，分别与热沉或PCB或电路板上的正、负极(分别用红色和黑色表示)电联接；
3)对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作晶片的关键工序，放入清洗机中进行专业性的清洗，随后将清洗后的晶片和电机进行蒸镀，利用光预热紫外光(UV)灯，把晶片安装在支架上，胶面朝上，仔细调态平台微动装置，使晶片与平台上玻璃的定位准确套合，定位完成即可曝光，曝光后经过显影并检查定位是否正确曝光时间由光源到ITO玻璃的距离，光源强弱，光刻胶的感光性能及玻璃厚薄等因素决定如曝光时间过短，光刻胶感光不足，则其光化学反应不充分，光刻胶的抗蚀性能就会降低，显影时部分溶解，此时在投影机下可观察到胶膜发黑，即产生“晕光”现象，蚀刻后边原模糊或发现皱纹，使分辨率降低随后进行熔合、研磨，然后对晶片毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的发光元件晶片。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种半导体发光元件晶片及其制作方法，具备以下有益效果：
该半导体发光元件晶片及其制作方法，选用(302)LiAlO2衬底在抛光、外延、稳定性等方面优于常规衬底，具备更高的实用性，且经本制作方法处理后的发光元件得以进一步的提升晶片的稳定性。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
一种半导体发光元件晶片，包括晶片基板和发光元件，所述发光元件形成于晶片基板的一面之上。
优选的，所述发光元件主要由砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
优选的，所述发光元件是通过将形成于半导体发光元件晶片的多个半导体发光元件基体分离而形成的。
优选的，包围所述发光元件中的功能部分的周围的部位、即所述分离区域实施平坦化的平坦化工序。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种半导体发光元件晶片及其制作方法，包括以下步骤：
1)采用溶胶凝胶法在(302)LiAlO2衬底上制备了ZnO薄膜，在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中使得(GaN)基的外延片的制作，准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高LiAlO2(302)衬底上完成氮化镓纯的气体之后，按照常规工艺的要求就可以逐步把外延片做好；
2)将两个电机分布在外延片的异侧，以图形化电极和全部的p型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，分别与热沉或PCB或电路板上的正、负极(分别用红色和黑色表示)电联接；
3)对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作晶片的关键工序，放入清洗机中进行专业性的清洗，随后将清洗后的晶片和电机进行蒸镀，利用光预热紫外光(UV)灯，把晶片安装在支架上，胶面朝上，仔细调态平台微动装置，使晶片与平台上玻璃的定位准确套合，定位完成即可曝光，曝光后经过显影并检查定位是否正确曝光时间由光源到ITO玻璃的距离，光源强弱，光刻胶的感光性能及玻璃厚薄等因素决定如曝光时间过短，光刻胶感光不足，则其光化学反应不充分，光刻胶的抗蚀性能就会降低，显影时部分溶解，此时在投影机下可观察到胶膜发黑，即产生“晕光”现象，蚀刻后边原模糊或发现皱纹，使分辨率降低随后进行熔合、研磨，然后对晶片毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的发光元件晶片。
本发明的有益效果是：选用(302)LiAlO2衬底在抛光、外延、稳定性等方面优于常规衬底，具备更高的实用性，且经本制作方法处理后的发光元件得以进一步的提升晶片的稳定性。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种半导体发光元件晶片，其特征在于，包括晶片基板和发光元件，所述发光元件形成于晶片基板的一面之上。
2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件晶片，其特征在于，所述发光元件主要由砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件晶片，其特征在于，所述发光元件是通过将形成于半导体发光元件晶片的多个半导体发光元件基体分离而形成的。
4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件晶片，其特征在于，包围所述发光元件中的功能部分的周围的部位、即所述分离区域实施平坦化的平坦化工序。
5.一种半导体发光元件晶片及其制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)采用溶胶凝胶法在(302)LiAlO2衬底上制备了ZnO薄膜，在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中使得(GaN)基的外延片的制作，准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高LiAlO2(302)衬底上完成氮化镓纯的气体之后，按照常规工艺的要求就可以逐步把外延片做好；
2)将两个电机分布在外延片的异侧，以图形化电极和全部的p型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，分别与热沉或PCB或电路板上的正、负极(分别用红色和黑色表示)电联接；
3)对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作晶片的关键工序，放入清洗机中进行专业性的清洗，随后将清洗后的晶片和电机进行蒸镀，利用光预热紫外光(UV)灯，把晶片安装在支架上，胶面朝上，仔细调态平台微动装置，使晶片与平台上玻璃的定位准确套合，定位完成即可曝光，曝光后经过显影并检查定位是否正确曝光时间由光源到ITO玻璃的距离，光源强弱，光刻胶的感光性能及玻璃厚薄等因素决定如曝光时间过短，光刻胶感光不足，则其光化学反应不充分，光刻胶的抗蚀性能就会降低，显影时部分溶解，此时在投影机下可观察到胶膜发黑，即产生“晕光”现象，蚀刻后边原模糊或发现皱纹，使分辨率降低随后进行熔合、研磨，然后对晶片毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的发光元件晶片。
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