CN110908530B - 触摸传感器、制造触摸传感器的方法及图像显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及触摸传感器、制造触摸传感器的方法及图像显示设备。所述触摸传感器包括基板以及由导电堆叠结构形成的电极，所述导电堆叠结构包括从所述基板依次堆叠的第一导电氧化物层、含铜金属层和第二导电氧化物层。所述第一导电氧化物层和所述第二导电氧化物层均包括铜‑金属氧化物。通过所述第一导电氧化物层和所述第二导电氧化物层可以改善电极的化学和机械稳定性。

Description

触摸传感器、制造触摸传感器的方法及图像显示设备
相关申请的交叉引用以及优先权声明
本申请要求2018年9月17日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0110712的优先权，上述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及触摸传感器、制造所述触摸传感器的方法以及包括所述触摸传感器的图像显示设备。更具体地，本发明涉及包括多层式导电层的触摸传感器、制造所述包括多层式导电层的触摸传感器的方法以及包括所述包括多层式导电层的触摸传感器的图像显示设备。
背景技术
随着信息技术的发展，对具有更薄尺寸、轻重量、高效率功耗等的显示设备的各种需求正在增加。显示设备可以包括平板显示设备，诸如液晶显示(LCD)设备、等离子显示板(PDP)设备、电致发光显示设备、有机发光二极管(OLED)显示设备等。
能够通过用手指或输入工具选择屏幕上显示的指令来输入用户指示的触摸面板或触摸传感器也在发展。可以将触摸面板或触摸传感器与显示设备结合，从而可以在一个电子设备中实现显示功能和信息输入功能。
触摸传感器可以包括用于感测来自用户的触摸输入的感测电极，并且还可以包括连接到感测电极的导电图案，诸如布线、焊盘等。在触摸传感器的制造中，当感测电极暴露于外部环境时，感测电极可能被氧化而导致物理损坏和电阻的增大。此外，如果不能保持对基板的足够的粘附性，则可能使感测电极或导电图案从基板剥落或与基板分离。
触摸传感器还可以包括绝缘结构。可能由于导电图案与绝缘结构之间的反射率的差异和色感的差异而看到导电图案或电极，从而降低图像显示设备的图像质量。
因此，在触摸传感器的制造中感测电极和导电图案的机械和化学稳定性以及光学特性是有要求的。例如，如在韩国专利申请公开No.2014-0092366中所公开的，最近已经研发了与包括触摸传感器的触摸屏面板相结合的各种图像显示设备。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种具有改善的化学、机械和光学特性的触摸传感器。
根据本发明的一个方面，提供了一种制造具有改善的化学、机械和光学特性的触摸传感器的方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种窗口堆叠结构(window stack structure)和包括所述触摸传感器的图像显示设备。
本发明概念的上述方面将通过以下特征或结构来实现：
(1)触摸传感器，包括基板以及由导电堆叠结构形成的电极，所述导电堆叠结构包括从所述基板依次堆叠的第一导电氧化物层、含铜金属层和第二导电氧化物层，其中，所述第一导电氧化物层和所述第二导电氧化物层均包括铜-金属氧化物。
(2)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，所述电极包括多个感测电极和电连接所述多个感测电极中的相邻的感测电极的桥接电极，其中，所述感测电极和所述桥接电极中的至少一者包括所述导电堆叠结构。
(3)根据上述(2)所述的触摸传感器，其中，所述多个感测电极包括：沿平行于所述基板的顶表面的第一方向布置的多个第一感测电极、以及沿平行于所述基板的所述顶表面且垂直于所述第一方向的第二方向彼此一体化地连接的多个第二感测电极。
(4)根据上述(3)所述的触摸传感器，还包括至少部分地覆盖所述多个第二感测电极的绝缘层，其中，所述桥接电极设置在所述绝缘层上，以将在所述第一方向上相邻的所述多个第一感测电极彼此电连接。
(5)根据上述(4)所述的触摸传感器，其中，所述桥接电极和所述感测电极都包括所述导电堆叠结构。
(6)根据上述(3)所述的触摸传感器，还包括部分地覆盖所述桥接电极的绝缘层，其中，所述多个第一感测电极和所述多个第二感测电极设置在所述绝缘层上，并且在所述第一方向上相邻的所述多个第一感测电极经由所述桥接电极的穿过所述绝缘层暴露的部分彼此电连接。
(7)根据上述(6)所述的触摸传感器，其中，所述桥接电极包括所述导电堆叠结构且所述感测电极包括透明导电氧化物。
(8)根据上述(2)所述的触摸传感器，其中，所述电极还包括电连接到所述感测电极的迹线和连接到所述迹线的端子的焊盘，其中，所述迹线和所述焊盘中的至少一者包括所述导电堆叠结构。
(9)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，所述第一导电氧化物层和所述第二导电氧化物层均包括铜-钙氧化物(Cu-Ca-O)且所述含铜金属层包括铜-钙(Cu-Ca)。
(10)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中，所述第一导电氧化物层和所述第二导电氧化物层的厚度均在至/>的范围内，且所述含铜金属层的厚度在/>至的范围内。
(11)一种制造触摸传感器的方法，包括：将铜和除铜之外的金属沉积在基板上并同时进行氧气注入以形成第一导电氧化物层；在保持所述沉积的同时停止所述氧气注入以在所述第一导电氧化物层上形成含铜金属层；在保持所述沉积的同时再次执行所述氧气注入以在所述含铜金属层上形成第二导电氧化物层，从而形成导电堆叠结构；以及刻蚀所述导电堆叠结构以形成电极。
(12)根据上述(11)所述的方法，其中，形成所述含铜金属层是在90℃至150℃的温度范围内执行的。
(13)根据上述(12)所述的方法，其中，形成所述第一导电氧化物层和形成所述第二导电氧化物层是在90℃至150℃的温度范围内执行的。
(14)根据上述(11)所述的方法，其中，形成所述第一导电氧化物层、形成所述含铜金属层以及形成所述第二导电氧化物层是在同一工艺室内通过原位工艺连续地执行的。
(15)根据上述(11)所述的方法，其中，形成所述第一导电氧化物层、形成所述含铜金属层以及形成所述第二导电氧化物层是在多个工艺室中通过按顺序排列的工艺(in-line process)连续地执行的。
(16)根据上述(11)所述的方法，其中，所述除铜之外的金属包括钙。
(17)一种图像显示设备，包括显示面板以及位于所述显示面板上的根据上述(1)至(10)中任一项所述的触摸传感器。
(18)根据上述(17)所述的图像显示设备，还包括将所述显示面板和所述触摸传感器彼此结合的粘合层。
根据如上所述的示例性实施方式，所述触摸传感器可以包括导电堆叠结构，该导电堆叠结构可以包括：第一导电氧化物层和第二导电氧化物层，第一导电氧化物层和第二导电氧化物层均包含由Cu-M-O表示的铜-金属氧化物；以及含铜金属层，所述含铜金属层形成在所述第一导电氧化物层和第二导电氧化物层之间。
通过第一导电氧化物层和第二导电氧化物层可以增强相对于外部环境的化学稳定性和对基板的粘附性，同时通过含铜金属层抑制沟道电阻的增大。此外，可以减小感测电极的反射率以防止用户看到电极。
所述导电堆叠结构可以在沉积工艺室(诸如溅射工艺室)中通过原位工艺、且同时调节氧气(O2)的供应来形成。因此，还可以改善工艺便利性和可靠性。
附图说明
图1为示出根据示例性实施方式的触摸传感器的导电堆叠结构的横截面图；
图2至图5为示出根据示例性实施方式的制造包括在触摸传感器中的导电堆叠结构的方法的示意性横截面图；
图6和图7分别为示出根据示例性实施方式的触摸传感器的俯视平面图和横截面图；
图8为示出根据一些示例性实施方式的触摸传感器的示意性横截面图；
图9为示出根据示例性实施方式的窗口堆叠结构和包括触摸传感器的图像显示设备的示意性横截面图；以及
图10A、图10B和图10C分别为示出在粘附性试验后的示例1、示例2以及比较例1的电极的SEM图像。
具体实施方式
根据本发明的示例性实施方式，提供了一种具有改善的化学、机械和光学可靠性的触摸传感器。所述触摸传感器可以包括由导电堆叠结构形成的电极或布线，该导电堆叠结构可以包括：第一导电氧化物层和第二导电氧化物层，第一导电氧化物层和第二导电氧化物层均包含铜-金属氧化物；以及含铜金属层，所述含铜金属层形成在第一导电氧化物层和第二导电氧化物层之间。还提供了窗口堆叠结构和包括所述触摸传感器的图像显示设备。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明。然而，本领域技术人员将理解，提供参照附图描述的这些实施方式是为了进一步理解本发明的精神，而不是限制如在详细描述和所附权利要求中所公开的要保护的主题。
图1为示出根据示例性实施方式的触摸传感器的导电堆叠结构的横截面图。
参照图1，导电堆叠结构140可以包括依次形成在基板100上的第一导电氧化物层110、含铜金属层120和第二导电氧化物层130。
基板100可以用作用于形成包括触摸传感器的感测电极的导电图案的基层。例如，基板100可以包括薄膜型基板或其上形成有导电图案的物体。在一些实施方式中，其上可以直接形成导电图案的显示面板可以用作基板100。
基板100可以包括通常用在触摸传感器中的基板或薄膜。例如，基板100可以包括玻璃、聚合物和/或无机绝缘材料。聚合物可以包括例如环烯烃聚合物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基、聚酰亚胺(PI)、乙酸丙酸纤维素(CAP)、聚醚砜(PES)、三乙酸纤维素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。无机绝缘材料可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物等。
应用触摸传感器的图像显示设备中的层或薄膜构件也可以用作基板100。例如，包括在显示面板中的封装层或钝化层可以用作基板100。
第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130可以包括铜-金属氧化物。例如，铜-金属氧化物可以被指定为Cu-M-O，并且M可以表示除铜之外的至少一种金属元素。
在示例性实施方式中，M可以包括钙(Ca)、镁(Mg)、铝(Al)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锌(Zn)、锶(Sr)、银(Ag)、钡(Ba)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、镓(Ga)等。这些金属元素可以单独使用，也可以组合使用。
在优选的实施方式中，考虑到与铜的相互作用或结合以及导电性的改善，M可以包括Ca。
铜-金属氧化物中的金属氧化物可以为导电氧化物(诸如氧化铟锡ITO)。例如，铜-金属氧化物中的氧原子可以作为合金或掺杂剂存在。
第一导电氧化物层110可以直接形成在基板100的顶表面上。与直接形成在基板100上的金属层相比，通过第一导电氧化物层100可以增强导电层的粘附或结合强度。
含铜金属层120可以包括铜和除铜之外的至少一种金属。该至少一种金属可以包括例如钙(Ca)、镁(Mg)、铝(Al)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锌(Zn)、锶(Sr)、银(Ag)、钡(Ba)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、镓(Ga)等。
在优选的实施方式中，考虑到与第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130的相容性以及与铜的相互作用或结合，含铜金属层120可以包括Ca。例如，Ca可以作为Cu-Ca合金或Cu的掺杂剂而包括在内。
金属元素(诸如Ca)可以与Cu一起存在，从而可以在保持Cu的低电阻的同时抑制Cu的氧化。因此，可以在保持导电堆叠结构140的低电阻的同时改善导电堆叠结构140的化学稳定性。
含铜金属层120可以夹在第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130之间。可以通过第二导电氧化物层130防止外部空气对含铜金属层120的氧化或腐蚀。如上所述，可以通过第一导电氧化物层110增强导电堆叠结构140的粘附性。此外，可以通过第一导电氧化物层110阻挡可能从基板100转移到含铜金属层120的有机材料、水分等。
因此，第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130可以实质上用作含铜金属层120的导电屏障层。
此外，含铜金属层120的下表面和上表面可以分别被第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130覆盖，使得可以减小导电堆叠结构140的反射率。因此，可以防止由导电堆叠结构140形成的导电图案(例如，触摸传感器的感测电极)被看到。
在示例性实施方式中，含铜金属层120的厚度可以大于第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130中的每一者的厚度。在一些实施方式中，含铜金属层120的厚度在约至约/>的范围内，并且第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130中的每一者的厚度均在约/>至约/>的范围内。在上述范围内，可以由含铜金属层120容易地实现足够的灵敏度和低电阻。
图2至图5为示出根据示例性实施方式的制造包括在触摸传感器中的导电堆叠结构的方法的示意性横截面图。在下文中，将参照图2至图5详细描述第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130包括Cu-Ca-O且含铜金属层120包括Cu-Ca的示例性实施方式。
参照图2，可以将基板装载在工艺室50中。在示例性实施方式中，工艺室50可以为溅射工艺室。
可以将基板100放置在可例如由卡盘80旋转的平台70上。可以将用于沉积金属元素的金属靶55放置在工艺室50的上部。可以将气体流路60与工艺室50的外部连接以提供沉积气体。
如图2所示，可以将气体流路60与工艺室50的侧部结合。在一个实施方式中，可以将气体流路60与工艺室50的上部结合以更靠近金属靶55。
参照图3，可以在基板100上形成第一导电氧化物层110。
例如，可以向金属靶55施加电力以启动金属元素的沉积。金属靶55可以包括铜-钙靶或可以单独地包括铜靶和钙靶。
在沉积金属元素期间，可以通过气体流路60将氧气(O2)提供到工艺室50中以形成氧气气氛。因此，可以在基板100上形成包括由Cu-Ca-O表示的铜-钙氧化物的第一导电氧化物层110。
在一些实施方式中，还可以通过卡盘80施加电力，并且可以在旋转平台70的同时执行沉积。因此，存在于工艺室50中的金属元素和氧气可以被引导到基板100上，并且可以在基板100的整个区域上实现均匀沉积。
例如，还可以通过气体流路60供应诸如氩气(Ar)或氮气(N2)的载气。在一个实施方式中，可以设置另外的流路来供应载气。
参照图4，可以在第一导电氧化物层110上形成含铜金属层120。
在示例性实施方式中，可以通过金属靶55连续地保持铜和钙的沉积，并且可以停止或中断通过气体流路60注入氧气。因此，可以形成包含铜-钙并且基本上不含氧的含铜金属层120。
参照图5，可以再次进行氧气供应，同时通过金属靶55连续地保持铜和钙的沉积。因此，可以在含铜金属层120上形成包括铜-钙氧化物的第二导电氧化物层130，从而可以实现具有三层式结构(其中，可以依次堆叠第一导电氧化物层110、含铜金属层120和第二导电氧化物层130)的导电堆叠结构。
如上所述，可以通过原位工艺在单个工艺室50中连续地执行金属元素的沉积并且可以控制氧气供应以形成多层式导电堆叠结构。因此，可以提高工艺效率和生产率，并且可以通过氧气注入精细且容易地控制各个层的厚度。
在一些实施方式中，在形成含铜金属层120期间(图4的过程)，工艺室50中的温度可以升高为约90℃至约150℃的范围内。
在一个实施方式中，可以在室温下执行如参照图3描述的第一导电氧化物层110的形成以及参照图5描述的第二导电氧化物层130的形成，并且在形成含铜金属层120期间(图4的过程)，可以在上述范围内选择性地升高工艺温度。在这种情况下，含铜金属层120中的Cu-Ca晶体结构可以是稳定的，从而可以进一步降低电阻，并且还可以减小反射率和色感。
在一个实施方式中，贯穿图3至图5的过程，可以将工艺温度保持在上述范围内。
在一些实施方式中，导电堆叠结构可以通过例如使用前体化合物的化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺形成。例如，可以控制通过气体流路60的氧气注入，同时在工艺室中提供铜前体化合物和钙前体化合物，以形成上述导电堆叠结构。
在一些实施方式中，导电堆叠结构可以通过顺序连接的工艺形成，其中，可以通过在多个工艺室中连续地传送而依次形成第一导电氧化物层110、含铜金属层120和第二导电氧化物层130。
例如，基板100可以在执行金属沉积和氧气注入的第一工艺室、仅执行金属沉积的第二工艺室、以及执行金属沉积和氧气注入的第三工艺室中被连续地传送以形成导电堆叠结构。
图6和图7分别为示出根据示例性实施方式的触摸传感器的俯视平面图和横截面图。例如，图7包括沿图6中的线I-I’截取的横截面图。
为了便于描述，在图6中省略了绝缘层190的图示。平行于基板100的顶表面且彼此垂直的两个方向可以被指定为第一方向和第二方向。
参照图6和图7，触摸传感器可以包括布置在基板100上的感测电极150和焊盘156。
感测电极150可以包括第一感测电极152和第二感测电极154。例如，感测电极150可以被布置成通过互电容类型而操作。
例如，第一感测电极152可以沿第一方向布置。每个第一感测电极152都可以具有岛图案形状，并且在第一方向上相邻的第一感测电极152可以通过桥接电极162彼此电连接。
因此，可以定义沿第一方向延伸的第一感测电极列，并且可以沿第二方向布置多个第一感测电极列。
第二感测电极154可以沿第二方向布置。在第二方向上相邻的第二感测电极154可以通过连接部分164彼此连接。第二感测电极154和连接部分164可以彼此一体地连接为大体上一体构件。在这种情况下，第二感测电极154和连接部分164可以通过图案化相同的导电层而形成为置于同一层或同一水平高度上。
因此，可以定义沿第二方向延伸的第二感测电极行，并且可以沿第一方向布置多个第二感测电极行。
绝缘层190可以形成在基板100上，以至少部分地覆盖感测电极150和连接部分164。桥接电极162可以设置在绝缘层190上，使得彼此相邻的第一感测电极152可以例如经由形成在绝缘层190中的接触孔彼此电连接。
钝化层195可以形成在绝缘层190和桥接电极162上。
绝缘层190和/或钝化层195可以由无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅等)或者有机绝缘材料(诸如基于丙烯酰基的树脂、基于硅氧烷的树脂)形成。
在示例性实施方式中，感测电极150可以由如参照图1所描述的导电堆叠结构140形成。例如，导电堆叠结构140可以通过如参照图2至图5所描述的工艺形成在基板100上，然后可以刻蚀导电堆叠结构140以形成包括连接部分164的感测电极150。
因此，感测电极150可以例如具有包括第一导电氧化物层110、含铜金属层120和第二导电氧化物层130的三层式结构。第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130可以用作对于含铜金属层120的氧化和腐蚀屏障(oxide and corrosion barrier)。此外，可以通过第一导电氧化物层110增强感测电极150对基板100的粘附性。
因此，可以在通过含铜金属层120保持沟道电阻和灵敏度的同时获得具有改善的化学和机械稳定性的感测电极150。此外，可以通过第二导电氧化物层130覆盖含铜金属层120的上表面，使得可以减小感测电极150的反射率。因此，可以防止用户看到感测电极150，并且还可以避免图像显示设备的图像质量的降低。
在一些实施方式中，桥接电极162也可以由导电堆叠结构140形成。
例如，如图7所示，焊盘156可以设置在触摸传感器的端部。焊盘156可以形成在基板100上，并且可以电连接到感测电极150。焊盘156可以经由迹线(未示出)电连接到第一感测电极列和第二感测电极行中的每一者，并且焊盘156可以连接到迹线的端子。
在一些实施方式中，焊盘156也可以由导电堆叠结构140形成。例如，可以通过将导电堆叠结构140与感测电极150一起刻蚀来形成焊盘156。
在一个实施方式中，可以部分地去除绝缘层190和钝化层195以形成开口，焊盘156可以通过该开口暴露。例如，焊盘156和柔性印刷电路板(Flexible Printed CircuitBoard，FPCB)可以通过该开口粘合。
图8为示出根据一些示例性实施方式的触摸传感器的示意性横截面图。例如，图8示出了具有底部桥接结构的触摸传感器。
参照图8，桥接电极182可以形成在基板100的上表面上，并且绝缘层190可以形成在桥接电极182上。绝缘层190可以部分地覆盖桥接电极182。例如，桥接电极182的顶表面可以通过形成在绝缘层190中的接触孔而部分地暴露。
感测电极170可以形成在绝缘层190上，并且可以包括第一感测电极172和第二感测电极174。例如，第一感测电极172可以填充包括在绝缘层190中接触孔，并且可以经由桥接电极182彼此电连接。
第二感测电极174可以设置在绝缘层190上，并且可以与第一感测电极172和桥接电极182绝缘。
在示例性实施方式中，桥接电极182可以由如参照图1所描述的导电堆叠结构140形成。例如，导电堆叠结构140可以通过如参照图2至图5所描述的工艺形成在基板100上，然后可以刻蚀导电堆叠结构140以形成桥接电极182。如上所述，可以通过含铜金属层120减小桥接电极182的沟道电阻，并且可以通过第一导电氧化物层110和第二导电氧化物层130增强桥接电极182的粘附性和化学/机械稳定性。
在一些实施方式中，迹线184可以与桥接电极182一起由导电堆叠结构140形成。迹线184可以在例如触摸传感器或基板100的周边部分处电连接到感测电极170。
在一些实施方式中，感测电极170可以包括透明导电氧化物。例如，感测电极170可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化镉锡(CTO)等。因此，可以改善感测电极170的透射率，并且可以防止用户看到感测电极170。
焊盘可以形成在触摸传感器或基板100的端部。在一些实施方式中，焊盘可以包括第一导电图案186和第二导电图案176。
第一导电图案186可以与桥接电极182一起由导电堆叠结构140形成。第一导电图案186可以连接到迹线184的末端，并且迹线184也可以由如上所述的导电堆叠结构形成。
第二导电图案176可以与感测电极170一起由透明导电氧化物形成。
根据本发明的示例性实施方式，提供了一种包括如上所描述的触摸传感器或触摸屏面板的图像显示设备。
图9为示出根据示例性实施方式的窗口堆叠结构和包括触摸传感器的图像显示设备的示意性横截面图。
窗口堆叠结构250可以包括窗口基板230、偏光层210和根据如上所述的示例性实施方式的触摸传感器200。
窗口基板230可以包括例如硬涂层膜。在一个实施方式中，遮光图案235可以形成在窗口基板230的表面的周边部分上。遮光图案235可以包括彩色印刷图案，并且可以具有单层式结构或多层式结构。图像显示设备的边框部分或非显示区域可以由遮光图案235限定。
偏光层210可以包括涂覆型偏光器或偏光板。涂覆型偏光器可以包括液晶涂层，该液晶涂层可以包括可交联的液晶化合物和二色性染料。在这种情况下，偏光层210可以包括用于提供液晶涂层的取向的配向层(alignment layer)。
例如，偏光板可以包括基于聚乙烯醇的偏光器和附接到该基于聚乙烯醇的偏光器的至少一个表面的保护膜。
偏光层210可以直接附接到窗口基板230的表面或者可以经由第一粘合层220附接。
触摸传感器200可以作为薄膜或面板包括在窗口堆叠结构250中。在一个实施方式中，触摸传感器200可以经由第二粘合层225与偏光层210结合。
如图9所示，窗口基板230、偏光层210和触摸传感器200可以从观看者侧依次地放置。在这种情况下，触摸传感器200的感测电极可以设置在偏光层210下方，使得可以有效地防止观看者看到电极图案。
如果触摸传感器200包括基板，则该基板可以包括例如三乙酰纤维素、环烯烃、环烯烃共聚物、聚降冰片烯共聚物等，并且可以具有±2.5nm(纳米)或更小的面内延迟。
在一个实施方式中，触摸传感器200可以直接转印到窗口基板230或偏光层210。在一个实施方式中，窗口基板230、触摸传感器200和偏光层210可以从观看者侧依次地放置。
图像显示设备可以包括显示面板360和设置在显示面板360上的窗口堆叠结构250。
显示面板360可以包括设置在面板基板300上的像素电极310、像素定义层320、显示层330、对向电极(opposing electrode)340和封装层350。
可以在面板基板300上形成包括薄膜晶体管(TFT)的像素电路，并且可以形成覆盖所述像素电路的绝缘层。像素电极310可以电连接到例如绝缘层上的TFT的漏极电极。
像素定义层320可以形成在绝缘层上，并且像素电极310可以通过像素定义层320暴露，使得可以限定像素区域。显示层330可以形成在像素电极310上，并且显示层330可以包括例如液晶层或有机发光层。
对向电极340可以设置在像素定义层320和显示层330上。对向电极340可以用作例如图像显示设备的公共电极或阴极。封装层350可以设置在对向电极340上以保护显示面板360。
在一些实施方式中，显示面板360和窗口堆叠结构250可以通过粘合层260彼此结合。例如，粘合层260的厚度可以大于第一粘合层220和第二粘合层225中的每一者的厚度。粘合层260的粘弹性在-20℃到80℃的温度范围内可为约0.2Mpa或更低。在这种情况下，可以阻止来自显示面板360的噪声，并且可以减轻弯曲时的界面应力，从而可以避免窗口堆叠结构250的损坏。在一个实施方式中，粘合层260的粘弹性可以在约0.01Mpa至约0.15Mpa的范围内。
触摸传感器200可以包括由导电堆叠结构140形成的电极，该导电堆叠结构140包括根据如上所述的示例性实施方式的三层式结构。因此，可以防止看到电极，从而还可以防止显示面板360的图像质量的降低。此外，可以改善触摸感测可靠性。
在下文中，提出了优选的实施方式以更具体地描述本发明。然而，给出下面的示例仅用于例示出本发明，并且相关领域的技术人员显然将理解，这些示例并不限制所附的权利要求，而是在本发明的范围和精神内可以进行各种改变和修改。这些改变和修改当然地包括在所附权利要求中。
实验示例1：对反射率和色感的评估
示例1
将玻璃基板装载在溅射工艺室中(室温：120℃)，并且开始使用CuCa靶进行沉积(Ca相对于Cu的比率：1原子％)，同时以0.5Pa至0.7Pa的总压将氧气与作为载气的Ar一起注入，以形成第一导电氧化物层。执行氧气注入直到第一导电氧化物层的厚度达到在停止注入氧气之后，连续保持CuCa沉积以形成厚度为/>的含铜金属层。再次执行氧气注入以形成厚度为/> 的第二导电氧化物层。因此，获得具有由CuCaO/CuCa/CuCaO表示的三层式结构的电极。
示例2
除了将工艺温度控制在室温(23℃)之外，进行与示例1相同的那些工艺，以形成电极。
比较例1
在示例1的工艺中省略氧气注入，以形成厚度为的CuCa电极。
使用柯尼卡美能达CM-3600A(KONICA MINOLTA CM-3600A)测量上述示例和比较例的各个电极的反射率和色感，结果在下表1中示出。
[表1]
参照表1，通过形成导电氧化物层，与比较例中的反射率的值相比，各示例中的反射率的值显著降低，并且与颜色相关的数值也普遍减小，从而防止看到电极。此外，在120℃的工艺温度下执行的示例1中，反射率和色感相对降低。
实验示例2：粘附性/腐蚀性的评估
通过ISO 2409标准(用于通过胶带测试测量粘附性的标准测试方法(StandardTest Methods for Measuring Adhesion by Tape Test))评估示例1、示例2和比较例1的电极对基板的粘附性。将示例1、示例2以及比较例1的电极在85％的相对湿度和85℃的条件下放置500小时，然后观察电极腐蚀的产生。
结果在表2中示出。评估粘附性后的电极SEM图像也在图10A(示例1)、图10B(示例2)和图10C(比较例1)中示出。
[表2]
粘附性 腐蚀性
示例1 5B 没有腐蚀
示例2 4B 观察到部分腐蚀
比较例1 3B 在整个电极区域观察到腐蚀
如表2和图10A至图10C所示，通过包括导电氧化物层改善了粘附性和抗腐蚀特性，并且在升高的工艺温度下形成的示例1的电极中获得了更加改善的结果。
实验示例3：电阻的评估
比较例2
在示例1的工艺中，不中断氧气注入以形成由厚度为的Cu-Ca-O导电氧化物形成的电极。
测量示例1、示例2以及比较例1、比较例2的电极的薄层电阻(测量设备：韩国纳普森(NAPSON KOREA)半自动电阻测量设备)。结果如下列表3所示。
[表3]
薄层电阻(Ω) 与比较例1的比率
示例1 0.120 1.12
示例2 0.129 1.21
比较例1 0.107 1.00
比较例2 0.179 1.67
参照表3，包括含铜金属层的示例1和示例2中的电阻小于比较例2中的电阻。

Claims (18)

1.一种触摸传感器，包括：
基板；以及
多个电极，每个所述电极由导电堆叠结构形成，所述导电堆叠结构包括从所述基板依次堆叠的第一导电氧化物层、含铜金属层和第二导电氧化物层；
其中，所述第一导电氧化物层和所述第二导电氧化物层均包括铜-金属氧化物，
其中，所述含铜金属层直接形成在所述第一导电氧化物层上，所述第二导电氧化物层直接形成在所述含铜金属层上。
2.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述多个电极包括多个感测电极和电连接所述多个感测电极中的相邻的感测电极的桥接电极；
其中，所述感测电极和所述桥接电极中的至少一者包括所述导电堆叠结构。
3.根据权利要求2所述的触摸传感器，其中，所述多个感测电极包括：
多个第一感测电极，所述多个第一感测电极沿平行于所述基板的顶表面的第一方向布置；以及
多个第二感测电极，所述多个第二感测电极沿平行于所述基板的所述顶表面且垂直于所述第一方向的第二方向彼此一体化地连接。
4.根据权利要求3所述的触摸传感器，还包括绝缘层，所述绝缘层至少部分地覆盖所述多个第二感测电极；
其中，所述桥接电极设置在所述绝缘层上，以将在所述第一方向上相邻的所述多个第一感测电极彼此电连接。
5.根据权利要求4所述的触摸传感器，其中，所述桥接电极和所述感测电极都包括所述导电堆叠结构。
6.根据权利要求3所述的触摸传感器，还包括部分地覆盖所述桥接电极的绝缘层；
其中，所述多个第一感测电极和所述多个第二感测电极设置在所述绝缘层上，且在所述第一方向上相邻的所述多个第一感测电极经由所述桥接电极的穿过所述绝缘层暴露的部分彼此电连接。
7.根据权利要求6所述的触摸传感器，其中，所述桥接电极包括所述导电堆叠结构且所述感测电极包括透明导电氧化物。
8.根据权利要求2所述的触摸传感器，其中，所述多个电极还包括电连接到所述感测电极的迹线和连接到所述迹线的端子的焊盘；
其中，所述迹线和所述焊盘中的至少一者包括所述导电堆叠结构。
9.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述第一导电氧化物层和所述第二导电氧化物层均包括铜-钙氧化物(Cu-Ca-O)且所述含铜金属层包括铜-钙(Cu-Ca)。
10.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，所述第一导电氧化物层和所述第二导电氧化物层中的每一者的厚度均在至/>的范围内，并且所述含铜金属层的厚度在/>至/>的范围内。
11.一种制造触摸传感器的方法，包括：
将铜和除铜之外的金属沉积在基板上并同时进行氧气注入以形成第一导电氧化物层；
在保持所述沉积的同时停止所述氧气注入以在所述第一导电氧化物层上形成含铜金属层；
在保持所述沉积的同时再次执行所述氧气注入以在所述含铜金属层上形成第二导电氧化物层，从而形成导电堆叠结构；以及
刻蚀所述导电堆叠结构以形成电极。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述含铜金属层是在90℃至150℃的温度范围内执行的。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一导电氧化物层和形成所述第二导电氧化物层是在90℃至150℃的温度范围内执行的。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第一导电氧化物层、形成所述含铜金属层以及形成所述第二导电氧化物层是在同一工艺室内通过原位工艺连续地执行的。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第一导电氧化物层、形成所述含铜金属层以及形成所述第二导电氧化物层是在多个工艺室中通过按顺序排列的工艺连续地执行的。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述除铜之外的金属包括钙。
17.一种图像显示设备，包括：
显示面板；以及
位于所述显示面板上的根据权利要求1至10中任一项所述的触摸传感器。
18.根据权利要求17所述的图像显示设备，还包括将所述显示面板和所述触摸传感器彼此结合的粘合层。
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