CN110907150A - 一种机器人接插件可靠性加速测试方法与装置 - Google Patents

一种机器人接插件可靠性加速测试方法与装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种机器人接插件可靠性加速测试方法与装置。在不同插拔温度、速度下,插拔次数对于电气接插件的可靠性有很大影响。本发明一种机器人接插件可靠性加速测试方法的步骤如下:一、建立试验参数集。二、进行模型确立试验。三、建立接触电阻、信号保真比、磨痕平均宽度、磨痕平均深度的衍化模型。四、计算特征参数。五、建立被测接插件在各加速条件下的衍化函数。六、通过模糊决策选定最终使用的加速条件和衍化函数。本发明分别通过温度、插拔力、插拔速度作为加速条件建立衍化模型,并通过模糊决策的方式选取最优的衍化模型,衍化模型充分考虑了接插件组件在数据传输和能量输送中的功能,弥补了现有机器人接插件可靠性测试方法的不足。

Description

一种机器人接插件可靠性加速测试方法与装置
技术领域
本发明属于接插件可靠性加速测试技术领域,具体涉及一种机器人接插件可靠性加速测试方法与装置。
背景技术
电气接插件作为一种基础电器元件,用于实现电信号的传输和控制以及电子与电气设备之间的电连接,在工业制造中,接插件使得复杂庞大的系统结构模块化,并发挥着各种重要作用。由于机器运行以及工作条件的影响,接插件损耗进而失效常对工作中机械产生较大损害。接插件的可靠性以及寿命影响甚至决定着产品的控制系统、通讯系统、数据传输、工作电压的稳定性。因此,通过一定的技术手段对机器人连接器的可靠性和工作寿命进行测定,快速地测验检查其结构、材料等方面的设计缺陷,据此进一步对产品进行升级和完善,对产品质量性能的提升非常关键;同时,作为一种对机器人接插件可靠性以及使用寿命的测试,可以快速清晰地得到产品使用预期,降低产品的危险系数提升其安全宽裕度。
目前已经提出的电器接插件可靠性加速测试实验装置并不多,专利号为201110101719.0的专利提供了一种能同时进行多组测试接插件插拔寿命的装置能够根据测试需要对相关参数自行设定,满足不同连接器的插拔寿命测试需求。然而没有考虑到在加速试验中温度与实际工作中的不同。上述专利在某一方面做出重点研究,但是机器人接插件的工作环境是复杂的,各种因素相互影响,机器人接插件的可靠性以及工作寿命的测试,也需要在尽可能重现工作环境的条件下进行。同时,也有相关文献表明,在不同插拔温度、速度下,插拔次数对于电气接插件的可靠性有很大影响。(如凌三强)在不同插拔速度下进行了电气接插件插拔特性试验,试验结果表明,插拔次数对电气接插件接触电阻的变化趋势有很大的影响,在其进行的五组不同插拔速度试验中,电气接插件的接触电阻分别在插拔760、900、800、750和1300次之前接触电阻处于上升趋势,但随后接触电阻开始出现及其不规律的波动。由此可见,插拔次数对电气接插件可靠性的影响不可忽视。
发明内容
本发明的目的在于提供一种机器人接插件可靠性加速测试方法与装置。
本发明一种机器人接插件可靠性加速测试方法的具体步骤如下:
步骤一、建立试验速度参数集V={v0,v1,...,vn}、试验温度参数集T={T0,T1,...,Tn}、试验插入力参数集F={F0,F1,...,Fn}。其中,v0<v1<...<vn,T0<T1<...<Tn,F0<F1<...<Fn
步骤二、进行模型确立试验。
2-1.i=0,1,2,…,n,依次执行步骤2-2和2-3。
2-2.取一组未使用过的被测接插件,并检查其是否完好。
2-3.设定试验温度为Ti,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0,试验插拔次数为s,进行插拔试验,获取温度加速条件下的第i个磨痕平均宽度x1,i、磨痕平均深度d1,i、接触电阻值R1,i、信号保真比H1,i。获取试验温度与接触电阻值、磨痕平均深度、接触电阻值、信号保真比的关系曲线。
2-4.设定试验温度为T0,试验插拔力为Fi,试验插拔速度为v0,试验插拔次数为s,进行插拔试验,获取温度加速条件下的第i个磨痕平均宽度x2,i、磨痕平均深度d2,i、接触电阻值R2,i、信号保真比H2,i。分别获取试验插拔力与接触电阻值、磨痕平均深度、接触电阻值、信号保真比的关系曲线。
2-5.设定试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为vi,试验插拔次数为s,进行插拔试验,获取温度加速条件下的第i个磨痕平均宽度x3,i、磨痕平均深度d3,i、接触电阻值R3,i、信号保真比H3,i。分别获取试验插拔速度与接触电阻值、磨痕平均深度、接触电阻值、信号保真比的关系曲线。
步骤三、建立接触电阻、信号保真比、磨痕平均宽度、磨痕平均深度的衍化模型。
3-1.建立n+1条温度加速条件下的接触电阻方程如式(1a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的接触电阻方程如式(1b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的接触电阻方程如式(1c)所示;
Figure BDA0002234405250000021
Figure BDA0002234405250000022
Figure BDA0002234405250000023
式(1a)、(1b)、(1c)中,i=0,1,…,n;R0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件的接触电阻;
Figure BDA0002234405250000031
M为接插件的极限插拔次数。kTi为第一温度加速变量。kFi为第一插拔力加速变量。kvi为第一插拔速度加速变量。
分别求解n+1条温度加速条件下的接触电阻方程,得到kT0、kT1、…、kTn;分别求解n+1条插拔力加速条件下的接触电阻方程,kF0、kF1、…、kFn;分别求解n+1条插拔速度加速条件下的接触电阻方程,kv0、kv1、…、kvn。将kT0、kT1、…、kTn作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第一离散点图;将kF0、kF1、…、kFn作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第一离散点图;将kv0、kv1、…、kvn作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第一离散点图;
拟合温度加速下的第一离散点图、插拔力加速下的第一离散点图、插拔速度加速下的第一离散点图,得到温度加速下的第一目标函数
Figure BDA0002234405250000032
插拔力加速下的第一目标函数
Figure BDA0002234405250000033
插拔速度加速下的第一目标函数
Figure BDA0002234405250000034
γ1、β1、α1分别为拟合中确定的第一温度影响因子、第一插拔力影响因子和第一插拔速度影响因子。Tm、Fm、vm分别为被测接插件的最高使用温度、最高插拔力和最高插拔速度。
3-2.建立n+1条温度加速条件下的信号保真比方程如式(2a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的信号保真比方程如式(2b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的信号保真比方程如式(2c)所示;
Figure BDA0002234405250000035
Figure BDA0002234405250000036
Figure BDA0002234405250000037
式(2a)、(2b)、(2c)中,i=0,1,…,n;H0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件的信号保真比;
Figure BDA0002234405250000041
gTi为第二温度加速变量。gFi为第二插拔力加速变量。gvi为第二插拔速度加速变量。
分别求解n+1条温度加速条件下的信号保真比方程,得到gT0、gT1、…、gTn;分别求解n+1条插拔力加速条件下的信号保真比方程,得到gF0、gF1、…、gFn;分别求解n+1条插拔速度加速条件下的信号保真比方程,得到gv0、gv1、…、gvn。将gT0、gT1、…、gTn作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第二离散点图;将gF0、gF1、…、gFn作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第二离散点图;将gv0、gv1、…、gvn作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第二离散点图;
分别拟合温度加速下的第二离散点图、插拔力加速下的第二离散点图、插拔速度加速下的第二离散点图,得到温度加速下的第二目标函数
Figure BDA0002234405250000042
插拔力加速下的第二目标函数
Figure BDA0002234405250000043
插拔速度加速下的第二目标函数
Figure BDA0002234405250000044
γ2、β2、α2为拟合中确定的第二温度影响因子、第二插拔力影响因子和第二插拔速度影响因子。
3-3.建立n+1条温度加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(3a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(3b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(3c)所示;
Figure BDA0002234405250000045
Figure BDA0002234405250000046
Figure BDA0002234405250000047
式(3a)、(3b)、(3c)中,i=0,1,…,n;H0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件公端上插针被磨出的痕迹的宽度均值;
Figure BDA0002234405250000048
Figure BDA0002234405250000049
为第三温度加速变量。
Figure BDA00022344052500000410
为第三插拔力加速变量。
Figure BDA00022344052500000411
为第三插拔速度加速变量。
分别求解n+1条温度加速条件下的磨痕平均宽度方程,得到
Figure BDA0002234405250000051
分别求解n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均宽度,得到
Figure BDA0002234405250000052
分别求解n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度,得到
Figure BDA0002234405250000053
Figure BDA0002234405250000054
作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第三离散点图;将
Figure BDA0002234405250000055
作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第三离散点图;将
Figure BDA0002234405250000056
作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第三离散点图;
拟合温度加速下的第三离散点图、插拔力加速下的第三离散点图、插拔速度加速下的第三离散点图,得到温度加速下的第三目标函数
Figure BDA0002234405250000057
插拔力加速下的第三目标函数
Figure BDA0002234405250000058
插拔速度加速下的第三目标函数
Figure BDA0002234405250000059
γ3、β3、α3为拟合中确定的第三温度影响因子、第三插拔力影响因子和第三插拔速度影响因子。
3-4.建立n+1条温度加速条件下的磨痕平均深度方程如式(4a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(4b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(4c)所示;
Figure BDA00022344052500000510
Figure BDA00022344052500000511
Figure BDA00022344052500000512
式(4a)、(4b)、(4c)中,i=0,1,…,n;H0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件件公端上插针被磨出的痕迹的深度均值;
Figure BDA00022344052500000513
ωTi为第四温度加速变量。ωFi为第四插拔力加速变量。ωvi为第四插拔速度加速变量。
分别求解n+1条温度加速条件下的磨痕平均深度方程,得到ωT0、ωT1、…、ωTn;分别求解n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均深度,得到ωF0、ωF1、…、ωFn;分别求解n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均深度,得到ωv0、ωv1、…、ωvn。将ωT0、ωT1、…、ωTn作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第四离散点图;将ωF0、ωF1、…、ωFn作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第四离散点图;将ωv0、ωv1、…、ωvn作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第四离散点图;
拟合温度加速下的第四离散点图、插拔力加速下的第四离散点图、插拔速度加速下的第四离散点图,得到温度加速下的第四目标函数
Figure BDA0002234405250000061
插拔力加速下的第四目标函数
Figure BDA0002234405250000062
插拔速度加速下的第四目标函数
Figure BDA0002234405250000063
γ4、β4、α4为拟合中确定的第四温度影响因子、第四插拔力影响因子和第四插拔速度影响因子。
步骤四、计算第一温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure BDA0002234405250000064
Figure BDA0002234405250000065
第二温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure BDA0002234405250000066
Figure BDA0002234405250000067
第三温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure BDA0002234405250000068
Figure BDA0002234405250000069
第四温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure BDA00022344052500000610
Figure BDA00022344052500000618
步骤五、建立被测接插件在温度加速条件下的接触电阻衍化函数
Figure BDA00022344052500000611
信号保真比衍化函数
Figure BDA00022344052500000612
磨痕平均宽度衍化函数
Figure BDA00022344052500000613
磨痕平均深度衍化函数
Figure BDA00022344052500000614
建立被测接插件在插拔力加速条件下的接触电阻衍化函数
Figure BDA00022344052500000615
信号保真比衍化函数
Figure BDA00022344052500000616
磨痕平均宽度衍化函数
Figure BDA00022344052500000617
磨痕平均深度衍化函数
Figure BDA0002234405250000071
建立被测接插件在插拔速度加速条件下的接触电阻衍化函数
Figure BDA0002234405250000072
信号保真比衍化函数
Figure BDA0002234405250000073
磨痕平均宽度衍化函数
Figure BDA0002234405250000074
磨痕平均深度衍化函数
Figure BDA0002234405250000075
各衍化函数中,m为自变量,代表插拔次数。
步骤六、通过模糊决策选定最终使用的加速条件和衍化函数。
6-1.设定因素集U={接触电阻,信号保真比,磨痕平均宽度,磨痕平均深度},评判集V={优、良、中、差}。
6-2.根据步骤2-3中获得的试验温度与接触电阻值的关系曲线,建立温度加速条件下的接触电阻(Ω)的隶属度函数如式(5)所示,其服从K分布;
Figure BDA0002234405250000076
式(5)中,a1、a′1、K1的数值根据试验温度与接触电阻值的关系曲线选定。
将步骤2-3中获得的n个接触电阻分别作为自变量x代入式(5),获得n个隶属度大小;将该n个隶属度大小根据数值从大到小分为优、良、中、差四组。计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r11,r12,r13,r14
6-3.根据步骤2-3中获得的试验温度与信号保真比的关系曲线,建立温度加速条件下的信号保真比的隶属度函数如式(6)所示,其服从正态分布;
Figure BDA0002234405250000077
式(6)中,a2的数值根据试验温度与信号保真比的关系曲线选定。
将步骤2-3中获得的n个信号保真比分别代入作为自变量x代入式(6),获得n个隶属度大小,将该n个隶属度大小根据数值大小从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r21,r22,r23,r24
6-4.根据步骤2-3中获得的试验温度与磨痕平均宽度的关系曲线,建立温度加速条件下的磨痕平均宽度的隶属度函数如式(7)所示,其服从K分布;
Figure BDA0002234405250000081
式(7)中,a3、a′3、K3的数值大小根据试验温度与磨痕平均宽度的关系曲线选定。
将步骤2-3中获得的n个磨痕平均宽度比分别代入作为自变量x代入式(6),获得n个隶属度大小,将该n个隶属度大小根据数值大小从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r31,r32,r33,r34
6-5.根据步骤2-3中获得的试验温度与磨痕平均深度的关系曲线,建立温度加速条件下的磨痕平均深度(μm)的隶属度函数如式(8)所示,其服从K分布;
Figure BDA0002234405250000082
式(8)中,a4、a′4、K4的数值大小根据试验温度与磨痕平均深度的关系曲线选定。
将步骤2-3中获得的n个磨痕平均深度比分别代入作为自变量x代入式(6),获得n个隶属度大小,将该n个隶属度大小根据数值大小从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r41,r42,r43,r44
6-5.建立因素分配权重矩阵为B=(b1,b2,b3,b4),其值通过人为设定得到;建立温度隶属矩阵
Figure BDA0002234405250000083
计算温度综合评判矩阵
Figure BDA0002234405250000084
其中,符号
Figure BDA0002234405250000091
表示模糊逻辑算子。对温度综合评判矩阵C温度内的各元素进行归一化处理,得到归一化温度评判矩阵C温度=(b”1,b”2,b”3,b”4)。
6-6.参照步骤6-2至6-5中的方法分别计算归一化插拔力评判矩阵C插拔力=(c”1,c”2,c”3,c”4)、归一化插拔速度评判矩阵C插拔速度=(d”1,d”2,d”3,d”4)。
6-7.根据归一化温度评判矩阵C温度=(b”1,b”2,b”3,b”4)、归一化插拔力评判矩阵C插拔力=(c”1,c”2,c”3,c”4)、归一化插拔速度评判矩阵C插拔速度=(d”1,d”2,d”3,d”4)选取最准确的衍化模型。
作为优选,步骤一中,v0为标准插拔速度,其值的获取方法为:工作人员在标准工况下对接插件公端与接插件母端进行50次插拔时,插入速度的平均值。插入速度根据插接行程除以插入时间得到。插接行程为接插件公端、接插件母端从接触到插紧的相对位移量。
作为优选,步骤一中,T0在接插件工作环境下的温度,其值根据被测接插件的工作环境确定。
作为优选,步骤一中,F0为工作人员在标准工况下对接插件公端与接插件母端进行50次插拔时,插入力的平均值。插入力的检测方法为:工作人员在插接时,一手持接插件公端,另一手持压力传感器。压力传感器固定在接插件母端;然后进行插接;插接过程中压力传感器检测到的峰值即为插入力。
作为优选,步骤二中所述的插拔试验具体如下:
①.调整环境温度为所需的试验温度。
②.按照试验插拔速度和插拔力,将接插件公端与接插件母端插接在一起。
③.将接插件公端、接插件母端分离。
④.按照试验插拔次数重复执行步骤②和③。之后,进入步骤⑤。
⑤.测量接插件公端的所有插针上各磨痕的宽度,并求取平均值,得到磨痕平均宽度;测量接插件公端的所有插针上各磨痕的深度,并求取平均值,得到磨痕平均深度。
⑥.按照试验插拔速度和插拔力,将接插件公端与接插件母端插接在一起。并测量被测接插件的接触电阻。向接插件输入一个幅值为A的方波信号;并检测经过接插件后的方波信号的幅值A'。求出信号保真比,其值等于A'/A。
作为优选,步骤6-7中的选取方法如下:
计算温度评判均值
Figure BDA0002234405250000101
计算插拔力判均值
Figure BDA0002234405250000102
计算插拔速度评判均值
Figure BDA0002234405250000103
Figure BDA0002234405250000104
中的最大值对应的那个加速条件作为最优加速条件。取最优加速条件对应的衍化模型作为最准确的衍化模型。
本发明一种机器人接插件可靠性加速测试装置,包括温控箱、插拔模块、电控箱和机架。所述的机架包括试验台框架、试验台底板、电控底板和支座。四个支座的顶端与试验台框架的四个角分别固定。
所述的温控箱包括箱体和温度调节模块。箱体固定在试验台框架的顶部。温度调节模块包括智能温度控制表、热风机、热电偶底座和热电偶。热电偶底座固定在箱体内。热电偶固定在热电偶底座上。热风机安装在箱体内的一侧侧壁上。智能温度控制表安装在试验台框架上。智能温度控制表的温度信号输入接口与热电偶的信号输出接口连接,加热控制接口与热风机的控制输入接口连接。
所述的插拔模块包括滑架、滑块、插拔驱动组件、拉压力传感器、滑移座、固定座和安装座。滑架固定在试验台底板上。滑块与滑架构成滑动副。所述的滑块由插拔驱动组件驱动。滑移座与滑块固定。固定座固定在滑架的一端。两个拉压力传感器的一端均与固定座固定,另一端均与安装座固定。安装座位于滑移座与固定座之间。箱体的底面开设有让位槽。滑移座、固定座和安装座均穿过让位槽,且位于箱体内。
所述的电控装置安装在底板上,包括表面磨损视觉测量装置、电阻测试装置、脉冲响应装置、PLC控制系统、导线管和电机驱动器。电机驱动器的控制输入接口与PLC控制系统的控制输出接口通过导线连接。电阻测试装置的两个信号输入端分别接出第一电阻检测检测线和第二电阻检测线。电阻测试装置的信号输出接口与PLC控制系统的电阻信号输入接口连接。
所述的脉冲响应装置包括脉冲发生器和脉冲测试仪。脉冲发生器的脉冲输出端引出一根脉冲输出线。脉冲测试仪的信号输入端引出一根脉冲接收线。脉冲发生器的控制输入接口与PLC控制系统的脉冲信号输出接口连接。脉冲测试仪的信号输出接口与PLC控制系统的脉冲输入接口连接。表面磨损视觉测量装置采用表面形貌扫描仪。表面形貌扫描仪安装在箱体内,且朝向插拔模块。
作为优选,所述的电控底板固定在试验台框架的底部。试验台底板固定在试验台框架的中部。
作为优选,所述的插拔驱动组件包括电机、同步轮和同步带。两个同步轮分别支承在滑架的两端,并通过同步带连接。电机固定在滑架上,且输出轴与其中一个同步轮固定。滑块与同步带固定。
作为优选,所述的电控装置还包括触摸显示屏。触摸显示屏的通信接口与PLC控制系统的显示信号输出接口通过导线连接。
本发明具有的有益效果是:
1、本发明分别通过温度、插拔力、插拔速度作为加速条件建立衍化模型,并通过模糊决策的方式选取最优的衍化模型,衍化模型充分考虑了接插件组件在数据传输和能量输送中的功能,弥补了现有机器人接插件可靠性测试方法的不足。
2、本发明简化了接插件可靠性加速测试过程;装置操作简单,方便,适应性面广;
3、本发明通过加速试验提供了被测型号接插件衍化模型,可以为机器人接插件可靠性质量提供专业的技术支持,可以为机器人接插件的可靠性增强技术提供数据支持。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图;
图2为本发明中插拔模块的结构示意图;
图3为本发明中电控箱的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步说明。
如图1所示,一种机器人接插件可靠性加速测试装置,包括温控箱1、插拔模块2、电控箱3和机架。机架包括试验台框架301、试验台底板201、电控底板302和支座303。四个支座303的顶端与试验台框架301的四个角分别固定。电控底板302固定在试验台框架301的底部。试验台底板201固定在试验台框架301的中部。
温控箱1用于调节接插件加速测试试验所需温度,包括箱体、箱门和温度调节模块。箱体固定在试验台框架301的顶部。箱体的开口处安装有带把手102的箱门。温度调节模块包括智能温度控制表307、热风机103、热电偶底座104和热电偶105。热电偶底座104固定在箱体内。热电偶105固定在热电偶底座104上。热风机103安装在箱体内的一侧侧壁上,用于提升箱体的温度。智能温度控制表307安装在试验台框架301上。智能温度控制表307的温度信号输入接口与热电偶的信号输出接口连接,加热控制接口与热风机的控制输入接口连接。进而在插拔试验过程中对温度进行监测和控制。
如图1和2所示,插拔模块2用于带动接插件进行反复插拔运动。插拔模块2包括滑架203、滑块208、插拔驱动组件、拉压力传感器、滑移座、固定座和安装座。滑架203固定在试验台底板201上。滑块208与滑架构成滑动副。插拔驱动组件包括电机202、同步轮和同步带。两个同步轮分别支承在滑架的两端,并通过同步带连接。电机202固定在滑架203上,且输出轴与其中一个同步轮固定。滑块0208与同步带固定。滑移座与滑块0208固定。固定座固定在滑架0203的一端。两个拉压力传感器的一端均与固定座固定,另一端均与安装座固定。安装座位于滑移座与固定座之间。滑移座、安装座的相对侧面分别用于安装接插件母端0205、接插件公端0206。箱体的底面开设有让位槽。滑移座、固定座和安装座均穿过让位槽,且位于箱体内。
如图1和3所示,电控装置03用于控制调节伺服驱动装置的速度与频率从而实现调节插拔力、插拔速度、插拔次数的效果。电控装置03安装在底板上,包括表面磨损视觉测量装置、电阻测试装置、脉冲响应装置、触摸显示屏304、PLC控制系统305、开关电源309、导线管308和电机驱动器306。开关电源309为触摸显示屏304、PLC控制系统305、电机驱动器306和温度控制表307供电。电机驱动器306的控制输入接口与PLC控制系统305的控制输出接口通过导线连接。触摸显示屏304的通信接口与PLC控制系统305的显示信号输出接口通过导线连接。所有导线管308均包裹在导线管308内。
电阻测试装置的两个信号输入端分别接出第一电阻检测检测线和第二电阻检测线,其在插拔试验过程中对接插件接触电阻的大小进行监测,在插拔试验完成后对接插件间电阻进行评估。电阻测试装置的信号输出接口与PLC控制系统305的电阻信号输入接口连接。
脉冲响应装置包括脉冲发生器和脉冲测试仪。脉冲发生器的脉冲输出端引出一根脉冲输出线。脉冲测试仪的信号输入端引出一根脉冲接收线。脉冲发生器的控制输入接口与PLC控制系统305的脉冲信号输出接口连接。脉冲测试仪的信号输出接口与PLC控制系统305的脉冲输入接口连接。
表面磨损视觉测量装置采用表面形貌扫描仪。表面形貌扫描仪安装在箱体内,且朝向插拔模块2。其用于在插拔试验结束后对插针表面磨损状况进行检测与评估。
该机器人接插件可靠性加速测试装置的加速测试方法具体如下:
步骤一、建立试验速度参数集V={v0,v1,...,vn}、试验温度参数集T={T0,T1,...,Tn}、试验插入力参数集F={F0,F1,...,Fn}。
其中,v0为标准插拔速度,其值的获取方法为:工作人员在标准工况下对接插件公端与接插件母端进行50次插拔时,插入速度的平均值。插入速度根据插接行程除以插入时间得到。插接行程为接插件公端、接插件母端从接触到插紧的相对位移量,v0<v1<...<vn。T0在接插件工作环境下的温度,其值根据被测接插件的工作环境确定,通常取值为25℃,T0<T1<...<Tn。F0为工作人员在标准工况下对接插件公端与接插件母端进行50次插拔时,插入力的平均值。插入力的检测方法为:工作人员在插接时,一手持接插件公端,另一手持压力传感器。压力传感器固定在接插件母端;然后进行插接;插接过程中压力传感器检测到的峰值即为插入力。F0<F1<...<Fn
步骤二、进行模型确立试验。
2-1.i=0,1,2,…,n,依次执行步骤2-2和2-3。
2-2.取一组未使用过的被测接插件,并检查其是否完好。将被测接插件的接插件公端、接插件母端分别固定在滑移座、安装座上,并使接插件公端、接插件母端对齐。
2-3.设定试验温度为Ti,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0,试验插拔次数为s,进行插拔试验,获取温度加速条件下的第i个磨痕平均宽度x1,i、磨痕平均深度d1,i、接触电阻值R1,i、信号保真比H1,i;s=1000。磨痕平均宽度表示接插件公端上插针被磨出的痕迹(沟槽状)的宽度均值;磨痕深度表示接插件公端上插针被磨出的痕迹(沟槽状)的深度均值。分别获取试验温度与接触电阻值、磨痕平均深度、接触电阻值、信号保真比的关系曲线。
插拔试验具体如下:
(1)热风机与热电偶相配合,使箱体内的温度调整至试验温度。
(2)插拔驱动组件驱动滑移座以试验插拔速度向安装座滑动,直到拉压力传感器检测到的压力值达到试验插拔力后,插拔驱动组件停止运动。
(3)插拔驱动组件驱动滑移座以试验插拔速度向远离安装座的方向滑动,使得接插件公端、接插件母端分离。
(4)按照试验插拔次数重复执行步骤(2)和(3)(即重复执行s次)。之后,进入步骤(5)。
(5)通过表面形貌扫描仪扫描接插件公端,得到接插件公端扫描图;在接插件公端扫描图上测量出接插件公端的所有插针上各磨痕的宽度,并求取平均值,得到磨痕平均宽度;在接插件公端扫描图上测量出接插件公端的所有插针上各磨痕的深度,并求取平均值,得到磨痕平均深度。
(6)插拔驱动组件驱动滑移座以试验插拔速度向安装座滑动,使得接插件公端与接插件母端插接在一起。电阻测试装置测量被测接插件的接触电阻。脉冲响应装置内的脉冲发生器发出一个幅值为A的方波信号;脉冲测试仪接收经过被测接插件后的方波信号的幅值A'。求出信号保真比,其值等于A'/A。
2-4.设定试验温度为T0,试验插拔力为Fi,试验插拔速度为v0,试验插拔次数为s,进行插拔试验,获取温度加速条件下的第i个磨痕平均宽度x2,i、磨痕平均深度d2,i、接触电阻值R2,i、信号保真比H2,i;s=1000。分别获取试验插拔力与接触电阻值、磨痕平均深度、接触电阻值、信号保真比的关系曲线。
2-5.设定试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为vi,试验插拔次数为s,进行插拔试验,获取温度加速条件下的第i个磨痕平均宽度x3,i、磨痕平均深度d3,i、接触电阻值R3,i、信号保真比H3,i;s=1000。分别获取试验插拔速度与接触电阻值、磨痕平均深度、接触电阻值、信号保真比的关系曲线。
步骤三、建立接触电阻、信号保真比、磨痕平均宽度、磨痕平均深度的衍化模型。
3-1.建立n+1条温度加速条件下的接触电阻方程如式(1a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的接触电阻方程如式(1b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的接触电阻方程如式(1c)所示;
Figure BDA0002234405250000141
Figure BDA0002234405250000142
Figure BDA0002234405250000143
式(1a)、(1b)、(1c)中,i=0,1,…,n;R0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件的接触电阻;
Figure BDA0002234405250000144
M为接插件的极限插拔次数,其值设为106。kTi为第一温度加速变量,其值通过求解温度加速条件下的接触电阻方程得到。kFi为第一插拔力加速变量,其值通过求解插拔力加速条件下的接触电阻方程得到。kvi为第一插拔速度加速变量,其值通过求解插拔速度加速条件下的接触电阻方程得到。
分别求解n+1条温度加速条件下的接触电阻方程,得到kT0、kT1、…、kTn;分别求解n+1条插拔力加速条件下的接触电阻方程,kF0、kF1、…、kFn;分别求解n+1条插拔速度加速条件下的接触电阻方程,kv0、kv1、…、kvn。将kT0、kT1、…、kTn作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第一离散点图;将kF0、kF1、…、kFn作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第一离散点图;将kv0、kv1、…、kvn作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第一离散点图;
用最小二乘法分别拟合温度加速下的第一离散点图、插拔力加速下的第一离散点图、插拔速度加速下的第一离散点图,得到温度加速下的第一目标函数
Figure BDA0002234405250000151
插拔力加速下的第一目标函数
Figure BDA0002234405250000152
插拔速度加速下的第一目标函数
Figure BDA0002234405250000153
T、F、v分别为三条第一目标函数的自变量,分别表示试验温度、试验插拔力和试验插拔速度;kT、kF、kv分别为三条第一目标函数的因变量,表示第一温度加速变量、第一插拔力加速变量和第一插拔速度加速变量。γ1、β1、α1为最小二乘法拟合中确定的第一温度影响因子、第一插拔力影响因子和第一插拔速度影响因子。Tm、Fm、vm分别为被测接插件的最高使用温度、最高插拔力和最高插拔速度,其值均通过查询接插件手册或国际电气协会插拔力测试规范确定。
3-2.建立n+1条温度加速条件下的信号保真比方程如式(2a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的信号保真比方程如式(2b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的信号保真比方程如式(2c)所示;
Figure BDA0002234405250000154
Figure BDA0002234405250000155
Figure BDA0002234405250000161
式(2a)、(2b)、(2c)中,i=0,1,…,n;H0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件的信号保真比;
Figure BDA0002234405250000162
gTi为第二温度加速变量,其值通过求解信号保真比方程得到。同理,可以求得第二插拔力加速变量gFi和第二插拔速度加速变量gvi。gTi为第二温度加速变量,其值通过求解温度加速条件下的信号保真比方程得到。gFi为第二插拔力加速变量,其值通过求解插拔力加速条件下的信号保真比方程得到。gvi为第二插拔速度加速变量,其值通过求解插拔速度加速条件下的信号保真比方程得到。
分别求解n+1条温度加速条件下的信号保真比方程,得到gT0、gT1、…、gTn;分别求解n+1条插拔力加速条件下的信号保真比方程,得到gF0、gF1、…、gFn;分别求解n+1条插拔速度加速条件下的信号保真比方程,得到gv0、gv1、…、gvn。将gT0、gT1、…、gTn作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第二离散点图;将gF0、gF1、…、gFn作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第二离散点图;将gv0、gv1、…、gvn作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第二离散点图;
用最小二乘法分别拟合温度加速下的第二离散点图、插拔力加速下的第二离散点图、插拔速度加速下的第二离散点图,得到温度加速下的第二目标函数
Figure BDA0002234405250000163
插拔力加速下的第二目标函数
Figure BDA0002234405250000164
插拔速度加速下的第二目标函数
Figure BDA0002234405250000165
γ2、β2、α2为最小二乘法拟合中确定的第二温度影响因子、第二插拔力影响因子和第二插拔速度影响因子。
3-3.建立n+1条温度加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(3a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(3b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(3c)所示;
Figure BDA0002234405250000166
Figure BDA0002234405250000171
Figure BDA0002234405250000172
式(3a)、(3b)、(3c)中,i=0,1,…,n;H0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件公端上插针被磨出的痕迹的宽度均值;
Figure BDA0002234405250000173
Figure BDA0002234405250000174
为第三温度加速变量,其值通过求解磨痕平均宽度得到。同理,可以求得第三插拔力加速变量
Figure BDA0002234405250000175
和第三插拔速度加速变量
Figure BDA0002234405250000176
Figure BDA0002234405250000177
为第三温度加速变量,其值通过求解温度加速条件下的磨痕平均宽度方程得到。
Figure BDA0002234405250000178
为第三插拔力加速变量,其值通过求解插拔力加速条件下的磨痕平均宽度方程得到。
Figure BDA0002234405250000179
为第三插拔速度加速变量,其值通过求解插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度方程得到。
分别求解n+1条温度加速条件下的磨痕平均宽度方程,得到
Figure BDA00022344052500001710
分别求解n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均宽度,得到
Figure BDA00022344052500001711
分别求解n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度,得到
Figure BDA00022344052500001712
Figure BDA00022344052500001713
作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第三离散点图;将
Figure BDA00022344052500001714
作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第三离散点图;将
Figure BDA00022344052500001715
作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第三离散点图;
用最小二乘法分别拟合温度加速下的第三离散点图、插拔力加速下的第三离散点图、插拔速度加速下的第三离散点图,得到温度加速下的第三目标函数
Figure BDA00022344052500001716
插拔力加速下的第三目标函数
Figure BDA00022344052500001717
插拔速度加速下的第三目标函数
Figure BDA00022344052500001718
γ3、β3、α3为最小二乘法拟合中确定的第三温度影响因子、第三插拔力影响因子和第三插拔速度影响因子。
3-4.建立n+1条温度加速条件下的磨痕平均深度方程如式(4a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(4b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(4c)所示;
Figure BDA0002234405250000181
Figure BDA0002234405250000182
Figure BDA0002234405250000183
式(4a)、(4b)、(4c)中,i=0,1,…,n;H0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件件公端上插针被磨出的痕迹的深度均值;
Figure BDA0002234405250000184
ωTi为第四温度加速变量,其值通过求解磨痕平均深度方程得到。同理,可以求得第四插拔力加速变量ωFi和第四插拔速度加速变量ωvi。ωTi为第四温度加速变量,其值通过求解温度加速条件下的磨痕平均深度方程得到。ωFi为第四插拔力加速变量,其值通过求解插拔力加速条件下的磨痕平均深度方程得到。ωvi为第四插拔速度加速变量,其值通过求解插拔速度加速条件下的磨痕平均深度方程得到。
分别求解n+1条温度加速条件下的磨痕平均深度方程,得到ωT0、ωT1、…、ωTn;分别求解n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均深度,得到ωF0、ωF1、…、ωFn;分别求解n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均深度,得到ωv0、ωv1、…、ωvn。将ωT0、ωT1、…、ωTn作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第四离散点图;将ωF0、ωF1、…、ωFn作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第四离散点图;将ωv0、ωv1、…、ωvn作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第四离散点图;
用最小二乘法分别拟合温度加速下的第四离散点图、插拔力加速下的第四离散点图、插拔速度加速下的第四离散点图,得到温度加速下的第四目标函数
Figure BDA0002234405250000185
插拔力加速下的第四目标函数
Figure BDA0002234405250000186
插拔速度加速下的第四目标函数
Figure BDA0002234405250000187
γ4、β4、α4为最小二乘法拟合中确定的第四温度影响因子、第四插拔力影响因子和第四插拔速度影响因子。
步骤四、计算第一温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure BDA0002234405250000191
Figure BDA0002234405250000192
第二温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure BDA0002234405250000193
Figure BDA0002234405250000194
第三温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure BDA0002234405250000195
Figure BDA0002234405250000196
第四温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure BDA0002234405250000197
Figure BDA0002234405250000198
Ts、Fs、vs分别为被测接插件在使用工况下的环境温度、插拔力、插拔速度。
步骤五、建立被测接插件在温度加速条件下的接触电阻衍化函数
Figure BDA0002234405250000199
信号保真比衍化函数
Figure BDA00022344052500001910
磨痕平均宽度衍化函数
Figure BDA00022344052500001911
磨痕平均深度衍化函数
Figure BDA00022344052500001912
建立被测接插件在插拔力加速条件下的接触电阻衍化函数
Figure BDA00022344052500001913
信号保真比衍化函数
Figure BDA00022344052500001914
磨痕平均宽度衍化函数
Figure BDA00022344052500001915
磨痕平均深度衍化函数
Figure BDA00022344052500001916
建立被测接插件在插拔速度加速条件下的接触电阻衍化函数
Figure BDA00022344052500001917
信号保真比衍化函数
Figure BDA00022344052500001918
磨痕平均宽度衍化函数
Figure BDA00022344052500001919
磨痕平均深度衍化函数
Figure BDA00022344052500001920
各衍化函数中,m为自变量,代表插拔次数。接触电阻衍化函数、信号保真比衍化函数、磨痕平均宽度衍化函数、磨痕平均深度衍化函数分别体现被测接插件接触电阻、信号保真能力、磨损情况的衍化特点;因此能够根据各衍化函数,在所需工况下,选取适当的接插件,并制定接插件的检修、更换周期。
步骤六、通过模糊决策选定最终使用的加速条件和衍化函数。
6-1.设定因素集U={接触电阻,信号保真比,磨痕平均宽度,磨痕平均深度},评判集V={优、良、中、差}。
6-2.根据步骤2-3中获得的试验温度与接触电阻值的关系曲线,建立温度加速条件下的接触电阻(Ω)的隶属度函数如式(5)所示,其服从K分布;
Figure BDA0002234405250000201
式(5)中,a1=0.4194、a′1=0.5029、-2<K1<0,其值是根据试验温度与接触电阻值的关系曲线选定的,选定方法属于现有技术在此不作赘述。
将步骤2-3中获得的n个接触电阻R1,1、R1,2、...、R1,n分别作为自变量x代入式(5),获得n个隶属度大小A1(R1,1)、A1(R1,2)、...、A1(R1,n);将A1(R1,1)、A1(R1,2)、...、A1(R1,n)根据数值从大到小分为优、良、中、差四组。计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r11,r12,r13,r14。“优”、“良”、“中”、“差”各自对应区间根据被测插拔件的参数确定。
6-3.根据步骤2-3中获得的试验温度与信号保真比的关系曲线,建立温度加速条件下的信号保真比的隶属度函数如式(6)所示,其服从正态分布;
Figure BDA0002234405250000202
式(6)中,a2=0.612,其值是根据试验温度与信号保真比的关系曲线选定的,选定方法属于现有技术在此不作赘述。
将步骤2-3中获得的n个信号保真比分别代入作为自变量x代入式(6),获得n个隶属度大小,将该n个隶属度大小根据数值大小从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r21,r22,r23,r24
6-4.根据步骤2-3中获得的试验温度与磨痕平均宽度的关系曲线,建立温度加速条件下的磨痕平均宽度(μm)的隶属度函数如式(7)所示,其服从K分布;
Figure BDA0002234405250000211
式(7)中,a3=18.36、a′3=20.7、-2<K3<0,其值是根据试验温度与磨痕平均宽度的关系曲线选定的,选定方法属于现有技术在此不作赘述。
将步骤2-3中获得的n个磨痕平均宽度比分别代入作为自变量x代入式(6),获得n个隶属度大小,将该n个隶属度大小根据数值大小从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r31,r32,r33,r34
6-5.根据步骤2-3中获得的试验温度与磨痕平均深度的关系曲线,建立温度加速条件下的磨痕平均深度(μm)的隶属度函数如式(8)所示,其服从K分布;
Figure BDA0002234405250000212
式(8)中,a4=3.2、a′4=6.3、-2<K4<0,其值是根据试验温度与磨痕平均深度的关系曲线选定的,选定方法属于现有技术在此不作赘述。
将步骤2-3中获得的n个磨痕平均深度比分别代入作为自变量x代入式(6),获得n个隶属度大小,将该n个隶属度大小根据数值大小从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r41,r42,r43,r44
6-5.建立因素分配权重矩阵为B=(b1,b2,b3,b4),其值通过人为设定得到;建立温度隶属矩阵
Figure BDA0002234405250000213
计算温度综合评判矩阵
Figure BDA0002234405250000214
其中,符号
Figure BDA0002234405250000215
表示模糊逻辑算子,它用来代表两个模糊矩阵的相乘,与线性代数中的矩阵乘积极为相似,只是将普通矩阵乘运算中对应元素间相乘用取小运算来代替,而元素间相加用取大来代替。对温度综合评判矩阵C温度内的各元素进行归一化处理,得到归一化温度评判矩阵C温度=(b”1,b”2,b”3,b”4)。
6-6.参照步骤6-2至6-5中的方法分别计算归一化插拔力评判矩阵C插拔力=(c”1,c”2,c”3,c”4)、归一化插拔速度评判矩阵C插拔速度=(d”1,d”2,d”3,d”4)。差别仅在于选取插拔力、插拔速度对应的关系曲线,建立隶属度函数,并用对应的参数代入。
6-7.计算温度评判均值
Figure BDA0002234405250000221
计算插拔力判均值
Figure BDA0002234405250000222
计算插拔速度评判均值
Figure BDA0002234405250000223
Figure BDA0002234405250000224
中的最大值对应的那个加速条件作为最优加速条件。取最优加速条件对应的衍化模型(接触电阻衍化函数、信号保真比衍化函数、磨痕平均宽度衍化函数、磨痕平均深度衍化函数)作为最准确的衍化模型。根据衍化模型确定被测接插件在不同插拔次数下的接触电阻、信号保真比、磨痕平均宽度、磨痕平均深度,从而在被测接插件参数不满足使用条件时能够及时进行更换。

Claims (10)

1.一种机器人接插件可靠性加速测试方法,其特征在于:步骤一、建立试验速度参数集V={v0,v1,...,vn}、试验温度参数集T={T0,T1,...,Tn}、试验插入力参数集F={F0,F1,...,Fn};其中,v0<v1<...<vn,T0<T1<...<Tn,F0<F1<...<Fn
步骤二、进行模型确立试验;
2-1.i=0,1,2,…,n,依次执行步骤2-2和2-3;
2-2.取一组未使用过的被测接插件,并检查其是否完好;
2-3.设定试验温度为Ti,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0,试验插拔次数为s,进行插拔试验,获取温度加速条件下的第i个磨痕平均宽度x1,i、磨痕平均深度d1,i、接触电阻值R1,i、信号保真比H1,i;获取试验温度与接触电阻值、磨痕平均深度、接触电阻值、信号保真比的关系曲线;
2-4.设定试验温度为T0,试验插拔力为Fi,试验插拔速度为v0,试验插拔次数为s,进行插拔试验,获取温度加速条件下的第i个磨痕平均宽度x2,i、磨痕平均深度d2,i、接触电阻值R2,i、信号保真比H2,i;分别获取试验插拔力与接触电阻值、磨痕平均深度、接触电阻值、信号保真比的关系曲线;
2-5.设定试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为vi,试验插拔次数为s,进行插拔试验,获取温度加速条件下的第i个磨痕平均宽度x3,i、磨痕平均深度d3,i、接触电阻值R3,i、信号保真比H3,i;分别获取试验插拔速度与接触电阻值、磨痕平均深度、接触电阻值、信号保真比的关系曲线;
步骤三、建立接触电阻、信号保真比、磨痕平均宽度、磨痕平均深度的衍化模型;
3-1.建立n+1条温度加速条件下的接触电阻方程如式(1a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的接触电阻方程如式(1b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的接触电阻方程如式(1c)所示;
Figure FDA0002234405230000011
Figure FDA0002234405230000021
Figure FDA0002234405230000022
式(1a)、(1b)、(1c)中,i=0,1,…,n;R0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件的接触电阻;
Figure FDA0002234405230000023
M为接插件的极限插拔次数;kTi为第一温度加速变量;kFi为第一插拔力加速变量;kvi为第一插拔速度加速变量;
分别求解n+1条温度加速条件下的接触电阻方程,得到kT0、kT1、…、kTn;分别求解n+1条插拔力加速条件下的接触电阻方程,kF0、kF1、…、kFn;分别求解n+1条插拔速度加速条件下的接触电阻方程,kv0、kv1、…、kvn;将kT0、kT1、…、kTn作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第一离散点图;将kF0、kF1、…、kFn作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第一离散点图;将kv0、kv1、…、kvn作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第一离散点图;
拟合温度加速下的第一离散点图、插拔力加速下的第一离散点图、插拔速度加速下的第一离散点图,得到温度加速下的第一目标函数
Figure FDA0002234405230000024
插拔力加速下的第一目标函数
Figure FDA0002234405230000025
插拔速度加速下的第一目标函数
Figure FDA0002234405230000026
γ1、β1、α1分别为拟合中确定的第一温度影响因子、第一插拔力影响因子和第一插拔速度影响因子;Tm、Fm、vm分别为被测接插件的最高使用温度、最高插拔力和最高插拔速度;
3-2.建立n+1条温度加速条件下的信号保真比方程如式(2a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的信号保真比方程如式(2b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的信号保真比方程如式(2c)所示;
Figure FDA0002234405230000027
Figure FDA0002234405230000028
Figure FDA0002234405230000031
式(2a)、(2b)、(2c)中,i=0,1,…,n;H0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件的信号保真比;
Figure FDA0002234405230000032
gTi为第二温度加速变量;gFi为第二插拔力加速变量;gvi为第二插拔速度加速变量;
分别求解n+1条温度加速条件下的信号保真比方程,得到gT0、gT1、…、gTn;分别求解n+1条插拔力加速条件下的信号保真比方程,得到gF0、gF1、…、gFn;分别求解n+1条插拔速度加速条件下的信号保真比方程,得到gv0、gv1、…、gvn;将gT0、gT1、…、gTn作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第二离散点图;将gF0、gF1、…、gFn作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第二离散点图;将gv0、gv1、…、gvn作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第二离散点图;
分别拟合温度加速下的第二离散点图、插拔力加速下的第二离散点图、插拔速度加速下的第二离散点图,得到温度加速下的第二目标函数
Figure FDA0002234405230000033
插拔力加速下的第二目标函数
Figure FDA0002234405230000034
插拔速度加速下的第二目标函数
Figure FDA0002234405230000035
γ2、β2、α2为拟合中确定的第二温度影响因子、第二插拔力影响因子和第二插拔速度影响因子;
3-3.建立n+1条温度加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(3a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(3b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(3c)所示;
Figure FDA0002234405230000036
Figure FDA0002234405230000037
Figure FDA0002234405230000038
式(3a)、(3b)、(3c)中,i=0,1,…,n;H0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件公端上插针被磨出的痕迹的宽度均值;
Figure FDA0002234405230000041
Figure FDA0002234405230000042
为第三温度加速变量;
Figure FDA0002234405230000043
为第三插拔力加速变量;
Figure FDA0002234405230000044
为第三插拔速度加速变量;
分别求解n+1条温度加速条件下的磨痕平均宽度方程,得到
Figure FDA0002234405230000045
分别求解n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均宽度,得到
Figure FDA0002234405230000046
分别求解n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度,得到
Figure FDA0002234405230000047
Figure FDA0002234405230000048
作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第三离散点图;将
Figure FDA0002234405230000049
作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第三离散点图;将
Figure FDA00022344052300000410
作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第三离散点图;
拟合温度加速下的第三离散点图、插拔力加速下的第三离散点图、插拔速度加速下的第三离散点图,得到温度加速下的第三目标函数
Figure FDA00022344052300000411
插拔力加速下的第三目标函数
Figure FDA00022344052300000412
插拔速度加速下的第三目标函数
Figure FDA00022344052300000413
γ3、β3、α3为拟合中确定的第三温度影响因子、第三插拔力影响因子和第三插拔速度影响因子;
3-4.建立n+1条温度加速条件下的磨痕平均深度方程如式(4a)所示;建立n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(4b)所示;建立n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均宽度方程如式(4c)所示;
Figure FDA00022344052300000414
Figure FDA00022344052300000415
Figure FDA00022344052300000416
式(4a)、(4b)、(4c)中,i=0,1,…,n;H0是试验温度为T0,试验插拔力为F0,试验插拔速度为v0的条件下插拔50次后,被测接插件件公端上插针被磨出的痕迹的深度均值;
Figure FDA00022344052300000417
ωTi为第四温度加速变量;ωFi为第四插拔力加速变量;ωvi为第四插拔速度加速变量;
分别求解n+1条温度加速条件下的磨痕平均深度方程,得到ωT0、ωT1、…、ωTn;分别求解n+1条插拔力加速条件下的磨痕平均深度,得到ωF0、ωF1、…、ωFn;分别求解n+1条插拔速度加速条件下的磨痕平均深度,得到ωv0、ωv1、…、ωvn;将ωT0、ωT1、…、ωTn作为纵坐标,T0,T1,...,Tn作为横坐标,绘制温度加速下的第四离散点图;将ωF0、ωF1、…、ωFn作为纵坐标,F0,F1,...,Fn作为横坐标,绘制插拔力加速下的第四离散点图;将ωv0、ωv1、…、ωvn作为纵坐标,v0,v1,...,vn作为横坐标,绘制插拔速度加速下的第四离散点图;
拟合温度加速下的第四离散点图、插拔力加速下的第四离散点图、插拔速度加速下的第四离散点图,得到温度加速下的第四目标函数
Figure FDA0002234405230000051
插拔力加速下的第四目标函数
Figure FDA0002234405230000052
插拔速度加速下的第四目标函数
Figure FDA0002234405230000053
γ4、β4、α4为拟合中确定的第四温度影响因子、第四插拔力影响因子和第四插拔速度影响因子;
步骤四、计算第一温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure FDA0002234405230000054
Figure FDA0002234405230000055
第二温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure FDA0002234405230000056
Figure FDA0002234405230000057
第三温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure FDA0002234405230000058
Figure FDA0002234405230000059
第四温度、插拔力、插拔速度特征参数
Figure FDA00022344052300000510
Figure FDA00022344052300000511
步骤五、建立被测接插件在温度加速条件下的接触电阻衍化函数
Figure FDA00022344052300000512
信号保真比衍化函数
Figure FDA00022344052300000513
磨痕平均宽度衍化函数
Figure FDA00022344052300000514
磨痕平均深度衍化函数
Figure FDA00022344052300000515
建立被测接插件在插拔力加速条件下的接触电阻衍化函数
Figure FDA00022344052300000516
信号保真比衍化函数
Figure FDA0002234405230000061
磨痕平均宽度衍化函数
Figure FDA0002234405230000062
磨痕平均深度衍化函数
Figure FDA0002234405230000063
建立被测接插件在插拔速度加速条件下的接触电阻衍化函数
Figure FDA0002234405230000064
信号保真比衍化函数
Figure FDA0002234405230000065
磨痕平均宽度衍化函数
Figure FDA0002234405230000066
磨痕平均深度衍化函数
Figure FDA0002234405230000067
各衍化函数中,m为自变量,代表插拔次数;
步骤六、通过模糊决策选定最终使用的加速条件和衍化函数;
6-1.设定因素集U={接触电阻,信号保真比,磨痕平均宽度,磨痕平均深度},评判集V={优、良、中、差};
6-2.根据步骤2-3中获得的试验温度与接触电阻值的关系曲线,建立温度加速条件下的接触电阻(Ω)的隶属度函数如式(5)所示,其服从K分布;
Figure FDA0002234405230000068
式(5)中,a1、a′1、K1的数值根据试验温度与接触电阻值的关系曲线选定;
将步骤2-3中获得的n个接触电阻分别作为自变量x代入式(5),获得n个隶属度大小;将该n个隶属度大小根据数值从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r11,r12,r13,r14
6-3.根据步骤2-3中获得的试验温度与信号保真比的关系曲线,建立温度加速条件下的信号保真比的隶属度函数如式(6)所示,其服从正态分布;
Figure FDA0002234405230000071
式(6)中,a2的数值根据试验温度与信号保真比的关系曲线选定;
将步骤2-3中获得的n个信号保真比分别代入作为自变量x代入式(6),获得n个隶属度大小,将该n个隶属度大小根据数值大小从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r21,r22,r23,r24
6-4.根据步骤2-3中获得的试验温度与磨痕平均宽度的关系曲线,建立温度加速条件下的磨痕平均宽度的隶属度函数如式(7)所示,其服从K分布;
Figure FDA0002234405230000072
式(7)中,a3、a′3、K3的数值大小根据试验温度与磨痕平均宽度的关系曲线选定;
将步骤2-3中获得的n个磨痕平均宽度比分别代入作为自变量x代入式(6),获得n个隶属度大小,将该n个隶属度大小根据数值大小从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r31,r32,r33,r34
6-5.根据步骤2-3中获得的试验温度与磨痕平均深度的关系曲线,建立温度加速条件下的磨痕平均深度(μm)的隶属度函数如式(8)所示,其服从K分布;
Figure FDA0002234405230000073
式(8)中,a4、a′4、K4的数值大小根据试验温度与磨痕平均深度的关系曲线选定;
将步骤2-3中获得的n个磨痕平均深度比分别代入作为自变量x代入式(6),获得n个隶属度大小,将该n个隶属度大小根据数值大小从大到小分为优、良、中、差四组;计算n个隶属度大小中“优”、“良”、“中”、“差”各自所占的比例r41,r42,r43,r44
6-5.建立因素分配权重矩阵为B=(b1,b2,b3,b4),其值通过人为设定得到;建立温度隶属矩阵
Figure FDA0002234405230000081
计算温度综合评判矩阵
Figure FDA0002234405230000082
其中,符号
Figure FDA0002234405230000083
表示模糊逻辑算子;对温度综合评判矩阵C温度内的各元素进行归一化处理,得到归一化温度评判矩阵C温度=(b”1,b”2,b”3,b”4);
6-6.参照步骤6-2至6-5中的方法分别计算归一化插拔力评判矩阵C插拔力=(c”1,c”2,c”3,c”4)、归一化插拔速度评判矩阵C插拔速度=(d”1,d”2,d”3,d”4);
6-7.根据归一化温度评判矩阵C温度=(b”1,b”2,b”3,b”4)、归一化插拔力评判矩阵C插拔力=(c”1,c”2,c”3,c”4)、归一化插拔速度评判矩阵C插拔速度=(d”1,d”2,d”3,d”4)选取最准确的衍化模型。
2.根据权利要求1所述的一种机器人接插件可靠性加速测试方法,其特征在于:步骤一中,v0为标准插拔速度,其值的获取方法为:工作人员在标准工况下对接插件公端与接插件母端进行50次插拔时,插入速度的平均值;插入速度根据插接行程除以插入时间得到;插接行程为接插件公端、接插件母端从接触到插紧的相对位移量。
3.根据权利要求1所述的一种机器人接插件可靠性加速测试方法,其特征在于:步骤一中,T0在接插件工作环境下的温度,其值根据被测接插件的工作环境确定。
4.根据权利要求1所述的一种机器人接插件可靠性加速测试方法,其特征在于:步骤一中,F0为工作人员在标准工况下对接插件公端与接插件母端进行50次插拔时,插入力的平均值;插入力的检测方法为:工作人员在插接时,一手持接插件公端,另一手持压力传感器;压力传感器固定在接插件母端;然后进行插接;插接过程中压力传感器检测到的峰值即为插入力。
5.根据权利要求1所述的一种机器人接插件可靠性加速测试方法,其特征在于:步骤二中所述的插拔试验具体如下:
①.调整环境温度为所需的试验温度;
②.按照试验插拔速度和插拔力,将接插件公端与接插件母端插接在一起;
③.将接插件公端、接插件母端分离;
④.按照试验插拔次数重复执行步骤②和③;之后,进入步骤⑤;
⑤.测量接插件公端的所有插针上各磨痕的宽度,并求取平均值,得到磨痕平均宽度;测量接插件公端的所有插针上各磨痕的深度,并求取平均值,得到磨痕平均深度;
⑥.按照试验插拔速度和插拔力,将接插件公端与接插件母端插接在一起;并测量被测接插件的接触电阻;向接插件输入一个幅值为A的方波信号;并检测经过接插件后的方波信号的幅值A';求出信号保真比,其值等于A'/A。
6.根据权利要求1所述的一种机器人接插件可靠性加速测试方法,其特征在于:步骤6-7中的选取方法如下:
计算温度评判均值
Figure FDA0002234405230000091
计算插拔力判均值
Figure FDA0002234405230000092
计算插拔速度评判均值
Figure FDA0002234405230000093
Figure FDA0002234405230000094
中的最大值对应的那个加速条件作为最优加速条件;取最优加速条件对应的衍化模型作为最准确的衍化模型。
7.一种机器人接插件可靠性加速测试装置,包括温控箱、插拔模块、电控箱和机架;其特征在于:所述的机架包括试验台框架、试验台底板、电控底板和支座;四个支座的顶端与试验台框架的四个角分别固定;
所述的温控箱包括箱体和温度调节模块;箱体固定在试验台框架的顶部;温度调节模块包括智能温度控制表、热风机、热电偶底座和热电偶;热电偶底座固定在箱体内;热电偶固定在热电偶底座上;热风机安装在箱体内的一侧侧壁上;智能温度控制表安装在试验台框架上;智能温度控制表的温度信号输入接口与热电偶的信号输出接口连接,加热控制接口与热风机的控制输入接口连接;
所述的插拔模块包括滑架、滑块、插拔驱动组件、拉压力传感器、滑移座、固定座和安装座;滑架固定在试验台底板上;滑块与滑架构成滑动副;所述的滑块由插拔驱动组件驱动;滑移座与滑块固定;固定座固定在滑架的一端;两个拉压力传感器的一端均与固定座固定,另一端均与安装座固定;安装座位于滑移座与固定座之间;箱体的底面开设有让位槽;滑移座、固定座和安装座均穿过让位槽,且位于箱体内;
所述的电控装置安装在底板上,包括表面磨损视觉测量装置、电阻测试装置、脉冲响应装置、PLC控制系统、导线管和电机驱动器;电机驱动器的控制输入接口与PLC控制系统的控制输出接口通过导线连接;电阻测试装置的两个信号输入端分别接出第一电阻检测检测线和第二电阻检测线;电阻测试装置的信号输出接口与PLC控制系统的电阻信号输入接口连接;
所述的脉冲响应装置包括脉冲发生器和脉冲测试仪;脉冲发生器的脉冲输出端引出一根脉冲输出线;脉冲测试仪的信号输入端引出一根脉冲接收线;脉冲发生器的控制输入接口与PLC控制系统的脉冲信号输出接口连接;脉冲测试仪的信号输出接口与PLC控制系统的脉冲输入接口连接;表面磨损视觉测量装置采用表面形貌扫描仪;表面形貌扫描仪安装在箱体内,且朝向插拔模块。
8.根据权利要求7所述的一种机器人接插件可靠性加速测试装置,其特征在于:所述的电控底板固定在试验台框架的底部;试验台底板固定在试验台框架的中部。
9.根据权利要求7所述的一种机器人接插件可靠性加速测试装置,其特征在于:所述的插拔驱动组件包括电机、同步轮和同步带;两个同步轮分别支承在滑架的两端,并通过同步带连接;电机固定在滑架上,且输出轴与其中一个同步轮固定;滑块与同步带固定。
10.根据权利要求7所述的一种机器人接插件可靠性加速测试装置,其特征在于:所述的电控装置还包括触摸显示屏;触摸显示屏的通信接口与PLC控制系统的显示信号输出接口通过导线连接。
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