CN110880405A - 线圈组件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种线圈组件。所述线圈组件包括：主体，包括磁性金属粉末；内绝缘层，被埋设在所述主体中；内线圈部，设置在所述内绝缘层上，并具有截面面积从所述内绝缘层的外侧朝向所述内绝缘层增大的线圈图案；外绝缘层，覆盖所述内线圈部；外线圈部，设置在所述外绝缘层上，所述外线圈部的匝数大于所述内线圈部的匝数；连接过孔，穿透所述外绝缘层，并连接所述内线圈部和所述外线圈部；以及绝缘膜，围绕所述内绝缘层、所述内线圈部、所述外绝缘层和所述外线圈部。
Description
本申请要求于2018年9月6日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0106426号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(一种线圈组件)是与电阻器和电容器一起用在电子装置中的代表性无源电子组件。
由于电子装置被设计为具有更高的性能并且尺寸减小，因此在电子装置中使用的电子组件的数量增加并且尺寸减小。
在电感器的情况下，为了提高性能而增大高宽比，但在增大高宽比方面会存在限制。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种被构造成具有多层以增大匝数的线圈组件。
本公开的另一方面在于减少制造具有多层的线圈的成本。
根据本公开的一方面，一种线圈组件包括：主体，包括磁性金属粉末；内绝缘层，被埋设在所述主体中；内线圈部，设置在所述内绝缘层上，并具有截面面积从所述内绝缘层的外侧朝向所述内绝缘层增大的线圈图案；外绝缘层，覆盖所述内线圈部；外线圈部，设置在所述外绝缘层上，所述外线圈部的匝数大于所述内线圈部的匝数；连接过孔，穿透所述外绝缘层，并连接所述内线圈部和所述外线圈部；以及绝缘膜，围绕所述内绝缘层、所述内线圈部、所述外绝缘层和所述外线圈部。
根据本公开的另一方面，一种线圈组件包括：主体，包括磁性金属粉末；内绝缘层，被埋设在所述主体中；内线圈部，设置在所述内绝缘层上，并包括具有与所述内绝缘层接触的线圈图案的第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层以及设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间的种子层；外绝缘层，覆盖所述内线圈部；外线圈部，设置在所述外绝缘层上，所述外线圈部的匝数大于所述内线圈部的匝数；连接过孔，穿透所述外绝缘层，并连接所述内线圈部和所述外线圈部；以及绝缘膜，围绕所述内绝缘层、所述内线圈部、所述外绝缘层和所述外线圈部。
根据本公开的另一方面，一种线圈组件包括：内绝缘层；具有第一匝数的内线圈部，设置在所述内绝缘层的第一表面上，所述内线圈部的截面面积沿远离所述第一表面的方向减小；外绝缘层，覆盖所述内线圈部；具有第二匝数的外线圈部，设置在所述外绝缘层上，所述第二匝数大于所述第一匝数；以及连接过孔，穿透所述外绝缘层，并将所述内线圈部连接到所述外线圈部。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的线圈组件的示意图；
图2是沿图1中的线I-I'截取的截面图；
图3是沿图1中的线II-II'截取的截面图；
图4是以放大形式示出图3中的A部分的示图；
图5A和图5B是示出根据本公开中的示例性实施例的设置在线圈组件中的内线圈部的示例的示图。
具体实施方式
在下文中，将如下参照附图描述本公开的实施例。为了清楚起见，可夸大或缩小附图中的组成元件的形状和尺寸。
示例性实施例中使用的术语用于简单地描述示例性实施例，并且不旨在限制本公开。除非另有说明，否则单数术语也包括复数形式。说明书中的术语“包括”、“包含”、“被构造为”等用于表示存在特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合，而不排除可能组合或添加一个或更多个特征、数量、步骤、操作、元件、部件或它们的组合。此外，术语“设置在……上”、“位于……上”等可表示元件位于物体上或物体下，而不一定意味着元件参照重力方向位于物体上。
这里，下侧、下部、下表面等用于表示相对于附图的截面朝向线圈组件的安装表面的方向，而上侧、上部、上表面等用于表示与所述方向相反的方向。然而，这些方向是为了便于解释而定义的，并且权利要求不受如上所述定义的方向的具体限制。
可理解，当元件被称作“第一”和“第二”时，所述元件不限于此。术语“第一”、“第二”等可仅出于将该元件与其他元件区分的目的被使用，并且可不限制元件的顺序和重要性。在一些情况下，在不脱离在此所述的权利要求的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件。同样地，第二元件也可被称为第一元件。
在此使用的术语“示例性实施例”不表示相同的示例性实施例，而是被提供为强调与另一示例性实施例的特定特征或特性不同的特定特征或特性。然而，在此提供的示例性实施例被认为是能够通过与另一示例性实施例全部或部分地组合来实现。例如，除非在此提供相反或矛盾的描述，否则在具体示例性实施例中描述的一个元件，即使其未在另一示例性实施例中描述，其也可被理解为与另一示例性实施例相关的描述。
术语“结合到”、“组合到”等不仅可表示元件彼此直接物理接触，也包括其他组件介于所述元件之间使得所述元件还与所述其他组件接触的构造。
为了易于描述，附图中示出的元件的尺寸和厚度被表示为示例，并且本公开中的示例性实施例不限于此。
在附图中，L方向是第一方向或长度方向，W方向是第二方向或宽度方向，T方向是第三方向或厚度方向。
在参照附图进行描述的描述中，将使用相同的附图标记来描述相同的元件或彼此对应的元件，并且将不重述重复的描述。
在电子装置中，可使用各种类型的电子组件，并且可在电子组件之间使用各种类型的线圈组件，以消除噪音或出于其他目的。
在电子装置中，线圈组件可用作功率电感器、高频电感器、普通磁珠、高频磁珠、共模滤波器等。
图1是示出根据示例性实施例的线圈组件的示意图。图2是沿图1中的线I-I'截取的截面图。图3是沿图1中的线II-II'截取的截面图。图4是以放大形式示出图3中示出的A部分的示图。图5A和图5B是示出根据示例性实施例的设置在线圈组件中的内线圈部的示例的示图。
参照图1至图5，根据示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、内绝缘层200、内线圈部300、外绝缘层400、外线圈部500、连接过孔600、绝缘膜700以及外电极800和900。
主体100可形成线圈组件1000的外形，并且可填埋内绝缘层200、内线圈部300、外绝缘层400、外线圈部500、连接过孔600和绝缘膜700。
主体100可具有六面体形状。
参照图1，主体100可包括在长度方向L上彼此背对的第一表面101和第二表面102、在宽度方向W上彼此背对的第三表面103和第四表面104以及在厚度方向T上彼此背对的第五表面105和第六表面106。主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104可以是主体100的将主体100的第五表面105和第六表面106连接的壁。在以下描述中，“主体的前表面和后表面两者”可指第一表面101和第二表面102，“主体的两个侧表面”可指主体的第三表面103和第四表面104。
作为示例，主体100可被构造为使得其上形成有外电极800和900的线圈组件1000可具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度，但线圈组件1000的示例性实施例不限于此。
主体100可包括磁性材料和树脂材料。例如，主体100可通过层叠一个或更多个磁性复合片来形成，该磁性复合片包括分散在树脂中的磁性材料。可选地，主体100可具有与磁性材料分散在树脂中的结构不同的结构。例如，主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。
磁性材料可以是铁氧体或磁性金属粉末。
铁氧体可包括例如尖晶石铁氧体(诸如，Mg-Zn铁氧体、Mn-Zn铁氧体、Mn-Mg铁氧体、Cu-Zn铁氧体、Mg-Mn-Sr铁氧体、Ni-Zn铁氧体等)、六角晶系铁氧体(诸如，Ba-Zn铁氧体、Ba-Mg铁氧体、Ba-Ni铁氧体、Ba-Co铁氧体、Ba-Ni-Co铁氧体等)、石榴石铁氧体(诸如，Y铁氧体)和Li铁氧体中的一种或更多种材料。
磁性金属粉末可包括从由铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种材料。例如，磁性金属粉末可以是纯铁粉末、Fe-Si合金粉末、Fe-Si-Al合金粉末、Fe-Ni合金粉末、Fe-Ni-Mo合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu合金粉末、Fe-Co合金粉末、Fe-Ni-Co合金粉末、Fe-Cr合金粉末、Fe-Cr-Si合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb合金粉末、Fe-Ni-Cr合金粉末和Fe-Cr-Al合金粉末中的一种或更多种。
磁性金属粉末可以是非晶的或晶体的。例如，磁性金属粉末可以是Fe-Si-B-Cr非晶合金粉末，但磁性金属粉末的示例性实施例不限于此。
铁氧体和磁性金属粉末可具有0.1μm至30μm的平均直径，但所述平均直径的示例不限于此。
主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种类型的磁性材料。磁性材料的类型不同的概念可表示磁性材料中的一种的平均直径、成分、结晶度和形状中的一者与其他磁性材料的平均直径、成分、结晶度和形状中的该一者不同。
主体100可包括穿透内绝缘层200、内线圈部300、外绝缘层400和外线圈部500的芯110。芯110可通过用磁性复合片填充内绝缘层200、内线圈部300、外绝缘层400和外线圈部500的通孔来形成，但其示例性实施例不限于此。
内绝缘层200可埋设在主体100中。内绝缘层200可支撑内线圈部300和外线圈部500。
内绝缘层200可利用包括热固性绝缘树脂(诸如，环氧树脂)、热塑性绝缘树脂(诸如，聚酰亚胺)或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用其中用上述绝缘树脂浸渍增强材料(诸如，玻璃纤维)或无机填料的绝缘材料形成。例如，内绝缘层200可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto build-up film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光介质(PID)等的绝缘材料形成，但内绝缘层的材料的示例不限于此。
可使用从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、泥、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的一种或更多种材料作为无机填料。
当内绝缘层200利用包括增强材料的绝缘材料形成时，内绝缘层200可提供提高的刚性。当内绝缘层200利用不包括增强材料(诸如，玻璃纤维)的绝缘材料形成时，内绝缘层200可被期望用于减小线圈组件的总厚度。
示例性实施例中的内绝缘层200可使用诸如覆铜层叠板(CCL，金属膜附着到绝缘材料的两个表面)的原材料制造，但其示例性实施例不限于此。
内线圈部300和外线圈部500可通过连接过孔600彼此连接，并可用作单个线圈。内线圈部300和外线圈部500可被埋设在主体100中，并可呈现线圈组件的性质。例如，当线圈组件1000用作功率电感器时，内线圈部300、外线圈部500和连接过孔600可将电场储存为磁场，使得可保持输出电压，从而使电子装置的功率稳定。
内线圈部300可设置在内绝缘层200上，并可具有截面面积从内绝缘层200的外侧朝向内绝缘层200增大的线圈图案。示例性实施例中的内线圈部300可通过选择性地蚀刻如上所述的覆铜层叠板的铜膜而形成。当铜蚀刻剂渗透到铜膜的表面中时，距离覆铜层叠板的绝缘材料越近，铜膜暴露于铜蚀刻剂的时间越短。由于上述差异，在使用铜蚀刻剂选择性地蚀刻铜膜之后保留的内线圈部300的线圈图案可形成为从内绝缘层200的外侧朝向内绝缘层200增大。
内线圈部300可包括分别形成在内绝缘层200的彼此背对的两个表面上的第一内线圈图案310和第二内线圈图案320、以及穿透内绝缘层200以连接第一内线圈图案310和第二内线圈图案320的通路330。因此，内线圈部300可被构造为使得形成在内绝缘层200的两个表面上的第一内线圈图案310和第二内线圈图案320可通过穿透内绝缘层200的通路330彼此连接，并可形成单个线圈。
内线圈部300可包括与内绝缘层200接触的第一导电层10、设置在第一导电层10上的第二导电层30以及设置在第一导电层10与第二导电层30之间的种子层20。在这种情况下，第一内线圈图案310和第二内线圈图案320均可包括第一导电层10、种子层20和第二导电层30。
CCL可具有铜膜附着到绝缘材料的两个表面的形式，并可通过如上所述的选择蚀刻工艺形成内线圈部300。附着到绝缘材料的两个表面的铜膜可彼此电连接。例如，可使用激光钻孔或机械钻孔在CCL上形成通路孔以穿透绝缘材料和附着到绝缘材料的两个表面的铜膜两者，可对包括通路孔的内壁的CCL的整个表面执行无电镀工艺以形成通路330，可使用无电镀层作为种子层在CCL的整个表面上形成电镀层。然后，可通过如上所述的选择性蚀刻工艺形成第一内线圈图案310和第二内线圈图案320。无电镀层和电镀层可形成通路330。此外，CCL的铜膜的剩余部分可对应于第一导电层10，无电镀层可对应于种子层20，电镀层可对应于第二导电层30。无电镀层和电镀层均可包括铜，但示例性实施例不限于此。
图4示出了第一导电层10的厚度与第二导电层30的厚度相同的示例，但其示例性实施例不限于此。第二导电层30的厚度可被构造为比第一导电层10的厚度小，或比第一导电层10的厚度大。此外，如图5A和图5B所示，内线圈部的形状和内线圈部的匝数可以变化。
外绝缘层400可覆盖内线圈部300。在示例性实施例中，由于内线圈部300包括设置在内绝缘层200的两个表面上的第一内线圈图案310和第二内线圈图案320，因此外绝缘层400可包括设置在内绝缘层200的两个表面上的第一外绝缘层410和第二外绝缘层420，以分别覆盖第一内线圈图案310和第二内线圈图案320。
外绝缘层400可利用包括热固性绝缘树脂(诸如，环氧树脂)、热塑性绝缘树脂(诸如，聚酰亚胺)或感光绝缘树脂的绝缘材料形成，或者可利用其中用上述绝缘树脂浸渍增强材料(诸如，玻璃纤维或无机填料)的绝缘材料形成。例如，外绝缘层400可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto build-up film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光介质(PID)等的绝缘材料形成，但外绝缘层的材料的示例不限于此。
可使用从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、泥、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的一种或更多种材料作为无机填料。
当外绝缘层400利用包括增强材料的绝缘材料形成时，外绝缘层400可提供提高的刚性。当外绝缘层400利用不包括增强材料(诸如，玻璃纤维)的绝缘材料形成时，外绝缘层400可被期望用于减小线圈组件的总厚度。当外绝缘层400包括感光绝缘树脂时，可以以细小的形式形成连接过孔600。
外线圈部500可设置在外绝缘层400上，并可具有比内线圈部300的匝数大的匝数。由于外线圈部500被构造为具有比内线圈部300的匝数大的匝数，因此外线圈部500可有利于使线圈组件1000呈现线圈性质。因此，在示例性实施例中，可主要通过具有更多匝数的外线圈部500呈现线圈组件1000的线圈性质，并且具有更少匝数的内线圈部300可以是外线圈部500的辅助元件。
外线圈部500可包括分别设置在第一外绝缘层410和第二外绝缘层420上的第一外线圈图案510和第二外线圈图案520。因此，参照图2和其他示图，外线圈部500可形成在外绝缘层400的上部和下部中的每个上。连接外线圈部500和内线圈部300的连接过孔600可形成在外绝缘层400的上部和下部中的每个中。
第一外线圈图案510的端部511和第二外线圈图案520的端部521可分别暴露于主体100的第一表面101和第二表面102。例如，第一外线圈图案510的端部511可暴露于主体100的第一表面101，第二外线圈图案520的端部521可暴露于主体100的第二表面102。第一外线圈图案510和第二外线圈图案520的分别暴露于主体100的第一表面101和第二表面102的端部511和端部521可分别与外电极800和900接触并电连接。
第一外线圈图案510和第二外线圈图案520以及连接过孔600中的至少一个可包括至少一层导电层。
例如，当第一外线圈图案510和连接过孔600通过镀覆工艺形成在第一外绝缘层410上时，第一外线圈图案510和连接过孔600均可包括诸如无电镀层的种子图案和电镀层。电镀层可具有单层结构，或者可具有多层结构。具有多层结构的电镀层可具有电镀层中的一层被其他电镀层覆盖的共形膜结构，或者可具有电镀层中的一层设置在其他电镀层的一个表面上的形式。
第一外线圈图案510的种子图案和连接过孔600的种子图案可彼此一体化，使得在其之间可不形成边界，但其示例性实施例不限于此。第一外线圈图案510的电镀层和连接过孔600的电镀层可彼此一体化，使得在其之间可不形成边界，但其示例性实施例不限于此。
参照图2和图3，第一外线圈图案510和第二外线圈图案520可形成在外绝缘层400上并从外绝缘层400突出。作为另一示例，第一外线圈图案510可形成在第一外绝缘层410的上表面上并从第一外绝缘层410的上表面突出，第二外线圈图案520可埋设在第二外绝缘层420的下表面中，第二外线圈图案520的下表面可暴露于第二外绝缘层420的下表面。
内线圈部300、外线圈部500和连接过孔600可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、铬(Cr)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但所述材料的示例不限于此。
绝缘膜700可围绕内绝缘层200、内线圈部300、外绝缘层400和外线圈部500。绝缘膜700可使内线圈部300和外线圈部500与主体100绝缘，并可包括诸如聚对二甲苯等的绝缘材料。绝缘膜700中包括的材料不限于任何具体材料。绝缘膜700可通过诸如气相沉积工艺等的方法形成，但用于形成绝缘膜700的方法不限于此。绝缘膜700可通过在内绝缘层200的其上形成有外线圈部500的两个表面上层叠绝缘膜而形成。
第一外电极800和第二外电极900可分别设置在主体的彼此背对的前表面和后表面上，并且可连接到外线圈部500。例如，第一外电极800可设置在主体100的第一表面101上并且可接触并连接到第一外线圈部510的暴露于主体100的第一表面101的端部511。第二外电极900可设置在主体100的第二表面102上并且可接触并连接到第二外线圈部520的暴露于主体100的第二表面102的端部521。
外电极800和900可具有单层结构或多层结构。例如，第一外电极800和第二外电极900中的每个可包括：第一层，包括铜(Cu)；第二层，设置在第一层上并包括镍(Ni)；和第三层，设置在第二层上并包括锡(Sn)。可选地，第一外电极800和第二外电极900中的每个可包括：树脂电极层，通过使包括树脂和导电粉末的导电膏固化而形成；和镀层，形成在树脂电极层上。
第一外电极800和第二外电极900均可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、铬(Cr)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但所述材料的示例不限于此。
如上所述，在示例性实施例的线圈组件中，通过形成具有包括内线圈部和外线圈部的多层结构的线圈，可确保产品所需的匝数和线圈的有效面积。因此，在示例性实施例中，可通过将线圈构造成具有包括两个或更多个层的结构而非增大线圈的高宽比的简单的方式来确保产品所需的匝数和线圈的有效面积。
此外，通过利用制造成本相对低的减成法形成内线圈部，可按照更低的成本并通过简单的工艺来确保产品所需的匝数。
根据上述示例性实施例，可容易地增大线圈的匝数。
此外，根据上述示例性实施例，可按照更低的成本增大线圈的匝数。
虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变型。
Claims (15)
1.一种线圈组件，包括：
主体，包括磁性金属粉末；
内绝缘层，被埋设在所述主体中；
内线圈部，设置在所述内绝缘层上，并具有截面面积从所述内绝缘层的外侧朝向所述内绝缘层增大的线圈图案；
外绝缘层，覆盖所述内线圈部；
外线圈部，设置在所述外绝缘层上，所述外线圈部的匝数大于所述内线圈部的匝数；
连接过孔，穿透所述外绝缘层，并连接所述内线圈部和所述外线圈部；以及
绝缘膜，围绕所述内绝缘层、所述内线圈部、所述外绝缘层和所述外线圈部。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述内线圈部包括与所述内绝缘层接触的第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层以及设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间的种子层。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述内线圈部包括分别形成在所述内绝缘层的彼此背对的两个表面上的第一内线圈图案和第二内线圈图案以及穿透所述内绝缘层以连接所述第一内线圈图案和所述第二内线圈图案的通路。
4.根据权利要求3所述的线圈组件，其中，所述第一内线圈图案和所述第二内线圈图案均包括与所述内绝缘层接触的第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层以及设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间的种子层。
5.根据权利要求3所述的线圈组件，
其中，所述外绝缘层设置在所述内绝缘层的两个表面中的每个表面上，以覆盖所述第一内线圈图案和所述第二内线圈图案；并且
其中，所述外线圈部包括分别设置在所述外绝缘层上的第一外线圈图案和第二外线圈图案。
6.根据权利要求5所述的线圈组件，
其中，所述第一外线圈图案的端部和所述第二外线圈图案的端部分别暴露于所述主体的彼此背对的前表面和后表面；并且
其中，所述线圈组件还包括分别设置在所述主体的所述前表面和所述后表面上并分别连接到所述第一外线圈图案和所述第二外线圈图案的第一外电极和第二外电极。
7.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述外线圈部包括形成在所述外绝缘层上的种子图案。
8.一种线圈组件，包括：
主体，包括磁性金属粉末；
内绝缘层，被埋设在所述主体中；
内线圈部，设置在所述内绝缘层上，并包括具有与所述内绝缘层接触的线圈图案的第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层以及设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间的种子层；
外绝缘层，覆盖所述内线圈部；
外线圈部，设置在所述外绝缘层上，所述外线圈部的匝数大于所述内线圈部的匝数；
连接过孔，穿透所述外绝缘层，并连接所述内线圈部和所述外线圈部；以及
绝缘膜，围绕所述内绝缘层、所述内线圈部、所述外绝缘层和所述外线圈部。
9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中，所述内线圈部具有截面面积从所述内绝缘层的外侧朝向所述内绝缘层增大的线圈图案。
10.根据权利要求8所述的线圈组件，所述线圈组件还包括：
第一外电极和第二外电极，分别设置在所述主体的彼此背对的前表面和后表面上并连接到所述外线圈部。
11.一种线圈组件，包括：
内绝缘层；
具有第一匝数的内线圈部，设置在所述内绝缘层的第一表面上，所述内线圈部的截面面积沿远离所述第一表面的方向减小；
外绝缘层，覆盖所述内线圈部；
具有第二匝数的外线圈部，设置在所述外绝缘层上，所述第二匝数大于所述第一匝数；以及
连接过孔，穿透所述外绝缘层，并将所述内线圈部连接到所述外线圈部。
12.根据权利要求11所述的线圈组件，所述线圈组件还包括绝缘膜，所述绝缘膜围绕所述内绝缘层、所述内线圈部、所述外绝缘层和所述外线圈部。
13.根据权利要求11所述的线圈组件，所述线圈组件还包括主体，所述主体包括磁性金属粉末并包封所述内绝缘层、所述内线圈部、所述外绝缘层和所述外线圈部，
其中，所述外线圈部的背对的端部通过所述主体的背对的表面暴露。
14.根据权利要求13所述的线圈组件，所述线圈组件还包括外电极，所述外电极设置在所述主体的使所述外线圈部的所述背对的端部暴露的所述背对的表面上，所述外电极连接到所述外线圈部的相应的背对的端部。
15.根据权利要求11所述的线圈组件，其中，所述内线圈部包括与所述内绝缘层接触的第一导电层、设置在所述第一导电层上的种子层以及设置在所述种子层上的第二导电层。
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