CN110873986A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置可以包括：沿第一方向设置的感测存储线；沿第二方向设置的感测数据线；像素薄膜晶体管，其包括连接到栅极线的第一栅极、连接到数据线的第一源极以及与第一源极间隔开的第一漏极；以及传感器薄膜晶体管，其包括连接到感测存储线的第二栅极、电连接到感测数据线的第二源极以及与第二源极间隔开的第二漏极，其中，第二漏极可以电连接到第一漏极以共用像素存储电容器。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年9月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0104650号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种能够执行光感测的显示装置。

背景技术

随着进入信息时代，在视觉上表达电信息信号的显示领域已得到快速发展，并且响应于此，已开发了具有诸如薄的厚度、轻的重量、低的功耗的优异性能的各种显示装置。

显示装置的示例可以包括液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(OLED)等。

近来，显示装置包括触摸屏，该触摸屏允许用户偏离通常的输入方法(例如按钮、键盘或鼠标)而容易地、直观地且方便地输入信息和命令。

具有指示所显示的图像的特定部分的指示器。在现有技术中，经常使用发射激光束的激光指示器。用户通过用激光束照射显示装置上的所需点来使用激光指示器指示所需部分。

然而，由于显示装置的图像具有与激光束相似或比激光束高的亮度，因此要求具有高可见性的指示技术。

发明内容

近来，已开发出如下技术，该技术利用非晶硅薄膜晶体管的当接收到光时漏电流(截止电流)增加的特性，感测当激光束通过引出线入射到薄膜晶体管上时产生的电流以将激光点部分实现为图像。

然而，在这种情况下，需要诸如用于处理光传感器的输出的引出线的单独电路。在这种情况下，由于显示信号(即，数据信号)的转换引起的公共电压的波动被传输到引出线从而引起噪声。噪声随着面板尺寸的增加而增加，从而限制了面板尺寸的增加。

因此，本公开要实现的一个目的是提供一种显示装置，其能够在不限制面板尺寸的情况下执行光感测和自图像表现，而无需使用诸如引出线的单独电路或信号处理。

本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员根据以下描述可以清楚地理解上面未提及的其它目的。

为了解决上述问题，根据本公开的一个方面，显示装置包括：多条栅极线，其沿第一方向设置；多条数据线，其设置在与第一方向不同的第二方向上，以与多条栅极线一起限定多个子像素；感测存储线，其沿第一方向设置；感测数据线，其沿第二方向设置；像素薄膜晶体管，每个像素薄膜晶体管包括连接到多条栅极线中的各条栅极线的第一栅极、连接到多条数据线中的各条数据线的第一源极以及与第一源极间隔开的第一漏极；以及传感器薄膜晶体管，每个传感器薄膜晶体管包括连接到感测存储线的第二栅极、电连接到感测数据线的第二源极以及与第二源极间隔开的第二漏极，第二漏极电连接到第一漏极以共用像素存储电容器。

为了解决上述问题，根据本公开的另一方面，显示装置包括：多条栅极线和多条数据线，它们相互叠加以限定多个子像素；像素薄膜晶体管，每个像素薄膜晶体管设置在一个子像素中；像素存储电容器，每个像素存储电容器设置在一个子像素中；以及传感器薄膜晶体管，所述传感器薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管共用像素存储电容器，并响应于入射的预定光源在相应的子像素中实现预定图像。

示例性实施例的其它详细内容包括在具体实施方式和附图中。

根据本公开，可以实现光感测和自图像表现，并且改善了激光指示器的可见性。具体地，根据本公开，仅添加了传感器薄膜晶体管，而不添加单独电路或执行信号处理，从而可以节省工艺和成本。

根据本公开，其不受由于数据信号的转换引起的噪声的影响，使得可以有利地增加面板的尺寸和分辨率，并且传感器薄膜晶体管设置在每个子像素中以增加光感测精度。

根据本公开的效果不限于上面例示的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和其它优点，其中：

图1是示出根据本公开的显示装置的框图；

图2是示出根据本公开第一示例性实施例的显示面板的一部分的等效电路图；

图3是示出根据本公开第一示例性实施例的显示面板的一部分的平面图；

图4A是沿线A-A’截取的图3中所示的显示面板的剖视图；

图4B是沿线B-B’截取的图3中所示的显示面板的剖视图；

图5是示出根据本公开第二示例性实施例的显示面板的一部分的等效电路图；

图6是示出根据本公开第二示例性实施例的显示面板的一部分的平面图；

图7A是示出感测数据线的布置的视图；

图7B是列出在根据本公开的第一示例性实施例和第二示例性实施例的显示装置中根据感测数据电压条件的图像结果的表格；

图8A是示出感测数据线的另一布置的视图；

图8B是列出在根据本公开的第一示例性实施例的显示装置中根据感测数据电压条件的图像结果的表格；

图9是示出在127灰度背景的情况下电压根据时间的波动的曲线图；

图10A至图10C是示出图9中预测的图像的视图；

图11是示出在0灰度背景的情况下电压根据时间的波动的曲线图；

图12A至图12C是示出图11中预测的图像的视图；

图13是示出在225灰度背景的情况下电压根据时间的波动的曲线图；

图14是示出图13中预测的图像的视图；

图15是示出在127灰度背景的情况下电压根据时间的波动的曲线图；

图16是示出图15中预测的图像的视图。

具体实施方式

通过参考以下结合附图详细描述的示例性实施例，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文中公开的示例性实施例，而是将以各种形式实现。示例性实施例仅作为示例提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。

用于描述本公开的示例性实施例的附图中示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知现有技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由...组成”的术语通常旨在允许添加其它部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何引用可以包括复数，除非另有明确说明。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。

当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“靠近”的术语描述两个部分之间的位置关系时，一个或多个部分可以位于两个部分之间，除非这些术语与术语“立即”或“直接”一起使用。

当一个元件或层设置在另一个元件或层“上”时，该一个元件或层可以直接位于另一个元件或层上，或者第三层或元件可插设在两者之间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其它部件区分开。因此，下面提到的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示出的部件的尺寸和厚度。

本公开的各个实施例的特征可以部分地或完全地彼此依附或组合，并且可以在技术上以各种方式互联和操作，并且这些实施例可以彼此独立地实施或相互关联地实施。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的各种实施例。

图1是示出根据本公开的显示装置的框图。

参考图1，根据本公开示例性实施例的显示装置可以被配置为主要包括显示面板100、栅极驱动电路200、数据驱动电路300、时序控制器400和触摸驱动电路500。

在显示面板100中，栅极线GL1至GLn和公共线(未示出)可以沿第一方向设置，数据线DL1至DLm沿与第一方向不同的第二方向设置。

此外，在显示面板100中，感测数据线Vdr1至Vdrs可以沿第二方向设置在数据线DL1至DLm之间。此外，感测存储线Vst1至Vstp可以沿第一方向设置在栅极线GL1至GLn之间。

例如，多条栅极线GL1至GLn和多条数据线DL1至DLm相互叠加或交叉以限定多个子像素P。

多个子像素P电连接到栅极线GL1至GLn、数据线DL1至DLm以及公共线，并且可以通过由栅极线GL1至GLn、数据线DL1至DLm以及公共线施加的像素驱动信号或像素驱动电压来显示图像。

根据本公开示例性实施例的显示面板100可以被配置为具有双速驱动(DRD)结构，在DRD结构中，彼此相邻的一对子像素P共同连接到数据线DL1至DLm中的一条数据线。然而，本公开不限于此。作为参考，根据DRD结构，与普通显示面板相比，可以在通过将数据线的数量减少一半(而不是将栅极线的数量加倍)来减少配置数据驱动电路的数据集成电路的数量的同时，实现相同的分辨率。

如上所述，根据本公开的显示面板100具有DRD结构，使得可以使用设置有现有技术的数据线DL1至DLm的部分区域来设置感测数据线Vdr1至Vdrs。此外，光触摸传感器(未示出)设置在栅极线GL1至GLn被设置为相邻的部分区域中。因此，与一般显示装置相比，显示面板100可以包括用于感测光触摸而不降低开口率的光触摸传感器。

显示面板100包括多个子像素P，并且可以基于由每个子像素P显示的灰度级显示图像。在这种情况下，当使用液晶面板作为显示面板100的示例时，多个子像素P中的每一个可以包括由通过栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm施加的信号驱动的像素电极和由公共线驱动的公共电极。在多个子像素P的每一个中，液晶通过像素电极和公共电极之间的电压差而倾斜以显示图像。然而，本公开不限于液晶面板。

图1中示出的多个子像素P可以显示不同的颜色，并且多个子像素P可以形成单元以配置一个像素。例如，子像素P可以显示红色、绿色和蓝色中的任何一个，或者显示红色、绿色、蓝色和白色中的任何一个。

可以在显示面板100中限定多个传感器像素单元。

传感器像素单元可以由多个子像素P形成。

传感器像素单元可以包括光触摸传感器，该光触摸传感器根据传感器薄膜晶体管的根据光强度而改变的截止电流的变化来识别触摸。更具体地，光触摸传感器包括传感器薄膜晶体管和传感器存储电容器。传感器薄膜晶体管根据光强度导通，以在传感器存储电容器中充入电压。此外，没有提供用于分析或检测感测的外部电路配置，从而图像表现可仅由外部光源的直径确定。因此，为了提高可见性和感测精度，可以在每个点子像素中设置传感器薄膜晶体管，但本公开不限于此。

在这种情况下，根据本公开，像素薄膜晶体管和传感器薄膜晶体管共用存储电容器，使得图像被输出到子像素而无需单独执行信号处理来识别触摸。传感器薄膜晶体管直接连接到像素存储电容器，以充入存储在液晶电容器和像素存储电容器中的子像素的电压，或将该电压放电。

如上所述，根据本公开，可以实现光感测和自图像表现而无需使用诸如引出线的单独电路或执行信号处理，并且改善了激光指示器的可见性。具体地，仅添加了传感器薄膜晶体管，而不添加单独电路或执行信号处理，从而可以节省工艺和成本。

此外，根据本公开，其不受由于数据信号的转换引起的噪声的影响，使得可以有利地增加面板的尺寸和分辨率，并且传感器薄膜晶体管设置在每个子像素中以增加光感测精度。

将参考以下附图更详细地描述传感器像素单元的结构。

栅极驱动电路200可以根据从时序控制器400传输的栅极驱动控制信号GCS将栅极信号依次供应到栅极线GL1至GLn。栅极驱动电路200可以包括移位寄存器、电平移位器等。

栅极驱动电路200可以与显示面板100独立地设置，或者可以作为薄膜类型嵌入在非显示区域中，在该非显示区域中，在制造显示面板100的基板时显示面板100的子像素P不通过面板内栅极(GIP)方法来设置。

数据驱动电路300通过从时序控制器400传输的数据驱动控制信号DCS来生成采样信号，并且通过根据采样信号锁存图像数据来将从时序控制器400输入的图像数据改变为数据信号DS，然后可以响应于源输出使能(SOE)信号将数据信号供应到数据线DL1至DLm。

数据驱动电路300通过玻上芯片(COG)方法连接到显示面板100的接合焊盘，或者可以直接设置在显示面板100上。在某些情况下，数据驱动电路300可以设置成与显示面板100集成。此外，数据驱动电路300可以通过膜上芯片(COF)方法设置。

时序控制器400可以将从主机系统(未示出)接收的输入图像信号RGB传输到数据驱动电路300。

此外，时序控制器400可以使用与输入图像信号RGB一起接收的诸如时钟信号DCLK、水平同步信号Hsync、垂直同步信号Vsync和数据使能信号DE的时序信号来生成用于控制栅极驱动电路200和数据驱动电路300的操作时序的时序控制信号。时序控制器400与时序信号同步，以生成栅极驱动电路200的控制信号GCS和数据驱动电路300的控制信号DCS。

此外，时序控制器400生成用于驱动光触摸传感器的触摸驱动信号以将触摸驱动信号传输到触摸驱动电路500。时序控制器400从触摸驱动电路500接收触摸感测信号以计算触摸信息。

触摸驱动电路500可以将从时序控制器400传输的触摸驱动信号施加到光触摸传感器。

图2是示出根据本公开第一示例性实施例的显示面板的一部分的等效电路图。

根据图2中所示的本公开的第一示例性实施例，作为示例，在每个子像素中设置一个传感器薄膜晶体管，但本公开不限于此。

图3是示出根据本公开第一示例性实施例的显示面板的一部分的平面图。图3示出了图2的A部分的显示面板的平面结构。例如，图3示出了八个子像素中的一些子像素。在图3中，例如，作为示例，依次且重复地设置蓝色子像素B、绿色子像素G和红色子像素R，但本公开不限于此。

首先，参考图2，在根据本公开第一示例性实施例的显示面板中，设置多个子像素以显示图像，并且在每个子像素中设置一个传感器薄膜晶体管Tss，以感测入射光并且可以识别触摸。在这种情况下，作为示例，图2示出了在每个子像素中设置一个传感器薄膜晶体管Tss。

尽管未具体示出，多个子像素设置在显示面板中并且子像素中的每一个可以是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的任何一个。

多个子像素可以以双速驱动(DRD)方式设置。更具体地，在多个子像素中设置为相邻的子像素(例如第一列中的子像素和第二列中的子像素)电连接到数据线DL1、DL2和DL3中的同一条数据线，例如第一数据线DL1。此外，第一行中的子像素和第二行中的子像素可以连接到不同的栅极线GL1、GL2、GL3和GL4，例如，连接到第一栅极线GL1和第二栅极线GL2。

在这种情况下，由于子像素具有DRD结构，因此当除公共线CL1、CL2、CL3和CL4之外在数据线DL1、DL2和DL3之间设置竖直公共线时，公共线CL1、CL2、CL3和CL4的总电阻可以大幅减小。然而，本公开不限于此。

如上所述，公共线CL1、CL2、CL3和CL4、栅极线GL1、GL2、GL3和GL4以及感测存储线Vst1、Vst2、Vst3可以沿第一方向设置。

感测存储线Vst1、Vst2和Vst3可以设置成邻近公共线并将电压分布到水平方向上的每条线。

此外，数据线DL1、DL2和DL3以及感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4可以沿与第一方向不同的第二方向设置。

感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4是将传感器数据信号(即，光触摸传感器驱动信号)传输到传感器薄膜晶体管Tss的布线。

感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4可以将传感器数据信号输出到数据焊盘上方的用于每个红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素的三条外部布线，但本公开不限于此。当划分布线时，可以根据施加到每个红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素的感测数据电压电平来实现各种颜色。

尽管未在附图中示出，然而能够施加DC的焊盘被配置在链路虚设单元中，并且线可以被独立地配置为将信号施加到D-IC虚设PIN。

参考图2，多个子像素P中的每一个可以包括像素薄膜晶体管TPx、并联连接到像素薄膜晶体管TPx的像素电容器Clc及像素存储电容器Cst。

此外，根据本公开第一示例性实施例的每个子像素还包括连接到像素存储电容器Cst的传感器薄膜晶体管Tss。

尽管未在附图中示出，每个子像素可以由电连接到像素薄膜晶体管TPx的像素电极、供应公共电压的公共电极以及液晶层配置，在液晶层中，液晶通过像素电极和公共电极的垂直电场或水平电场而倾斜。

在这种情况下，像素薄膜晶体管TPx可以将响应于从栅极线GL1、GL2、GL3和GL4施加的栅极信号而从数据线DL1、DL2和DL3施加的数据信号存储在像素电容器Clc和像素存储电容器Cst中。

如上所述，可以根据存储在像素电容器Clc中的数据信号来驱动液晶，并且像素存储电容器Cst可以稳定地保持像素电容器Clc的数据信号。

在这种情况下，作为示例，已经描述了根据第一示例性实施例的显示面板是液晶面板，但本公开不限于此。例如，根据本公开的第一示例性实施例的显示面板可以是有机发光显示面板。当显示面板是有机发光显示面板时，有机发光显示面板可以包括连接到像素薄膜晶体管TPx的阳极、由有机材料形成的发光层、以及阴极。

如上所述，本公开的第一示例性实施例包括感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4以及感测存储线Vst1、Vst2和Vst3。

此外，像素薄膜晶体管TPx和传感器薄膜晶体管Tss共用存储电容器(即像素存储电容器Cst)，使得可以在不使用诸如引出线的单独电路或执行信号处理的情况下进行光感测。此外，根据本公开的第一示例性实施例，共用传感器存储和像素存储以在子像素上显示感测信号。

也就是说，用于关闭沟道的电压可以被施加到感测存储线Vst1、Vst2和Vst3。此外，在驱动传感器薄膜晶体管Tss时施加到子像素的特定电压可以被施加到感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4。在这种情况下，当诸如激光的强光入射到传感器薄膜晶体管Tss上时，传感器薄膜晶体管的电流Ioff增加，并且感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4的电压被传输到子像素。因此，基于感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4的灰度级可以显示在激光入射区域中(即，多个子像素中)。

在这种情况下，根据所示的本公开的第一示例性实施例，作为示例，在每个子像素中设置一个传感器薄膜晶体管Tss，但本公开不限于此。

此外，参考图3，每个子像素B、G和R包括通过像素电极118和公共电极108显示图像的开口区域和不显示图像并且设置有用于驱动开口区域的像素电极118和公共电极108的驱动元件(例如，像素薄膜晶体管TPx等)的非开口区域。

像素电极118和公共电极108可以设置在开口区域中。

像素电极118与公共电极108一起形成电场，并且使液晶层的液晶分子通过如上所述形成的电场而倾斜以显示图像。像素电极118可以以相同的间隔平行设置，并且多个像素电极118的一端可以连接到沿第一方向设置的像素电极线1181。

像素电极118不仅可以设置在开口区域中，还可以延伸为设置在非开口区域中。

公共电极108可以以相同的间隔平行设置，并且多个公共电极108的一端可以连接到沿第一方向设置的公共电极线108l。公共电极108和像素电极118可以在开口区域中交替地设置。

像素电极线1181和公共电极线108l可以设置为在子像素B、G、R的上方或下方彼此相对。此外，公共电极108可以设置在数据线DL2和DL3以及感测数据线Vdr2和Vdr3上，以便覆盖数据线DL2和DL3以及感测数据线Vdr2和Vdr3。然而，本公开不限于此。

多条栅极线GL2和GL3、多条数据线DL2和DL3、多条公共线CL2和CL3、感测数据线Vdr2和Vdr3、感测存储线Vst2、像素薄膜晶体管TPx、传感器薄膜晶体管Tss和存储电容器可以设置在非开口区域中。

此外，即使未示出，屏蔽光的屏蔽线可以设置在沿第二方向设置的数据线DL2和DL3以及感测数据线Vdr2和Vdr3的至少一侧中以便包围布线。

如上所述，沿第二方向设置的感测数据线Vdr2和Vdr3不设置在单独的区域中，而是可以设置在数据线DL2和DL3设置于不为DRD结构的普通显示装置中的区域中。因此，根据本公开的第一示例性实施例的显示面板不需要设计单独的布线区域来设置光触摸传感器。因此，可以使开口率的减小最小化。

也就是说，在根据本公开的第一示例性实施例的显示装置中，子像素B、G和R被配置为具有DRD结构，使得不需要准备设置单独的感测数据线Vdr2和Vdr3的区域。因此，与光触摸传感器设置在不是DRD结构的普通显示装置中的情况相比，可以使第二方向上的开口率的减小最小化。

像素薄膜晶体管TPx可以包括连接到栅极线GL2和GL3的第一栅极121a、第一有源层(未示出)、从数据线DL2和DL3分支的第一源极122a、以及与第一源极122a间隔开的第一漏极123a。在这种情况下，第一漏极123a可以通过第一接触孔电连接到像素电极线118l。

感测数据线Vdr2和Vdr3可以设置在数据线DL2和DL3之间，并且可以连接到传感器薄膜晶体管Tss，以将传感器驱动信号或传感器驱动电压施加到传感器薄膜晶体管Tss。可以从触摸驱动电路或时序控制器施加被施加到传感器薄膜晶体管Tss的传感器驱动电压。

在这种情况下，传感器薄膜晶体管Tss可以包括连接到感测存储线Vst2的第二栅极121b、第二有源层、从感测数据线Vdr2和Vdr3分支的第二源极122b、以及与第二源极122b间隔开的第二漏极123b。

考虑到光源的波长范围，根据本公开的传感器薄膜晶体管Tss可以由响应于红色光源的红色传感器薄膜晶体管或响应于绿色光源的绿色传感器薄膜晶体管配置。然而，本公开不限于此。

传感器薄膜晶体管Tss可以设置在子像素B、G、R的两个子像素中，以相对于感测数据线Vdr2和Vdr3对称。然而，本公开不限于此。

将更详细地描述如上所述配置的显示面板的横截面结构。

图4A是沿线A-A’截取的图3中所示的显示面板的剖视图。

图4B是沿线B-B’截取的图3中所示的显示面板的剖视图。

在这种情况下，传感器薄膜晶体管在图4A的左侧示出，存储电容器在图4A的右侧示出。此外，在图4B中，作为示例示出了像素薄膜晶体管，但本公开不限于此。

参考图4A和图4B，第一栅极121a、第二栅极121b、感测存储线Vst2、栅极线GL2和公共线CL2可以设置在基板110上。

感测存储线Vst2可以与第一方向上的栅极线GL2和公共线CL2一起设置在基板110上。

在这种情况下，第一栅极121a从栅极线GL2分支以配置栅极线GL2的一部分。

此外，第二栅极121b可以从感测存储线Vst2分支以配置感测存储线Vst2的一部分。

第一栅极121a、第二栅极121b、感测存储线Vst2、栅极线GL2和公共线CL2可以由相同的材料形成，例如，可以由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)和钕(Nd)或它们的合金组成的组中的任何一种形成。

栅极绝缘层115a可以设置在第一栅极121a、第二栅极121b、感测存储线Vst2、栅极线GL2和公共线CL2上。栅极绝缘层115a可以由氧化硅膜SiOx、氮化硅膜SiNx、或其多个层形成。

第一有源层124a、第二有源层124b和半导体层124可以设置在栅极绝缘层115a上。

第一有源层124a、第二有源层124b和半导体层124可以由非晶硅、多晶硅、低温多晶硅、氧化物半导体等中的任何一种半导体材料形成。

第一有源层124a和第二有源层124b可以由不同的半导体材料形成。例如，第一有源层124a可以由氧化物半导体形成，第二有源层124b可以由非晶硅形成。然而，本公开不限于此。

氧化物半导体可以通过将硅(Si)添加到包括选自由锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铝(Al)和锌(Zn)组成的组中的一种或多种的氧化物半导体中而获得的材料形成。例如，第一有源层124a可以由硅离子被添加到铟锌复合氧化物(InZnO)中的硅铟锌氧化物(Si-InZnO SIZO)形成。

例如，当第一有源层124a由SiZO形成时，在第一有源层124a中硅(Si)原子含量与锌(Zn)、铟(In)和硅(Si)原子的总含量之组成比为约0.001wt％至约30wt％。随着硅(Si)原子含量的增加，控制电子产生的功能变得更强，从而可以降低迁移率，但是可以提高元件的稳定性。

除了上述材料之外，氧化物半导体的示例包括：诸如锂(Li)或钾(K)的I族元素；诸如镁(Mg)、钙(Ca)或锶(Sr)的II族元素；诸如镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)或钇(Y)的III族元素；诸如钛(Ti)、锆(Zr)、硅(Si)、锡(Sn)或锗(Ge)的IV族元素；诸如钽(Ta)、钒(V)、铌(Nb)或锑(Sb)的V族元素；以及诸如镧(La)、铈(Ce)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镨(Pr)或钌(Lu)的镧基元素。

从数据线分支的第一源极122a和与第一源极122a间隔开的第一漏极123a可以设置在第一有源层124a上。

此外，从第一漏极123a延伸的存储电极130可以设置在半导体层124上。存储电极130在公共线CL上方与公共线CL重叠，以配置像素存储电容器。

此外，从感测数据线分支的第二源极122b和与第二源极122b间隔开的第二漏极123b可以设置在第二有源层124b上。第二漏极123b电连接到第一漏极123a以共用像素存储电容器。

第一栅极121a、第一源极122a、第一漏极123a和第一有源层124a可以配置像素薄膜晶体管TPx。也就是说，第一源极122a用作像素薄膜晶体管TPx的第一电极，第一漏极123a用作像素薄膜晶体管TPx的第二电极。

第二栅极121b、第二源极122b、第二漏极123b和第二有源层124b可以配置传感器薄膜晶体管Tss。在这种情况下，第二源极122b用作传感器薄膜晶体管Tss的第二电极，第二漏极123b用作传感器薄膜晶体管Tss的第一电极。

在这种情况下，传感器薄膜晶体管Tss可以配置响应于红色光源的红色传感器薄膜晶体管或响应于绿色光源的绿色传感器薄膜晶体管。

第一源极122a、第一漏极123a、存储电极130、第二源极122b、第二漏极123b、数据线和感测数据线可以由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或它们的合金组成的组中的任何一种形成。

此外，层间绝缘层115b可以设置在第一源极122a、第一漏极123a、存储电极130、第二源极122b、第二漏极123b、数据线和感测数据线上。

在这种情况下，层间绝缘层115b被设置为使第一源极122a、第一漏极123a、存储电极130、第二源极122b、第二漏极123b、数据线和感测数据线与设置在其上的配置绝缘。例如，层间绝缘层115b可以由氧化硅膜SiOx、氮化硅膜SiNx、或其多个层形成。

尽管未在附图中示出，但是由红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器形成的滤色器层可以设置在开口区域的层间绝缘层115b上。滤色器层可以不设置在非开口区域中，或者将两个以上滤色器层叠以用作阻挡层。可以通过层叠红色滤色器和蓝色滤色器来配置阻挡层，但本公开不限于此。

例如，除与下面将描述的第一接触孔140a和第二接触孔140b相对应的部分之外，红色滤色器和蓝色滤色器可以层叠在整个基板110上。然而，本公开不限于此，并且红色滤色器和蓝色滤色器可以在层叠在整个基板110上之后通过第一接触孔140a和第二接触孔140b被图案化。

平坦化层115c可以设置在滤色器层上。

设置平坦化层115c以使其下方的台阶平坦化，例如，平坦化层115c可以由诸如光丙烯酸、聚酰亚胺、丙烯酸酯基树脂或苯并环丁烯基树脂的有机材料形成。

像素电极和公共电极可以设置在平坦化层115c上。

此外，像素电极线118l和公共电极线可以设置在平坦化层115c上。

在这种情况下，平坦化层115c和层间绝缘层115b的一部分被去除以形成暴露其下方的存储电极130的第一接触孔140a。此外，平坦化层115c和层间绝缘层115b的另一部分被去除以形成暴露其下方的第二漏极123b的第二接触孔140b。

因此，存储电极130通过第一接触孔140a暴露到外部，并且第二漏极123b可以通过第二接触孔140b暴露到外部。

存储电极130通过第一接触孔140a电连接到像素电极线118l，第二漏极123b通过第二接触孔140b电连接到像素电极线118l。因此，存储电极130和第二漏极123b可以彼此连接。

像素电极与公共电极一起形成电场，并且使液晶层的液晶分子通过如上所述形成的电场而倾斜以显示图像。像素电极可以以相同的间隔平行设置，并且多个像素电极的一端可以连接到沿第一方向设置的像素电极线118l。像素电极可以不仅设置在开口区域中，而且延伸以设置在非开口区域中。

公共电极可以以相同的间隔平行设置，并且多个公共电极的一端可以连接到沿第一方向设置的公共电极线。公共电极和像素电极可以在开口区域中交替地设置。

公共电极和像素电极可以设置在同一层上，但本公开不限于此，并且可以设置在不同的层上。

公共电极、像素电极、像素电极线118l和公共电极线可以由透明导电层形成。透明导电层可以是透明且具有导电性的材料，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

如上所述，根据本公开的第一示例性实施例，响应于入射到传感器薄膜晶体管Tss上的预定光源在第二有源层124b中产生漏电流，并且产生的漏电流可以存储在像素存储电容器中。

当将预定电压施加到感测数据线时，可以通过存储在像素存储电容器中的漏电流在相应的子像素中显示预定图像。

因此，本公开提供了可以实现光感测和自图像表现并且改善了激光指示器的可见性的效果。具体地，根据本公开的第一示例性实施例，仅添加了传感器薄膜晶体管Tss，而不添加单独电路或执行信号处理，因此有利于节省工艺和成本。

根据本公开的第一示例性实施例，在相应的子像素而不是引出线中显示预定图像以实现光感测。因此，其不受由于数据信号的转换引起的噪声影响，使得可以有利地增加面板的尺寸和分辨率。此外，为每个子像素设置传感器薄膜晶体管Tss以增加光感测精度。

在这种情况下，根据所示的本公开的第一示例性实施例，作为示例，在每个子像素中设置一个传感器薄膜晶体管Tss，但本公开不限于此。然而，本公开还应用于在每两个子像素中设置一个传感器薄膜晶体管Tss的示例，该示例将通过本公开的第二示例性实施例更详细地描述。

图5是示出根据本公开第二示例性实施例的显示面板的一部分的等效电路图。

根据图5中所示的本公开的第二示例性实施例，作为示例，在每两个子像素中设置一个传感器薄膜晶体管，但本公开不限于此。

图6是示出根据本公开第二示例性实施例的显示面板的一部分的平面图。图6示意性地示出了图5的B部分的显示面板的平面结构。例如，图6示出了八个子像素中的一些子像素。在图6中，例如，依次且重复地设置蓝色子像素B、绿色子像素G和红色子像素R，但本公开不限于此。

首先，参考图5，在根据本公开第二示例性实施例的显示面板中，设置多个子像素以显示图像，并且在每两个子像素中设置一个传感器薄膜晶体管Tss以感测入射光并识别触摸。

尽管未具体示出，但是多个子像素设置在显示面板中，并且每个子像素可以是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的任何一个。

可以将多个子像素设置为具有双速驱动(DRD)结构。更具体地，在多个子像素中设置为相邻的子像素(例如第一列中的子像素和第二列中的子像素)电连接到数据线DL1、DL2和DL3中的同一条数据线，例如第一数据线DL1。此外，第一行中的子像素和第二行中的子像素可以分别连接到不同的栅极线GL1、GL2、GL3和GL4，例如，分别连接到第一栅极线GL1和第二栅极线GL2。

在这种情况下，由于子像素具有DRD结构，因此当除公共线CL1、CL2、CL3和CL4之外在数据线DL1、DL2和DL3之间设置竖直公共线时，公共线CL1、CL2、CL3和CL4的总电阻可以大幅减小。然而，本公开不限于此。

如上所述，公共线CL1、CL2、CL3和CL4、栅极线GL1、GL2、GL3和GL4以及感测存储线Vst1、Vst2、Vst3可以沿第一方向设置。

此外，数据线DL1、DL2和DL3以及感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4可以沿与第一方向不同的第二方向设置。

感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4是将传感器数据信号(即，光触摸传感器驱动信号)传输到传感器薄膜晶体管Tss的布线。

参考图5，多个子像素P中的每一个包括像素薄膜晶体管TPx、并联连接到像素薄膜晶体管TPx的像素电容器Clc及像素存储电容器Cst。

此外，根据本公开第二示例性实施例的每个子像素还包括连接到每两个子像素的像素存储电容器Cst的传感器薄膜晶体管Tss。

尽管未在附图中示出，但是每个子像素由电连接到像素薄膜晶体管TPx的像素电极、供应公共电压的公共电极、以及液晶层配置，在液晶层中，液晶通过像素电极和公共电极的垂直电场或水平电场而倾斜。

在这种情况下，像素薄膜晶体管TPx将响应于从栅极线GL1、GL2、GL3和GL4施加的栅极信号而从数据线DL1、DL2和DL3施加的数据信号存储在像素电容器Clc和像素存储电容器Cst中。

如上所述，可以根据存储在像素电容器Clc中的数据信号来驱动液晶，并且像素存储电容器Cst可以稳定地保持像素电容器Clc的数据信号。

在这种情况下，作为示例，已经描述了根据第二示例性实施例的显示面板是液晶面板，但本公开不限于此。例如，根据本公开的第二示例性实施例的显示面板可以是有机发光显示面板。当显示面板是有机发光显示面板时，有机发光显示面板可以包括连接到像素薄膜晶体管TPx的阳极、由有机材料形成的发光层、以及阴极。

如上所述，本公开的第二示例性实施例包括感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4以及感测存储线Vst1、Vst2和Vst3。

此外，像素薄膜晶体管TPx和传感器薄膜晶体管Tss共用存储电容器(即像素存储电容器Cst)，使得可以在不使用诸如引出线的单独电路或执行信号处理的情况下进行光感测。此外，根据本公开的第二示例性实施例，共用传感器存储和像素存储以在子像素上显示感测信号。

也就是说，用于关闭沟道电压可以被施加到感测存储线Vst1、Vst2和Vst3。此外，在驱动传感器薄膜晶体管Tss时施加到子像素的特定电压可以被施加到感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4。在这种情况下，当诸如激光的强光入射到传感器薄膜晶体管Tss上时，传感器薄膜晶体管的截止电流Ioff增加，并且感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4的电压被传输到子像素。因此，基于感测数据线Vdr1、Vdr2、Vdr3和Vdr4的灰度级可以显示在激光入射区域中(即，多个子像素中)。

在这种情况下，根据所示的本公开的第二示例性实施例，作为示例，在每两个子像素中设置一个传感器薄膜晶体管Tss，但本公开不限于此。

此外，参考图6，每个子像素B、G和R包括通过像素电极118和公共电极108显示图像的开口区域和不显示图像并且设置有用于驱动开口区域的像素电极118和公共电极108的驱动元件(例如像素薄膜晶体管TPx)的非开口区域。

像素电极118和公共电极108可以设置在开口区域中。

像素电极118与公共电极108一起形成电场，并且使液晶层的液晶分子通过如上所述形成的电场而倾斜以显示图像。像素电极118可以以相同的间隔平行设置，并且多个像素电极118的一端可以连接到沿第一方向设置的像素电极线1181。

像素电极118可以不仅设置在开口区域中，而且延伸为设置在非开口区域中。

公共电极108可以以相同的间隔平行设置，并且多个公共电极108的一端可以连接到沿第一方向设置的公共电极线108l。公共电极108和像素电极118可以在开口区域中交替地设置。

像素电极线1181和公共电极线108l可以设置为在子像素B、G、R的上方或下方彼此相对。此外，公共电极108可以设置在数据线DL2和DL3以及感测数据线Vdr2和Vdr3上，以便覆盖数据线DL2和DL3以及感测数据线Vdr2和Vdr3。然而，本公开不限于此。

同时，多条栅极线GL2和GL3、多条数据线DL2和DL3、多条公共线CL2和CL3、感测数据线Vdr2和Vdr3、感测存储线Vst2、像素薄膜晶体管TPx、传感器薄膜晶体管Tss和存储电容器可以设置在非开口区域中。

此外，即使未示出，对光进行屏蔽的屏蔽线可以设置在沿第二方向设置的数据线DL2和DL3以及感测数据线Vdr2和Vdr3的至少一侧中以包围布线。

如上所述，沿第二方向设置的感测数据线Vdr2和Vdr3不设置在单独的区域中，而是可以设置在数据线DL2和DL3设置于不为DRD方式的普通显示装置中的区域中。因此，根据本公开的第二示例性实施例的显示面板不需要设计单独的布线区域来设置光触摸传感器。因此，可以使开口率的减小最小化。

也就是说，在根据本公开的第二示例性实施例的显示装置中，子像素B、G和R被配置为具有DRD结构，使得不需要准备设置单独的感测数据线Vdr2和Vdr3的区域。因此，与光触摸传感器设置在不为DRD结构的普通显示装置中的情况相比，可以使第二方向上的开口率的减小最小化。

像素薄膜晶体管TPx可以包括连接到栅极线GL2和GL3的第一栅极121a、第一有源层(未示出)、从数据线DL2和DL3分支的第一源极122a、以及与第一源极122a间隔开的第一漏极123a。在这种情况下，第一漏极123a可以通过第一接触孔电连接到像素电极线1181。

感测数据线Vdr2和Vdr3设置在数据线DL2和DL3之间，并且连接到传感器薄膜晶体管Tss，以将传感器驱动信号或传感器驱动电压施加到传感器薄膜晶体管Tss。可以从触摸驱动电路或时序控制器施加被施加到传感器薄膜晶体管Tss的传感器驱动电压。

在这种情况下，传感器薄膜晶体管Tss可以包括连接到感测存储线Vst2的第二栅极121b、第二有源层、从感测数据线Vdr2和Vdr3分支的第二源极122b、以及与第二源极122b间隔开的第二漏极123b。

考虑到光源的波长范围，根据本公开的传感器薄膜晶体管Tss可以由响应于红色光源的红色传感器薄膜晶体管或响应于绿色光源的绿色传感器薄膜晶体管配置。然而，本公开不限于此。

传感器薄膜晶体管Tss可以设置在子像素B、G、R中的两个子像素中，以相对于感测数据线Vdr2和Vdr3对称。然而，根据本公开的第二示例性实施例，在一个子像素中，例如，如图6中所示，在偶数子像素中，传感器薄膜晶体管Tss未连接到像素存储电容器(即像素电极线118l)。相反，在另一个子像素中，例如，在奇数子像素中，传感器薄膜晶体管Tss连接到像素电极线118l。

同时，根据本公开，根据施加到感测数据线的电压和感测数据线的布置设计(将参考附图更详细地描述)，可以在被进行光感测的子像素中设置各种彩色图像。

图7A是示出感测数据线的布置的视图。

图7B是列出在根据本公开的第一示例性实施例和第二示例性实施例的显示装置中根据感测数据电压条件的图像结果的表格。

参考图7A，例如，根据本公开的感测数据线红Vdr、绿Vdr和蓝Vdr可以通过每个红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的三条外部线分别将感测数据电压(Vdr电压)施加到红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。

参考图7B，可以理解，当将预定的Vdr电压施加到每个红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B时，根据本公开的第一示例性实施例和第二示例性实施例，各种彩色图像被显示。

根据每个子像素(R、G和B)设置一个传感器薄膜晶体管的第一示例性实施例，可以实现洋红色、黄色、青色、黑色或白色。

根据每两个子像素(R、G和B)设置一个传感器薄膜晶体管的第二示例性实施例，可以实现红色、绿色、蓝色、黑色或白色。

例如，如情况1所示，可以理解，当将公共电压Vcom作为Vdr电压施加到红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B时，根据第一示例性实施例和第二示例性实施例，黑色被显示为点颜色和实现的颜色。

如情况2所示，当将255灰度像素驱动电压Vdd和公共电压Vcom作为Vdr电压分别施加到红色子像素R以及绿色子像素G和蓝色子像素B时，根据第一示例性实施例，红色+蓝色和洋红色分别被显示为点颜色和实现的颜色。然而，根据第二示例性实施例，红色被显示为点颜色和实现的颜色。

如情况3所示，当将255灰度像素驱动电压Vdd和公共电压Vcom作为Vdr电压分别施加到绿色子像素G以及红色子像素R和蓝色子像素B时，根据第一示例性实施例，绿色+红色和黄色分别被显示为点颜色和实现的颜色。然而，根据第二示例性实施例，绿色被显示为点颜色和实现的颜色。

如情况4所示，当将255灰度像素驱动电压Vdd和公共电压Vcom作为Vdr电压分别施加到蓝色子像素B以及红色子像素R和绿色子像素G时，根据第一示例性实施例，蓝色+绿色和青色被分别显示为点颜色和实现的颜色。然而，根据第二示例性实施例，蓝色被显示为点颜色和实现的颜色。

例如，如情况5所示，当将255灰度像素驱动电压Vdd作为Vdr电压施加到红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B时，根据第一示例性实施例和第二示例性实施例，白色被显示为点颜色和实现的颜色。

图8A是示出感测数据线的另一布置的视图。

图8B是列出在根据本公开的第一示例性实施例的显示装置中根据感测数据电压条件的图像结果的表格。

参考图8A，例如，根据本公开的感测数据线Vdr可以通过每个子像素的一条外部线将感测数据电压(Vdr电压)施加到红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，而无论红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素如何。

参考图8B，可以理解，当将预定的Vdr电压施加到每个红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B时，根据本公开的第一示例性实施例，黑色或白色图像被显示。

例如，如情况1所示，可以理解，当将公共电压Vcom作为Vdr电压施加到红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B时，根据第一示例性实施例，黑色被显示为点颜色和实现的颜色。

此外，如情况2所示，当将255灰度像素驱动电压Vdd作为Vdr电压施加到红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B时，根据第一示例性实施例，白色被显示为点颜色和实现的颜色。

在下文中，当用白色实现点图像时，将更详细地描述根据感测数据电压条件的充电模拟结果。

图9是示出在127灰度背景的情况下电压根据时间的波动的曲线图。

图10A至图10C是示出图9中预测的图像的视图。

参考图10A至图10C，白色、红色和绿色作为点图像显示在127灰度背景中。

在127灰度背景中(像素充电电压是127灰度并且液晶电压Vlc是3.6V)，如图9所示，可以理解，当大约13V被施加作为感测数据电压时，被充电有正极性的子像素在大约2ms内被充电。

相反，在负极性的情况下，随着电压增加，亮度降低到公共电压Vcom电平，然后增加以在大约6ms内被充电。

例如，当假设激光指示器的直径是2mm时，包括大约9×3个点子像素，从而可以用具有在一帧期间变化的正/负极性的平均亮度表现图像。

在这种情况下，当帧改变时，子像素被更新，使得其可以被识别为自图像闪烁现象。

图11是示出在0灰度背景的情况下电压根据时间的波动的曲线图。

图12A至图12C是示出图11中预测的图像的视图。

参考图12A至图12C，白色、红色和绿色作为点图像显示在0灰度背景中。

在0灰度背景中(像素充电电压是0灰度并且平均电压Vrms是6.5V)，如图11所示，可以理解，当大约13V被施加作为感测数据电压时，可以在相同的时间对子像素充电，而无论正极性和负极性如何。

在这种情况下，可以理解，通过相对于平均电压Vrms使电压从0V增加至完全充电需要大约7ms。

同样在这种情况下，当帧改变时，子像素被更新，使得其可以被识别为自图像闪烁现象。

在下文中，将更详细地描述当用黑色实现点图像时根据感测数据电压条件的充电模拟结果。

图13是示出在225灰度背景的情况下电压根据时间的波动的曲线图。

图14是示出图13中预测的图像的视图。

图14示出了黑色作为点图像显示在255灰度背景上的示例。

在255灰度背景中(像素充电电压是255灰度并且平均电压Vrms是6.5V)，如图13所示，可以理解，当大约6.5V被施加作为感测数据电压时，根据正极性和负极性在放电中引起偏差，并且在大约7ms内完全放电。

类似于白色图像实现，当根据正极性和负极性通过亮度偏差改变帧时，可以将其识别为自图像闪烁现象。

在黑色图像表现的情况下，其可以显示为大约71个灰度级的图像。

图15是示出在127灰度背景的情况下电压根据时间的波动的曲线图。

图16是示出图15中预测的图像的视图。

图16示出了黑色作为点图像显示在127灰度背景上的示例。

在127灰度背景中(像素充电电压是127灰度并且平均电压Vrms是6.5V)，如图15所示，可以理解，当大约6.5V被施加作为感测数据电压时，几乎不产生根据正极性和负极性的放电偏差，并且在大约4ms内完全放电。

在黑色图像表现的情况下，其可以显示为大约14个灰度级的图像。

如上所述，根据本公开，由所有光源充电或放电的子像素根据要闪烁的帧的变化而被更新。

本公开的示例性实施例还可以描述如下：

根据本公开的一个方面，提供一种显示装置。该显示装置可以包括：多条栅极线，沿第一方向设置；多条数据线，沿与第一方向不同的第二方向设置，以与多条栅极线一起限定多个子像素；感测存储线，沿第一方向设置；感测数据线，沿第二方向设置；像素薄膜晶体管，每个像素薄膜晶体管包括连接到多条栅极线中的各条栅极线的第一栅极、连接到多条数据线中的各条数据线的第一源极以及与第一源极间隔开的第一漏极；以及传感器薄膜晶体管，每个传感器薄膜晶体管包括连接到感测存储线的第二栅极、电连接到感测数据线的第二源极以及与第二源极间隔开的第二漏极，第二漏极电连接到第一漏极以共用像素存储电容器。

显示装置还可以包括沿第一方向设置的多条公共线。

显示装置还可以包括通过使第一漏极延伸而配置的存储电极。

存储电极可以在公共线上方与公共线重叠以配置像素存储电容器。

显示装置还可以包括：绝缘层，在第一栅极和第二栅极上方；以及至少另一个绝缘层，在第一源极和第二源极以及第一漏极和第二漏极上方。

显示装置还可以包括：第一接触孔，通过去除至少另一个绝缘层的一部分来配置以暴露存储电极；以及第二接触孔，通过去除至少另一个绝缘层的另一部分来配置以暴露第二漏极。

显示装置还可以包括像素电极线，所述像素电极线通过第一接触孔电连接到存储电极，并且通过第二接触孔电连接到第二漏极。

显示装置还可以包括设置在至少另一个绝缘层上的多个公共电极和像素电极。

多个像素电极的一端可以连接到像素电极线。

一个传感器薄膜晶体管可以设置在一个子像素中。

一个传感器薄膜晶体管可以设置在两个子像素中。

传感器薄膜晶体管可以响应于入射的预定光源产生截止电流，并且产生的截止电流可以存储在像素存储电容器中。

由于可以将电压施加到感测数据线，因此存储在像素存储电容器中的截止电流可以在相应的子像素中显示预定图像。

子像素可以被分为多组，每组包括彼此相邻的两列子像素，并且每组中的子像素电连接到同一条数据线。

显示装置还可以包括像素电容器，像素电容器设置为与像素存储电容器平行并且连接到像素薄膜晶体管。

根据本公开的另一方面，提供一种显示装置。该显示装置可以包括：多条栅极线和多条数据线，所述多条栅极线和多条数据线相互叠加以限定多个子像素；像素薄膜晶体管，每个像素薄膜晶体管设置在一个子像素中；像素存储电容器，每个像素存储电容器设置在一个子像素中；以及传感器薄膜晶体管，与像素薄膜晶体管共用像素存储电容器，并响应于入射的预定光源在相应的子像素中实现预定图像。

显示装置还可以包括：感测存储线，设置成与多条栅极线平行；以及感测数据线，设置成与多条数据线平行。

每个传感器薄膜晶体管的第一栅极可以电连接到感测存储线，并且每个传感器薄膜晶体管的第一源极可以电连接到感测数据线。

一个传感器薄膜晶体管可以设置在一个子像素中。

一个传感器薄膜晶体管可以设置在两个子像素中。

尽管已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施例，但本公开不限于此并且可以在不背离本公开的技术概念的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施例仅用于说明的目的，而不是旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，以上描述的示例性实施例在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术概念应被解释为落入本公开的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

多条栅极线，所述多条栅极线沿第一方向设置；

多条数据线，所述多条数据线沿与所述第一方向不同的第二方向设置，以与所述多条栅极线一起限定多个子像素；

感测存储线，所述感测存储线沿所述第一方向设置；

感测数据线，所述感测数据线沿所述第二方向设置；

像素薄膜晶体管，每个所述像素薄膜晶体管包括连接到所述多条栅极线中的各条栅极线的第一栅极、连接到所述多条数据线中的各条数据线的第一源极以及与所述第一源极间隔开的第一漏极；以及

传感器薄膜晶体管，每个所述传感器薄膜晶体管包括连接到所述感测存储线的第二栅极、电连接到所述感测数据线的第二源极以及与所述第二源极间隔开的第二漏极，所述第二漏极电连接到所述第一漏极以共用像素存储电容器。

2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

多条公共线，所述多条公共线沿所述第一方向设置。

3.根据权利要求2所述的显示装置，还包括：

存储电极，所述存储电极通过使所述第一漏极延伸而构成。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述存储电极在所述公共线上方与所述公共线重叠，而构成所述像素存储电容器。

5.根据权利要求3所述的显示装置，还包括：

绝缘层，所述绝缘层在所述第一栅极和所述第二栅极上方；以及

至少另一个绝缘层，所述至少另一个绝缘层在所述第一源极、所述第二源极、所述第一漏极和所述第二漏极上方。

6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：

第一接触孔，所述第一接触孔通过去除所述至少另一个绝缘层的一部分来配置以暴露所述存储电极；以及

第二接触孔，所述第二接触孔通过去除所述至少另一个绝缘层的另一部分来配置以暴露所述第二漏极。

7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：

像素电极线，所述像素电极线通过所述第一接触孔电连接到所述存储电极，并通过所述第二接触孔电连接到所述第二漏极。

8.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：

多个公共电极和多个像素电极，所述多个公共电极和多个像素电极设置在所述至少另一个绝缘层上。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述多个像素电极的一端连接到所述像素电极线。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在一个所述子像素中设置一个所述传感器薄膜晶体管。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在两个所述子像素中设置一个所述传感器薄膜晶体管。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述传感器薄膜晶体管响应于入射的预定光源产生截止电流，并且产生的所述截止电流存储在所述像素存储电容器中。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，当将电压施加到所述感测数据线时，存储在所述像素存储电容器中的所述截止电流在相应的所述子像素中显示预定图像。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述子像素被分为多个组，每个组包括彼此相邻的两列所述子像素，并且每个组中的所述子像素电连接到同一条所述数据线。

15.根据权利要求1所述的显示装置，还包括像素电容器，所述像素电容器设置为与所述像素存储电容器平行并且连接到所述像素薄膜晶体管。

16.一种显示装置，包括：

多条栅极线和多条数据线，所述多条栅极线和所述多条数据线相互叠加以限定多个子像素；

像素薄膜晶体管，每个所述像素薄膜晶体管设置在一个所述子像素中；

像素存储电容器，每个所述像素存储电容器设置在一个所述子像素中；以及

传感器薄膜晶体管，所述传感器薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管共用所述像素存储电容器，并响应于入射的预定光源在相应的所述子像素中实现预定图像。

17.根据权利要求16所述的显示装置，还包括：

感测存储线，所述感测存储线设置成与所述多条栅极线平行；以及

感测数据线，所述感测数据线设置成与所述多条数据线平行。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，每个所述传感器薄膜晶体管的第一栅极电连接到所述感测存储线，并且每个所述传感器薄膜晶体管的第一源极电连接到所述感测数据线。

19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，在一个所述子像素中设置一个所述传感器薄膜晶体管。

20.根据权利要求16所述的显示装置，其中，在两个所述子像素中设置一个所述传感器薄膜晶体管。

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