CN110854261A - 电子制冷片的生产方法 - Google Patents
电子制冷片的生产方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110854261A CN110854261A CN201911064069.XA CN201911064069A CN110854261A CN 110854261 A CN110854261 A CN 110854261A CN 201911064069 A CN201911064069 A CN 201911064069A CN 110854261 A CN110854261 A CN 110854261A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aluminum
- refrigeration
- oxide insulating
- layer
- electronic refrigeration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000006187 pill Substances 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/82—Connection of interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
本发明属于制冷产品生产工艺技术领域,尤其涉及一种电子制冷片的生产方法,电子制冷片的生产方法包括以下步骤:S100:提供铝基板,在所述铝基板的表面制作氧化铝绝缘层;S200:在所述氧化铝绝缘层上制作线路层;S300:在所述线路层上焊接若干制冷晶体。先在铝基板的表面上制作出氧化铝绝缘层,接着在该氧化铝绝缘层上制作出线路层,最后将若干个制冷晶体焊接在线路层上,由于该氧化铝绝缘层的设置,这样可以通过氧化铝绝缘层起到传导热的作用,并且由于氧化铝绝缘层与铝基板之间几乎不具有间隙,再结合氧化铝绝缘层相比传统的绝缘胶具有更高的导热系数,从而可以大大提高铝基板的导热能力,进而提高整个电子制冷片的制冷效率和功率密度。
Description
技术领域
本发明属于制冷产品生产工艺技术领域,尤其涉及一种电子制冷片的生产方法。
背景技术
现在的制冷设备大多数需要用氟化物做制冷媒。氟化物对大气环境的伤害早有公认。制冷设备已经渗透到人们的生活和工作以及生产和科学研究当中。电子制冷技术发展到现在,是可以逐步取代有氟化物的制冷设备的。
目前,市面上已经有大量的电子制冷产品上市,但受电子制冷器件的局限还没有形成主流产品。在电子制冷器件的生产中,需要导热性好的绝缘材料。现有的导热性好的材料除了金刚石则剩下金属、石墨等一些导电材料。然而,金刚石价格过于昂贵,无法满足需求。
为此,现有技术从产品结构和生产工艺中来解决上述问题。即采用铝基线路板可以实现解决散热问题,但是铝基线路板的导热能力以及能做到的功率密度还远远满足不了电子制冷片的高端要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电子制冷片的生产方法,旨在解决现有技术中电子制冷片的制冷效率差和功率密度低的技术问题。
为实现上述目的,本发明实施例提供的一种电子制冷片的生产方法,包括以下步骤:
S100:提供铝基板,在所述铝基板的表面制作氧化铝绝缘层;
S200:在所述氧化铝绝缘层上制作线路层;
S300:在所述线路层上焊接若干制冷晶体。
可选地,在所述步骤S100中,先对所述铝基板的表面进行粗糙化处理,再在经过粗糙化处理的所述铝基板的表面上制作氧化铝绝缘层。
可选地,在所述步骤S100中,对所述铝基板的表面进行的粗糙化处理为:采用电化学蚀刻工艺于所述铝基板的表面形成立体蜂窝状的纳米级微坑。
可选地,在所述步骤S100中,在所述纳米级微坑的表面硬质氧化处理制作出氧化铝绝缘层之前,先对所述纳米级微坑的表面进行等离子清洗。
可选地,在所述步骤S200中,在所述氧化铝绝缘层的表面上镀设钛层,然后在所述钛层的表面上镀设铜层,最后在所述铜层的表面上蚀刻制作出线路层。
可选地,在所述步骤S300中,所述制冷晶体为半导体晶体。
本发明实施例提供的电子制冷片的生产方法中的上述一个或多个技术方案至少具有如下技术效果之一:先在铝基板的表面上制作出氧化铝绝缘层,接着在该氧化铝绝缘层上制作出线路层,最后将若干个制冷晶体焊接在线路层上,由于该氧化铝绝缘层的设置,这样可以通过氧化铝绝缘层起到传导热的作用,并且由于氧化铝绝缘层与铝基板之间几乎不具有间隙,再结合氧化铝绝缘层相比传统的绝缘胶具有更高的导热系数,从而可以大大提高铝基板的导热能力,进而提高整个电子制冷片的制冷效率和功率密度。
本发明另一实施例提供的一种电子制冷片,其采用上述的电子制冷片的生产方法制得。
本发明另一实施例提供的一种电子制冷片,其包括两个铝基板和若干制冷晶体,两个所述铝基板的表面均设置有氧化铝绝缘层,所述氧化铝绝缘层设置有线路层,各所述电子制冷晶体的第一端与其中一个所述铝基板的线路层焊接,各所述电子制冷晶体的第二端与另外一个所述铝基板的线路层焊接。
可选地,两个所述铝基板以各所述制冷晶体形成的整体结构为中心对称设置。
可选地,所述铝基板的氧化铝绝缘层采用表面硬质氧化处理工艺制作成型。
本发明实施例提供的电子制冷片中的上述一个或多个技术方案至少具有如下技术效果之一:由于在铝基板的表面上设置有氧化铝绝缘层置,这样可以通过氧化铝绝缘层起到传导热的作用,并且由于氧化铝绝缘层与铝基板之间几乎不具有间隙,再结合氧化铝绝缘层相比传统的绝缘胶具有更高的导热系数,从而可以大大提高铝基板的导热能力,进而提高整个电子制冷片的制冷效率和功率密度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的电子制冷片的生产方法的流程图。
图2为本发明实施例提供的电子制冷片的结构示意图。
其中,图中各附图标记:
10—铝基板 20—氧化铝绝缘层 30—线路层
40—制冷晶体 50—钛层 60—焊锡。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明的实施例,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个实施例中,如图1~2所示,提供一种电子制冷片的生产方法,包括以下步骤:
S100:提供铝基板10,在所述铝基板10的表面制作氧化铝绝缘层20;优选地,铝基板10采用纯铝制作;
S200:在所述氧化铝绝缘层20上制作线路层30;线路层30制作在具有绝缘作用的氧化铝绝缘层20上,可以防止该线路层30工作时发生短路;这样不需要使用绝缘胶实现绝缘,并且还可以提高热传递效果;
S300:在所述线路层30上焊接若干制冷晶体40;若干制冷晶体40可以以矩形或者圆形的阵列方式布置,采用焊锡60的方式焊接在线路层30上,如图2所示。
本实施例的电子制冷片的生产方法中,先在铝基板10的表面上制作出氧化铝绝缘层20,接着在该氧化铝绝缘层20上制作出线路层30,最后将若干个制冷晶体40焊接在线路层30上,由于该氧化铝绝缘层20的设置,这样可以通过氧化铝绝缘层20起到传导热的作用,并且由于氧化铝绝缘层20与铝基板10之间几乎不具有间隙,再结合氧化铝绝缘层20相比传统的绝缘胶具有更高的导热系数,从而可以大大提高铝基板10的导热能力,进而提高整个电子制冷片的制冷效率和功率密度。
本实施例中,纯铝材质制成的铝基板10的导热系数高,可以提高电子制冷片的快速冷却效果。
进一步地,在所述步骤S100中,先对所述铝基板10的表面进行粗糙化处理,再在经过粗糙化处理的所述铝基板10的表面上制作氧化铝绝缘层20。本实施例中,先对铝基板10的表面进行粗糙化处理可以提高与氧化铝绝缘层20的接触面积,进而提高与氧化铝绝缘层20的结合力。
进一步地,在所述步骤S100中,对所述铝基板10的表面进行的粗糙化处理为:采用电化学蚀刻工艺于所述铝基板10的表面形成立体蜂窝状的纳米级微坑。电化学蚀刻工艺简称T处理,通过该工艺可以在铝基板10的表面形成立体蜂窝状的纳米级微坑,立体蜂窝状的纳米级微坑的形成具有两个作用:其一是增加与氧化铝绝缘层20的导热面积;其二是增强铝基板10本身结构的附着力。
进一步地,在所述步骤S100中,在所述纳米级微坑的表面硬质氧化处理制作出氧化铝绝缘层20之前,先对所述纳米级微坑的表面进行等离子清洗。在该步骤中,通过等离子清洗的方式可以将经过T处理的铝基板10表面清洁干净,并且可以保证铝基板10的表面干燥,如此可以减小后续制作氧化铝绝缘层20可能受到的污染,并可以减小氧化铝绝缘层20与铝基板10之间的间隙,进一步加强氧化铝绝缘层20与铝基板10之间结合力。具体地,进行等离子清洗可以在等离子清洗机内进行,高效安全。
进一步地,如图1~2所示,在所述步骤S200中,在所述氧化铝绝缘层20的表面上镀设钛层50,然后在所述钛层50的表面上镀设铜层,最后在所述铜层的表面上蚀刻制作出线路层30。具体地,在氧化铝绝缘层20上镀设钛层50可以保护氧化铝绝缘层20和防止热胀冷缩对产品质量的影响。其中,钛的热膨胀系数比铜和铝更接近硬质的氧化铝绝缘层20(三氧化二铝),通过该钛层50的设置还可以避免氧化铝绝缘层20破裂的问题。另外,在钛层50上镀设铜层的作用是通过增加一定的厚度实现线路层30的制作,即在铜层上蚀刻线路层30,并且可以增加氧化铝绝缘层20与线路层30的结合致密度,后续步骤中的制冷晶体40的焊接也可以直接焊接在该铜层上,可以确保产品结构稳定性好,质量高。
进一步地,在所述步骤S300中,所述制冷晶体40为半导体晶体。采用半导体作为制冷元使用,具有优良的热传递效果。
本发明另一实施例提供的一种电子制冷片,其采用上述的电子制冷片的生产方法制得。由于在铝基板10的表面上设置有氧化铝绝缘层20置,这样可以通过氧化铝绝缘层20起到传导热的作用,并且由于氧化铝绝缘层20与铝基板10之间几乎不具有间隙,再结合氧化铝绝缘层20相比传统的绝缘胶具有更高的导热系数,从而可以大大提高铝基板10的导热能力,进而提高整个电子制冷片的制冷效率和功率密度。
本发明另一实施例提供的一种电子制冷片,如图2所示,其包括两个铝基板10和若干制冷晶体40,两个所述铝基板10的表面均设置有氧化铝绝缘层20,所述氧化铝绝缘层20设置有线路层30,各所述电子制冷晶体40的第一端与其中一个所述铝基板10的线路层30焊接,各所述电子制冷晶体40的第二端与另外一个所述铝基板10的线路层30焊接。由于在铝基板10的表面上设置有氧化铝绝缘层20置,这样可以通过氧化铝绝缘层20起到传导热的作用,并且由于氧化铝绝缘层20与铝基板10之间几乎不具有间隙,再结合氧化铝绝缘层20相比传统的绝缘胶具有更高的导热系数,从而可以大大提高铝基板10的导热能力,进而提高整个电子制冷片的制冷效率和功率密度。
本实施例中,采用两块铝基板10制作出电子制冷片,使得结构多样化,适配应用在不同的产品中。并且也有效地利用了制冷晶体40,整体结构不会增很大体积,结构依然小巧,实用灵活。
进一步地,如图2所示,两个所述铝基板10以各所述制冷晶体40形成的整体结构为中心对称设置。如此,可以使得电子制冷片整体呈对称的结构,一方面便于对其进行生产,特别地,适合在自动化设备上进行生产;另一方面,电子制冷片整体结构较为规则,将其应用在其他装置产品上,更容易实现安装,使用更加灵活。
进一步地,所述铝基板10的氧化铝绝缘层20采用表面硬质氧化处理工艺制作成型。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电子制冷片的生产方法,其特征在于:包括以下步骤:
S100:提供铝基板,在所述铝基板的表面制作氧化铝绝缘层;
S200:在所述氧化铝绝缘层上制作线路层;
S300:在所述线路层上焊接若干制冷晶体。
2.根据权利要求1所述的电子制冷片的生产方法,其特征在于:在所述步骤S100中,先对所述铝基板的表面进行粗糙化处理,再在经过粗糙化处理的所述铝基板的表面上制作氧化铝绝缘层。
3.根据权利要求2所述的电子制冷片的生产方法,其特征在于:在所述步骤S100中,对所述铝基板的表面进行的粗糙化处理为:采用电化学蚀刻工艺于所述铝基板的表面形成立体蜂窝状的纳米级微坑。
4.根据权利要求3所述的电子制冷片的生产方法,其特征在于:在所述步骤S100中,在所述纳米级微坑的表面硬质氧化处理制作出氧化铝绝缘层之前,先对所述纳米级微坑的表面进行等离子清洗。
5.根据权利要求1所述的电子制冷片的生产方法,其特征在于:在所述步骤S200中,在所述氧化铝绝缘层的表面上镀设钛层,然后在所述钛层的表面上镀设铜层,最后在所述铜层的表面上蚀刻制作出线路层。
6.根据权利要求1所述的电子制冷片的生产方法,其特征在于:在所述步骤S300中,所述制冷晶体为半导体晶体。
7.一种电子制冷片,其特征在于:采用权利要求1~6任一项所述的电子制冷片的生产方法制得。
8.一种电子制冷片,其特征在于:包括两个铝基板和若干制冷晶体,两个所述铝基板的表面均设置有氧化铝绝缘层,所述氧化铝绝缘层设置有线路层,各所述电子制冷晶体的第一端与其中一个所述铝基板的线路层焊接,各所述电子制冷晶体的第二端与另外一个所述铝基板的线路层焊接。
9.根据权利要求8所述的电子制冷片,其特征在于:两个所述铝基板以各所述制冷晶体形成的整体结构为中心对称设置。
10.根据权利要求8所述的电子制冷片,其特征在于:所述铝基板的氧化铝绝缘层采用表面硬质氧化处理工艺制作成型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911064069.XA CN110854261A (zh) | 2019-11-04 | 2019-11-04 | 电子制冷片的生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911064069.XA CN110854261A (zh) | 2019-11-04 | 2019-11-04 | 电子制冷片的生产方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110854261A true CN110854261A (zh) | 2020-02-28 |
Family
ID=69598217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911064069.XA Pending CN110854261A (zh) | 2019-11-04 | 2019-11-04 | 电子制冷片的生产方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110854261A (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125963A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Chichibu Onoda Cement Corp | 熱電変換装置 |
JP2003017759A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 熱電交換モジュール用セラミック基板 |
JP2007109942A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Toyota Industries Corp | 熱電モジュール及び熱電モジュールの製造方法 |
CN1969398A (zh) * | 2004-06-17 | 2007-05-23 | 阿鲁策株式会社 | 热电转换模块 |
CN103068154A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-04-24 | 浙江远大电子开发有限公司 | 铝基电路板及其制造方法 |
-
2019
- 2019-11-04 CN CN201911064069.XA patent/CN110854261A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125963A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Chichibu Onoda Cement Corp | 熱電変換装置 |
JP2003017759A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 熱電交換モジュール用セラミック基板 |
CN1969398A (zh) * | 2004-06-17 | 2007-05-23 | 阿鲁策株式会社 | 热电转换模块 |
JP2007109942A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Toyota Industries Corp | 熱電モジュール及び熱電モジュールの製造方法 |
CN103068154A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-04-24 | 浙江远大电子开发有限公司 | 铝基电路板及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9125335B2 (en) | Ceramic circuit board and method of making the same | |
CN103208577B (zh) | 带凹杯led氮化铝陶瓷支架的制备方法 | |
CN102291928A (zh) | 一种导热氮化铝绝缘金属基板及其制备方法 | |
CN104135816B (zh) | 铝基覆铜板及其制备方法、线路电子线路板 | |
JP2004022973A (ja) | セラミック回路基板および半導体モジュール | |
CN106888551A (zh) | 一种陶瓷基覆铜板及其制备工艺 | |
JPH10326949A (ja) | 回路基板 | |
JP2012234857A (ja) | セラミックス回路基板及びそれを用いたモジュール | |
CN110854261A (zh) | 电子制冷片的生产方法 | |
CN114666970A (zh) | 导热基板 | |
CN219040462U (zh) | 一种使用铝包铜线键合SiC芯片的半导体功率模块 | |
CN204795855U (zh) | 预钻孔的湿式电镀金属基板 | |
JP2002280500A (ja) | 電力回路基板及びそのような基板を使用する電力モジュール | |
CN109047962B (zh) | 一种用于多芯片封装钎焊过程中保持界面平整的方法 | |
TWI542042B (zh) | 發光二極體圖案化基板及其製作方法 | |
CN203057695U (zh) | 陶瓷电路基板 | |
CN220528275U (zh) | 一种柔性覆金属板及柔性电路板 | |
CN217389106U (zh) | 高导热率的陶瓷基板 | |
CN206790778U (zh) | 一种陶瓷基覆铜板 | |
CN112420638A (zh) | 金刚石薄膜复铜基热沉及其制备方法 | |
JP2003332503A (ja) | 放熱板を有する回路基板及びその製造法 | |
CN116705726B (zh) | 一种免焊模块封装结构及其双面散热模块封装结构 | |
CN217721587U (zh) | 结构稳固型陶瓷基板 | |
TWI819632B (zh) | 電路板及其製備方法 | |
JPH11322455A (ja) | セラミックス/金属接合体およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200228 |