CN110853801A - 透明电极、光伏电池、电子器件及透明电极的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 76
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 143
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 63
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 43
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 18
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 18
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910002695 AgAu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017750 AgSn Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100434911 Mus musculus Angpt1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- CCXYPVYRAOXCHB-UHFFFAOYSA-N bismuth silver Chemical compound [Ag].[Bi] CCXYPVYRAOXCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N gold silver Chemical compound [Ag].[Au] PQTCMBYFWMFIGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013087 polymer photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- -1 silver aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- MZFIXCCGFYSQSS-UHFFFAOYSA-N silver titanium Chemical compound [Ti].[Ag] MZFIXCCGFYSQSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
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- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本申请涉及一种透明电极、光伏电池、电子器件及透明电极的制备方法。透明电极包括光学多层膜，具有负等效相对磁导率；以及电极层，与光学多层膜邻接，电极层由导电材料形成且具有小于等于110nm的层厚。上述透明电极可使光波在宽频、宽角度下仍具有较高的能量透射率，且该透明电极结构简单，可大大降低制备成本；除此之外，该透明电极的电极层层厚可以增大至110nm，从而有利于提升透明电极的导电性能。
Description
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种透明电极、光伏电池、电子器件以及透明电极的制备方法。
背景技术
目前，掺锡氧化铟(ITO)是应用最为广泛的透明电极材料。但铟、锡等材料存在自然储量少、制备工艺复杂、成本高、稳定性差等缺点，同时它还具有一定的毒性。美国和英国公布铟的职业接触限值为0.1mg/m3，过多接触铟会危害身体健康，因此限制了其在太阳能电池、液晶显示器等器件上的应用。
氧化锌(ZnO)作为Ⅱ-Ⅵ族n型半导体材料，正成为ITO的替代品，其室温下的直接光学带隙为3.37eV，具有良好的导电性和透光性。ZnO薄膜具有价格低廉、原料丰富、对人体无害等优势，但其导电性能尚需提高。
另一方面，由于银具有非常好的导电性能，因此基于银线阵列或银线网络可以设计出性能优良的透明电极，但银线阵列设计和制备比较复杂，这增加了透明电极的设计成本。此外，银线阵列的设计也会影响透明电极整体的导电性能。
发明内容
基于此，有必要针对传统透明电极中的银线阵列或银线网络设计复杂、制备成本较高的问题，提供一种改进的透明电极。
一种透明电极，包括：
光学多层膜，具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率；以及，
电极层，与所述光学多层膜邻接，所述电极层由导电材料形成且具有小于等于110nm的层厚。
上述透明电极，通过将具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的所述光学多层膜与所述电极层邻接，可使所述透明电极形成互补材料，使光波在宽频、宽角度下仍具有较高的能量透射率，且该透明电极结构简单，可大大降低其制备成本；除此之外，所述电极层的层厚可以达到110nm，从而有利于提升所述透明电极的导电性能。
在其中一个实施例中，所述透明电极满足下列关系式：
εede+εcdc＝0；
μede+dc＝0；
其中，所述光学多层膜的等效相对介电常数为εe，所述光学多层膜的等效相对磁导率为μe，所述光学多层膜的厚度为de，所述电极层的相对介电常数为εc，所述电极层的厚度为dc。
在其中一个实施例中，所述光学多层膜由至少一组具有轴对称性质的多层膜组沿所述光学多层膜光波入射表面的法线方向邻接排布形成，所述多层膜组的对称轴与其排布方向垂直。
在其中一个实施例中，所述具有轴对称性质的多层膜组包括两层第一光学膜以及设于该两层第一光学膜之间的第二光学膜，所述第一光学膜的折射率和所述第二光学膜的折射率不同。
在其中一个实施例中，所述第一光学膜的厚度范围为100nm～200nm，所述第二光学膜的厚度范围为50nm～100nm。
在其中一个实施例中，所述第一光学膜的厚度范围为123nm～135nm，所述第二光学膜的厚度范围为59nm。
在其中一个实施例中，所述多层膜组的组数小于或等于一预设组数。
在其中一个实施例中，所述第一光学膜为氟化镁膜，所述第二光学膜为二氧化钛膜。
在其中一个实施例中，所述第一光学膜为二氧化硅膜，所述第二光学膜为二氧化钛膜。
在其中一个实施例中，所述电极层由银或银含量大于50％的合金构成。
一种光伏电池，具有如前所述的透明电极。
上述光伏电池，能够接收更多的光波能量，进而提升光电转化效率，同时还具有较高的导电性能，有利于电子传输。
一种电子器件，使用如前所述的光伏电池供电。
上述电子器件，具有较高的节能效率，有利于减少能源损耗。
一种透明电极的制备方法，包括：
提供具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜；
提供层厚小于等于110nm的电极层，所述电极层由导电材料形成；
将所述电极层与所述光学多层膜邻接。
上述制备方法，利用具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜和电极层邻接，以制备出具有互补材料特性的透明电极，从而可显著提高光波在所述透明电极中的能量透射率，且制备出的透明电极结构简单，可大大降低其制备成本；除此之外，通过上述方式还可以增加电极层的厚度，有利于提升所述透明电极的导电性能。
在其中一个实施例中，提供具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜，具体包括：
调整所述光学多层膜各膜层的厚度，以使所述光学多层膜的等效相对介电常数εe、等效相对磁导率μe、所述光学多层膜的厚度de、所述电极层的相对介电常数εc以及所述电极层的厚度dc满足下列关系式：
εede+εcdc＝0；
μede+dc＝0
在其中一个实施例中，提供具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜，具体包括：
提供具有不同折射率的第一光学膜和第二光学膜；
将所述第二光学膜接于两层所述第一光学膜之间，以形成一组具有轴对称性质的多层膜组；
将多组所述多层膜组沿所述光学多层膜光波入射表面的法线方向邻接排布，所述多层膜组的对称轴与其排布方向垂直。
附图说明
图1为本申请一实施例的结构示意图；
图2为本申请另一实施例的结构示意图；
图3为本申请一具体实施例的结构示意图；
图4A示出了横电波入射时图3实施例与其电极层的透射率变化曲线；
图4B示出了横磁波入射时图3实施例与其电极层的透射率变化曲线；
图5示出了正入射下图3实施例与其电极层的透射率随光波波长的变化曲线；
图6示出了横电波入射时本申请另一具体实施例与其电极层的透射率变化曲线；
图7示出了横磁波入射时图6实施例与其电极层的透射率变化曲线。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的优选实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反的，提供这些实施方式的目的是为了对本发明的公开内容理解得更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”、“前”、“后”、“周向”以及类似的表述是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
由于银具有优秀的导电性能，因此，可以选用银来制备光伏电池的电极。然而，传统工艺中，虽然可以利用银线阵列或银线网络设计出性能优良的透明电极，但是银线阵列设计通常比较复杂，导致该类电极的制备成本较高。
本申请通过互补介质理论来增强传统银电极在宽频、宽角度下的能量透射率。根据互补介质理论可知，如果介质Ⅰ(相对介电常数ε1，相对磁导率μ1，厚度d1)和介质Ⅱ(相对介电常数ε2，相对磁导率μ2，厚度d2)的参数满足ε1d1+ε2d2＝0，μ1d1+μ2d2＝0，电磁波(包括光波)便可在介质Ⅰ和介质Ⅱ的组合结构中具有近100％的能量透射率。
请参考图1，本申请提供一种透明电极100，包括光学多层膜10以及与光学多层膜10邻接的电极层20。
光学多层膜10具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率，即光学多层膜10的等效相对介电常数大于零、等效相对磁导率小于零。由于光学多层膜10为一种复合材料，因此由等效介质理论可知，光学多层膜10可以等效成一种均匀材料，该均匀材料的相对介电常数和相对磁导率即为光学多层膜10的等效相对介电常数和等效相对磁导率。具体的，复合材料的等效参数可以依据对应的适用条件，通过Maxwell-Garnett(麦克斯韦-格内特)理论、Bruggeman(布拉格曼)理论等进行计算。
电极层20由导电材料形成且具有小于等于110nm的层厚。导电材料可以是金属，例如铜、铁、银、金、铝或钨等，也可以是具有导电性质的金属氧化物，例如氧化锌等。优选的，电极层20由银或以银作为主要成分的合金构成，以提高透明电极的导电性能；除此之外，选用银还可确保电极层20在面内方向的二维连续性，进而提升其实用性能。
具体的，所谓银(Ag)，为了确保银的稳定性也可以添加钯(Pd)、铜(Cu)、金(Au)等，此时银的纯度为99％以上。另外，所谓以银作为主要成分的合金，指银的含有率为50％以上，例如：银镁(AgMg)、银铜(AgCu)、银钯(AgPd)、银钯铜(AgPdCu)、银铟(AgIn)、银金(AgAu)、银铝(AgAl)、银锌(AgZn)、银锡(AgSn)、银铂(AgPt)、银钛(AgTi)、银铋(AgBi)等。另外，电极层20也可以根据需要设置为多层结构，其总层厚小于等于110nm。
由于导电材料的相对介电常数为负，相对磁导率为正，因此上述透明电极100中将具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜10与电极层20邻接，可使透明电极100构成互补材料，从而使光波在宽频、宽角度下仍具有较高的能量透射率(接近100％)，且该透明电极100结构简单，可大大降低其制备成本；除此之外，电极层20可以做得较厚(最大可以为110nm)，有利于提升透明电极100的导电性能。
在一些实施例中，透明电极100满足下列关系式：
εede+εcdc＝0；μede+dc＝0；
其中，光学多层膜10的等效相对介电常数为εe、等效相对磁导率为μe、厚度为de，电极层20的相对介电常数为εc、厚度为dc。对于给定的电极层20，通过调整光学多层膜10的相对介电常数εe、等效相对磁导率μe、厚度de使其满足上述关系式，可使光波正入射至透明电极100时实现100％的透射，从而有利于提升光伏电池的光电转化效率。
在一些实施例中，光学多层膜10构成对称膜系。如图2所示，透明电极200中光学多层膜10由至少一组具有轴对称性质的多层膜组101沿光学多层膜10光波入射表面的法线方向邻接排布形成，多层膜组101的对称轴与其排布方向垂直。此处的多层膜组101具有轴对称性质是指该多层膜组沿着一条直线折叠后，直线两旁的部分能够互相重合。该直线即为多层膜组101的对称轴。
采用具有轴对称性质的多层膜组101来形成光学多层膜10有利于计算和调控光学多层膜10的等效参数，同时也可以简化光学多层膜10的结构设计，从而降低透明电极的制备成本。
进一步的，如图3所示，透明电极300中，具有轴对称性质的多层膜组101包括两层第一光学膜11以及设于该两层第一光学膜11之间的第二光学膜12，第一光学膜11的折射率和第二光学膜12的折射率不同。
此时，对于光波正入射情形，光学多层膜10的等效相对介电常数和等效相对磁导率通过传输矩阵理论计算如下：
首先第一光学膜11的传输矩阵为
第二光学膜12的传输矩阵为
其中，
n11和n12分别为第一光学膜11和第二光学膜12的折射率，d11和d12分别为第一光学膜11和第二光学膜12的厚度，λ0为光波在真空中的波长。因此，多层膜组101的周期数为N时，光学多层膜10的总传输矩阵为：
而根据对称膜系理论可知，该光学多层膜10可等效为一均匀的单层膜，该单层膜的传输矩阵为：
由于该单层膜的传输矩阵Me与总传输矩阵M相等，因此可以推知：
进一步的，根据前文所述的互补介质理论，可以通过调整第一光学膜11和第二光学膜12的膜厚以使透明电极200满足下述关系式，
从而使透明电极200实现100％的光波能量透射。
优选的，第一光学膜11和第二光学膜12均由非磁性的电介质材料形成，即其相对介电常数均大于0，相对磁导率均为1。例如可以是五氧化二钽Ta2O5、氮化硅SiNx、二氧化硅SiO2、二氧化钛TiO2或氟化镁MgF2等。因此，光学多层膜10的来源较为广泛，技术人员可以根据实际需求选取合适的电介质材料来制备光学多层膜10，本申请对此不做限制。
进一步的，第一光学膜11的厚度可以是100nm～200nm中的任一数值，例如可以是100nm、120nm、130nm、140nm、150nm、160nm、170nm、180nm、190nm或200nm。更进一步的，第一光学膜11的厚度可以是123nm～135nm中的任一数值。第二光学膜12的厚度可以是50nm～100nm中的任一数值，例如可以是50nm、60nm、70nm、80nm、90nm或100nm。更进一步的，第二光学膜12的厚度为59nm。在设计中，也可以通过调整第一光学膜11和第二光学膜12的厚度来改变光学多层膜10的工作波长。
进一步的，该光学多层膜10中的多层膜组101的组数小于或等于一预设组数。考虑到透明电极200自身的空间占用体积以及电极层20本身对光波的吸收作用，多层膜组101的组数(即周期数N)不宜过大。优选的，周期数N小于或等于50，以使透明电极200具备较佳的光波能量透射率。
因此，可以通过调整透明电极100、透明电极200或透明电极300中的光学多层膜10的各层层厚来实现对不同厚度电极层20的光波透射增强，并进一步实现对透明电极导电率的调控。另外，本申请实施例中的电极层20选用银为主要材料，从而具备优秀的导电性能，且该电极层的表面平整，与传统的银电极相比，无需设计银线阵列或银线网络等复杂的微结构，因此也有利于降低透明电极的制备成本。
以下将通过两个具体实施例来说明具有图3结构的透明电极的光波透射情况。
具体实施例1
如图3所示，电极层20为一层银薄膜，其相对介电常数-9.87+0.283i(虚部表示银的吸收系数)、厚度为30nm，第一光学膜11选用二氧化硅膜，其折射率为1.46、厚度135nm；第二光学膜12选用二氧化钛膜，其折射率为2.11、厚度为59nm。光学多层膜10的基础结构为(SiO2/TiO2/SiO2)，周期数为N。通常情况下，若没有该光学多层膜10，银薄膜的透射率非常低，但在与该光学多层膜10邻接后，形成的透明电极的透射率可以在宽频、宽角度下均大大增强。
图4A和图4B所示分别示出了横电波和横磁波入射时具体实施例1与其电极层(即银薄膜)的光波透射率变化曲线。其中横电波表示电场所在平面垂直于电磁波传播方向的电磁波，横磁波表示磁场所在平面垂直于电磁波传播方向的电磁波，周期数N为4，入射电磁波波长为500nm(处于可见光波段)，且入射电磁波从空气入射进光学多层膜10并穿过电极层20。
如图4A所示，图中实线表示30nm银薄膜对横电光波的透射率，虚线表示邻接该SiO2/TiO2/SiO2对称膜系后该透明电极对横电光波的透射率。可以看到，在正入射时，若仅设置银薄膜，横电光波透射率不到13％，而在接入对称膜系后，透明电极的透射率大大增加，近85％的横电光波可以透过银薄膜。而在斜入射时，SiO2/TiO2/SiO2对称膜系也可以在较宽的角度范围内(0～20°)大大增加横电光波在银薄膜中的透射率。
如图4B所示，图中实线表示30nm银薄膜对横磁光波的透射率，虚线表示邻接该SiO2/TiO2/SiO2对称膜系后该透明电极对横磁光波的透射率。同样，在正入射时，若仅设置银薄膜，横磁光波透射率不到13％，而在接入对称膜系后，透明电极的透射率大大增加，近85％的横磁光波可以透过银薄膜。而在斜入射时，SiO2/TiO2/SiO2对称膜系也可以在较宽的角度范围内(0～20°)大大增加横磁光波在银薄膜中的透射率。
进一步的，图5示出了正入射下具体实施例1与其电极层的透射率随光波(横电波)波长的变化曲线。其中，实线表示30nm银薄膜在400nm～800nm波长范围内的透射率，虚线表示邻接SiO2/TiO2/SiO2对称膜系后该透明电极在400nm～800nm波长范围内的透射率。可以看到，SiO2/TiO2/SiO2对称膜系能够在400nm～800nm波长范围内大大增加横电光波在银薄膜中的透射率。
具体实施例2
具体实施例2的电极层20采用55nm的银薄膜，第一光学膜11选用氟化镁膜，其折射率为1.38、厚度123nm；第二光学膜12选用二氧化钛膜，其折射率为2.35、厚度为59nm。光学多层膜10的基础结构为(MgF2/TiO2/MgF2)，周期数N为5。入射电磁波波长为455.5nm(处于可见光波段).该实施例的透明电极也可以在宽频、宽角度下对横电光波和横磁光波实现高透射。图6和图7分别示出了横电波和横磁波入射时具体实施例2与其电极层的光波透射率变化曲线。
如图6所示，图中实线表示55nm银薄膜对横电光波的透射率，虚线表示邻接该MgF2/TiO2/MgF2对称膜系后该透明电极对横电光波的透射率。可以看到，在正入射时，若仅设置银薄膜，横电光波透射率不到5％，而在接入该对称膜系后，透明电极的透射率大大增加，近100％的横电光波可以透过银薄膜。而在斜入射时，MgF2/TiO2/MgF2对称膜系也可以在较宽的角度范围内(0～13°)大大增加横电光波在银薄膜中的透射率。
如图7所示，图中实线表示55nm银薄膜对横磁光波的透射率，虚线表示邻接该MgF2/TiO2/MgF2对称膜系后该透明电极对横磁光波的透射率。同样，在正入射时，若仅设置银薄膜，横磁光波透射率不到5％，而在接入该对称膜系后，透明电极的透射率大大增加，近100％的横磁光波可以透过银薄膜。而在斜入射时，MgF2/TiO2/MgF2对称膜系也可以在较宽的角度范围内(0～13°)大大增加横磁光波在银薄膜中的透射率。
本申请还提供一种透明电极的制备方法，包括：
S1、提供具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜；
具体的，光学多层膜的等效参数可以通过等效介质理论求得，并可以通过如下步骤形成该光学多层膜：
S101、提供具有不同折射率的第一光学膜和第二光学膜；
S102、将第二光学膜接于两层第一光学膜之间，以形成一组具有轴对称性质的多层膜组；
S103、将多组多层膜组沿光学多层膜光波入射表面的法线方向邻接排布，多层膜组的对称轴与其排布方向垂直；
如此，便可以通过传输矩阵理论求得该光学多层膜的传输矩阵，进而结合对称膜系的等效介质理论求得该光学多层膜的等效参数(包括等效相对介电常数和等效相对磁导率)；
S2、提供层厚小于等于110nm的电极层，所述电极层由导电材料形成；
具体的，导电材料可以是银、铜、铁、铝或钨等金属，也可以是具有导电性质的金属氧化物，例如氧化锌等，由于导电材料本身具有光波吸收作用，因此，提供的电极层不能太厚。接着，便可以通过如前文所述的公式(1)和公式(2)选取具有合适相对介电常数和合适厚度的导电层来作为透明电极的电极层；
特别地，当选取的电极层的相对介电常数和厚度满足公式(2)时，该透明电极在光波正入射时即可实现对光波100％的透射；
S3、将电极层与光学多层膜邻接。
具体的，将电极层沿光学多层膜光波入射表面的法线方向与光学多层膜邻接。
上述制备方法，利用具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜和电极层邻接，可以制备出具有互补特性的透明电极，从而可显著提高光波在透明电极中的能量透射率，且制备出的透明电极结构简单，可大大降低其制备成本；除此之外，通过上述方式还可以增加电极层的厚度，有利于提升透明电极的导电性能。
需要说明的是，上述方法步骤为该制备方法的一种流程示意，在另一些实施方式中，S1与S2的顺序步骤也可进行调换，此时便可以通过调整光学多层膜的各层膜厚以调整其等效参数，进而使其等效参数能与银的参数更好的满足互补介质理论，实现提升光波透射率的效果。
本申请还提供一种光伏电池，具有如前文所述的透明电极。
此处的光伏电池包括硅光伏电池、砷化镓光伏电池、铜铟硒光伏电池或聚合物光伏电池等。
上述光伏电池，能够接收更多的光波能量，进而提升光电转化效率，同时还具有较高的导电性能，有利于电子传输。
本申请还提供一种电子器件，使用如前文所述的光伏电池供电。
上述电子器件，具有较高的节能效率，有利于减少能源损耗。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (15)
1.一种透明电极，其特征在于，包括：
光学多层膜，具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率；以及，
电极层，与所述光学多层膜邻接，所述电极层由导电材料形成且具有小于等于110nm的层厚。
2.根据权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述透明电极满足下列关系式：
εede+εcdc＝0；
μede+dc＝0；
其中，所述光学多层膜的等效相对介电常数为εe，所述光学多层膜的等效相对磁导率为μe，所述光学多层膜的厚度为de，所述电极层的相对介电常数为εc，所述电极层的厚度为dc。
3.根据权利要求1或2所述的透明电极，其特征在于，所述光学多层膜由至少一组具有轴对称性质的多层膜组沿所述光学多层膜光波入射表面的法线方向邻接排布形成，所述多层膜组的对称轴与其排布方向垂直。
4.根据权利要求3所述的透明电极，其特征在于，所述具有轴对称性质的多层膜组包括两层第一光学膜以及设于该两层第一光学膜之间的第二光学膜，所述第一光学膜的折射率和所述第二光学膜的折射率不同。
5.根据权利要求4所述的透明电极，其特征在于，所述第一光学膜的厚度范围为100nm～200nm，所述第二光学膜的厚度范围为50nm～100nm。
6.根据权利要求5所述的透明电极，其特征在于，所述第一光学膜的厚度范围为123nm～135nm，所述第二光学膜的厚度范围为59nm。
7.根据权利要求3所述的透明电极，其特征在于，所述多层膜组的组数小于或等于一预设组数。
8.根据权利要求4所述的透明电极，其特征在于，所述第一光学膜为氟化镁膜，所述第二光学膜为二氧化钛膜。
9.根据权利要求4所述的透明电极，其特征在于，所述第一光学膜为二氧化硅膜，所述第二光学膜为二氧化钛膜。
10.根据权利要求1-2、4-9任一项所述的透明电极，其特征在于，所述电极层由银或银含量大于50％的合金构成。
11.一种光伏电池，其特征在于，具有如权利要求1-10任一项所述的透明电极。
12.一种电子器件，其特征在于，使用如权利要求11所述的光伏电池供电。
13.一种透明电极的制备方法，其特征在于，包括：
提供具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜；
提供层厚小于等于110nm的电极层，所述电极层由导电材料形成；
将所述电极层与所述光学多层膜邻接。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，提供具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜，具体包括：
调整所述光学多层膜各膜层的厚度，以使所述光学多层膜的等效相对介电常数εe、等效相对磁导率μe、所述光学多层膜的厚度de、所述电极层的相对介电常数εc以及所述电极层的厚度dc满足下列关系式：
εede+εcdc＝0；
μede+dc＝0。
15.根据权利要求13或14所述的制备方法，其特征在于，提供具有正等效相对介电常数和负等效相对磁导率的光学多层膜，具体包括：
提供具有不同折射率的第一光学膜和第二光学膜；
将所述第二光学膜接于两层所述第一光学膜之间，以形成一组具有轴对称性质的多层膜组；
将多组所述多层膜组沿所述光学多层膜光波入射表面的法线方向邻接排布，所述多层膜组的对称轴与其排布方向垂直。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911119774.5A CN110853801B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 透明电极、光伏电池、电子器件及透明电极的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911119774.5A CN110853801B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 透明电极、光伏电池、电子器件及透明电极的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110853801A true CN110853801A (zh) | 2020-02-28 |
| CN110853801B CN110853801B (zh) | 2021-10-22 |
Family
ID=69600789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911119774.5A Active CN110853801B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 透明电极、光伏电池、电子器件及透明电极的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110853801B (zh) |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |