CN110838156A - 一种金属掩膜板的绘图方法及装置 - Google Patents
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Abstract
一种金属掩膜板的绘图方法，包括：获取金属掩膜板的边界参数、通刻区域参数和辅助区域参数；根据边界参数，生成金属掩膜板的边界绘图模型，根据通刻区域参数，生成金属掩膜板的通刻区域绘图模型，根据辅助区域参数，生成金属掩膜板的辅助区域绘图模型；根据金属掩膜板的边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型，绘制金属掩膜板的边界、通刻区域和辅助区域。本申请可以提高金属掩膜板的出图效率，从而节约成本。
Description
技术领域
本文涉及显示技术领域，尤指一种金属掩膜板的绘图方法及装置。
背景技术
目前有机发光二极管(Organic Light Emitting，OLED)显示面板的制备过程中，有机发光材料均需采用高精度金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)进行遮挡蒸镀，形成显示面板的红R/绿G/蓝B像素。
由于FMM上的开口数目较多，位置精度较高，在绘制FMM图纸的过程中，需要考虑许多因素。目前主要的FMM绘图方式是手动计算FMM上各开口位置，并根据计算结果人工绘制FMM的CAD(Computer Aided Design，计算机辅助设计)图纸。然而，这种绘图方式存在以下问题：在FMM图纸绘制过程中，手动计算各开口在FMM上的排布位置以及绘制FMM图形非常耗时；在FMM图纸绘制完成后，若根据实际情况需对产品尺寸或者像素排布等方面进行变更，则无法继续使用已绘制的FMM图纸，需要重新花费大量的时间根据实际情况重新绘制FMM图纸。
发明内容
本申请提供了一种金属掩膜板的绘图方法及装置，可以提高金属掩膜板的出图效率，从而节约成本。
一方面，本申请提供一种金属掩膜板的绘图方法，包括：获取金属掩膜板的边界参数、通刻区域参数和辅助区域参数；根据所述边界参数，生成所述金属掩膜板的边界绘图模型，根据所述通刻区域参数，生成所述金属掩膜板的通刻区域绘图模型，根据所述辅助区域参数，生成所述金属掩膜板的辅助区域绘图模型；根据所述金属掩膜板的边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型，绘制所述金属掩膜板的边界、通刻区域和辅助区域。
另一方面，本申请提供一种金属掩膜板的绘图装置，包括：参数获取模块，用于获取金属掩膜板的边界参数、通刻区域参数和辅助区域参数；绘图模型生成模块，用于根据所述边界参数，生成所述金属掩膜板的边界绘图模型，根据所述通刻区域参数，生成所述金属掩膜板的通刻区域绘图模型，根据所述辅助区域参数，生成所述金属掩膜板的辅助区域绘图模型；绘制模块，用于根据所述金属掩膜板的边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型，绘制所述金属掩膜板的边界、通刻区域和辅助区域。
另一方面，本申请提供一种计算机可读介质，其上存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如上所述的金属掩膜板的绘图方法的步骤。
在本申请中，通过获取金属掩膜板的边界参数、通刻区域参数和辅助区域参数，可以自动快速生成对应的绘图模型，并据此绘制出金属掩膜板的图纸，从而提高金属掩膜板的出图效率，节约绘图所需的时间成本。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为一条金属掩膜板的结构示意图；
图2为图1中M区域的放大图；
图3为本申请实施例提供的金属掩膜板的绘图方法的流程图；
图4为本申请实施例的FMM边界的绘制示意图；
图5为本申请实施例中FMM上的子像素开口的排布示意图；
图6为本申请实施例中通刻单元的边界上子像素开口的绘制示意图；
图7为本申请实施例中通刻区域的边界上子像素开口的绘制示意图；
图8为本申请实施例中通刻区域的上边界的调整示意图；
图9为本申请实施例中子像素开口边界与通刻区域的上边界对齐的示意图；
图10为本申请实施例中通刻区域的左边界的调整示意图；
图11为本申请实施例中子像素开口边界与通刻区域的左边界对齐的示意图；
图12为本申请实施例中辅助(Dummy)区域的绘制示意图；
图13为本申请实施例绘制出的FMM图纸的示例图；
图14为本申请实施例提供的金属掩膜板的绘制装置的示意图。
附图标记说明：
N1-实材区域；N2-通刻区域；N3-辅助区域；N21-通刻区域的左边界；N22-通刻区域的上边界；N23-通刻区域的右边界；N24-通刻区域的下边界；J10-基准单元；J1-基准通刻单元；S1-第一子像素开口；S2-第二子像素开口；Z1-基准通刻单元的左边界；Z2-基准通刻单元的上边界。
具体实施方式
本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。
目前常用的金属掩膜板均采用长条形设计，外观形式较为固定。图1为一条金属掩膜板的结构示意图；图2为图1中M区域的放大图。如图1所示，金属掩膜板的主体结构包括以下三大部分：实材区域N1、通刻区域N2、辅助(Dummy)区域N3。其中，通刻区域N2包括多个通刻单元(Cell)，每个通刻单元内分布有多个子像素开口，如图2所示；Dummy区域N3内分布有多个子像素开口。其中，一条金属掩膜板用于蒸镀多个显示面板的有效显示区域，通刻区域为与多个显示面板的有效显示区域对应的蒸镀区域，一个通刻单元为与一个显示面板的有效显示区域对应的蒸镀区域。由于通刻区域N2和Dummy区域N3内分布有成千上万个子像素开口，因此，子像素开口的位置计算量非常大。在相关技术中，通常根据金属掩膜板用于蒸镀的显示面板的像素排布，采用人工手动方式计算子像素开口位置(比如，通刻单元边界上子像素开口的位置、通刻区域边界上子像素开口的位置、Dummy区域内子像素开口的位置等)并进行图纸绘制，需要花费大量的时间，导致金属掩膜板的出图效率较低；而且一旦图纸绘制完成后，不便于在此基础上进行子像素开口位置的更新。
针对相关技术中金属掩膜板的出图效率较低的问题，本申请提供一种金属掩膜板的绘图方法及装置，可以提高金属掩膜板的出图效率，从而节约绘图所需的时间成本。
图3为本申请实施例提供的金属掩膜板的绘图方法的流程图。如图3所示，本实施例提供的金属掩膜板的绘图方法，包括：
S1、获取金属掩模板的边界参数、通刻区域参数和辅助区域参数；
S2、根据边界参数，生成金属掩膜板的边界绘图模型，根据通刻区域参数，生成金属掩膜板的通刻区域绘图模型，根据辅助区域参数，生成金属掩膜板的辅助区域绘图模型；
S3、根据金属掩膜板的边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型，绘制金属掩膜板的边界、通刻区域和辅助区域。
本申请实施例针对金属掩膜板的边界、通刻区域和辅助区域，分别根据对应的参数生成绘图模型，并基于绘图模型实现绘制金属掩膜板的图纸。本申请实施例无需人工手动计算金属掩膜板的子像素开口的位置，通过程序可以快速生成对应的绘图模型，从而实现金属掩膜板图纸的快速绘制，节约绘图所需的时间。
在一示例性实施方式中，在步骤S2中，根据边界参数，生成金属掩膜板的边界绘图模型，可以包括：以金属掩膜板的中心为原点，根据边界参数，计算出金属掩膜板的外轮廓的多个端点的坐标信息，生成边界绘图模型；其中，边界参数可以包括：金属掩膜板的尺寸信息、金属掩膜板两端的U型槽的尺寸信息。
在一示例性实施方式中，金属掩膜板的通刻区域包括多个通刻单元，任一个通刻单元内包括多个子像素开口；其中，在步骤S2中，根据通刻区域参数，生成金属掩膜板的通刻区域绘图模型，可以包括：根据通刻区域参数，生成基准单元的绘图数据，其中，基准单元包括两个或两个以上的子像素开口；根据通刻区域参数和基准单元的绘图数据，生成通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据；根据通刻区域参数和基准单元的绘图数据，生成通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据。在本实施例中，通过设置包括两个或两个以上的子像素开口的基准单元，可以简化绘制。其中，通刻区域绘图模型可以包括：通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据、通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据。
在一示例性实施方式中，通刻区域参数可以包括：像素排布信息、子像素开口尺寸信息(比如，子像素开口的高度和宽度)、第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息；其中，根据通刻区域参数，生成基准单元的绘图数据，可以包括：将第一子像素开口和与第一子像素开口相邻的第二子像素开口确定为基准单元；根据像素排布信息、第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息，计算出第二子像素开口的中心与所述通刻单元的中心之间的相对位置信息；根据第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息、第二子像素开口的中心与所述通刻单元的中心之间的相对位置信息以及子像素开口尺寸信息，生成基准单元的绘图数据。
其中，第一子像素开口对应的通刻单元的中心可以为金属掩膜板的中心，比如，默认绘图区域的中心。然而，本申请对此并不限定。在其他实现方式中，通刻区域参数还可以包括第一子像素开口对应的通刻单元的中心的位置信息。
在一示例性实施方式中，第一子像素开口可以为通刻单元的一个顶角上的第一个子像素开口，第二子像素开口为第一子像素开口在沿所述通刻单元的对角线方向上相邻的子像素开口。然而，本申请对此并不限定。
在一示例性实施方式中，通刻区域参数还可以包括：通刻单元尺寸信息、相邻通刻单元之间的中心距离；
其中，根据通刻区域参数和基准单元的绘图数据，生成通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据，可以包括：针对基准单元对应的通刻单元，根据通刻单元尺寸信息，确定所述通刻单元的边界的位置信息，在所述通刻单元的边界上阵列排布基准单元，根据像素排布信息和基准单元的绘图数据，生成通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据；根据基准单元对应的通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据和相邻通刻单元之间的中心距离，生成通刻区域内其余通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据。其中，基准单元对应的通刻单元可以为以金属掩膜板中心为中心点的通刻单元。然而，本申请对此并不限定。
在一示例性实施方式中，通刻区域参数还可以包括：通刻区域尺寸信息；
其中，根据通刻区域参数和基准单元的绘图数据，生成通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据，包括：
根据通刻区域尺寸信息，确定通刻区域的边界的位置信息；
针对任一边界，计算出通刻区域的所述边界与基准单元的中心之间的间距；根据所述边界与基准单元的中心之间的间距，确定所述边界与根据像素排布信息移动至所述边界处的基准单元之间的位置关系，根据所述位置关系，计算边界调整值，并根据所述边界调整值，确定所述边界调整后的位置信息；
根据所述边界调整后的位置信息和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻区域的边界上的子像素开口的绘图数据。
在一示例性实施方式中，辅助区域参数可以包括：辅助区域尺寸信息、辅助区域中心与金属掩膜板的中心之间的距离；
其中，根据辅助区域参数，生成金属掩膜板的辅助区域绘图模型，可以包括：根据辅助区域尺寸信息、辅助区域中心与金属掩膜板的中心之间的距离，确定辅助区域的边界的位置信息；根据通刻区域内子像素开口的绘图数据，生成辅助区域的边界上子像素开口的绘图数据，其中，辅助区域内的子像素开口与通刻区域内的子像素开口对齐。其中，辅助区域绘图模型可以包括：辅助区域的边界上子像素开口的绘图数据以及内部的子像素开口的绘图数据。
下面以一条FMM的图纸绘制过程为例进行说明。本实施例绘制的FMM图纸包括FMM的二维平面图形。
图4为本申请实施例的FMM边界的绘制示意图。如图4所示，FMM边界的外观形式较为固定，通常为长条矩形设计且两端具有U型槽。在本实施例中，FMM的边界参数可以根据产品尺寸等方面的设计确定。其中，FMM的边界参数包括：FMM的尺寸信息、U型槽的尺寸信息。其中，FMM的尺寸信息可以包括：FMM的宽度和高度；U型槽的尺寸信息可以包括：U型槽的深度和倒角大小。
如图4所示，以FMM的中心为原点O，根据FMM的边界参数可以计算得到点P1至P12的坐标，然后，将点P1至P12连接可以绘制出FMM的边界图形。其中，点P1、P2、P3和P4的坐标可以根据FMM的高度和宽度计算得到，点P5至P12的坐标可以根据点P1至P4的坐标以及U型槽的尺寸信息计算得到。其中，关于P1至P12的坐标的具体计算方式可以采用本领域技术人员的常用计算方式得到，故于此不再赘述。
需要说明的是，FMM的中心可以为默认绘图区域的中心，或者，FMM的中心的位置可以由用户设定。然而，本申请对此并不限定。
本实施例中，以FMM用于蒸镀GGRB类型像素排布的显示面板为例进行说明。然而，本申请对此并不限定。在其他实现方式中，本实施例提供的绘图方法可以绘制用于制备其他像素类型的显示面板的FMM。
在本实施例中，通刻区域包括多个通刻单元，每个通刻单元内包括多个子像素开口。通刻区域为与多个显示面板的有效显示区域对应的蒸镀区域，一个通刻单元为与一个显示面板的有效显示区域对应的蒸镀区域。其中，根据FMM用于蒸镀的显示面板的像素排布方式和FMM仿真结果可以确定通刻区域参数。在一示例性实施方式中，通刻区域参数可以包括：通刻区域尺寸信息、通刻单元尺寸信息、相邻通刻单元之间的中心距离、子像素开口尺寸信息、第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息、像素排布信息。其中，尺寸信息可以包括高度和宽度；像素排布信息包括像素尺寸(Pixel Size，PS)。在本实施例中，以第一子像素开口对应的通刻单元的中心为FMM的中心为例，以下将第一子像素开口对应的通刻单元称为基准通刻单元。然而，本申请对此并不限定。
图5为本申请实施例中FMM上的子像素开口的排布示意图。如图5所示，GGRB类型像素排布对应的子像素开口交错排布，且相邻两个子像素开口的中心连线为一个正方形的对角线，该正方形的边长为PS。
在本实施例中，针对通刻区域，根据通刻区域参数，首先生成基准通刻单元的边界上子像素开口和内部子像素开口的绘图数据，然后生成通刻区域边界上子像素开口的绘图数据，再根据相邻通刻单元之间的中心距离，将已绘制的基准通刻单元进行移动，生成通刻区域内其他通刻单元的绘图数据。其中，子像素开口的绘图数据可以包括：子像素开口尺寸信息和位置信息；由于子像素开口尺寸信息是在通刻区域参数内已知的，要得到子像素开口的绘图数据，则需要确定每个子像素开口的位置信息。
图6为本申请实施例中通刻单元的边界上子像素开口的绘制示意图。在本实施例中，以第一子像素开口为基准通刻单元左上角的第一个子像素开口为例进行说明。然而，本申请对此并不限定。第一子像素开口还可以为基准通刻单元边界上或内部的任一子像素开口。
其中，第一子像素开口S1的中心与基准通刻单元的中心O之间的相对位置信息，包括：第一子像素开口S1的中心相对于FMM中心O的坐标，比如，记为(coordX1，coordY1)。
如图6所示，根据图5所示的GGRB类型的像素排布规律可知，第一子像素开口S1的中心与第二子像素开口S2的中心的连线为边长为PS的正方形的对角线。基于此，可以根据以下式子计算出第二子像素开口S2的中心相对于基准通刻单元的中心O的坐标(coordX2，coordY2)：
coordX2＝coordX1+PS；
coordY2＝coordY1-PS。
在图6中，O表示FMM中心(即基准通刻单元的中心)，Z1表示基准通刻单元的左边界，Z2表示基准通刻单元的上边界。
在本实施例中，为了简化绘制，以两个子像素开口(第一子像素开口S1和第二子像素开口S2)作为一个基准单元。其中，以这两个子像素开口的中心(即两个子像素开口中心连线的中心点O1)作为阵列原点，分别沿图6所示的X1方向和Y1方向排布基准单元，从而得到基准通刻单元的边界上子像素开口的位置信息。其中，基于图5所示的GGRB类型的像素排布规律可知，基准单元沿X1方向进行阵列排布时，相邻两个基准单元的中心点之间的距离为2PS，基准单元沿Y方向进行阵列排布时，相邻两个基准单元的中心点之间的距离为2PS。同理，可以在基准通刻单元内部排布基准单元或子像素开口，从而得到基准通刻单元内部的子像素开口的位置信息。
在本实施例中，由于通刻区域参数中包括的通刻区域尺寸信息(高度和宽度)是根据仿真结果确定的，而仿真所得的通刻区域的高度或宽度不一定为PS的整数倍，会导致在高度方向或宽度方向的边界无法与基准单元在晶格点上对齐。
图7为本申请实施例中通刻区域的边界上子像素开口的绘制示意图。如图7所示，在本实施例中，在确定基准通刻单元的边界上子像素开口的位置之后，可以通过移动基准单元来调整通刻区域的边界。如图7所示，通刻区域包括左边界N21、上边界N22、右边界N23和下边界N24。在本实施例中，通过移动基准通刻单元J1对应的基准单元J10来调整通刻区域的四个边界。
图8为本申请实施例中通刻区域的上边界的调整示意图。在图8中，E1、F1、G1、H1为子像素开口的上边界。如图8所示，在本实施例中，假设C1D1为通刻区域的上边界与基准单元的中心A1之间的间距(垂直距离)，利用以下式子可以计算出第一比较数值Data1：
Data1＝C1D1/(2*PS)；
根据计算得到的第一比较数值Data1可以得到Data1的整数位值count1和小数位值float1，其中，整数位值count1为Data1忽略小数点后所有值，取整(非四舍五入)得到的，小数位值float1为Data1将整数位取零，并留下小数点后所有值得到的。
如图8所示，可以根据以下式子得到A1B1：
A1B1＝count1*2*PS；
此时所得出的A1B1值为PS的整数倍，比如，在图8中基准单元移动后，点G1的位置将与点E1的位置重合。
根据小数位值float1，可以继续进行以下判断：
当float1≤0.25时，即点D1的位置位于线L11的下侧，可将通刻区域的上边界设定在F1点处；
当0.25＜float1≤0.75时，即点D1的位置位于线L11与线L12之间，可将通刻区域的上边界设定在E1点处；
当float1＞0.75时，即点D1的位置位于线L12的上侧，可将通刻区域的上边界设定在H1点处。
在确定通刻区域的上边界的位置之后，可以根据上边界的位置计算出调整后通刻区域的上边界与FMM中心O之间的距离：
Length1＝count1*(2*PS)+abs(coordYA)+Δ1；
其中，Length1为通刻区域的上边界与基准通刻单元的中心(即FMM中心)之间的垂直距离，abs(coordYA)为基准单元的中心的纵坐标与基准通刻单元的中心的纵坐标之差的绝对值；边界调整值Δ1可以根据以下方式确定：
当通刻区域的上边界设定在F1点时，Δ1＝abs(height-PS)/2；
当通刻区域的上边界设定在E1点时，Δ1＝abs(height-PS)/2+PS；
当通刻区域的上边界设定在H1点时，Δ1＝abs(height-PS)/2+2*PS。
其中，height为子像素开口的高度，PS为像素尺寸，abs(height-PS)为height与PS之间差值的绝对值。
同理，通刻区域的下边界可以通过上述方式进行调整。
图9为本申请实施例中子像素开口边界与通刻区域的上边界对齐的示意图。在本实施例中，在移动基准单元时，可以让基准单元移动后的位置略超过所得通刻区域的上边界N22，然后再删除上边界N22外部的多余子像素开口(如图9中虚线框内的子像素开口)，使子像素开口边界与通刻区域的上边界N22对齐。
图10为本申请实施例中通刻区域的左边界的调整示意图。在图10中，E2、F2、G2、H2为子像素开口的左边界。如图10所示，在本实施例中，假设C2D2为通刻区域的左边界与基准单元的中心A2之间的间距(垂直距离)，利用以下式子可以计算出第二比较数值Data2：
Data2＝C2D2/(2*PS)；
根据计算得到的第二比较数值Data2可以得到Data2的整数位值count2和小数位值float2，其中，整数位值count2为Data2忽略小数点后所有值，取整(非四舍五入)得到的，小数位值float2为Data2将整数位取零，并留下小数点后所有值得到的。
如图10所示，可以根据以下式子得到A2B2：
A2B2＝count2*2*PS；
此时所得出的A2B2值为PS的整数倍，比如，在图10中基准单元移动后，边界G2与边界H2重合。
根据小数位值float2，可以继续进行以下判断：
当float2≤0.1时，即点D2的位置位于线L21的右侧，可将通刻区域的左边界设定在边界F2处；
当0.1＜float2≤0.6时，即点D2的位置位于线L21与线L22之间，可将通刻区左边界设定在边界H2处；
当float2＞0.6时，即点D2的位置位于线L22的左侧，可将通刻区域的左边界设定在边界E2处。
在确定通刻区域的左边界的位置之后，可以根据左边界的位置计算出调整后通刻区域的左边界与FMM中心O之间的距离：
Length2＝count2*(2*PS)+abs(coordXA)-Δ2
其中，Length2为通刻区域的左边界与基准通刻单元的中心之间的垂直距离，abs(coordXA)为基准单元的中心的横坐标与基准通刻单元的中心的横坐标之差的绝对值；边界调整值Δ2可以根据以下方式确定：
当通刻区域的左边界设定在F2时，Δ2＝abs(PS-width)/2；
当通刻区域的左边界设定在H2时，Δ2＝abs(PS-width)/2+PS；
当通刻区域的左边界设定在E2时，Δ2＝abs(PS-width)/2+2*PS。
其中，width为子像素开口的宽度，PS为像素尺寸，abs(PS-width)为width与PS之间差值的绝对值。
同理，通刻区域的右边界可通过上述方式进行调整。
图11为本申请实施例中子像素开口边界与通刻区域的左边界对齐的示意图。在本实施例中，在移动基准单元时，可以让基准单元移动后的位置略超过所得通刻区域的左边界N21，然后再删除左边界N21外部的多余子像素开口(如图11中虚线框内的子像素开口)，使子像素开口边界与通刻区域的左边界N21对齐。
图12为本申请实施例中辅助(Dummy)区域的绘制示意图。如图12所示，在本实施例中，辅助区域参数可以包括：辅助区域的数量、辅助区域的中心与FMM中心之间的距离、辅助区域尺寸信息(比如，高度和宽度)。其中，辅助区域的尺寸信息、辅助区域的中心与FMM中心之间的距离可以根据仿真结果确定，辅助区域的数量可以根据由用户动态确定。
在一示例中，针对任一个辅助区域，可以先以FMM中心为辅助区域的中心，根据辅助区域尺寸信息，确定出以FMM中心为中心的参照区域范围，并根据该参照范围内子像素开口的位置来调整辅助区域的尺寸，然后，根据辅助区域的中心与FMM中心之间的距离，确定尺寸调整后的辅助区域的位置，使得辅助区域内的子像素开口与通刻区域内的子像素开口对齐，最终生成辅助区域的子像素开口的绘图数据。然而，本申请对此并不限定。
在本实施例中，根据产品设计、像素排布和仿真结果可以确定边界参数、通刻区域参数和辅助区域参数，根据上述参数可以对应生成边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型，进而绘制FMM的边界、通刻区域和辅助区域。在一示例中，根据边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型，可以生成CAD绘图所需的LSP文件，进而可以在CAD中绘制出FMM的图纸。在本实施例中，可以绘制得到如图13所示的FMM图纸。其中，FMM的中间区域为通刻区域N2，通刻区域的两端分别排布有多个辅助区域N3，其中，多个辅助区域N3的大小可以不同。图3中的a至h分别表示FMM相应位置的尺寸标注。需要说明的是，由于子像素开口的数目较多且尺寸较小，图13中仅示意出FMM的边界、通刻区域、通刻单元和辅助区域的位置，并未绘示出子像素开口。而且，图13中的尺寸标注仅为示意，在实际应用中为具体的数值。
在本实施例中，后续通过调整参数经由边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型处理即可自动输出CAD的绘图文件，快速获得所需的FMM图纸，从而节约绘图所需的时间成本。而且，在本实施例中，一旦产品尺寸或者像素排布等方面有所变更，只需重新设置参数，即可生成变更以后的FMM图纸，从而节约项目变更后，更改图纸所需的时间。
基于本申请的技术构思，本申请实施例还提供了一种金属掩膜板的绘图装置，如图14所示，包括：参数获取模块141，用于获取金属掩膜板的边界参数、通刻区域参数和辅助区域参数；绘图模型生成模块142，用于根据边界参数，生成金属掩膜板的边界绘图模型，根据通刻区域参数，生成金属掩膜板的通刻区域绘图模型；根据辅助区域参数，生成金属掩膜板的辅助区域绘图模型；绘制模块143，用于根据金属掩膜板的边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型，绘制金属掩膜板的边界、通刻区域和辅助区域。
在一示例性实施方式中，金属掩膜板的通刻区域包括多个通刻单元，任一个通刻单元内包括多个子像素开口；
绘图模型生成模块142，通过以下方式根据通刻区域参数，生成金属掩膜板的通刻区域绘图模型：根据通刻区域参数，生成基准单元的绘图数据，其中，基准单元包括两个或两个以上的子像素开口；根据通刻区域参数和基准单元的绘图数据，生成通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据；根据通刻区域参数和基准单元的绘图数据，生成通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据。
在一示例性实施方式中，通刻区域参数可以包括：像素排布信息、子像素开口尺寸信息、第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息；
绘图模型生成模块142可以通过以下方式根据通刻区域参数，生成基准单元的绘图数据：将第一子像素开口和与所述第一子像素开口相邻的第二子像素开口确定为基准单元；根据像素排布信息和第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息，计算出第二子像素开口的中心与所述通刻单元的中心之间的相对位置信息；根据第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息、第二子像素开口的中心与所述通刻单元的中心之间的相对位置信息以及子像素开口尺寸信息，生成基准单元的绘图数据。
在一示例性实施方式中，通刻区域参数还可以包括：通刻单元尺寸信息、相邻通刻单元之间的中心距离；
绘图模型生成模块142可以通过以下方式根据通刻区域参数和基准单元的绘图数据，生成通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据：
针对基准单元对应的通刻单元，根据所述通刻单元尺寸信息，确定所述通刻单元的边界的位置信息，在所述通刻单元的边界上阵列排布所述基准单元，根据所述像素排布信息和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据；
根据所述基准单元对应的通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据和相邻通刻单元之间的中心距离，生成所述通刻区域内其余通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据。
在一示例性实施方式中，通刻区域参数还可以包括：通刻区域尺寸信息；
绘图模型生成模块142可以通过以下方式根据通刻区域参数和基准单元的绘图数据，生成通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据：
根据通刻区域尺寸信息，确定通刻区域的边界的位置信息；针对任一边界，计算出通刻区域的所述边界与基准单元的中心之间的间距；根据所述边界与基准单元的中心之间的间距，确定根据像素排布信息移动至所述边界处的基准单元与所述边界之间的位置关系，根据所述位置关系，计算边界调整值，并根据所述边界调整值，确定所述边界调整后的位置信息；根据所述边界调整后的位置信息和所述基准单元的绘图数据，生成通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据。
在一示例性实施方式中，第一子像素开口为通刻单元的一个顶角上的第一个子像素开口，所述第二子像素开口为第一子像素开口在沿通刻单元的对角线方向上相邻的子像素开口。
在一示例性实施方式中，辅助区域参数可以包括：辅助区域尺寸信息、辅助区域中心与所述金属掩膜板的中心之间的距离；
绘图模型生成模块142可以通过以下方式根据辅助区域参数，生成金属掩膜板的辅助区域绘图模型：
根据辅助区域尺寸信息、辅助区域中心与金属掩膜板的中心之间的距离，确定辅助区域的边界的位置信息；根据通刻区域内子像素开口的绘图数据，生成辅助区域的边界上子像素开口的绘图数据，其中，辅助区域内的子像素开口与通刻区域内的子像素开口对齐。
在一示例性实施方式中，边界参数可以包括：金属掩膜板的尺寸信息、金属掩膜板两端的U型槽的尺寸信息；
绘图模型生成模块142可以通过以下方式根据边界参数，生成金属掩膜板的边界绘图模型：以金属掩膜板的中心为原点，根据边界参数，计算出金属掩膜板的外轮廓的多个端点的坐标信息，生成边界绘图模型。
关于本实施例提供的绘图装置的详细说明可以参照上述绘图方法的描述，故于此不再赘述。
本申请实施例还提供了一种计算机可读介质，其上存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现前述金属掩膜板的绘图方法的步骤。
在本申请实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器，如数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
Claims (11)
1.一种金属掩膜板的绘图方法，其特征在于，包括：
获取金属掩膜板的边界参数、通刻区域参数和辅助区域参数；
根据所述边界参数，生成所述金属掩膜板的边界绘图模型，根据所述通刻区域参数，生成所述金属掩膜板的通刻区域绘图模型，根据所述辅助区域参数，生成所述金属掩膜板的辅助区域绘图模型；
根据所述金属掩膜板的边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型，绘制所述金属掩膜板的边界、通刻区域和辅助区域。
2.根据权利要求1所述的绘图方法，其特征在于，所述金属掩膜板的通刻区域包括多个通刻单元，任一个通刻单元内包括多个子像素开口；
所述根据所述通刻区域参数，生成所述金属掩膜板的通刻区域绘图模型，包括：
根据所述通刻区域参数，生成基准单元的绘图数据，所述基准单元包括两个或两个以上的子像素开口；
根据所述通刻区域参数和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据；
根据所述通刻区域参数和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据。
3.根据权利要求2所述的绘图方法，其特征在于，所述通刻区域参数，包括：像素排布信息、子像素开口尺寸信息、第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息；
所述根据所述通刻区域参数，生成基准单元的绘图数据，包括：
将第一子像素开口和与所述第一子像素开口相邻的第二子像素开口确定为基准单元；根据所述像素排布信息和所述第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息，计算出所述第二子像素开口的中心与所述通刻单元的中心之间的相对位置信息；
根据所述第一子像素开口的中心与对应的通刻单元的中心之间的相对位置信息、所述第二子像素开口的中心与所述通刻单元的中心之间的相对位置信息以及子像素开口尺寸信息，生成所述基准单元的绘图数据。
4.根据权利要求3所述的绘图方法，其特征在于，所述通刻区域参数还包括：通刻单元尺寸信息、相邻通刻单元之间的中心距离；
所述根据所述通刻区域参数和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据，包括：
针对所述基准单元对应的通刻单元，根据所述通刻单元尺寸信息，确定所述通刻单元的边界的位置信息，在所述通刻单元的边界上阵列排布所述基准单元，根据所述像素排布信息和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据；
根据所述基准单元对应的通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据和相邻通刻单元之间的中心距离，生成所述通刻区域内其余通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据。
5.根据权利要求3所述的绘图方法，其特征在于，所述通刻区域参数还包括：通刻区域尺寸信息；
所述根据所述通刻区域参数和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据，包括：
根据所述通刻区域尺寸信息，确定所述通刻区域的边界的位置信息；
针对任一边界，计算出所述通刻区域的所述边界与所述基准单元的中心之间的间距；根据所述边界与所述基准单元的中心之间的间距，确定根据所述像素排布信息移动至所述边界处的基准单元与所述边界之间的位置关系，根据所述位置关系，计算边界调整值，并根据所述边界调整值，确定所述边界调整后的位置信息；
根据所述边界调整后的位置信息和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据。
6.根据权利要求3所述的绘图方法，其特征在于，所述第一子像素开口为所述通刻单元的一个顶角上的第一个子像素开口，所述第二子像素开口为所述第一子像素开口在沿所述通刻单元的对角线方向上相邻的子像素开口。
7.根据权利要求2所述的绘图方法，其特征在于，所述辅助区域参数包括：辅助区域尺寸信息、辅助区域中心与所述金属掩膜板的中心之间的距离；
所述根据所述辅助区域参数，生成所述金属掩膜板的辅助区域绘图模型，包括：
根据所述辅助区域尺寸信息、所述辅助区域中心与所述金属掩膜板的中心之间的距离，确定所述辅助区域的边界的位置信息；
根据所述通刻区域内子像素开口的绘图数据，生成所述辅助区域的边界上子像素开口的绘图数据，其中，所述辅助区域内的子像素开口与所述通刻区域内的子像素开口对齐。
8.根据权利要求1所述的绘图方法，其特征在于，所述边界参数，包括：所述金属掩膜板的尺寸信息、所述金属掩膜板两端的U型槽的尺寸信息；
所述根据所述边界参数，生成所述金属掩膜板的边界绘图模型，包括：以所述金属掩膜板的中心为原点，根据所述边界参数，计算出所述金属掩膜板的外轮廓的多个端点的坐标信息，生成所述边界绘图模型。
9.一种金属掩膜板的绘图装置，其特征在于，包括：
参数获取模块，用于获取金属掩膜板的边界参数、通刻区域参数和辅助区域参数；
绘图模型生成模块，用于根据所述边界参数，生成所述金属掩膜板的边界绘图模型，根据所述通刻区域参数，生成所述金属掩膜板的通刻区域绘图模型，根据所述辅助区域参数，生成所述金属掩膜板的辅助区域绘图模型；
绘制模块，用于根据所述金属掩膜板的边界绘图模型、通刻区域绘图模型和辅助区域绘图模型，绘制所述金属掩膜板的边界、通刻区域和辅助区域。
10.根据权利要求9所述的绘图装置，其特征在于，所述金属掩膜板的通刻区域包括多个通刻单元，任一个通刻单元内包括多个子像素开口；
所述绘图模型生成模块，通过以下方式根据所述通刻区域参数，生成所述金属掩膜板的通刻区域绘图模型：
根据所述通刻区域参数，生成基准单元的绘图数据，所述基准单元包括两个或两个以上的子像素开口；
根据所述通刻区域参数和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻单元的边界上子像素开口的绘图数据；
根据所述通刻区域参数和所述基准单元的绘图数据，生成所述通刻区域的边界上子像素开口的绘图数据。
11.一种计算机可读介质，其特征在于，其上存储有可在处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项所述的金属掩膜板的绘图方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911076057.9A CN110838156A (zh) | 2019-11-06 | 2019-11-06 | 一种金属掩膜板的绘图方法及装置 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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2019
- 2019-11-06 CN CN201911076057.9A patent/CN110838156A/zh active Pending
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