CN110828705A - 面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种面板及其制造方法，所述方法包括：面板半成品提供步骤、沟道形成步骤、导电液灌注步骤、以及表面阴极设置步骤。所述面板半成品提供步骤是提供具有接触孔的面板半成品。所述沟道形成步骤是在面板半成品上形成与所述接触孔连接的沟道，该沟道用于储存并导引导电液流入所述接触孔中以便溶解所述接触孔中的电子传输层的一部分，进而让后续设置在所述接触孔中的表面阴极与位于所述面板半成品中的辅助阴极导通，进而提升面板的亮度均匀性。

Description

面板及其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种面板制造方法，特别是有关于一种面板及其制造方法。
背景技术
喷墨打印工艺(Ink Jet Printing,IJP)，具有低成本、高效率、柔性加工过程等优势，成为目前最具潜力的制备大尺寸发光面板的工艺技术。对大尺寸发光面板来说，亮度均一性是限制面板尺寸的重要因素。而电压降(IR Drop)的存在严重影响面板的亮度均一性。消除IR Drop是采用IJP工艺开发大尺寸发光面板极待解决的问题。
为了解决这一问题，常见的方法是在面板中引入辅助阴极，通过接触孔(ContactHole)结构使得辅助阴极与表面阴极导通，由于辅助阴极电阻较小，通过辅助阴极与表面阴极导通可以有效的解决IR Drop问题。
请参照图1，图1揭露一种常见的一种具有接触孔的面板，所述面板包括依序迭设的基板91、绝缘层92、平坦层93、透明导电(Indium Tin Oxide,ITO)层94、以及隔挡层95，在所述隔挡层95上形成有一接触孔950，在所述隔挡层95上进一步依序迭设有电子传输(Electron Transport,ET)层96以及阴极层97，所述电子传输层96的一部分以及所述阴极层97的一部分设置在所述接触孔950中。此外，在所述绝缘层92内设置有阳极98与辅助阴极99，所述辅助阴极99接触所述透明导电层94以与所述阴极97导通。
然而，由于用来制作所述电子传输层96的某些电子传输材料与透明导电层94的接触并非欧姆接触，电流导通性差，导致面板亮度不均的问题。
一种解决上述电流导通性差问题的面板制造工艺如下：将可溶解电子传输材料的导电液打印尚未蒸镀表面阴极的接触孔中，使接触孔内的电子传输层的膜层被破坏或导电性增加。当表面阴极蒸镀后，表面阴极与辅助阴极可以直接导通或通过接触孔内的良导体直接导通。
然而，上述打印可溶解电子传输材料的导电液的方法存在下列问题：由于所述接触孔尺寸小、精度高，打印机精度不够时，易造成打印对位不准，造成可溶解电子传输材料的所述导电液无法有效注入接触孔中，导致所述电子传输材料依然阻止表面阴极与辅助阴极导通。
故，有必要提供一种面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明提供一种面板及其制造方法，以解决现有技术所存在接触孔尺寸小、精度高，打印机精度不够时，易造成打印对位不准，造成可溶解电子传输材料的所述导电液无法有效注入接触孔中，导致所述电子传输材料依然阻止表面阴极与辅助阴极导通的问题，进而提升面板的亮度均匀性。
本发明的主要目的在于提供一种面板的制造方法，其包括：
面板半成品提供步骤，包括提供一面板半成品，其中所述面板半成品包括依序迭设的基板、绝缘层、平坦层、透明导电层、以及隔挡层，在所述绝缘层内设置有阳极与辅助阴极，在所述隔挡层上形成有一接触孔，所述接触孔底面暴露所述辅助阴极，在所述隔挡层上设置有电子传输层，其中所述电子传输层的一部分设置在所述接触孔中并覆盖所述表面阴极；
沟道形成步骤，包括形成沟道到所述隔挡层上，其中所述沟道与所述接触孔相连通；
导电液灌注步骤，包括灌注用于溶解所述电子传输材料的导电液到所述沟道中，使所述导电液沿所述沟道流入所述接触孔中并溶解所述电子传输层的一部分而在所述电子传输层上形成孔洞，以使所述辅助阴极的一部份透过所述孔洞而暴露于所述电子传输层外；以及
表面阴极设置步骤，包括在所述隔挡层上设置表面阴极，其中所述表面阴极的一部分设置在所述接触孔中并穿过所述电子传输层的孔洞而与所述辅助阴极导通，以形成面板。
在本发明一实施例中，所述沟道具有连接所述接触孔的连接端以及相对所述连接端的外侧端。
在本发明一实施例中，所述沟道的深度是由所述外侧端到所述连接端逐渐增加。
在本发明一实施例中，所述沟道的底面为平面斜坡、弧形斜坡或梯度坡，所述平面斜坡、所述弧形斜坡或所述梯度坡在所述外侧端较高且在所述连接端较低。
在本发明一实施例中，所述沟道由所述外侧端到所述连接端逐渐缩窄。
在本发明一实施例中，沿着垂直所述隔挡层表面的方向观看时，所述沟道呈矩形或梯形。
在本发明一实施例中，所述导电液灌注步骤是灌注所述导电液到所述沟道的所述外侧端上，使所述导电液自所述沟道的所述外侧端流向所述连接端，并流入所述接触孔中。
在本发明一实施例中，所述接触孔贯穿所述透明导电层并使所述辅助电极暴露于所述接触孔的底端。
本发明另提供一种面板，其特征在于，所述面板是根据权利要求1所述的面板的制造方法制造而得。
相较于现有技术的面板制造方法，本发明面板的制造方法能够透过与所述接触孔连接的所述沟道储存充分的导电液，并透过沟道的斜坡驱使导电液顺利流入所述接触孔中，进而溶解一部分的电子传输层而形成孔洞，进而让后设置于所述接触孔内的表面阴极能够穿过所述孔洞而与辅助阴极接触导通。藉此，本发明解决了现有技术所存在接触孔尺寸小、精度高，打印机精度不够时，易造成打印对位不准，造成可溶解电子传输材料的所述导电液无法有效注入接触孔中，导致所述电子传输材料依然阻止表面阴极与辅助阴极导通的问题，进而提升面板的亮度均匀性。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，且配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1是一现有面板的侧面剖视图。
图2是本发明面板的制造方法的步骤流程图。
图3是本发明面板半成品灌注导电液的侧面剖视示意图。
图4是本发明一实施例中面板半成品的俯视图，其中省略电子传输层。
图5是本发明面板半成品沿图4中A-A线段的侧面剖视图。
图6是本发明另一实施例中面板半成品的俯视图，其中省略电子传输层。
图7是本发明面板半成品沿图6中B-B线段的侧面剖视图。
图8是本发明面板成品的侧面剖视示意图。
具体实施方式
请参照图2，本发明的主要目的在于提供一种面板的制造方法，其包括：面板半成品提供步骤S1、沟道形成步骤S2、导电液灌注步骤S3、以及表面阴极设置步骤S4。
请参照图3，所述面板半成品提供步骤S1包括提供一面板半成品，其中所述面板半成品包括依序迭设的基板11、绝缘层12、平坦层13、透明导电层14、以及隔挡层15，在所述绝缘层12内设置有阳极18与辅助阴极19，在所述隔挡层15上形成有一接触孔150，所述接触孔150底面暴露所述辅助阴极19，在所述隔挡层15上设置有电子传输层16，其中所述电子传输层16的一部分设置在所述接触孔150中并覆盖所述表面阴极19。
请参照图4及图5，所述沟道形成步骤S2包括形成沟道20到所述隔挡层15上，其中所述沟道20与所述接触孔150相连通。在本发明一较佳实施例中，所述沟道20具有连接所述接触孔150的连接端21以及相对所述连接端21的外侧端22。在本发明一较佳实施例中，所述沟道20的深度是由所述外侧端22到所述连接端21逐渐增加，如图5所示。此外，所述沟道20的底面为平面斜坡、弧形斜坡或梯度坡，所述平面斜坡、所述弧形斜坡或所述梯度坡在所述外侧端22较高且在所述连接端21较低，如图5所示。在本发明一较佳实施例中，沿着垂直所述隔挡层15表面的方向观看时，所述沟道20呈矩形。上述沟道20能够有效地储放导电液(导电液将在下列的导电液灌注步骤S3中详述)并请确保所述导电液能够有效流进所述接触孔150中。
请参照图6及图7，在本发明一较佳实施例中，所述沟道20a由所述外侧端22到所述连接端21逐渐缩窄，当沿着垂直所述隔挡层15表面的方向观看时，所述沟道20a呈梯形。透过逐渐缩窄且梯形的沟道20a设计，可使沟道20a能够有效地将所述导电液汇聚流入所述接触孔150中。
请参照图3，所述导电液灌注步骤S3，包括灌注用于溶解所述电子传输材料的导电液到所述沟道20中，使所述导电液沿所述沟道20流入所述接触孔150中并溶解所述电子传输层16的一部分而在所述电子传输层16上形成孔洞160，以使所述辅助阴极19的一部份透过所述孔洞160而暴露于所述电子传输层外16。在本发明一较佳实施例中，所述导电液灌注步骤S3是灌注所述导电液到所述沟道20的所述外侧端22上，使所述导电液自所述沟道20的所述外侧端22流向所述连接端21，并流入所述接触孔150中。在本发明一较佳实施例中，所述接触孔150贯穿所述透明导电层14并使所述辅助电极暴露于所述接触孔150的底端。在本发明一较佳实施例中，所述导电液包括石墨烯或纳米银等良好的导电体，以提升所述接触孔150的导电性。此外，所述导电液灌注步骤S3可以打印导电液的方式，精确地将所述导电液注入在所述沟道20中。
所述表面阴极设置步骤S4，包括在所述隔挡层15上设置表面阴极17，其中所述表面阴极17的一部分设置在所述接触孔150中并穿过所述电子传输层16的孔洞160而与所述辅助阴极19导通，以形成面板。
本发明另提供一种面板，其特征在于，所述面板是根据所述的面板的制造方法制造而得。
相较于现有技术的面板制造方法，本发明面板及其制造方法能够透过与所述接触孔150连接的所述沟道20储存充分的导电液，并透过沟道20的平面斜坡、弧形斜坡或梯度坡驱使导电液顺利流入所述接触孔150中，进而溶解一部分的电子传输层16而形成孔洞160，进而让后设置于所述接触孔150内的表面阴极17能够穿过所述孔洞160而与辅助阴极19接触导通。藉此，本发明解决了现有技术所存在接触孔150尺寸小、精度高，打印机精度不够时，易造成打印对位不准，造成可溶解电子传输材料的所述导电液无法有效注入接触孔150中，导致所述电子传输材料依然阻止表面阴极17与辅助阴极导通的问题，进而提升面板的亮度均匀性。

Claims (10)

1.一种面板的制造方法，其特征在于：所述方法包括：
面板半成品提供步骤，包括提供一面板半成品，其中所述面板半成品包括依序迭设的基板、绝缘层、平坦层、透明导电层、以及隔挡层，在所述绝缘层内设置有阳极与辅助阴极，在所述隔挡层上形成有一接触孔，所述接触孔底面暴露所述辅助阴极，在所述隔挡层上设置有电子传输层，其中所述电子传输层的一部分设置在所述接触孔中并覆盖所述表面阴极；
沟道形成步骤，包括形成沟道到所述隔挡层上，其中所述沟道与所述接触孔相连通；
导电液灌注步骤，包括灌注用于溶解所述电子传输材料的导电液到所述沟道中，使所述导电液沿所述沟道流入所述接触孔中并溶解所述电子传输层的一部分而在所述电子传输层上形成孔洞，以使所述辅助阴极的一部份透过所述孔洞而暴露于所述电子传输层外；以及
表面阴极设置步骤，包括在所述隔挡层上设置表面阴极，其中所述表面阴极的一部分设置在所述接触孔中并穿过所述电子传输层的孔洞而与所述辅助阴极导通，以形成所述面板。
2.根据权利要求1所述的面板的制造方法，其特征在于，所述沟道具有连接所述接触孔的连接端以及远离所述接触孔的外侧端。
3.根据权利要求2所述的面板的制造方法，其特征在于，所述沟道的深度是由所述外侧端到所述连接端逐渐增加。
4.根据权利要求2所述的面板的制造方法，其特征在于，所述沟道的底面为平面斜坡、弧形斜坡或梯度坡，所述平面斜坡、所述弧形斜坡或所述梯度坡在所述外侧端较高且在所述连接端较低。
5.根据权利要求2所述的面板的制造方法，其特征在于，所述沟道的宽度由所述外侧端到所述连接端逐渐缩窄。
6.根据权利要求2所述的面板的制造方法，其特征在于，沿着垂直所述隔挡层表面的方向观看时，所述沟道呈矩形或梯形。
7.根据权利要求2所述的面板的制造方法，其特征在于，所述导电液灌注步骤是灌注所述导电液到所述沟道的所述外侧端上，使所述导电液自所述沟道的所述外侧端流向所述连接端，并流入所述接触孔中。
8.根据权利要求1所述的面板的制造方法，其特征在于，所述接触孔贯穿所述透明导电层并使所述辅助电极暴露于所述接触孔的底端。
9.根据权利要求1所述的面板的制造方法，其特征在于，所述导电液包括石墨烯或纳米银。
10.一种面板，其特征在于，所述面板是根据权利要求1所述的面板的制造方法制造而得。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111525042A (zh) * 2020-04-26 2020-08-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102781676A (zh) * 2009-12-15 2012-11-14 芬兰国家技术研究中心 在多孔基底上制造液体流动引导结构的方法
CN105895818A (zh) * 2016-04-15 2016-08-24 深圳市华星光电技术有限公司 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法
CN205615191U (zh) * 2016-04-14 2016-10-05 深圳市元虹光电科技有限公司 一种防油墨外泄手机盖板
CN106356396A (zh) * 2016-11-24 2017-01-25 Tcl集团股份有限公司 适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构及其制备方法
CN107785381A (zh) * 2017-10-13 2018-03-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板的制作方法及oled面板
CN110048022A (zh) * 2019-04-22 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7919352B2 (en) * 2007-04-10 2011-04-05 Global Oled Technology Llc Electrical connection in OLED devices
CN205248273U (zh) * 2015-12-24 2016-05-18 厦门天马微电子有限公司 一种用于液晶显示器的阵列基板
CN108198838B (zh) * 2017-12-28 2020-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102781676A (zh) * 2009-12-15 2012-11-14 芬兰国家技术研究中心 在多孔基底上制造液体流动引导结构的方法
CN205615191U (zh) * 2016-04-14 2016-10-05 深圳市元虹光电科技有限公司 一种防油墨外泄手机盖板
CN105895818A (zh) * 2016-04-15 2016-08-24 深圳市华星光电技术有限公司 用于打印成膜工艺的凹槽结构及其制作方法
CN106356396A (zh) * 2016-11-24 2017-01-25 Tcl集团股份有限公司 适用于印刷工艺制备显示器的像素Bank结构及其制备方法
CN107785381A (zh) * 2017-10-13 2018-03-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板的制作方法及oled面板
CN110048022A (zh) * 2019-04-22 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111525042A (zh) * 2020-04-26 2020-08-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法

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