CN110828638A - 发光二极管封装件及具备发光二极管封装件的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光二极管封装件及具备发光二极管封装件的显示装置。显示装置包括：电路板；多个发光二极管封装件，封装在电路板上而放出光；导光板，具有发光二极管封装件的光入射的入射面；及遮光部件，覆盖发光二极管封装件及导光板的入射面。发光二极管封装件包括：至少一个发光二极管芯片，发射光；波长转换部件，布置在发光二极管芯片的上方，波长转换部件的平坦面为正四边形结构；粘接部件，夹在发光二极管芯片与波长转换部件之间；及成型部件，包围发光二极管芯片、粘接部件及波长转换部件。成型部件使波长转换部件的顶面及波长转换部件的长轴方向上的两侧面暴露。成型部件的使波长转换部件的两侧面暴露的顶面高于发光二极管芯片的顶面。

Description

发光二极管封装件及具备发光二极管封装件的显示装置
本申请是申请日为2019年08月08日、申请号为201910728600.2、发明名称为“发光二极管封装件及具备发光二极管封装件的显示装置”的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装件及具备发光二极管封装件的显示装置。
背景技术
作为无自发光源的受光型器件的显示装置需要能够在背面照明整个画面的单独的光源装置。这种用于显示装置的照明装置通常称为背光单元(Back Light Unit)。
背光单元包括多个发光二极管封装件及将从发光二极管封装件发射的点光转换为面光的导光板。
现有的发光二极管封装件是只有一面成为发射光的发光面。此时，当排列有多个发光二极管封装件时，由于相邻的发光二极管封装件之间的空间，导光板的入射区域的一部分比其他部分暗。由此，显示装置发生斑点现象。
通常，背光单元根据与发光二极管封装件一起发射光的光源布置的布置方式来分为直下型及边缘型。
直下型背光单元是在导光板的下方排列光源来照明显示面板的正面的方式。
边缘型背光单元是在引导光的导光板的侧面布置光源的方式。
但是，适用边缘型背光单元的显示装置是光源沿着导光板的侧面布置，因此在薄化边框厚度上有局限。
另外，显示装置需要用于混合从多个光源发射的光的区域，以使得导光板的光均匀度在一定水平以上。此时，若边框较薄，则未能混合成光均匀度一定水平以上的区域向外部暴露，因此画面出现斑点现象。由此，在显示装置中，为了防止画面暴露斑点现象，利用边框覆盖光均匀度低的区域，因此边框厚度变厚。因此，显示装置存在尺寸变大或画面面积减小的问题点。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于提供一种光指向角被改善的发光二极管封装件。
本发明要解决的另一技术问题在于提供一种能够减小边框区域的厚度的显示装置。
根据本发明实施例，提供一种发光二极管封装件，其包括：至少一个发光二极管芯片，发射光；波长转换部件，布置在发光二极管芯片的上方，波长转换部件的平坦面为正四边形结构；粘接部件，夹在发光二极管芯片与波长转换部件之间；以及成型部件，包围发光二极管芯片、粘接部件及波长转换部件。其中，成型部件使波长转换部件的顶面及波长转换部件的长轴方向上的两侧面暴露。另外，成型部件的使波长转换部件的两侧面暴露的顶面高于发光二极管芯片的顶面。
根据本发明另一实施例，本发明提供一种显示装置，其包括：电路板；多个发光二极管封装件，封装在电路板上而放出光；导光板，具有发光二极管封装件的光入射的入射面；以及遮光部件，覆盖发光二极管封装件及导光板的入射面。其中，发光二极管封装件包括：至少一个发光二极管芯片，发射光；波长转换部件，布置在发光二极管芯片的上方，波长转换部件的平坦面为正四边形结构；粘接部件，夹在发光二极管芯片与波长转换部件之间；以及成型部件，包围发光二极管芯片、粘接部件及波长转换部件。成型部件使波长转换部件的顶面及波长转换部件的长轴方向上的两侧面暴露。成型部件的使波长转换部件的两侧面暴露的顶面高于发光二极管芯片的顶面。另外，显示装置中具备电路板、发光二极管封装件及遮光部件的边框区域的厚度为2mm以下。
根据本发明实施例，发光二极管封装件不仅通过顶面，还通过位于长轴方向的两侧面的一部分而发射光，从而能够提高光指向角。因此，当多个发光二极管封装件向长轴方向排列布置时，能够缩短彼此相邻的发光二极管封装件之间的光混合位置的距离。由此，显示装置通过适用本发明实施例的发光二极管封装件，能够进一步减小边框区域的厚度。
附图说明
图1至图4为示出本发明第一实施例的发光二极管封装件的例示图。
图5为示出现有的发光二极管封装件的立体图。
图6为示出现有的发光二极管封装件的光指向角的曲线图。
图7为示出本发明第一实施例的发光二极管封装件的光指向角的曲线图。
图8至图12为示出本发明第一实施例的发光二极管封装件的制造方法的例示图。
图13及图14为示出本发明第二实施例的发光二极管封装件的例示图。
图15为示出本发明第三实施例的发光二极管封装件的例示图。
图16为示出本发明第四实施例的发光二极管封装件的例示图。
图17为示出本发明第五实施例的发光二极管封装件的例示图。
图18及图19为示出本发明实施例的发光二极管封装件对导光板的入射区域的光分布的例示图。
图20及图21为示出适用本发明实施例的发光二极管封装件的显示装置的例示图。
图22至图30为示出本发明第六实施例的发光二极管封装件及其制造方法的例示图。
图31至图37为示出本发明第七实施例的发光二极管封装件及其制造方法的例示图。
图38至图44为涉及本发明第八实施例的发光二极管封装件及其制造方法的图。
图45至图50为涉及本发明第九实施例的发光二极管封装件及其制造方法的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施例进行详细说明。以下介绍的实施例是为了让本领域人员充分传达本发明的思想而提供的示例。因此，本发明并不限于以下说明的实施例，可以具体化为其他形式。并且，在附图中，为了便于说明，构成要件的宽度、长度、厚度等有时夸大表示。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的构成要件，类似的附图标记表示相应的类似构成要件。
本发明实施例的发光二极管封装件，包括：至少一个发光二极管芯片，发射光；波长转换部件，布置在所述发光二极管芯片的上方，所述波长转换部件的平坦面为正四边形结构；粘接部件，夹在所述发光二极管芯片与所述波长转换部件之间；以及成型部件，包围所述发光二极管芯片、所述粘接部件及所述波长转换部件。其中，所述成型部件使所述波长转换部件的顶面及所述波长转换部件的长轴方向上的两侧面暴露。另外，成型部件的使所述波长转换部件的两侧面暴露的顶面高于所述发光二极管芯片的顶面。
所述发光二极管芯片是电极焊盘位于下方。
根据一实施例，可以是，所述发光二极管芯片的电极焊盘在所述成型部件的底面向外部暴露。
根据另一实施例，所述发光二极管封装件还包括在所述发光二极管芯片的下方布置的引线框。此时，所述引线框的一部分与所述发光二极管芯片的电极焊盘连接，所述引线框的另一部分向所述成型部件的外部凸出。
根据另一实施例，可以是，所述发光二极管封装件还包括次粘接基板，所述次粘接基板布置于所述成型部件的下方，所述次粘接基板包括主体部及形成在所述主体部上的引线框。此时，在发光二极管封装件中，所述引线框的一部分与所述发光二极管芯片的电极焊盘连接。
所述波长转换部件的平坦面的面积大于所述发光二极管芯片的平坦面的面积。
可以是，所述发光二极管封装件还包括在所述波长转换部件的上方布置的透光性的保护部件。此时，所述成型部件形成为覆盖所述保护部件的短轴方向上的侧面。
本发明实施例的显示装置包括：电路板；多个发光二极管封装件，封装在所述电路板上而放出光；导光板，具有所述发光二极管封装件的光入射的入射面；以及遮光部件，覆盖所述发光二极管封装件及所述导光板的入射面。其中，所述发光二极管封装件包括：至少一个发光二极管芯片，发射光；波长转换部件，布置在所述发光二极管芯片的上方，所述波长转换部件的平坦面为正四边形结构；粘接部件，夹在所述发光二极管芯片与所述波长转换部件之间；以及成型部件，包围所述发光二极管芯片、所述粘接部件及所述波长转换部件。所述成型部件使所述波长转换部件的顶面及所述波长转换部件的长轴方向上的两侧面暴露。成型部件的使所述波长转换部件的两侧面暴露的顶面高于所述发光二极管芯片的顶面。另外，所述显示装置中具备所述电路板、所述发光二极管封装件及所述遮光部件的边框区域的厚度为2mm以下。
所述多个发光二极管封装件之间的间隔小于所述发光二极管封装件的长度。
所述发光二极管封装件布置为所述发光二极管封装件的顶面与所述导光板的所述入射面相对。
根据一实施例，可以是，所述电路板布置为所述电路板的侧面与所述导光板的入射面相对。此时，所述发光二极管封装件布置为所述发光二极管封装件的侧面与所述电路板的顶面相对。
根据另一实施例，可以是，所述电路板布置为所述电路板的顶面与所述导光板的入射面相对。此时，所述发光二极管封装件布置为所述发光二极管封装件的底面与所述电路板的顶面相对。
所述发光二极管芯片是电极焊盘位于下方的结构。
根据一实施例，可以是，所述发光二极管芯片的电极焊盘在所述成型部件的底面向外部暴露。
根据其他实施例，可以是，所述显示装置还包括在所述发光二极管芯片的下方布置的引线框。此时，所述引线框的一部分与所述发光二极管芯片的电极焊盘连接，所述引线框的另一部分向所述成型部件的外部凸出。
根据另一实施例，可以是，所述显示装置还包括次粘接基板，所述次粘接基板布置于所述成型部件的下方，所述次粘接基板包括主体部及形成在所述主体部上的引线框。此时，在显示装置中，所述引线框的一部分与所述发光二极管芯片的电极焊盘连接。
所述波长转换部件的平坦面的面积大于所述发光二极管芯片的平坦面的面积。
可以是，所述显示装置还包括在所述波长转换部件的上方布置的透光性的保护部件。此时，所述成型部件形成为覆盖所述保护部件的短轴方向上的侧面。
以下，参照附图详细说明本发明实施例。
图1至图4为示出本发明第一实施例的发光二极管封装件的例示图。
图1为第一实施例的发光二极管封装件100的立体图。图2为第一实施例的发光二极管封装件100的俯视图。图3为第一实施例的发光二极管封装件100的第一截面图(A1-A2)。另外，图4为第一实施例的发光二极管封装件100的第二截面图(B1-B2)。
第一实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片110、波长转换部件120、粘接部件130及成型部件140。
发光二极管芯片110包括生长基板及半导体叠层体。生长基板可以是用于生长半导体层的基板。例如，生长基板可以是蓝宝石基板或氮化镓基板。发光二极管芯片110不是必须包括生长基板，可以省略生长基板。半导体叠层体由氮化镓系列的化合物半导体形成而放出光。在本发明中，半导体叠层体放出可视光线。例如，半导体叠层体可以放出蓝色系列的光。
另外，发光二极管芯片110包括电极焊盘111。电极焊盘111位于发光二极管芯片110的下方。因此，本实施例的发光二极管芯片110可以以倒装焊接(Flip chip bonding)的方式与电路板(未图示)之类外部构成件电连接。
波长转换部件120布置于发光二极管芯片110的上方。波长转换部件120转换从发光二极管芯片110放出的光的波长。例如，波长转换部件120可以是在透光性树脂上分散有激发光的荧光材料的部件。
如图3所示，波长转换部件120为覆盖发光二极管芯片110的顶面的结构。如图2所示，波长转换部件120的平坦面具有比发光二极管芯片110的平坦面大的面积。另外，波长转换部件120的平坦面为正四边形结构。
发光二极管封装件100可以根据波长转换部件120的种类，实现白色光等各种颜色的光。
粘接部件130夹在发光二极管芯片110与波长转换部件120之间。这种粘接部件130提高发光二极管芯片110与波长转换部件120的粘接力。粘接部件130透光，由具有粘接力的材质构成。例如，粘接部件130可以由硅树脂或环氧树脂构成。
成型部件140形成为包围发光二极管芯片110、波长转换部件120及粘接部件130。此时，成型部件140形成为使波长转换部件120的顶面及波长转换部件120的长轴方向上的两侧面暴露。因此，发光二极管封装件100在顶面及长轴方向上的两侧面向外部放出光。参照附图，成型部件140中使波长转换部件120的两侧面暴露的部分的顶面高于发光二极管芯片110的顶面。
另外，成型部件140形成为覆盖发光二极管芯片110的下方，但使发光二极管芯片110的电极焊盘111向外部暴露。因此，布置于发光二极管封装件100内部的发光二极管芯片110可通过向成型部件140的外部暴露的电极焊盘111与外部构成部电连接。
成型部件140由使得从发光二极管芯片110放出的光透过或反射的材质形成。例如，成型部件140可以由普通的塑料(polymer)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS，acrylonitrile butadiene styrene)、液晶聚合物(LCP，liquid crystalline polymer)、聚酰胺(PA，polyamide)、聚苯硫醚(IPS，polyphenylene sulfide)、热塑性弹性体(TPE，thermoplastic elastomer)、环氧模塑料(EMC，epoxy molding compound)、有机硅模塑料(SMC，silicone molding compound)、金属或陶瓷等形成。成型部件140的材质并不限于此，可以由能够切断或反射光的物质形成。
根据本发明实施例，成型部件140是如下结构：覆盖波长转换部件120的短轴方向上的较长长度的两侧面，并使得波长转换部件120的长轴方向上的较短长度的两侧面向外部暴露。
成型部件140防止通过波长转换部件120的较长长度的两侧面向外部放出光。因此，成型部件140通过限制发光二极管封装件100在短轴方向上的光指向角，使得通过发光二极管封装件100的顶面放出的光朝向一定方向。即，成型部件140起到使得通过发光二极管封装件100的顶面放出的光入射导光板(未图示)的入射面的导向作用。
另外，成型部件140使波长转换部件120的较短长度的两侧面向外部暴露，因此发光二极管封装件100不仅通过顶面，还通过较短长度的两侧面放出光。即，成型部件140的这种结构使得发光二极管封装件100的长轴方向的光指向角更大。因此，当多个发光二极管封装件100向长轴方向上排列布置而与相邻的发光二极管封装件100混合光时，从发光二极管封装件100的顶面至光混合位置的距离比以往更短。
若成型部件140形成为使发光二极管封装件100的两侧面整体暴露，则在发光二极管芯片110的侧面放出的光全部通过暴露的侧面整体向外部放出。在这种情况下，通过发光二极管封装件100的主发射面即顶面放出的光的光量减少。若通过发光二极管封装件100的主发射面放出的光量减少，则入射导光板(未图示)的光的光量也减少。因此，本发明实施例的发光二极管封装件100具有为了，在增加长轴方向的光指向角的同时防止光效率减少而在非侧面整体的侧面仅暴露波长转换部件120的结构。
本发明实施例的发光二极管封装件100可适用于显示装置。此时，显示装置能够减少使得在多个发光二极管封装件100放出的光混合并具有一定以上的光均匀度所需的空间。
图5为示出现有的发光二极管封装件的示意图。图6为示出现有的发光二极管封装件的光指向角的曲线图。另外，图7为示出本发明第一实施例的发光二极管封装件的光指向角的曲线图。
参照图5，现有的发光二极管封装件10是形成为成型部件14包围波长转换部件12的除顶面以外的侧面整体的结构。
参照这种现有的发光二极管封装件10的光指向角曲线图(图6)，在长轴方向(x-axis)及短轴方向(y-axis)上的半峰全宽(full width at half maximum；FWHM)都是120deg.。
参照图7所示的本发明第一实施例的发光二极管封装件100的光指向角曲线图，与现有技术相同，短轴方向(y-axis)的半峰全宽为120deg.。但是，第一实施例的发光二极管封装件100的长轴方向(x-axis)的半峰全宽为135deg.，具有比现有技术更宽的光指向角。
即，可知本发明第一实施例的发光二极管封装件100与现有的发光二极管封装件100相比，光向长轴方向更宽地扩散。
在以后说明其他实施例时，针对与之前说明的实施例相同的构成部，简略说明或省略说明。因此，针对省略或简略说明的构成部的详细说明参照之前实施例的说明。
图8至图12为示出本发明第一实施例的发光二极管封装件的制造方法的例示图。
首先，在支承部件20上布置发光二极管芯片110(参照图8)。
在制造发光二极管封装件的工艺中，支承部件20能够固定及支承构成发光二极管封装件的构成部的任何功能都能执行。
在下一步骤中，利用粘接部件130在发光二极管芯片110的顶面粘接波长转换部件120(参照图9)。波长转换部件120的平坦面具有比发光二极管芯片110的平坦面大的面积。因此，如图9所示的截面，波长转换部件120相比于发光二极管芯片110向侧部方向更凸出。
在下一步骤中，在支承部件20上形成成型部件140，以包围发光二极管芯片110、粘接部件130及波长转换部件120(参照图10)。
在下一步骤中，去除位于波长转换部件120上方的成型部件140，以使波长转换部件120的顶面暴露(参照图11)。例如，可通过沿着图10所示的切割线c1切割成型部件140的方式，使波长转换部件120的顶面向外部暴露。或者，可通过研磨位于波长转换部件120上方的成型部件140的方式，使波长转换部件120的顶面向外部暴露。除此之外，也可以以各种方式使波长转换部件120的顶面向外部暴露。
在下一步骤中，去除成型部件140，以使得波长转换部件120的长轴方向上的两侧面向外部暴露(参照图12)。例如，可通过沿着图11所示的切割线c2切割成型部件140及波长转换部件120的方式，使波长转换部件120的两侧面向外部暴露。此时，以使发光二极管芯片110的侧面不向外部暴露的方式去除波长转换部件120及成型部件140的两侧面。因此，成型部件140包围发光二极管芯片110、粘接部件130及波长转换部件120，并使得波长转换部件120的顶面及波长转换部件120的长轴方向上的两侧面向外部暴露。
之后，若去除支承部件20，则形成图1至图4所示的发光二极管封装件100。若去除支承部件20，则发光二极管芯片110的电极焊盘111向外部暴露。
图8至图12所示的制造方法是一实施例，发光二极管封装件100的制造方法并不限于此。只要具有本实施例的成型部件140的结构，也可以变更制造方法的顺序或以其他方法制造发光二极管芯片110。
图13及图14为示出本发明第二实施例的发光二极管封装件的例示图。
第二实施例的发光二极管封装件200包括发光二极管芯片110、波长转换部件120、粘接部件130、成型部件140及保护部件210。
保护部件210布置成覆盖波长转换部件120的顶面。此时，成型部件140覆盖保护部件210的短轴方向上的侧面。如此形成的保护部件210由透光的材质形成。例如，保护部件210可以由硅树脂构成。
保护部件210切断灰尘、湿气等之类外部物质进入以波长转换部件120为代表的发光二极管封装件200的内部。因此，本实施例的发光二极管封装件200可通过保护部件210防止发生外部物质导致的不良情况。
另外，保护部件210防止波长转换部件120与氧气接触。即，通过保护部件210，可最小化波长转换部件120与氧气接触而变色。因此，本实施例的发光二极管封装件200能够防止因波长转换部件120的变色而向外部放出的光的质量下降。进一步，保护部件210能够防止因波长转换部件120的变色而适用发光二极管封装件200的显示装置的色彩再现度降低。
图15为示出本发明第三实施例的发光二极管封装件的例示图。
第三实施例的发光二极管封装件300包括多个发光二极管芯片110、波长转换部件120、粘接部件130、成型部件140及保护部件210。
多个发光二极管芯片110在一个波长转换部件120的下方向长轴方向排列布置。图15中示出两个发光二极管芯片110，但在一个波长转换部件120下方布置的发光二极管芯片110的数量可以进行多种变更。
本实施例的发光二极管封装件300在一个成型部件140内部布置有多个发光二极管芯片110，因此提高光量。
另外，多个发光二极管芯片110可以放出彼此不同颜色的光。因此，发光二极管封装件300可以是在多个发光二极管芯片110放出的彼此不同颜色的光混合而放出白色光。此时，可以省略波长转换部件120。
图16为示出本发明第四实施例的发光二极管封装件的例示图。
第四实施例的发光二极管封装件400包括发光二极管芯片110、波长转换部件120、粘接部件130、成型部件140、保护部件210及引线框410。
引线框410布置于发光二极管芯片110的下方。引线框410由金属之类导电性物质形成。如图16所示，引线框410的一部分在成型部件140内部与发光二极管芯片110的电极焊盘111连接，另一部分向成型部件140的外部暴露。向引线框410的外部暴露的部分与外部构成部连接。这种引线框410将布置于发光二极管封装件400内部的发光二极管芯片110与外部构成部电连接。
引线框410只要是一部分与发光二极管芯片110的电极连接且另一部分向成型部件140的外部暴露以与外部构成部连接，可以以各种结构形成。例如，引线框410可以是只在成型部件140的底面向外部暴露的结构。或者，引线框410可以是在成型部件140的侧面暴露或在成型部件140的底面暴露的部分延伸而覆盖侧面的结构。
本发明实施例的发光二极管封装件400可根据引线框410的结构，以各种形态布置于电路板(未图示)。
图17为示出本发明第五实施例的发光二极管封装件的例示图。
第五实施例的发光二极管封装件500包括发光二极管芯片110、波长转换部件120、粘接部件130、成型部件140、保护部件210及次粘接基板510。
次粘接基板510起到将发光二极管芯片110与外部构成部电连接的作用。
次粘接基板510布置于发光二极管芯片110的下方。次粘接基板510包括主体部511及引线框512。
主体部511可以由绝缘层构成或由用于散热的金属层和包围金属层的绝缘层构成。
参照图17，引线框512在主体部511的顶面沿着侧面形成至底面。但是，引线框512的结构也可以形成为能够将发光二极管芯片110与外部构成部电连接的任何结构。
引线框512是一部分与发光二极管芯片110的电极连接且另一部分与外部构成部连接的部分。在本实施例中，引线框512中形成在主体部511顶面的部分在成型部件140的内部与发光二极管芯片110的电极焊盘111接触而电连接。另外，引线框512中向主体部511的侧面或底面暴露的部分与外部构成部接触而电连接。
图18及图19为示出本发明实施例的发光二极管封装件对导光板的入射区域的光分布的例示图。
参照图18，在电路板610布置多个发光二极管封装件200。在此，发光二极管封装件200是之前说明的第一实施例至第五实施例的发光二极管封装件200中的任一个。
根据本实施例，多个发光二极管封装件200之间的间隔L小于发光二极管封装件200的长度W。若多个发光二极管封装件200靠近布置，则光交叉点距离d变短。在此，光交叉点是在相邻的发光二极管封装件200放出的光混合的位置。另外，光交叉点距离是从发光二极管封装件200的顶面至光交叉点的距离。
另外，本发明实施例的发光二极管封装件200在侧面的一部分也放出光，因此与现有技术相比，长轴方向的光的光指向角大。因此，在相邻的发光二极管封装件200之间的间隔与现有技术相同的情况下，与现有技术相比，本实施例的发光二极管封装件200能够更缩短光交叉点距离。
图19为示出基于导光板620位置的光均匀度的图。可确认到，从导光板620的入射面621越靠近导光板620内部，从多个发光二极管封装件200入射的光越是彼此混合而光分布变均匀。
当从导光板620的入射面621开始，每隔一定间隔测量导光板620的光均匀度时，导光板620的入射面621处的光均匀度为58.3％。从导光板620的入射面621隔开0.5mm处的光均匀度为77.8％。从导光板620的入射面621隔开1mm处的光均匀度为81.2％。另外，从导光板620的入射面621隔开1.5mm处的光均匀度为91.2％。即，根据本实施例，导光板620在离入射面621为1.5mm以内的区域可具有超90％的光均匀度。因此，通过本发明实施例的发光二极管封装件200，能够将导光板620的入射区域减少至离入射面621为1.5mm以内的区域。在此，入射区域是入射导光板620的多个发光二极管封装件200的光混合成具有一定水平的光均匀度所需的区域。
如此，本发明实施例的发光二极管封装件200能够缩短与相邻的发光二极管封装件200的光交叉点的距离，从而能够缩小导光板620的入射区域。
图20及图21为示出适用本发明实施例的发光二极管封装件的显示装置的例示图。
本实施例的显示装置700、800包括显示面板760、背光单元及遮光部件750。
显示面板760包括滤色器基板及薄膜晶体管基板。显示面板760可根据种类，在上述滤色器基板和薄膜晶体管基板之间还包括液晶层。为了驱动，显示面板760在一侧包括驱动器。
背光单元向显示面板760提供光。背光单元包括导光板620、发光二极管封装件200、400、电路板610、光学部件740、反射部件720。
导光板620将从发光二极管封装件200放出的点光转换为面光。
发光二极管封装件200、400及电路板610布置在导光板620的至少一侧。发光二极管封装件200、400封装于电路板610的一面。此时，发光二极管封装件200、400的顶面与导光板620的一侧面彼此相对布置。在此，发光二极管封装件200、400的顶面为放出光的发射面。另外，与发光二极管封装件200、400的顶面相对的导光板620的一侧面为光入射的入射面621。
在图20中，电路板610的一面与导光板620的入射面621相对布置。图20所示的发光二极管封装件200为第二实施例的发光二极管封装件。或者，发光二极管封装件200为第一实施例的发光二极管封装件或第三实施例的发光二极管封装件。图20中适用的发光二极管封装件200布置为顶面与导光板620的入射面621相对且底面与电路板610的一面接触。因此，发光二极管封装件200的电极焊盘111与在电路板610的一面形成的布线接触，发光二极管封装件200与电路板610电连接。
在图21中，电路板610的一侧面与导光板620的入射面621相对布置。图21所示的发光二极管封装件400为第四实施例的发光二极管封装件。发光二极管封装件400沿侧面延伸有与电极焊盘连接的引线框410。因此，发光二极管封装件400的侧面与电路板610的一面接触。即，向发光二极管封装件400的侧面延伸的引线框410与在电路板610一面形成的布线接触而电连接。发光二极管封装件400也可以是第五实施例的发光二极管封装件，而代替第四实施例的发光二极管封装件。
虽然在图20及图21中未图示，但为了改善电路板610与发光二极管封装件200、400之间的粘接力，可以介有焊锡膏之类导电性粘接物质。导电性粘接物质位于发光二极管封装件200、400的电极焊盘与电路板610的布线之间或者引线框410与电路板610的布线之间，提高它们之间的粘接力。
光学部件740用于改善显示装置700、800的亮度、视角等，有反射片、扩散片、棱镜片等。
反射部件720布置于导光板620的下方。反射部件720反射通过导光板620的底面发射的光，使得朝向导光板620的顶面即出射面。
遮光部件750起到防止从背光单元射出的光向外部露出去的作用。另外，遮光部件750还起到固定光学部件740的作用。
遮光部件750形成于发光二极管封装件200、400及电路板610的上方，并形成为覆盖光学部件740的一部分。此时，为了防止光在导光板620入射面附近漏出去，遮光部件750布置成覆盖导光板620的入射面621的上方。
另外，遮光部件750覆盖导光板620中多个发光二极管封装件200、400的光彼此混合区域的上方。遮光部件750覆盖多个光混合区域，防止因光分布不均匀而产生的斑点现象显示于显示面板760。
通过图18及图19，确认到本发明实施例的发光二极管封装件100、200、300、400、500能够缩小导光板620的入射区域。因此，覆盖导光板620的入射区域的遮光部件750的厚度也能够比现有技术减少。在此，遮光部件750的厚度是从覆盖电路板610的遮光部件750的一端至覆盖光学部件740的另一端的长度。
显示装置700、800中除去显示画面的部分的区域是边框区域(Bezel region)。在边框区域布置发光二极管芯片110、电路板610及遮光部件750。
参照图18及图19，导光板620的入射区域是离入射面621为1.5mm以内的区域。因此，本实施例的显示装置700、800能够将边框区域减小到约2mm以下厚度。在此，边框区域的厚度是从背光单元的一端至遮光部件750的另一端的长度。
如此，适用本发明实施例的发光二极管封装件的显示装置700、800能够利用导光板620的入射区域的缩小使边框的厚度更薄。另外，显示装置700、800缩小离多个发光二极管封装件的光混合位置的距离，因此能够防止因光的低均匀度而产生的画面斑点现象。
图22至图30为示出本发明第六实施例的发光二极管封装件及其制造方法的例示图。
参照图22至图24，在支承部件20上布置波长转换部件120及发光二极管芯片110。图23为图22的一截面图(A1-A2)，图24为图22的另一截面图(B1-B2)。
波长转换部件120粘接于支承部件20。例如，在支承部件20上排列形成多个波长转换部件120。
在多个波长转换部件120上可布置多个发光二极管芯片110。此时，在发光二极管芯片110涂布有粘接部件130。
粘接部件130涂布于发光二极管芯片110的一面。涂布有粘接部件130的发光二极管芯片110的一面是与波长转换部件120相对的一面。
粘接部件130可以是具有粘接力的透明树脂。例如，粘接部件130可由环氧树脂、硅树脂之类透光性物质构成。
图25及图26示出粘接于波长转换部件120的发光二极管芯片110。
将涂布有粘接部件130的发光二极管芯片110布置于波长转换部件120上。此时，为了粘接发光二极管芯片110与波长转换部件120，将发光二极管芯片110向波长转换部件120方向按压。此时，流动性好的粘接部件130在加压的力作用下向发光二极管的侧部方向挤出。如图25及图26所示，从发光二极管芯片110的侧部挤出的粘接部件130通过表面张力覆盖发光二极管芯片110侧面的一部分。
参照图27至图29，在支承部件20上形成成型部件140。
成型部件140形成为覆盖波长转换部件120、粘接部件130及发光二极管芯片110。此时，成型部件140形成为发光二极管芯片110的电极焊盘111的一面向外部暴露。另外，成型部件140可形成为在发光二极管芯片110的电极焊盘111周边倾斜。即，成型部件140位于电极焊盘111周边的一部分形成为具有低于电极焊盘111的一面的高度。因此，具有成型部件140的一部分的厚度小于另一部分的厚度的结构。在此，电极焊盘111的一面是朝向发光二极管芯片110的外侧的面。
之后，若沿着切割线切割发光二极管芯片110之间而去除支承部件20，则形成图30所示的单个发光二极管封装件600。
参照图30，发光二极管封装件600形成为粘接部件130不仅覆盖发光二极管芯片110的顶面，还覆盖发光二极管芯片侧面的一部分。另外，粘接部件130以侧面凹陷的曲面构成。在发光二极管芯片110的被粘接部件130覆盖的侧面发射的光在粘接部件130的曲面反射而能够朝向上方方向。因此，发光二极管封装件600能够提高光提取效率。
图31至图37为示出本发明第七实施例的发光二极管封装件及其制造方法的例示图。
如图31至图33所示，在粘接于支承部件20的波长转换部件120布置多个发光二极管芯片110。此时，一对发光二极管芯片110彼此靠近布置。
波长转换部件120与发光二极管芯片110之间夹着粘接部件130。随着向波长转换部件120方向按压发光二极管芯片110，粘接部件130的一部分向发光二极管芯片110的侧方方向挤出。此时，一对发光二极管芯片110彼此靠近存在，因此被挤出的粘接部件130之间能够互相连接。即，如图32所示，从各个发光二极管芯片110挤出的粘接部件130能够在一对发光二极管芯片110之间彼此接触。
如图34至图36所示，在支承部件20上形成覆盖波长转换部件120、粘接部件130及发光二极管芯片110的成型部件140。
之后，若沿着切割线执行切割工艺，去除支承部件20，则形成如图37那样具备一对发光二极管芯片110的发光二极管封装件700。
图38至图44为涉及本发明第八实施例的发光二极管封装件及其制造方法的图。
参照图38至图40，在支承部件20上依次形成保护部件210、第一波长转换部件1121及第二波长转换部件1122。
保护部件210可防止外部物质向发光二极管封装件800内部进入。另外，保护部件210可防止第一波长转换部件1121与氧气接触而变色。例如，保护部件210的材质可以是硅树脂。
在保护部件210上依次层叠第一波长转换部件1121及第二波长转换部件1122。例如，第一波长转换部件1121及第二波长转换部件1122可以都是膜类型。
第一波长转换部件1121及第二波长转换部件1122可将在发光二极管芯片110发射的光转换为彼此不同的波段。
第一波长转换部件1121可以是内部分散有第一波长转换物质的透光性膜。另外，第二波长转换部件1122可以是内部分散有第二波长转换物质的透光性膜。第一波长转换物质与第二波长转换物质是彼此不同物质。例如，第一波长转换物质为绿色荧光体，第二波长转换物质为红色荧光体。因此，第一波长转换部件1121将在发光二极管芯片110放出的光的至少一部分激发为绿色光。另外，第二波长转换部件1122将在发光二极管芯片110放出的光的至少一部分激发为蓝色光。
在第二波长转换部件1122上封装涂布有粘接部件130的发光二极管芯片110。在封装发光二极管芯片110的同时，粘接部件130的一部分覆盖发光二极管芯片110侧面的至少一部分。
参照图41至图42，在支承部件20上涂布成型部件140，以覆盖保护部件210、第一波长转换部件1121、第二波长转换部件1122、粘接部件130及发光二极管芯片110。
之后，在切割发光二极管芯片110之间后，去除支承部件20，从而能够形成图43所示的作为单独封装件的发光二极管封装件800。
参照图43，发光二极管封装件800具有第一波长转换部件1121及第二波长转换部件1122在两侧面向外部暴露的结构。
另外，可根据需要，研磨发光二极管封装件800的上方而形成图44所示的发光二极管封装件800。
图45至图50为涉及本发明第九实施例的发光二极管封装件及其制造方法的图。
参照图45至图47，在支承部件20上依次形成保护部件210及第一波长转换部件1121。
第一波长转换部件1121可以是内部分散有第一波长转换物质的透光性膜。例如，第一波长转换物质可以是将在发光二极管芯片110放出的光激发为绿色光的绿色荧光体。
在第一波长转换部件1121上可布置涂布有第二波长转换部件1123的发光二极管芯片110。第二波长转换部件1123可涂布于发光二极管芯片110的与第一波长转换部件1121相对的一面。
第二波长转换部件1123可以是内部分散有第二波长转换物质的透光性树脂。例如，第二波长转换物质可以是将发光二极管芯片110的光激发为红色光的红色荧光体。另外，透光性树脂可以是环氧树脂、硅树脂之类具有粘接性及流动性的树脂。即，第二波长转换部件1123可以是内部分散有第二波长转换物质的粘接部件。
这种第二波长转换部件1123能够在对发光二极管芯片110的光进行波长转换的同时，提高发光二极管芯片110与第一波长转换部件1121的粘接力。因此，本实施例的发光二极管封装件900通过第二波长转换部件1123，可省略粘接部件。
在发光二极管芯片110封装于第二波长转换部件1123时，第二波长转换部件1123的一部分向发光二极管芯片110的侧方方向挤压而能够覆盖发光二极管芯片110侧面的至少一部分。
参照图48及图49，在支承部件20上涂布成型部件140，以覆盖保护部件210、第一波长转换部件1121、第二波长转换部件1123及发光二极管芯片110。
之后，在切割发光二极管芯片110之间后，去除支承部件20，从而能够形成图50所示的作为单独封装件的发光二极管封装件900。此时，用于分离成单独封装件的切割作业可在第二波长转换部件1123上实现。因此，分离成单独封装件的发光二极管封装件900能够在两侧面暴露保护部件210、第一波长转换部件1121及第二波长转换部件1123。
但是，本实施例的结构并不限于此。若切割工艺在没有第二波长转换部件1123的位置实现，则能够形成第二波长转换部件1123向外部不暴露的结构的发光二极管封装件。
另外，在切割工艺之后，可根据需要，执行研磨发光二极管封装件900上方的工艺或省略研磨工艺。
如上所述，本发明的具体说明通过参照附图的实施例来进行，但上述的实施例仅是举例说明本发明的优选实施例，因此不应理解为本发明仅局限于实施例，本发明的权利范围应理解为权利要求书及其等价概念。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：
电路板；
多个发光二极管封装件，封装在所述电路板上而放出光，在所述发光二极管封装件的下方存在电极焊盘；
导光板，具有所述发光二极管封装件的光入射的入射面；以及
遮光部件，覆盖所述发光二极管封装件及所述导光板的入射面，
所述发光二极管封装件包括：
至少一个发光二极管芯片，发射光；
波长转换部件，布置在所述发光二极管芯片的上方，所述波长转换部件的平坦面为正四边形结构；
粘接部件，夹在所述发光二极管芯片与所述波长转换部件之间；以及
成型部件，包围所述发光二极管芯片、所述粘接部件及所述波长转换部件，
所述成型部件使所述波长转换部件的顶面及所述波长转换部件的长轴方向上的两侧面暴露，
所述成型部件使所述发光二极管芯片的所述电极焊盘向外部暴露，
成型部件的使所述波长转换部件的两侧面暴露的顶面高于所述发光二极管芯片的顶面，
具备所述电路板、所述发光二极管封装件及所述遮光部件的边框区域的厚度为2mm以下。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个发光二极管封装件之间的间隔小于所述发光二极管封装件的长度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述发光二极管封装件布置为所述发光二极管封装件的顶面与所述导光板的所述入射面相对。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述电路板布置为所述电路板的侧面与所述导光板的入射面相对，
所述发光二极管封装件布置为所述发光二极管封装件的侧面与所述电路板的顶面相对。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述电路板布置为所述电路板的顶面与所述导光板的入射面相对，
所述发光二极管封装件布置为所述发光二极管封装件的底面与所述电路板的顶面相对。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括在所述发光二极管芯片的下方布置的引线框，
所述引线框的一部分与所述发光二极管芯片的电极焊盘连接，所述引线框的另一部分向所述成型部件的外部凸出。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括次粘接基板，所述次粘接基板布置于所述成型部件的下方，所述次粘接基板包括主体部及形成在所述主体部上的引线框，
所述引线框的一部分与所述发光二极管芯片的电极焊盘连接。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述波长转换部件的平坦面的面积大于所述发光二极管芯片的平坦面的面积。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括在所述波长转换部件的上方布置的透光性的保护部件，
所述成型部件形成为覆盖所述保护部件的短轴方向上的侧面。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述粘接部件覆盖所述发光二极管芯片的侧面的至少一部分及所述发光二极管芯片的顶面，
所述粘接部件的侧面具备向所述发光二极管芯片的侧面方向凹陷的曲面。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述波长转换部件包括：
第一波长转换部件，包含第一波长转换物质；以及
第二波长转换部件，包含第二波长转换物质，所述第二波长转换部件位于所述第一波长转换部件与所述粘接部件之间。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述波长转换部件包含第一波长转换物质，
所述粘接部件包含第二波长转换物质。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述成型部件使所述粘接部件的长轴方向上的两侧面暴露。
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