CN110808220B - 晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法 - Google Patents

晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法,晶背扫描仪,包括:用于获取图像的光源扫描器和用于处理晶背图像的光导体;晶背扫描方法,包括:所述光源扫描器获取晶背图像传输给所述光导体;晶背图像转换成电荷数量分布;电荷数量以不同的灰阶度呈现;通过呈现的灰阶度是否异常判断晶背图像是否异常。在本发明提供的晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法中,增加了晶背扫描方法,在晶圆的晶面等待扫描的时候对晶圆的晶背和晶边进行扫描,在不增加工艺时间的同时,提高了晶圆的良率。

Description

晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法。
背景技术
高效率,一定的产能能够得到最大化的效益,对于半导体行业,依旧如此。目前,半导体行业的晶圆缺陷监控主要分为:晶面、晶背及晶边,对于晶面,其监控的机台及手法都极为精确高效,而晶边及晶背的监控手法则较为单一且低效率。目前,晶背监控主要宏观目检,其缺陷:1、监控过程容易受灯光等一系列外界环境的影响,准确度无法得到保证;2、拍照也需要借助特别的照相机,过程繁杂;3、对于人力资源有较大的需求;4、精确度较低,较为轻微的晶背损伤是很难用肉眼看到的;5、发生刮伤后,需花费大量的资源查清来源,锁定机台后,后续每日跟进也需消耗一定的人力和物力等。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法,可以检测晶圆的晶背和晶边的缺陷,提高晶圆的良率。
为了达到上述目的,本发明提供了一种晶背扫描仪,包括:用于获取图像的光源扫描器和用于处理晶背图像的光导体。
可选的,在所述的晶背扫描仪中,所述光源扫描器和所述光导体通过有线或无线的方式连接。
本发明还提供了一种晶背扫描方法,包括:所述光源扫描器获取晶背图像传输给所述光导体;晶背图像转换成电荷数量分布;电荷数量以不同的灰阶度呈现;通过呈现的灰阶度是否异常判断晶背图像是否异常。
可选的,在所述的晶背扫描方法中,所述晶背扫描方法用于扫描晶圆的晶背和晶边。
可选的,在所述的晶背扫描方法中,电荷数量以不同的灰阶度呈现的方法包括:首先,电荷数量转换成成电信号,其次,电信号转换成数字信号;最后,数字信号呈现不同的灰阶度。
可选的,在所述的晶背扫描方法中,所述光源扫描器扫描之前,所述光导体进行充电。
可选的,在所述的晶背扫描方法中,通过呈现的灰阶度是否异常判断晶背图像是否异常之后,查找灰阶图像异常点,即为晶背异常点。
可选的,在所述的晶背扫描方法中,所述晶背异常包括:刮伤。
本发明还提供了一种晶圆扫描方法,包括:包括晶面扫描方法和晶背扫描方法。可选的,在所述的晶背扫描方法中
可选的,在所述的晶圆扫描方法中,扫描第一片晶圆的晶面,第三片晶圆等待;同时,扫描第二片晶圆的晶背和晶边。
在本发明提供的晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法中,增加了晶背扫描方法,在晶圆的晶面等待扫描的时候对晶圆的晶背和晶边进行扫描,在不增加工艺时间的同时,提高了晶圆的良率。
附图说明
图1是本发明实施例的晶背扫描方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
在下文中,术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分,且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解,在适当情况下,如此使用的这些术语可替换。类似的,如果本文所述的方法包括一系列步骤,且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序,且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。
本发明提供了一种晶背扫描仪,包括:用于获取图像的光源扫描器和用于处理晶背图像的光导体。
优选的,所述的扫描仪,所述光源扫描器和所述光导体通过有线或无线的方式连接。光源扫描器和光导体可以使用各种办法连通,光源扫描器扫描晶圆的晶背或晶边的图像传送给光导体进行图像处理。在光导体没有受光照的状态下进行充电,使其表面带上均匀的电荷,然后通过光学成像原理,使晶背图像呈现在光导体上。晶背的异常点会影响电荷数量在光导体的分布,因此,将光导体上的电荷数量转换为电信号,再将电信号转换为数字信号,最终,晶背的任何异常点通过数字信号而呈现不同的灰阶度,既而呈现出晶背的扫描图像。
参照图1,本发明还提供了一种晶背扫描方法,包括:
S11:所述光源扫描器获取晶背图像传输给所述光导体;
S12:晶背图像转换成电荷数量分布;
S13:电荷数量以不同的灰阶度呈现;
S14:通过呈现的灰阶度是否异常判断晶背图像是否异常。
进一步的,所述晶背扫描方法用于扫描晶圆的晶背和晶边。现有技术中只能扫描晶圆的晶面,虽然晶背和晶边的异常少并且影响小,但是为了提高整个晶圆的良率,本发明提供了晶背的扫描方法,用于在晶面等待扫描的时候来扫描晶圆的晶背和晶边。
进一步的,电荷数量以不同的灰阶度呈现的方法包括:首先,电荷数量转换成成电信号,其次,电信号转换成数字信号;最后,数字信号呈现不同的灰阶度。如果晶背或者晶边上有异常,异常点呈现在光导体上,异常点会影响光导体上的电荷分布,光导体上的电荷不再均匀分布,不均匀分布的电荷转换成电信号,电信号再转换成数字信号,数字信号以不同的灰阶度表现出来,通过灰阶度就能查到异常点。
进一步的,所述光源扫描器扫描之前,所述光导体进行充电。光导体是利用光导体上电荷来将图像以灰阶度的形式显示出来,所以在获取图像之前需要先充电,使光导体带上电荷。
进一步的,通过呈现的灰阶度是否异常判断晶背图像是否异常之后,查找灰阶图像异常点,即为晶背异常点。异常点会以灰阶度显示出来,特点方便查找异常点。
进一步的,所述晶背异常包括:刮伤。晶背原本是平滑的,如果有刮伤或划伤也可能对晶圆的良率产生影响。
本发明还提供了一种晶圆扫描方法,包括:包括晶面扫描方法和晶背扫描方法。相对于现有技术,本发明实施例增加了晶背扫描方法,在晶圆的晶面等待扫描的时候扫描晶背和晶边,可以查找晶背和晶边的异常,增加晶圆的良率。
进一步的,扫描第一片晶圆的晶面,第三片晶圆等待;同时,扫描第二片晶圆的晶背和晶边。现有技术中,只用扫描晶圆的晶面,扫描上一片晶圆的晶面时,下一片晶圆需要等上一片晶圆的晶面扫描完成后才能扫描,而本发明实施例增加了晶背扫描,晶背扫描是在下一片晶圆等待的时候进行扫描,即和上一片晶圆的晶面扫描同时进行,并没有花费更多的时间。
综上,在本发明实施例提供的晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法中,增加了晶背扫描方法,在晶圆的晶面等待扫描的时候对晶圆的晶背和晶边进行扫描,在不增加工艺时间的同时,提高了晶圆的良率。
上述仅为本发明的优选实施例而已,并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员,在不脱离本发明的技术方案的范围内,对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动,均属未脱离本发明的技术方案的内容,仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种晶背扫描方法,其特征在于,包括:在光导体没有受光照的状态下进行充电,使其表面带上均匀的电荷;光源扫描器获取晶背图像传输给所述光导体;晶背图像转换成电荷数量分布;电荷数量以不同的灰阶度呈现;通过呈现的灰阶度是否异常判断晶背图像是否异常;电荷数量以不同的灰阶度呈现的方法包括:首先,电荷数量转换成电信号,其次,电信号转换成数字信号;最后,数字信号呈现不同的灰阶度。
2.如权利要求1所述的晶背扫描方法,其特征在于,所述晶背扫描方法用于扫描晶圆的晶背和晶边。
3.如权利要求1所述的晶背扫描方法,其特征在于,所述光源扫描器扫描之前,所述光导体进行充电。
4.如权利要求1所述的晶背扫描方法,其特征在于,通过呈现的灰阶度是否异常判断晶背图像是否异常之后,查找灰阶图像异常点,即为晶背异常点。
5.如权利要求4所述的晶背扫描方法,其特征在于,所述晶背异常包括:刮伤。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102881383A (zh) * 2012-09-19 2013-01-16 江西联创电子有限公司 一种透明导电薄膜制作方法
CN108346592A (zh) * 2018-01-17 2018-07-31 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种模拟晶圆背面缺陷的方法及装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3745564B2 (ja) * 1999-07-08 2006-02-15 三菱電機株式会社 欠陥検査方法および欠陥検査装置
TW200629454A (en) * 2005-02-14 2006-08-16 Powerchip Semiconductor Corp Method of detecting piping defect
CN102435616B (zh) * 2011-09-08 2014-02-05 上海华力微电子有限公司 一种新型晶边检测仪稳定性的监控方法
CN103645211B (zh) * 2013-11-29 2015-09-09 上海华力微电子有限公司 监控电子束缺陷扫描仪灵敏度的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102881383A (zh) * 2012-09-19 2013-01-16 江西联创电子有限公司 一种透明导电薄膜制作方法
CN108346592A (zh) * 2018-01-17 2018-07-31 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种模拟晶圆背面缺陷的方法及装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
晶圆表面缺陷模式的在线探测与自适应识别研究;吴斌等;《计算机工程与应用》;20160901(第17期);全文 *

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