CN110798979A - 一种功率放大器电路板的制作方法及其结构 - Google Patents
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Abstract
一种功率放大器电路板的制作方法,包括以下步骤:S1:铜块加工;S2:制作高TG芯板组;S3:高TG芯板组处理;S4:制作高频芯板组;S5:制作功率放大器电路板。本发明整体方法容易实施和控制,降低了功率放大器电路板制作难度,同时提高了生产效率和产品品质;电路板埋入铜块,增强了电路板的散热功能;本发明提供的一种功率放大器电路板的结构,满足5G技术对电路板高传输速度,在微波频段保证覆盖效率的要求。
Description
技术领域
本发明涉及PCB板领域,具体的说,尤其涉及一种功率放大器电路板的制作方法及其结构。
背景技术
5G网络将会给人们带来浸入式的网络体验,浸入式网络体验是指无论在室内室外,还是在人流密集的场所或者高速运动的交通工具上,满足低延时与高可靠需求的5G网络可以带来更可靠更高速的网络应用。此外,5G还可以满足物流网的需求,从而实现更多新应用。功率放大器作为5G研发的关键部分,由于网络冗余量的缩减,为了在微波频段保证覆盖的效率,对于功率放大器的要求也会进一步提高,因此对功率放大器主板要求比较多,PCB制作难度较高,效率较低,如何设计功率放大器的电路板制作的合理流程,来提高制作效率及良品率是企业亟待解决的问题。
发明内容
为了克服现有应用在5G技术中的功率放大器电路板制作难度高、效率较低,良品率低等技术问题,本发明提供了一种功率放大器电路板的制作方法及其结构。
一种功率放大器电路板的制作方法,包括以下步骤:
S1:铜块加工,将要埋入电路板的铜块依次进行开料、钻孔、成型、控深铣形成铜块凹槽、棕化和烤板的工序;
S2:制作高TG芯板组,将至少两块高TG芯板依次进行开料、钻孔、开槽、制造内层线路和棕化,然后将所有的高TG芯板预叠,将步骤S1的铜块放入开槽内,与设在每两块TG芯板之间的PP板一起进行压合,形成高TG芯板组;
S3:高TG芯板组处理,将高TG芯板组依次进行打靶、减铜、研磨、电镀、贴胶带将铜块上槽封住、制作外层线路、撕胶带和外层AOI的工序;
S4:制作高频芯板组,将至少两块芯板分别依次进行开料、钻孔、制作内层线路和棕化,然后所有高频芯板,与设在每两块高频芯板之间的PP板一起进行压合,形成高频芯板组,其中PP板相对应铜块的位置要开槽;
S5:制作功率放大器电路板,将步骤S3的高TG芯板组、步骤S4的高频芯板组进行棕化后,以及设在它们之间的PP板进行预叠,铜块凹槽内塞入PTFE垫片,再进行压合,压合后依次进行打靶、钻孔、控深钻、一次控深铣、揭盖、板电、制作外层线路、图电、背钻、二次控深铣、外层蚀刻、外层AOI、防焊、文字、化金、成型、测试、FQC、化金清洗,制作得到功率放大器电路板进行包装。
优选的,所述的步骤S1的铜块通过五金铣床进行加工;钻孔孔径比最后成品的孔径小0.3-0.5mm;烤板的温度为130~170℃,时间为20~40min。
优选的,所述的步骤S2中高TG芯板开槽形成槽的尺寸比铜块加工后的各个边大0.075-0.2mm;所述的步骤S2中高TG芯板均为双面覆铜板,制作内层线路时蚀刻掉位于压合后中间位置的铜面。
优选的,所述的步骤S3中减铜将高TG芯板组的两面铜厚减薄至0.5OZ,露出铜块周围树脂胶,通过陶瓷刷将铜块及周围树脂胶研磨至与板面平整;所述的步骤S3中电镀采用沉铜和板电方式进行电镀;所述的步骤S3中制作外层线路,其中位于压合后最下层的高TG芯板不制作外层线路。
优选的,所述的步骤S4中PP板开槽形成槽的尺寸比铜块加工后的各个边大0.1-0.2mm;所述的步骤S4中制作内层线路,其中位于压合后最上层的高频芯板不制作内层线路。
优选的,所述的步骤S5中PTFE垫片高度比铜块凹槽高0.05-0.10mm,尺寸分别比铜块凹槽的各边小0.05mm;所述的步骤S5中控深钻指钻盲孔,盲孔为高频芯板组到铜块之间的盲孔;所述的步骤S5中一次控深铣将铜块凹槽上方的板材铣掉;所述的揭盖将PTFE垫片掏出来,露出铜块凹槽;所述的二次控深铣将铜块凹槽对应高频芯板组之间的孔铜铣断,形成断开状态。
优选的,所述的PP板在压合前需要依次进行开料、钻孔、开槽、清洁掉PP粉的工序,所述的PTFE板在压合前进行开料和成型的工序。
优选的,一种功率放大器电路板的结构,包括设在上方的高频芯板组和设在下方的高TG芯板组,高频芯板组和高TG芯板组分别包括至少两块的高频芯板和至少两块的高TG芯板组成,高TG芯板组中嵌入铜块,所述的铜块上设置有铜块凹槽,所述的铜块凹槽裸露在外,电路板设有通孔、盲孔和背钻孔,所述的盲孔与铜块导通。
优选的,所述的高频芯板之间,高频芯板和高TG芯板之间、高TG芯板之间设有PP板。
本发明提供了一种功率放大器电路板的制作方法,整体方法容易实施和控制,降低了功率放大器电路板制作难度,同时提高了生产效率和产品品质;电路板埋入铜块,增强了电路板的散热功能;本发明提供的一种功率放大器电路板的结构,满足5G技术对电路板高传输速度,在微波频段保证覆盖效率的要求。
附图说明
图1为本发明的功率放大器电路板的剖面示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进一步进行说明。
一种功率放大器电路板的制作方法,包括以下步骤:
S1:铜块加工,将要埋入电路板的铜块依次进行开料、钻孔、成型、控深铣、棕化和烤板的工序,铜块通过五金铣床进行加工,钻孔孔径比最后成品的孔径小0.3-0.5mm,铜板一般为1.6mm或2.0mm厚的紫铜块,普通PCB板直接钻通孔可能有断钻头现象,且对钻机主轴寿命影响较大,因此在加工铜块时采用五金加工方式先钻一个比成品孔径小0.3-0.5mm的孔,后续电路板上钻通孔时再正常钻此孔,可起到卸力作用,避免断钻头及损伤钻机主轴;控深铣形成铜块凹槽,铜块凹槽采用五金铣床方式加工形成,避免电路板成型机铣槽时产生铜批锋及高低不平现象;棕化和烤板可使用专用冶具,通过将铜块放入烤箱进行烘烤,烤板的温度为150℃,时间为30min。
S2:制作高TG芯板组,将两块高TG芯板L3、L4依次进行开料、钻孔,钻孔只钻电路板的工具孔,例如CCD对位孔、铆钉孔;开槽,对要嵌入铜块位置进行开槽,开槽形成槽的尺寸比铜块加工后的各个边大0.075-0.2mm,确保能够将铜块放入槽内,优选0.10mm;制造内层线路,高TG芯板均为双面覆铜板,高TG芯板L3将下表面铜蚀刻掉,仅保留芯板板边靶标图形,高TG芯板L4将上表面铜蚀刻掉,仅保留芯板板边靶标图形;最后进行棕化工序。L3和L4之间设有PP板,依次将高TG芯板L3、PP板、高TG芯板L4进行预叠,将步骤S1加工后的铜块放入开槽内,上下两边放特殊缓冲材料进行压合,形成高TG芯板组,其中,PP板在压合前需要依次进行开料、钻孔、开槽、清洁掉PP粉等工序;
S3:高TG芯板组处理,将高TG芯板组依次进行打靶、减铜、研磨、电镀、贴胶带将铜块凹槽封住,避免制作外层线路时干膜破裂,制作外层线路、撕胶带和外层AOI的工序;减铜将高TG芯板组的两面铜厚减薄至0.5OZ,露出铜块周围树脂胶,通过陶瓷刷将铜块及周围树脂胶研磨至与板面平整;电镀采用沉铜和板电方式进行电镀,时铜块与上层TG芯板的覆铜面处在同一水平线,相连完整无缝隙;制作外层线路,其中位于压合后最下层的高TG芯板不制作外层线路。
S4:制作高频芯板组,将两块高频芯板L1、L2分别依次进行开料、钻孔,钻孔只钻高频芯板板边的工具孔,预放系数需根据L3-L4层压合后的涨缩系数制作,接下来制作内层线路和棕化,在高频芯板L1、高频芯板L2之间设有PP板,PP板在压合前需要依次进行开料、钻孔、开槽、清洁掉PP粉等工序,PP板开槽的尺寸比铜块加工后的各个边大0.1-0.2mm,优选0.1mm;制作内层线路时,高频芯板L1不制作内层线路。
S5:制作功率放大器电路板,将步骤S3的高TG芯板组、步骤S4的高频芯板组进行棕化后,依次将高频芯板L1、高频芯板L2、高TG芯板L3、高TG芯板L4以及设每两块芯板之间的PP板进行预叠,铜块凹槽内塞入PTFE垫片,两边增加缓冲材料再进行压合,以避免混压导致芯板弯曲情况,其中PTFE垫片高度比铜块凹槽高0.05-0.10mm,优选0.1mm,PTFE垫片尺寸分别比铜块凹槽的各边小0.05mm,确保PTFE垫片能够放入铜块凹槽内,压合后依次进行打靶、钻孔、控深钻、一次控深铣、揭盖、板电、制作外层线路、图电、背钻、二次控深铣、外层蚀刻、外层AOI、防焊、文字、化金、成型、测试、FQC、化金清洗,制作得到功率放大器电路板进行包装。其中,控深钻指钻盲孔,盲孔为高频芯板组到铜块之间的盲孔,露出铜块;一次控深铣将铜块凹槽上方的板材铣掉;揭盖将PTFE垫片掏出来,露出铜块凹槽;背钻将通孔位于高频芯板背面多余的stub钻掉,减少信号损耗,二次控深铣将铜块凹槽对应高频芯板L1、高频芯板L2之间的孔铜铣断。其中,PTFE板在压合前进行开料和成型的工序。
一种功率放大器电路板的结构,包括设在上方的高频芯板组1和设在下方的高TG芯板组2,高频芯板组1和高TG芯板组2分别包括至少两块的高频芯板和至少两块的高TG芯板组成,高TG芯板组2中嵌入铜块3,所述的铜块3上设置有铜块凹槽31,所述的铜块凹槽裸露在外,电路板设有通孔4、盲孔5和背钻孔6,至少一个盲孔5与铜块3导通,增加了散热性能。在高频芯板之间,高频芯板和高TG芯板之间、高TG芯板之间设有PP板7。本功率放大器电路板设有埋铜块、盲孔、背钻孔、以及混压、控深铣等工艺,满足5G技术对信号高速传输、低延时的要求。
上述实施例仅为本发明的其中具体实现方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些显而易见的替换形式均属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种功率放大器电路板的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1:铜块加工,将要埋入电路板的铜块依次进行开料、钻孔、成型、控深铣形成铜块凹槽、棕化和烤板的工序;
S2:制作高TG芯板组,将至少两块高TG芯板依次进行开料、钻孔、开槽、制造内层线路和棕化,然后将所有的高TG芯板预叠,将步骤S1的铜块放入开槽内,与设在每两块TG芯板之间的PP板一起进行压合,形成高TG芯板组;
S3:高TG芯板组处理,将高TG芯板组依次进行打靶、减铜、研磨、电镀、贴胶带将铜块上槽封住、制作外层线路、撕胶带和外层AOI的工序;
S4:制作高频芯板组,将至少两块芯板分别依次进行开料、钻孔、制作内层线路和棕化,然后所有高频芯板,与设在每两块高频芯板之间的PP板一起进行压合,形成高频芯板组,其中PP板相对应铜块的位置要开槽;
S5:制作功率放大器电路板,将步骤S3的高TG芯板组、步骤S4的高频芯板组进行棕化后,以及设在它们之间的PP板进行预叠,铜块凹槽内塞入PTFE垫片,再进行压合,压合后依次进行打靶、钻孔、控深钻、一次控深铣、揭盖、板电、制作外层线路、图电、背钻、二次控深铣、外层蚀刻、外层AOI、防焊、文字、化金、成型、测试、FQC、化金清洗,制作得到功率放大器电路板进行包装。
2.根据权利要求1所述的一种功率放大器电路板的制作方法,其特征在于:所述的步骤S1的铜块通过五金铣床进行加工;钻孔孔径比最后成品的孔径小0.3-0.5mm;烤板的温度为130~170℃,时间为20~40min。
3.根据权利要求1所述的一种功率放大器电路板的制作方法,其特征在于:所述的步骤S2中高TG芯板开槽形成槽的尺寸比铜块加工后的各个边大0.075-0.2mm;所述的步骤S2中高TG芯板均为双面覆铜板,制作内层线路时蚀刻掉位于压合后中间位置的铜面。
4.根据权利要求1所述的一种功率放大器电路板的制作方法,其特征在于:所述的步骤S3中减铜将高TG芯板组的两面铜厚减薄至0.5OZ,露出铜块周围树脂胶,通过陶瓷刷将铜块及周围树脂胶研磨至与板面平整;所述的步骤S3中电镀采用沉铜和板电方式进行电镀;所述的步骤S3中制作外层线路,其中位于压合后最下层的高TG芯板不制作外层线路。
5.根据权利要求1所述的一种功率放大器电路板的制作方法,其特征在于:所述的步骤S4中PP板开槽形成槽的尺寸比铜块加工后的各个边大0.1-0.2mm;所述的步骤S4中制作内层线路,其中位于压合后最上层的高频芯板不制作内层线路。
6.根据权利要求1所述的一种功率放大器电路板的制作方法,其特征在于:所述的步骤S5中PTFE垫片高度比铜块凹槽高0.05-0.10mm,尺寸分别比铜块凹槽的各边小0.05mm;所述的步骤S5中控深钻指钻盲孔,盲孔为高频芯板组到铜块之间的盲孔;所述的步骤S5中一次控深铣将铜块凹槽上方的板材铣掉;所述的揭盖将PTFE垫片掏出来,露出铜块凹槽;所述的二次控深铣将铜块凹槽对应高频芯板组之间的孔铜铣断,形成断开状态。
7.根据权利要求1所述的一种功率放大器电路板的制作方法,其特征在于:所述的PP板在压合前需要依次进行开料、钻孔、开槽、清洁掉PP粉的工序,所述的PTFE板在压合前进行开料和成型的工序。
8.一种功率放大器电路板的结构,其特征在于:包括设在上方的高频芯板组(1)和设在下方的高TG芯板组(2),高频芯板组(1)和高TG芯板组(2)分别包括至少两块的高频芯板和至少两块的高TG芯板组成,高TG芯板组(2)中嵌入铜块(3),所述的铜块(3)上设置有铜块凹槽(31),所述的铜块凹槽裸露在外,电路板设有通孔(4)、盲孔(5)和背钻孔(6),所述的至少一个盲孔(5)与铜块(3)导通。
9.根据权利要求8所述的一种功率放大器电路板的结构,其特征在于:所述的高频芯板之间,高频芯板和高TG芯板之间、高TG芯板之间设有PP板(7)。
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