CN110797436A - 一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法，包括在完成绒面工序之后、PN结制作工序之前，在对应于正电极所在的位置对硅片表面的绒面结构进行抛光平滑处理。在太阳能制作过程中，通过增加本发明中的制作工序能够使得最终所制作的正电极与硅片的表面充分接触，从而提高正电极的拉力，保证其与焊带连接的可靠性。
Description
技术领域
本发明属于太阳能制造领域，具体涉及一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法。
背景技术
现有技术中位于太阳能表面的正电极抗拉力强度直接影响着后期电池片的焊接，如果拉力值过低将会电极和焊带之间不能紧密的连接在一起，形成虚焊。因此提升正电极拉力对于提升电池片可靠性具有重要的意义。
发明内容
针对上述问题，本发明提出一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法。
实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：
一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法，其特征在于：包括在完成绒面工序之后、PN结制作工序之前，在对应于正电极所在的位置对硅片表面的绒面结构进行抛光平滑处理。
作为本发明的进一步改进，包括以下步骤：
（1）在硅片的表面覆盖掩膜，所述掩膜上的非保护区域对应于后期工艺所制作的正电极所在的位置；
（2）采用抛光剂对硅片的表面进行抛光刻蚀处理；
（3）去除掩膜并水洗、烘干。
作为本发明的进一步改进，所述的掩膜覆盖在硅片的正面。
作为本发明的进一步改进，所述掩膜图案的设计与后期电极制作工序中的印刷图形相一致。
作为本发明的进一步改进，所述的掩膜采用石蜡材质制作。
作为本发明的进一步改进，步骤（3）中采用浓度为10%-30%wt的硝酸、在100-140℃的温度下清洗表面的石蜡掩膜层，清洗的时间为10s-120s。
作为本发明的进一步改进，所述的抛光机为浓度为5%-20%wt的氢氧化钾溶液，步骤（2）中所述的抛光剂对所述硅片进行处理的温度为40℃-70℃，时间60s-600s。
本发明的有益效果：在太阳能制作过程中，通过增加本发明中的制作工序能够使得最终所制作的正电极与硅片的表面充分接触，从而提高正电极的拉力，保证其与焊带连接的可靠性。
附图说明
图1为本发明工艺流程图；
图2为本发明所制作的太阳能电池的结构示意图；
图3为本发明对应于所制作的太阳能电池所需掩膜的结构示意图；
图4对本发明所制作的电池正电极拉力的测试结果；
其中：1-硅片，2-正电极，3-掩膜，301-保护区域，302-非保护区域。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面结合附图对本发明的应用原理作详细的描述。
本发明为了提高正电极的拉力强度，所采用的主要方法的思路为，在完成绒面工序之后、PN结制作工序之前，在对应于正电极2所在的位置对硅片1表面的绒面结构进行抛光平滑处理。即将制绒后的硅片1表面所存在的孔洞状绒面或金字塔状绒面刻蚀为光滑平整的镜面结构，防止制作电极过程中，银浆无法充分与电极表面接触。
如图1所示，本发明的工序具体包括以下步骤：
（1）将在完成制绒工艺的硅片1表面用石蜡制作掩膜3保护层，所述掩膜3的图形如图3所示，包括保护区域301和非保护区域302，所述的非保护区域302对应于后期工艺所制作的正电极2所在的位置。
（2）采用抛光剂对硅片1的表面进行抛光刻蚀处理。在本发明的一种实施例中所述的抛光机采用的是浓度为5%-20%wt的氢氧化钾溶液，步骤（2）中所述的抛光剂对所述硅片1进行处理的温度为40℃-70℃，时间60s-600s。
（3）包括先采用浓度为10%-30%wt的硝酸、在100-140℃的温度下去除硅片1表面的石蜡掩膜3层，在本发明的实施例中清洗的时间控制在10s-120s。之后将硅片1放入清水中进行水洗，水洗完毕进行热风烘干，烘干温度50℃-80℃，时间5s-30s。
由于正电极制作在电极的正面，因此只需在硅片1的正面覆盖掩膜3。
在制作过程中需注意所述掩膜3图案的设计与后期电极制作工序中的印刷图形需相一致，保证后期所制作的正电极2制作在经抛光处理的硅片1的表面。
如图4所示，经采用本发明的工序所制作的最终的太阳能电池片的拉力值稳定在3N/mm-5N/mm，远高于现有工艺所能够达到的1.5N/mm-2.5N/mm。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法，其特征在于：包括在完成绒面工序之后、PN结制作工序之前，在对应于正电极所在的位置对硅片表面的绒面结构进行抛光平滑处理。
2.根据权利要求1所述的一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在硅片的表面覆盖掩膜，所述掩膜上的非保护区域对应于后期工艺所制作的正电极所在的位置；
（2）采用抛光剂对硅片的表面进行抛光刻蚀处理；
（3）去除掩膜并水洗、烘干。
3.根据权利要求2所述的一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法，其特征在于：所述的掩膜覆盖在硅片的正面。
4.根据权利要求2所述的一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法，其特征在于：所述掩膜图案的设计与后期电极制作工序中的印刷图形相一致。
5.根据权利要求2所述的一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法，其特征在于：所述的掩膜采用石蜡材质制作。
6.根据权利要求5所述的一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法，其特征在于：步骤（3）中采用浓度为10%-30%wt的硝酸、在100-140℃的温度下清洗表面的石蜡掩膜层，清洗的时间为10s-120s。
7.根据权利要求2所述的一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法，其特征在于：所述的抛光剂为浓度为5%-20%wt的氢氧化钾溶液，步骤（2）中所述的抛光剂对所述硅片进行处理的温度为40℃-70℃，时间60s-600s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911042497.2A CN110797436A (zh) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911042497.2A CN110797436A (zh) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110797436A true CN110797436A (zh) | 2020-02-14 |
Family
ID=69441976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911042497.2A Pending CN110797436A (zh) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 一种提高太阳能电池正电极拉力的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110797436A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101145472B1 (ko) * | 2010-11-29 | 2012-05-15 | 현대중공업 주식회사 | 태양전지의 제조방법 |
| CN104659159A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-05-27 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 |
| CN109285897A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-29 | 天合光能股份有限公司 | 一种高效钝化接触晶体硅太阳电池及其制备方法 |
-
2019
- 2019-10-30 CN CN201911042497.2A patent/CN110797436A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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