CN110797347B - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板和显示面板，其中，该阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。本方案可以节省阵列基板的空间，进而有效节省手机屏幕下边框的空间。

Description

阵列基板和显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)是目前广泛应用的手机屏幕。其主要由阵列基板、彩膜基板、液晶、偏光片、背光等部分组成。其中，银胶是导通彩膜基板背面导电层和阵列基板接地走线的材料，用来导走彩膜基板侧的电荷，在阵列基板侧用来与银胶接触的图案称为银胶点。
随着全面屏技术的发展，人们对手机屏幕尺寸的占比率需求越来越高，因此手机屏幕的下边框的尺寸也越来越小，并且加入了倒角。然而由于阵列基板侧的银胶点需要与彩膜基板侧的银胶保持足够的接触面积，因此银胶点需要保持较大的占用面积，占用手机屏幕的下边框空间较大。
发明内容
本申请实施例提供了一种阵列基板和显示面板，可以节省阵列基板的空间，进而有效节省手机屏幕下边框的空间。
第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述标记组包括后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键，所述透明导电图案层覆盖所述后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键中的至少一个。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述透明导电图案层与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第三预定值，或覆盖所述屏幕标识的至少一部分。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述透明导电图案层的形状为倒梯形。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括衬底层和依次形成于所述衬底层上的薄膜晶体管层、平坦化层、第一氧化铟锡层、钝化层和第二氧化铟锡层。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的半导体层、第一绝缘层、介电层和源漏极层；
所述衬底层包括依次层叠设置的衬底、遮光层和缓冲层。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述源漏极层包括第一分层、第二分层和第三分层，所述源漏极层上具有围绕所述第二分层的外侧设置的通槽；
所述钝化层上具有暴露所述第一分层的第一过孔，所述第二氧化铟锡层通过所述第二过孔与所述第一分层电连接；
所述钝化层上具有至少两个暴露所述第二分层且间隔设置的第二过孔，所述第二过孔围绕所述第二分层的内侧设置。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述金属图案层由所述钝化层、所述第二分层、所述通槽和所述第二过孔组成；
所述透明导电图案层为所述第二氧化铟锡层。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述关键尺寸测试键由所述半导体层、所述第一分层、所述第一氧化铟锡层和所述第一过孔组成；
所述后段制程标记由所述第一分层组成；
所述对组标记由所述遮光层组成；
所述整体偏移标记由所述第三分层组成。
在本申请实施例提供的阵列基板中，所述屏幕标识由所述半导体层或所述遮光层组成。
第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，其包括上述的阵列基板。
由上，本申请实施例提供的阵列基板具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。本方案可以节省阵列基板的空间，从而有效节省手机屏幕下边框的空间。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图2是本申请实施例提供的阵列基板的另一结构示意图。
图3是本申请实施例提供的图2或图3在A-A’线处的截面图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种阵列基板和显示面板，以下将分别进行详细说明。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。该阵列基板100上具有标记组1、屏幕标识(Chip ID/Panel ID)2和银胶点3。
其中，该标记组1可以包括后段制程标记(Back-End-Of-Line Mark)101、对组标记(Monitoring Accuracy Mark)102、整体偏移标记(Total Pitch Mark)103和关键尺寸测试键(Pixel Crucial Dimension Test Key)104。需要说明的是，该后段制程标记101可以为后段制程工艺时的对位标记。该对组标记102可以为该阵列基板100与彩膜基板对组成盒时的对组精度标记。该整体偏移标记103可以用于监控该阵列基板100的整体偏移。该关键尺寸测试键104可以用于监控该阵列基板100中的走线以及通孔的关键尺寸。
其中，该屏幕标识2可以用于记录该阵列基板100的编号。需要说明的是，该屏幕标识2与标记组1之间的间隔小于或等于第一预定值。即是，该屏幕标识2不与后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104相接触。
其中，银胶点3可以包括金属图案层301和透明导电图案层302。可以理解的是，该透明导电图案层302覆盖金属图案层301。其中，该金属图案层301与标记组1、屏幕标识2之间的间隔小于或等于第二预定值。即是，该金属图案层301不与屏幕标识2、后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104相接触。
可以理解的是，由于手机屏幕主要由阵列基板、彩膜基板、液晶、偏光片、背光等部分组成。因此，阵列基板中的器件所占用的空间越小，节省的阵列基板的空间越大，节省的手机屏幕下边框空间越大，因此，手机屏幕的下边框尺寸可以约小。
为了保证银胶点3在满足需求面积的前提下，可以有效节省手机屏幕下边框空间。在一些实施例中，可以将该银胶点3的金属图案层301的面积缩小，并根据手机屏幕下边框的倒角轮廓将该透明导电图案层302的形状调整为倒梯形，使得该透明导电图案层302覆盖至少一部分标记组1。即是，该透明导电图案层302覆盖后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104中的至少一个。优选的，该透明导电图案层302覆盖后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104。
在一些实施例中，为了进一步节省手机屏幕下边框空间，如图2所示，该透明导电图案层302与屏幕标识2之间的间隔小于或等于第三预定值，或该透明导电图案层302可以覆盖至少一部分屏幕标识2。优选的，该透明导电图案层302覆盖屏幕标识2。
需要说明的是，由于透明导电图案层302是透明的，并且后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104主要是在点银胶制程之前使用。因此，将透明导电图案层302的形状调整为倒梯形覆盖在后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104之上产生的影响较小，并且可以有效节省阵列基板100的空间，进而节省手机屏幕下边框的空间。
需要说明的是，本申请实施例中的第一预定值、第二预定值、第三预定值均可处于0.1毫米至10毫米的范围内，例如，第一预定值、第二预定值、第三预定值中的任意一者的取值为0.1毫米、0.3毫米、0.5毫米、0.7毫米、0.9毫米、1.1毫米、1.3毫米、1.5毫米、1.7毫米、1.9毫米、2.1毫米、2.3毫米、2.5毫米、2.7毫米、2.9毫米、3毫米、3.5毫米、4毫米、4.5毫米、5毫米、5.5毫米、6毫米、6.5毫米、7毫米、7.5毫米、8毫米、8.5毫米、9毫米、9.5毫米、10毫米。
请参阅图3，该阵列基板100可以包括衬底层10、薄膜晶体管层20、平坦化层30、第一氧化铟锡层40、钝化层50和第二氧化铟锡层60。
其中，该衬底层10可以包括依次层叠设置的衬底11、遮光层12和缓冲层12。
其中，该薄膜晶体管层20可以包括依次层叠设置的半导体层21、第一绝缘层22、介电层23和源漏极层24。
其中，该源漏极层24可以包括第一分层241、第二分层242和第三分层243。在该源漏极层24上具有围绕该源漏极层24的第二分层242的外侧设置的通槽25。
其中，钝化层50上具有暴露源漏极层24的第一分层241的第一过孔51。第二氧化铟锡层60可以通过该第一过孔51与第一分层241电连接。
其中，该钝化层50上具有至少两个围绕源漏极层24的第二分层242且间隔设置的第二过孔52。需要说明的是，至少两个间隔设置的第二过孔52围绕该第二分层242的内侧设置。
需要说明的是，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”、仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
结合参阅图1和图3，在本申请实施例中，该标记组1的后段制程标记101可以由源漏极层24的第一分层241组成；对组标记102可以由遮光层；整体偏移标记103可以由源漏极层24的第三分层243组成；关键尺寸测试键104可以由半导体层21、源漏极层24的第一分层241、第一氧化铟锡层40和第一过孔51组成。
屏幕标识2可以由半导体层21或遮光层12组成。
银胶点3的金属图案层301可以由钝化层50、源漏极层24的第二分层242、通槽25和第二过孔52组成；透明导电图案层302可以由第二氧化铟锡层60组成。
由上，本申请实施例提供的阵列基板100上具有标记组1、屏幕标识2和银胶点3，标记组1与屏幕标识2之间的间隔小于或等于第一预定值，银胶点3包括金属图案层302和透明导电图案层302，金属图案层301与标识组1、屏幕标识2之间的间隔小于或等于第二预定值，透明导电图案层302覆盖金属图案层301和至少一部分标记组1。本方案通过将透明导电图案层302的形状调整为倒梯形，以覆盖在后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104之上可以有效节省阵列基板100的空间，进而节省手机屏幕下边框的空间。
本申请实施例还提供了一种显示面板。需要说明的是，该显示面板可以包括上述实施例中的阵列基板100。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板和显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标记组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组；
所述阵列基板包括衬底层和依次形成于所述衬底层上的薄膜晶体管层、平坦化层、第一氧化铟锡层、钝化层和第二氧化铟锡层；
所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的半导体层、第一绝缘层、介电层和源漏极层；
所述衬底层包括依次层叠设置的衬底、遮光层和缓冲层；
所述源漏极层包括第一分层、第二分层和第三分层，所述源漏极层上具有围绕所述第二分层的外侧设置的通槽；
所述钝化层上具有暴露所述第一分层的第一过孔，所述第二氧化铟锡层通过所述第一过孔与所述第一分层电连接；
所述钝化层上具有至少两个暴露所述第二分层且间隔设置的第二过孔，所述第二过孔位于所述第二分层的上方且围绕所述第二分层的边缘设置。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述标记组包括后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键，所述透明导电图案层覆盖所述后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键中的至少一个。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电图案层与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第三预定值，或覆盖所述屏幕标识的至少一部分。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电图案层的形状为倒梯形。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属图案层由所述钝化层、所述第二分层、所述通槽和所述第二过孔组成；
所述透明导电图案层为所述第二氧化铟锡层。
6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述关键尺寸测试键由所述半导体层、所述第一分层、所述第一氧化铟锡层和所述第一过孔组成；
所述后段制程标记由所述第一分层组成；
所述对组标记由所述遮光层组成；
所述整体偏移标记由所述第三分层组成；
所述屏幕标识由所述半导体层或所述遮光层组成。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1的阵列基板。
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