CN110797268A - 带ntc温度检测的二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于二极管技术领域，具体公开了一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，包括粘片、打线、封装、电镀、切筋、测试，方法简单，成本低；制备的二极管包括封装在一起的芯片、NTC以及DCB衬底，所述DCB衬底由底层Cu板、中层Al2O3层以及顶层Cu板组成，所述顶层Cu板设置有一个T型缺口，所述芯片粘合在顶层Cu板一侧，所述NTC粘合在顶层Cu板另一侧，这种带NTC温度检测的二极管可以更加精确地测试芯片的温度，提高芯片工作寿命。
Description
技术领域
本发明属于二极管技术领域，尤其涉及一种带NTC温度检测的二极管及其制备方法。
背景技术
芯片受温度影响较为明显，因此使芯片在合适的温度下工作至关重要。然而由于芯片过小且封装在二极管内，我们无法通过常规手法直接测得其工作时的温度，需要借助NTC温度检测；NTC(Negative Temperature Coefficient)是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料，可通过测量其电阻来得到环境温度。
现有技术中通过将NTC置于二极管外来测量芯片温度，此操作虽简便易行，但其测得的温度会与芯片实际温度相差较大，无法得到准确的温度数值并采取相关操作，这可能会对芯片工作产生影响甚至对温度较为敏感的芯片产生损害。
发明内容
为了解决测温的准确性以及防止对在测温过程中对温度较为敏感的芯片产生损害的问题，本发明提供了一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，包括以下步骤：
(a)：粘片，将芯片与NTC一同粘合在DCB衬底上；
(b)：打线，将引线粘合在芯片与NTC两端。
(c)：封装，将二极管的内部结构用封装材料封装，使其与外部隔离；
(d)：电镀，使用电镀设备为引线镀上金属；
(e)：切筋，将多余的引线切除，并将剩余引线折弯；
(f)：测试，完成上述步骤，将成品进行测试实验后，即制备完成带NTC温度检测的二极管。
作为上述方案的进一步说明，所述步骤(a)中，粘合方法为锡焊，温度为235℃-255℃，粘合材料为锡基合金与松香。
作为上述方案的进一步说明，DCB衬底的材料由顶层Cu板、中层Al2O3层和底层Cu板依次堆叠而成。
作为上述方案的进一步说明，所述DCB衬底顶层Cu板设置有一个T型缺口。
作为上述方案的进一步说明，引线的粘合方法为锡焊。
作为上述方案的进一步说明，所述引线的材料为铜、铁、铝，或其组合的一种。
作为上述方案的进一步说明，所述步骤(c)中，封装材料为塑料、玻璃、金属、陶瓷种的一种或者其组合的一种。
作为上述方案的进一步说明，所述步骤(d)中，电镀方法为滚镀或者挂镀。
作为上述方案的进一步说明，为引线镀上的金属为铜、锡、镍、铁、银其中的一种。
另外，本发明提供一种带NTC温度检测的二极管，包括封装在一起的芯片、NTC以及DCB衬底，所述DCB衬底由底层Cu板、中层Al2O3层以及顶层Cu板组成，所述顶层Cu板设置有一个T型缺口，所述芯片粘合在顶层Cu板一侧，所述NTC粘合在顶层Cu板另一侧。
本发明的有益效果：
(1)本发明通过将芯片与NTC封装在二极管内，使其与外部隔离，这样通过NTC检测芯片的温度更加准确，并且减少芯片工作时的损耗，提高工作效率。
(2)通过在DCB衬底的顶层Cu板上设置一个T型开口，这样可以防止NTC短路，保证芯片和NTC在有足够近的距离的情况下不会联通，进而保证NTC正常工作。
附图说明
图1为带NTC温度检测的二极管的主视示意图；
图2为带NTC温度检测的二极管的俯视示意图；
1-DCB衬底；101-底层Cu板；102-中层Al2O3层；103-顶层Cu板；
2-芯片；3-NTC。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合说明书附图和具体实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1：
本实施例提供一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，先将芯片与NTC一同粘合在DCB衬底上，然后将引线粘合在芯片与NTC两端，再将二极管的内部结构用封装材料封装，使其与外部隔离，封装完成后使用电镀设备为引线镀上金属，再将多余的引线切除，并将剩余引线折弯，以上步骤完成后将成品进行测试实验，测试合格即制备完成带NTC温度检测的二极管。
本实施方式有益效果：用本方法制作的二极管，由于将芯片与NTC一同封装在二极管内，使其与外部隔离，这样通过NTC检测芯片的温度更加准确，并且可以减少芯片工作时的损耗，提高工作效率。
实施例2：
在实施例1的基础上，本实施例提供了步骤(a)中芯片与NTC粘合在DCB衬底上的粘合方法为锡焊，温度范围选择235℃-255℃，本实施例采用235℃，粘合材料为锡基合金与松香的混合物；采用这种方法粘合可以使芯片、NTC分别粘合在DCB衬底上更加牢固，不易脱落。
实施例3：
在实施例1的基础上，结合图1-2，本实施例中DCB衬底1的材料由顶层Cu板103、中层Al2O3层102和底层Cu板101依次堆叠而成，且顶层Cu板103设置有一个T型缺口，可以防止NTC3短路，保证芯片2和NTC3在有足够近的距离的情况下不会联通，进而保证NTC3正常工作。
实施例4：
在实施例1的基础上，本实施例在步骤(b)中，引线的粘合方法采用锡焊；引线的材料为铜、铁、铝，或其组合的一种本实施例采用铝；步骤(c)中，封装材料为塑料、玻璃、金属、陶瓷种的一种或者其组合的一种，本实施例采用塑料；步骤(d)中，电镀方法为滚镀或者挂镀，本实施例采用滚镀法，为引线镀上的金属为铜、锡、镍、铁、银其中的一种，本实施例采用锡。
制备时，先将芯片与NTC一同粘合在DCB衬底上，将铝制引线锡焊在芯片与NTC两端，然后用塑料将芯片、NTC、DCB衬底一起封装，封装完成后在铝制引线上用滚镀法镀上金属锡，即完成带NTC温度检测的二极管。
实施例5：
本实施例提供一种带NTC3温度检测的二极管，包括芯片2、NTC3以及DCB衬底1，DCB衬底1由底层Cu板101、中层Al2O3层以及顶层Cu板103组成，顶层Cu板103设置有一个T型缺口，芯片2粘合在顶层Cu板103一侧，NTC3粘合在顶层Cu板103另一侧。
本实施例提供的二极管，通过在DCB衬底1的顶层Cu板103上设置一个T型开口，可以防止NTC3短路，保证芯片2和NTC3在有足够近的距离的情况下不会联通，进而保证NTC3正常工作；另外由于本二极管的芯片2与NTC3封装在一起，NTC3与芯片2有足够近的距离，因此NTC3便可以更准确地测量芯片2的温度，以便于我们更及时、更准确地采取相关操作，来保证芯片2的工作效率。
以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式和优选实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此；任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，对前述实施例所记载的技术方案进行的修改或对其中部分技术特征进行的等同替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(a)：粘片，将芯片与NTC一同粘合在DCB衬底上；
(b)：打线，将引线粘合在芯片与NTC两端；
(c)：封装，将二极管的内部结构用封装材料封装，使其与外部隔离；
(d)：电镀，使用电镀设备为引线镀上金属；
(e)：切筋，将多余的引线切除，并将剩余引线折弯；
(f)：测试，完成上述步骤，将成品进行测试实验后，即制备完成带NTC温度检测的二极管。
2.如权利要求1所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(a)中，粘合方法为锡焊，温度为235℃-255℃，粘合材料为锡基合金与松香。
3.如权利要求1所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(a)中，DCB衬底的材料由顶层Cu板、中层Al 2O3层和底层Cu板依次堆叠而成。
4.如权利要求3所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，其特征在于，所述DCB衬底顶层Cu板设置有一个T型缺口。
5.如权利要求1所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(b)中，引线的粘合方法为锡焊。
6.如权利要求5所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，其特征在于，所述引线的材料为铜、铁、铝，或其组合的一种。
7.如权利要求6所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(c)中，封装材料为塑料、玻璃、金属、陶瓷种的一种或者其组合的一种。
8.如权利要求7所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(d)中，电镀方法为滚镀或者挂镀。
9.如权利要求8所述的一种带NTC温度检测的二极管的制备方法，其特征在于，为引线镀上的金属为铜、锡、镍、铁、银其中的一种。
10.一种带NTC温度检测的二极管，其特征在于，包括封装在一起的芯片、NTC以及DCB衬底，所述DCB衬底由底层Cu板、中层Al2O3层以及顶层Cu板组成，所述顶层Cu板设置有一个T型缺口，所述芯片粘合在顶层Cu板一侧，所述NTC粘合在顶层Cu板另一侧。
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