CN110785270A - 抽吸装置 - Google Patents

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Abstract

为了提供待抽吸材料的更稳定抽吸，该抽吸装置设置有：柱状主体(11)；平坦端面(12)，该端面形成在主体(11)上；凹部(13)，该凹部形成在端面(12)中；涡旋流形成装置，该涡旋流形成装置通过将流体排放到凹部(13)中来形成涡旋流，而生成负压并抽吸待抽吸材料；以及线性导槽(16)，该线性导槽沿着排放到凹部(13)中的流体流出凹部(13)的方向形成在端面(12)中。

Description

抽吸装置
技术领域
本发明涉及一种在应用伯努利(Bernoulli)原理下向材料施加抽吸的装置。
背景技术
近来，已经开发用于非接触式输送诸如半导体晶片或玻璃基板的板状构件的装置。例如，专利文献1公开了一种在应用伯努利原理下非接触式输送板状构件的装置。该装置包括向下侧敞开的圆柱形室。将流体供应到室中，以生成具有中心负压的涡旋流，该涡旋流对板状构件施加抽吸。从圆柱形室流出的流体使得装置与板状构件之间维持所设定的距离，从而使得能够由装置非接触式地输送板状构件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开JP 2005-51260 A1号公报
发明内容
本发明要解决的问题
本发明鉴于该技术提出，并且目的在于提供一种抽吸装置，该抽吸装置能够以高度稳定的方式将构件保持在抽吸下。
解决问题的手段
为了解决上述问题，根据本发明的一种抽吸装置包括：圆柱形主体；端面，该端面形成在主体上；凹部，该凹部形成在端面中；流体流形成装置，该流体流形成装置用于通过将流体排放到凹部中形成放射流或在凹部中形成流体涡旋流，流体涡旋流或放射流生成向构件施加抽吸的负压；以及线性导槽，该导槽沿着排放到凹部中的流体流出凹部的方向形成在端面上。
流体流形成装置可以是供流体排放到凹部中以形成流体涡旋流的流体通道，并且当朝向端面观察时，导槽可以沿着相对于流体通道延伸方向形成大约45度角的方向形成在端面上。
流体流形成装置可以是供流体排放到凹部中以形成放射流的流体通道，并且当朝向端面观察时，导槽可以沿着与流体通道延伸方向大致平行的方向形成在端面上。
导槽可以形成为使得导槽的截面积与距凹部的距离成比例地增加。
导槽可以形成为使得导槽的截面积与距凹部的距离成比例地减小。
抽吸装置还可以包括设置在端面上的移动限制装置，该移动限制装置用于限制沿着由负压向其施加抽吸的构件的端面的移动。
移动限制装置可以是喇叭状突起，该喇叭状突起通过穿刺构件来限制构件的移动。
根据本发明的另一种抽吸装置包括：柱状主体；端面，该端面形成在主体上；凹部，该凹部形成在端面中；流体流形成装置，该流体流形成装置用于通过将流体排放到凹部中形成放射流或在凹部中形成流体涡旋流，流体涡旋流或放射流生成向构件施加抽吸的负压；以及线性导槽，该导槽沿着排放到凹部中的流体流出凹部的方向形成在端面上，当朝向端面观察时，导槽具有比凹部的开口边缘的弧小的曲率。
根据本发明的另一种抽吸装置包括：柱状主体；凹部，该凹部形成在主体的表面中；流体流形成装置，该流体流形成装置用于通过将流体排放到凹部中形成放射流或在凹部中形成流体涡旋流，流体涡旋流或放射流生成向构件施加抽吸的负压；环形壁，该环形壁被设置为包围凹部，防止构件进入凹部；以及线性导槽，该导槽沿着排放到凹部中的流体流出凹部的方向形成在环形壁的内壁面上。
根据本发明的另一种抽吸装置包括：柱状主体；凹部，该凹部形成在主体的表面中；流体流形成装置，该流体流形成装置用于通过将流体排放到凹部中形成放射流或在凹部中形成流体涡旋流，流体涡旋流或放射流生成向构件施加抽吸的负压；环形壁，该环形壁被设置为包围凹部，防止构件进入凹部；以及线性导槽，该导槽沿着排放到凹部中的流体流出凹部的方向形成在环形壁的内壁面上，当朝向凹部的开口边缘观察时，导槽具有比凹部的开口边缘的弧小的曲率。
本发明的效果
与不包括导槽的抽吸装置相比，根据本发明的抽吸装置能够将构件更稳定地保持在抽吸下。
附图说明
图1是涡旋流形成体1的示例的立体图。
图2是涡旋流形成体1的示例的底视图。
图3是沿着图2所示的线A-A的涡旋流形成体1的截面图。
图4是沿着图3所示的线B-B的涡旋流形成体1的截面图。
图5是示出了导槽16的布置的示例的图。
图6是涡旋流形成体2的示例的立体图。
图7是涡旋流形成体2的示例的底视图。
图8是示出了导槽22的示例布置的图。
图9是放射流形成体3的示例的立体图。
图10是放射流形成体3的示例的底视图。
图11是沿着图10所示的线C-C的放射流形成体3的截面图。
图12是示出了导槽36的示例布置的图。
图13是放射流形成体4的示例的立体图。
图14是放射流形成体4的示例的底视图。
图15是示出了导槽43的示例布置的图。
图16是导槽16的修改的立体图。
图17是导槽16的修改的底视图。
图18是导槽16的修改的立体图。
图19是导槽16的修改的底视图。
图20是导槽16的修改的立体图。
图21是导槽16的修改的底视图。
图22是导槽36的修改的立体图。
图23是导槽36的修改的底视图。
图24是导槽36的修改的立体图。
图25是导槽36的修改的底视图。
图26是导槽36的修改的立体图。
图27是导槽36的修改的底视图。
图28是导槽的修改的侧视图。
图29是涡旋流形成体1A的示例的立体图。
图30是涡旋流形成体1A的示例的底视图。
图31是涡旋流形成体1B的示例的侧视图。
图32是涡旋流形成体1C的示例的侧视图。
具体实施方式
以下参照附图描述本发明的实施方式。
1.第一实施方式
图1示出了涡旋流形成体1的示例的立体图，该涡旋流形成体是根据本发明的“抽吸装置”的示例。图2示出了涡旋流形成体1的示例的底视图。图3示出了沿着图2所示的线A-A的涡旋流形成体1的截面图。图4示出了沿着图3所示的线B-B的涡旋流形成体1的截面图。这些附图所示的涡旋流形成体1是用于形成涡旋流的装置，该涡旋流的形成使得在应用伯努利原理下向构件施加抽吸。由涡旋流形成体1向其施加抽吸的构件可以是例如诸如炸丸子或日式油炸菜肴的食品。涡旋流形成体1例如可以附接到机械臂的端部。
涡旋流形成体1包括主体11、端面12、凹部13、两个喷出口14、倾斜面15以及八个导槽16。主体11由铝合金制成且形状为圆柱形。端面12以平坦的形状形成在主体11的要面向待输送构件的表面上。以下，主体11的该表面被简称为“底面”。凹部13是柱状有底孔，并且形成在端面12上。凹部13形成在与主体11相同的轴线上。两个喷出口14形成在主体11的面向凹部13的内周侧面111上。喷出口14被设置为相对于内周侧面111的轴向上的中心更靠近端面12。喷出口14以彼此相对的关系设置。具体地，喷出口14被设置为关于主体11或凹部13的中心轴线的轴向中心点对称。喷出口14允许被供应到涡旋流形成体1的流体排放到凹部13中。排放到凹部13中的流体例如可以是诸如压缩空气的气体或诸如纯水或碳酸水的液体。倾斜面15形成在主体11的开口端处。
八个导槽16沿着排放到凹部13中的流体从凹部13流出的方向形成为从端面12的内周缘到外周缘的直线。具体地，流体从凹部13流出的方向是指通过将从喷出口14排出并从凹部13流出的流体分子的向量组合而得到的向量的方向。更具体地，在朝向端面12观察时，导槽16沿着相对于一切线成大约36度角的方向形成，该切线穿过导槽16与凹部13的开口边缘之间的接触点。例如，在图5所示的示例性底部上，导槽16A的方向相对于切线L1成36度角，该切线L1穿过导槽16A与凹部13的开口边缘之间的接触点P1。在八个导槽16当中，当朝向端面12观察时，两个导槽16的方向相对于供应路径20(稍后描述)延伸的方向形成大约45度角。其他六个导槽16被形成为使得相邻的导槽16在形成大约45度角的方向上延伸。例如，在图5所示的示例性底部上，导槽16B的方向(箭头A2)相对于供应路径20A延伸的方向(箭头A1)形成45度角。导槽16C的方向(箭头A4)相对于供应路径20B延伸的方向(箭头A3)形成45度角。每个导槽16均具有半圆形横截面形状。
如前所述构造的导槽16在远离凹部13的方向上对齐并引导从凹部13的开口流出的大部分流体分子。在输送构件的情况下由导槽16引导的流体分子的碰撞率低于沿着端面12流动的流体分子的碰撞率。
涡旋流形成体1还包括供应口17、环形通道18、连通通道19以及两个供应路径20，这是根据本发明的“流体流形成装置”的示例。供应口17具有盘形状，并且设置在主体11的顶面(即，与底面相对的表面)的中心中。供应口17例如经由管连接到(未例示的)流体供应泵。流体经由供应口17供应到主体11中。环形通道18具有圆柱形状，并且形成在主体11的内部，以便包围凹部13。环形通道18形成在与凹部13相同的轴线上。环形通道18向供应路径20供应从连通通道19供应的流体。连通通道19设置在主体11内部，并且以直线沿主体11的底面或顶面的径向方向延伸。连通通道19的两端与环形通道18连通。连通通道19向环形通道18供应经由供应口17供应到主体11中的流体。两个供应路径20被形成为大致平行于端面12，并且沿与凹部13的外周正切的方向延伸，并且彼此平行。每个供应路径20在一端处与环形通道18连通，并且在其另一端处与喷出口14连通。每个供应路径20在凹部13内形成流体涡旋流。
下面描述涡旋流形成体1的抽吸操作。在经由供应口17从流体供应泵向涡旋流形成体1供应流体时，流体穿过连通通道19、环形通道18以及供应路径20中的每一个，以便从喷出口14排放到凹部13中。在排放流体时，在凹部13内产生涡旋流，流体随后从凹部13的开口流出。如果待输送构件存在于与凹部13的开口相对的位置中，则限制外部流体流入到凹部13，并且在涡旋流中心中的每单位体积的流体分子的密度在涡旋流的离心力和夹带效应的作用下减小；换言之，在凹部13内生成负压。因此，使得包围涡旋流形成体1的流体流入凹部13中，使得由周围的流体向构件施加压力，以被拉向涡旋流形成体1。另一方面，从凹部13的开口流出的大部分流体分子被对齐并由导槽16从涡旋流形成体1排出。
根据涡旋流形成体1，从凹部13流出的大多数流体分子被导槽16对齐并排出，使得防止流体分子与构件碰撞。因此，控制构件的拍打和旋转，并且减少由流体分子与构件之间的碰撞引起的噪声。涡旋流形成体1与传统的抽吸装置相比具有更少的零件，在传统的抽吸装置中，插入在涡旋流形成体与挡板之间的间隔物形成流出流体的流路(例如，参考所公布的未审查专利申请No.2016-159405)，使得可以以较低的成本制造涡旋流形成体1。清洁涡旋流形成体1的流路比清洁通过挡板覆盖流路的传统抽吸装置的流路更容易。
根据涡旋流形成体1，由涡旋流形成体1施加抽吸的所有流体都从涡旋流形成体1排出，并且不进入凹部13或喷出口14，借此，防止流体的供应路径被构件污染。
2.第二实施方式
作为根据本发明的“抽吸装置”的示例的根据第二实施方式的涡旋流形成体2与根据第一实施方式的涡旋流形成体1的不同在于：涡旋流形成体2包括其上形成有八个导槽22的环形壁21，代替端面12和倾斜面15。下面，描述该不同。
图6示出了涡旋流形成体2的示例的立体图。图7示出了涡旋流形成体2的示例的底视图。这些附图所示的环形壁21具有梯形横截面形状。环形壁21被形成为使得：一个端面的外径等于主体11的直径，并且一个端面的内径等于凹部13的直径；另一端面的外径小于一个端面的外径，并且另一端面的内径大于一个端面的内径。换句话说，环形壁21被形成为使得环形壁21的厚度(或开口面积)从一端向另一端逐渐减小。环形壁21的一个端面在与主体11相同的轴线上固定于主体11，以便包围凹部13。
如前所述构造的环形壁21与通过在凹部13中生成的负压向其施加抽吸的构件接触，使得防止构件进入凹部13。环形壁21还防止一部分已经进入环形壁21的开口的构件沿径向方向移动。
八个导槽22沿着排放到凹部13中的流体从凹部13流出的方向形成为从环形壁21的一端到另一端的直线。具体地，流体从凹部13流出的方向是指通过将从喷出口14排出并从凹部13流出的流体分子的向量组合而得到的向量的方向。更具体地，在朝向环形壁21的另一端观察时，导槽22沿着相对于一切线成大约20度角的方向形成，该切线穿过导槽22与凹部13的开口边缘之间的接触点。例如，在图8所示的示例性底部上，导槽22A的方向相对于切线L2成20度角，该切线L2穿过导槽22A与凹部13的开口边缘之间的接触点P2。在八个导槽22当中，当朝向环形壁21的另一端观察时，两个导槽22的方向相对于供应路径20延伸的方向形成大约45度角。其他六个导槽22被形成为使得相邻导槽16的方向形成大约45度角。例如，在图8所示的示例性底部上，导槽22B的方向(箭头A4)相对于供应路径20A延伸的方向(箭头A1)形成45度角。导槽22C的方向(箭头A5)相对于供应路径20B延伸的方向(箭头A3)形成45度角。每个导槽22均具有半圆形横截面形状。
如前所述构造的导槽22在远离凹部13的方向上对齐并引导从凹部13的开口流出的大部分流体分子。在输送构件的情况下由导槽22引导的流体分子的碰撞率低于沿着环形壁21的内壁面流动的流体分子的碰撞率。
根据涡旋流形成体2，在抽吸操作期间，从凹部13流出的大部分流体分子由导槽22对齐并从涡旋流形成体2排出。因此，涡旋流形成体2具有与根据第一实施方式的涡旋流形成体1相同的效果。
3.第三实施方式
作为根据本发明的“抽吸装置”的示例的根据第三实施方式的放射流形成体3与根据第一实施方式的涡旋流形成体1的不同在于：放射流形成体3通过利用伯努利原理形成向构件施加抽吸的放射流。下面，描述该不同。
图9示出了放射流形成体3的示例的立体图。图10是放射流形成体3的示例的底视图。图11示出了沿着图10所示的线C-C的放射流形成体3的截面图。这些附图所示的放射流形成体3包括主体31、环形凹部32、端面33、对置面34、倾斜面35以及八个导槽36。主体31由铝合金制成且为圆柱形。端面33以平坦的形状形成在主体31的处理待输送构件的表面上。以下，主体31的该表面被称为“底面”。在端面33上与主体31的外周同心地形成环形凹部32。在主体31的底面上形成的对置面34是平坦的，借此，对置面34相对于端面33凹进。对置面34被环形凹部32包围并且面向待输送构件。倾斜面35形成在环形凹部32的开口端上。
八个导槽36沿着排放到环形凹部32中的流体从环形凹部32流出的方向形成为从端面33的内周缘到外周缘的直线。具体地，流体从环形凹部32流出的方向是指通过将从喷嘴通道37(稍后描述)排出并从环形凹部32流出的流体分子的向量组合而得到的向量的方向。更具体地，在朝向端面33观察时，导槽16的方向相对于一切线成大约90度角，该切线穿过导槽36与环形凹部32的开口边缘之间的接触点。例如，在图12所示的示例性底部上，导槽36A的方向相对于切线L3成90度角，该切线L3穿过导槽36A与环形凹部32的开口边缘之间的接触点P3。在朝向端面33观察时，导槽36的方向大致平行于喷嘴通道37延伸的方向(更具体地为直线)。例如，在图12所示的示例性底部上，导槽36B沿着喷嘴通道37A延伸的方向(箭头A6)形成。
如前所述构造的导槽36在远离环形凹部32的方向上对齐并引导从环形凹部32的开口流出的大部分流体分子。在输送构件的情况下由导槽36引导的流体分子的碰撞率低于沿着端面33流动的流体分子的碰撞率。
放射流形成体3还包括是根据本发明的“流体流形成装置”的示例的八个喷嘴通道37、引入口38、引入路径39、环形通道40以及连通通道41。引入口38具有圆形形状，并且设置在主体31的顶面(即，与底面相对的表面)的中心中。引入口38例如经由管连接到(未例示的)流体供应泵。引入路径39设置在主体31的内部，并且沿着主体31的中心轴线以直线延伸。引入路径39在一端处与引入口38连通，并且在其另一端处与连通通道41连通。引入路径39向连通通道41供应经由引入口38供应到主体31中的流体。
连通通道41设置在主体31的内部，并且在环形通道40的径向上以直线延伸。连通通道41在其在轴向上的中央部分处与引入路径39连通，并且在其两端处与环形通道40连通。连通通道41向环形通道40供应从引入路径39供应的流体。环形通道40具有圆柱形状，并且设置在主体31的内部。环形通道40形成在与主体31相同的轴线上。环形通道40向喷嘴通道37供应从连通通道41供应的流体。
八个喷嘴通道37中的每一个均形成为大致平行于端面33或对置面34，并且在主体31的底面或顶面的径向上以直线延伸，其一端与环形通道40连通，并且另一端与环形凹部32连通。喷嘴通道37设置在同一平面上，使得相邻的两个喷嘴通道37形成大约45度角。每个喷嘴通道37均将流体排放到环形凹部32中，以形成放射流。
下面描述放射流形成体3的抽吸操作。在经由引入口38向放射流形成体3供应流体时，流体穿过引入路径39、连通通道41以及环形通道40，以从喷嘴通道37排放到环形凹部32中。排放到环形凹部32中的流体作为放射流从环形凹部32的开口流出。此时，如果待输送构件存在于与环形凹部32的开口对置的位置中，则外部流体到放射流形成体3与构件之间的空间的流入受到限制，并且空间中每单位体积的流体分子的密度由于放射流的夹带效应而变小；换句话说，生成负压。因此，由周围流体向构件施加压力，以被拉向放射流形成体3。另一方面，从环形凹部32的开口流出的大部分流体分子被导槽36对齐并从放射流形成体3排出。
根据放射流形成体3，从环形凹部32流出的大多数流体分子被导槽36对齐并排出，使得防止流体分子与构件碰撞。因此，控制构件的拍打和旋转，并且减少由流体分子与构件之间的碰撞引起的噪声。放射流形成体3具有比上述传统的抽吸装置更少的零件；因此，可以以较低的成本制造放射流形成体3。清洁放射流形成体3的流路比清洁通过挡板覆盖流路的传统抽吸装置的流路更容易。
根据放射流形成体3，由放射流形成体3施加抽吸的所有流体都从放射流形成体3排出，并且不进入环形凹部32或喷嘴通道37，借此，防止流体的供应路径被构件污染。
4.第四实施方式
作为根据本发明的“抽吸装置”的示例的根据第四实施方式的放射流形成体4与根据第三实施方式的放射流形成体3的不同在于：放射流形成体4包括其上形成有八个导槽43的环形壁42，代替端面33。下面，描述该不同。
图13示出了放射流形成体4的示例的立体图。图14示出了放射流形成体4的示例的底视图。这些附图所示的环形壁42具有梯形横截面形状。环形壁42被形成为使得：一个端面的外径等于主体31的直径，并且一个端面的内径等于环形凹部32的外径；另一端面的外径小于一个端面的外径，并且另一端面的内径大于一个端面的内径。换句话说，环形壁42被形成为使得环形壁42的厚度(或开口面积)从一端向另一端逐渐减小。环形壁42的一个端面在与主体31相同的轴线上固定于主体31，以便包围环形凹部32。
如前所述构造的环形壁42与通过由主体31生成的负压向其施加抽吸的构件接触，使得防止构件进入环形凹部32。环形壁42还防止一部分已经进入环形壁42的开口的构件沿径向方向移动。
八个导槽43沿着排放到环形凹部32中的流体从环形凹部32流出的方向形成为从环形壁42的一端到另一端的直线。具体地，流体从环形凹部32流出的方向是指通过将从喷嘴通道37排出并从环形凹部32流出的流体分子的向量组合而得到的向量的方向。更具体地，在朝向环形壁42的另一端观察时，导槽43的方向相对于一切线成大约90度角，该切线穿过导槽43与环形凹部32的开口边缘之间的接触点。例如，在图15所示的示例性底部上，导槽43A的方向相对于切线L4成90度角，该切线L4穿过导槽43A与环形凹部32的开口边缘之间的接触点P4。在朝向环形壁42的另一端观察时，导槽43的方向大致平行于喷嘴通道37延伸的方向(更具体地为直线)。例如，在图15所示的示例性底部上，导槽43B沿着喷嘴通道37A延伸的方向(箭头A6)形成。
如前所述构造的导槽43在远离环形凹部32的方向上对齐并引导从环形凹部32的开口流出的大部分流体分子。在输送构件的情况下由导槽43引导的流体分子的碰撞率低于沿着环形壁43的内壁面流动的流体分子的碰撞率。
根据放射流形成体4，在抽吸操作期间，从环形凹部32流出的大部分流体分子由导槽43对齐并从放射流形成体4排出。因此，放射流形成体4具有与根据第三实施方式的放射流形成体3相同的效果。
5.修改例
可以如以下所述的修改上述实施方式。值得注意的是，可以组合以下修改例。
5-1.修改例1
根据第一实施方式的涡旋流形成体1的主体11和凹部13的形状不限于为圆柱形状，并且可以为正方形或椭圆柱形状。主体11的面向凹部13的内周侧面111可以为锥形，使得凹部13的直径朝向开口增大。涡旋流形成体1可以设置有凸部，该凸部形成在凹部13内，使得在凸部的外周侧面与主体11的内周侧面111之间形成流体流路(例如，参照所公布的未审查专利申请第2016-159405号的图13)。设置在涡旋流形成体1中的喷出口14和供应路径20的数量不限于两个，并且可以更少或可以更多。喷出口14可以设置在内周侧面111的轴向上的上侧、中心或下侧中的任意一个中。可以省略倾斜面15的形成。供应口17的形状不限于圆形，并且可以为矩形或椭圆形。供应口17可以形成在主体11的侧面上，而不是形成在顶面上。供应路径20不是必须彼此平行。
在根据第一实施方式的涡旋流形成体1中，可以采用用于通过利用伯努利原理形成向构件施加抽吸的涡旋流的电扇，而不是在主体11内部形成的流体通道(例如，参照所公布的未审查专利申请第2011-138948号)。电扇是根据本发明的“流体流形成体”的示例。
根据第三实施方式的放射流形成体3的主体31的形状不限于为圆柱形，并且可以为正方形或椭圆柱形状。设置在放射流形成体3中的喷嘴通道37的数量不限于八个，并且可以更少或可以更多。引入口38的形状不限于圆形，并且可以为矩形或椭圆形。引入口38可以形成在主体31的侧面上，而不是形成在顶面上。
根据第二实施方式的环形壁21和根据第四实施方式的环形壁42的横截面形状不限于梯形，而是可以为半圆形或三角形。环形壁21和主体11可以一体地形成，并且环形壁42和主体31可以一体地形成。
5-2.修改例2
图16至图21是示出根据第一实施方式的导槽16的修改例的图。图16和图17示出了导槽51，该导槽51与导槽16的不同在于导槽51的横截面形状为矩形。值得注意的是，导槽51的横截面形状可以是V形或半椭圆形。图18和图19示出了导槽52，该导槽52与导槽16的不同在于导槽52的横截面形状为矩形，并且导槽52的截面积与距凹部13的距离成比例地增加。值得注意的是，导槽52可以具有与距凹部13的距离成比例地增加的宽度和/或与距凹部13的距离成比例地增加的深度。图20和图21示出了导槽53，该导槽53与导槽16的不同在于导槽53的横截面形状为矩形，并且导槽53的截面积与距凹部13的距离成比例地减小。值得注意的是，导槽53可以具有与距凹部13的距离成比例地减小的宽度和/或与距凹部13的距离成比例地减小的深度。
值得注意的是，对导槽16的每个修改均可以应用于根据第二实施方式的导槽22。
图22至图27是示出根据第三实施方式的导槽36的修改例的图。图22和图23示出了导槽61，该导槽61与导槽36的不同在于导槽61的横截面形状为矩形。值得注意的是，导槽61的横截面形状可以是V形或半椭圆形。图24和图25示出了导槽62，该导槽62与导槽36的不同在于导槽62的横截面形状为矩形，并且导槽62的截面积与距环形凹部32的距离成比例地增加。值得注意的是，导槽62可以具有与距环形凹部32的距离成比例地增加的宽度和/或与距环形凹部32的距离成比例地增加的深度。图26和图27示出了导槽63，该导槽63与导槽36的不同在于导槽63的横截面形状为矩形，并且导槽63的截面积与距环形凹部32的距离成比例地减小。值得注意的是，导槽63可以具有与距环形凹部32的距离成比例地减小的宽度和/或与距环形凹部32的距离成比例地减小的深度。
值得注意的是，对导槽36的每个修改均可以应用于根据第四实施方式的导槽43。
根据上述每个实施方式的导槽的数量不限于八个，并且可以更少或可以更多。每个导槽的宽度和深度可以大于所例示示例所示。例如，根据第一实施方式的端面12在侧视图中可以是波纹表面，如图28所示。导槽的布置不限于以上示例。导槽的最佳数量、尺寸以及布置基于从凹部流出的流体的流量来确定。
根据上述每个实施方式的导槽不必限于是线性的，并且可以稍微弯曲。具体地，当朝向主体的端面或凹部观察时，导槽的曲率可以小于凹部的开口边缘的弧或主体的外周的弧的曲率。例如，导槽可以具有凹部的开口边缘的弧或主体的外周的弧的一半的曲率。在主体具有棱柱形状的情况下，当朝向主体的端面或凹部观察时，导槽的曲率可以小于穿过主体的外侧的顶点的外切圆的弧的曲率。
5-3.修改例3
在根据第一实施方式的涡旋流形成体1的端面12上，可以设置突起71，以防止被输送构件的横向移位。突起71是根据本发明的“移动限制装置”的示例。图29示出了涡旋流形成体1A的示例的立体图，该涡旋流形成体1A是根据本发明的“抽吸装置”的示例。图30示出了涡旋流形成体1A的示例的底视图。这些附图所示的四个突起71具有尖端尖锐的圆柱形状，并且附接到端面12，使得突起71从端面12大致垂直地延伸。突起71被设置为包围由负压向其施加抽吸的构件。附图所示的突起71以相等间隔设置在端面12的径向上的中心中。由此构造的突起71防止由负压向其施加抽吸的构件在高速输送期间沿着端面12移动。
突起71的形状可以是具有尖锐尖端的棱柱形状或者是圆锥或角锥形状。突起71的数量可以少于三个或多于五个。突起71可以设置在端面12的径向上的外边缘或内边缘处。突起71可以被设置为穿刺由负压向其施加抽吸的构件。
突起71可以附接到根据第三实施方式的放射流形成体3的端面33。
5-4.修改例4
图31示出了涡旋流形成体1B的示例的侧视图，该涡旋流形成体1B是根据修改例3的涡旋流形成体1A的修改例。附图所示的涡旋流形成体1B与涡旋流形成体1A的不同在于：涡旋流形成体1B缺少八个导槽16，并且涡旋流形成体1B包括经由间隔物81附接到端面12的突起71。设置在涡旋流形成体1B中的四个间隔物81为圆柱形，并且具有比突起71的直径大的直径，并且在与突起71相同的轴线上附接到端面12。值得注意的是，可以将间隔物81的形状修改为棱柱形状。当涡旋流形成体1B在构件被突起71穿刺的同时输送诸如日式油炸菜肴的构件时，间隔物81与构件的表面接触，使得防止构件与端面12接触。因此，在构件与端面12之间维持间隙。该间隙使得从凹部13的开口流出的大多数流体分子流出，借此，减小流出流体与构件之间的碰撞率。由于这些原因，涡旋流形成体1B具有与根据第一实施方式的涡旋流形成体1相同的效果。
5-5.修改例5
在根据第一实施方式的涡旋流形成体1的端面12上，可以附接圆柱体91来保持被输送构件。图32是包括圆柱体91的涡旋流形成体1C的示例的侧视图，该涡旋流形成体1C是根据本发明的“抽吸装置”的示例。附图所示的圆柱体91是由诸如橡胶的弹性材料制成的波纹管状的圆柱体，并且用于保持由涡旋流形成体1C向其施加抽吸的构件。圆柱体91的一端固定在端面12上，使得圆柱体91允许通过由涡旋流形成体1C生成的负压向其施加抽吸的流体，而且防止被输送构件进入凹部13。具体地，圆柱体91在与凹部13相同的轴线上固定在端面12上。圆柱体91具有收缩部，这些收缩部的内径小于凹部13的内径和被输送构件的最大直径。圆柱体91的另一端朝向被输送构件膨胀。圆柱体91的高度基于从流体供应泵向涡旋流形成体1C供应的流体的流量和待输送构件的类型来确定。值得注意的是，圆柱体91的形状不限于圆柱形，并且可以是方形或椭圆柱形状。
根据涡旋流形成体1C，圆柱体91限制周围流体流入向构件施加抽吸的涡旋流形成体1C中，使得涡旋流形成体1C可以对被定位为远离负压生成区域的构件施加抽吸。圆柱体91的波纹管形状使得圆柱体91能够根据被输送构件的形状变形；因此，在涡旋流形成体1C与被输送构件之间产生错位的情况下，涡旋流形成体1C可以稳定地保持构件。而且，由于其波纹管形状，圆柱体91在与被输送构件接触的情况下对被输送构件的损坏较小。而且，由于圆柱体91的波纹管形状，更容易确保涡旋流形成体1C与被输送构件之间的垂直间隙，因为圆柱体91的膨胀和收缩补偿待输送构件的高度的变化。
圆柱体91可以具有收缩部，这些收缩部的内径小于或等于涡旋流形成体1C的凹部13的内径的一半，使得涡旋流形成体1C可以输送更小的构件。圆柱体91可以具有在圆柱体91的保持被输送构件的那一端处形成的凹口。凹口的形状可以包括锯齿形和半圆形、半椭圆形或矩形。代替圆柱体91，涡旋流形成体1C可以具有直径比圆柱体91小的多个圆柱体，这些圆柱体附接到端面12，使得涡旋流形成体1C可以同时输送多个构件。圆柱体91可以具有不同于波纹管形状的形状。圆柱体91可以从面向端面12的端部向面向被输送构件的端部逐渐变细。
圆柱体91可以附接到根据第三实施方式的放射流形成体3的端面33。
5-6.修改例6
根据上述每个实施方式的涡旋流形成体或放射流形成体可以用于将抽吸施加于、保持并输送诸如半导体晶片或玻璃基板的板状或片状构件，而不是食品。取决于构件的尺寸，可以使用附接到板状框架的多个涡旋流形成体或放射流形成体(例如，参照所公开的未审查专利申请第2016-159405号的图10和图11)。
1、1A、1B、1C、2...涡旋流形成体；3、4...放射流形成体；11...主体；12...端面；13...凹部；14...喷出口；15...倾斜面；16...导槽；17...供应口；18...环形通道；19...连通通道；20...供应路径；21...环形壁；22...导槽；31...主体；32...环形凹部，33...端面；34...对置面；35...倾斜面；36...导槽；37...喷嘴通道；38...引入口；39...引入路径；40...环形通道；41...连通通道；42...环形壁；43、51、52、53、62、63...导槽；71...突起；81...间隔物；91...圆柱体；111...内周侧面。

Claims (10)

1.一种抽吸装置，该抽吸装置包括：
圆柱形主体；
端面，该端面形成在所述主体上；
凹部，该凹部形成在所述端面中；
流体流形成装置，该流体流形成装置用于通过将流体排放到所述凹部中形成放射流或在所述凹部中形成流体涡旋流，所述流体涡旋流或所述放射流生成向构件施加抽吸的负压；以及
线性导槽，该导槽沿着排放到所述凹部中的所述流体流出所述凹部的方向形成在所述端面上。
2.根据权利要求1所述的抽吸装置，其中：
所述流体流形成装置是供所述流体排放到所述凹部中以形成所述流体涡旋流的流体通道；并且
当朝向所述端面观察时，所述导槽沿着相对于所述流体通道延伸方向形成大约45度角的方向形成在所述端面上。
3.根据权利要求1所述的抽吸装置，其中：
所述流体流形成装置是供所述流体排放到所述凹部中以形成所述放射流的流体通道；并且
当朝向所述端面观察时，所述导槽沿着与所述流体通道延伸方向大致平行的方向形成在所述端面上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的抽吸装置，其中，所述导槽被形成为使得所述导槽的截面积与距所述凹部的距离成比例地增加。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的抽吸装置，其中，所述导槽被形成为使得所述导槽的截面积与距所述凹部的距离成比例地减小。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的抽吸装置，所述抽吸装置还包括设置在所述端面上的移动限制装置，该移动限制装置用于限制沿着由所述负压向其施加抽吸的所述构件的端面的移动。
7.根据权利要求6所述的抽吸装置，其中，所述移动限制装置是喇叭状突起，该喇叭状突起通过穿刺所述构件来限制所述构件的移动。
8.一种抽吸装置，该抽吸装置包括：
柱状主体；
端面，该端面形成在所述主体上；
凹部，该凹部形成在所述端面中；
流体流形成装置，该流体流形成装置用于通过将流体排放到所述凹部中形成放射流或在所述凹部中形成流体涡旋流，所述流体涡旋流或所述放射流生成向构件施加抽吸的负压；以及
线性导槽，该导槽沿着排放到所述凹部中的所述流体流出所述凹部的方向形成在所述端面上，当朝向所述端面观察时，所述导槽具有比所述凹部的开口边缘的弧小的曲率。
9.一种抽吸装置，该抽吸装置包括：
柱状主体；
凹部，该凹部形成在所述主体的表面中；
流体流形成装置，该流体流形成装置用于通过将流体排放到所述凹部中形成放射流或在所述凹部中形成流体涡旋流，所述流体涡旋流或所述放射流生成向构件施加抽吸的负压；
环形壁，该环形壁被设置为包围所述凹部，防止所述构件进入所述凹部；以及
线性导槽，该导槽沿着排放到所述凹部中的所述流体流出所述凹部的方向形成在所述环形壁的内壁面上。
10.一种抽吸装置，该抽吸装置包括：
柱状主体；
凹部，该凹部形成在所述主体的表面中；
流体流形成装置，该流体流形成装置用于通过将流体排放到所述凹部中形成放射流或在所述凹部中形成流体涡旋流，所述流体涡旋流或所述放射流生成向构件施加抽吸的负压；
环形壁，该环形壁被设置为包围所述凹部，防止所述构件进入所述凹部；以及
线性导槽，该导槽沿着排放到所述凹部中的所述流体流出所述凹部的方向形成在所述环形壁的内壁面上，当朝向所述凹部的开口边缘观察时，所述导槽具有比所述凹部的所述开口边缘的弧小的曲率。
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